JPH06204380A - リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH06204380A JPH06204380A JP4348458A JP34845892A JPH06204380A JP H06204380 A JPH06204380 A JP H06204380A JP 4348458 A JP4348458 A JP 4348458A JP 34845892 A JP34845892 A JP 34845892A JP H06204380 A JPH06204380 A JP H06204380A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ボイド（気泡）が発生しにくい樹脂封止型半導
体装置を得ること。 【構成】リードフレームＬａの複数本の各リード５のモ
ールドライン７より内側に存在する内端部６の厚みを、
その他の部分の厚みより厚く構成し、このリードフレー
ムＬａに半導体チップＳを載置し、この半導体チップＳ
の電極バンプと前記リード５の内端部６とを電気的に接
続し、モールド金型８に装着して、前記半導体チップＳ
と前記リード５の前記電気的接続部分とをモールド樹脂
１０で封止するようにしている。 【効果】リードの内端部を厚くしたことにより、モール
ド樹脂の流動を制御でき、従って、ボイド不良の少ない
高信頼性の樹脂封止型半導体装置が得られる。
体装置を得ること。 【構成】リードフレームＬａの複数本の各リード５のモ
ールドライン７より内側に存在する内端部６の厚みを、
その他の部分の厚みより厚く構成し、このリードフレー
ムＬａに半導体チップＳを載置し、この半導体チップＳ
の電極バンプと前記リード５の内端部６とを電気的に接
続し、モールド金型８に装着して、前記半導体チップＳ
と前記リード５の前記電気的接続部分とをモールド樹脂
１０で封止するようにしている。 【効果】リードの内端部を厚くしたことにより、モール
ド樹脂の流動を制御でき、従って、ボイド不良の少ない
高信頼性の樹脂封止型半導体装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレーム及び
これを用いた樹脂封止型半導体装置の構造に関するもの
である。
これを用いた樹脂封止型半導体装置の構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図８乃至図１０を用いて従来技術のリー
ドフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置の構造
及びその製造方法を説明する。図８は従来技術のリード
フレームの一例を示した平面図であり、図９は図８に示
したリードフレームを用いて構成した樹脂封止型半導体
装置の断面図であり、そして図１０は図８に示したリー
ドフレームを用いて半導体チップを樹脂封止する場合に
生じる樹脂の流れの一過程を説明するための平面図であ
る。
ドフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置の構造
及びその製造方法を説明する。図８は従来技術のリード
フレームの一例を示した平面図であり、図９は図８に示
したリードフレームを用いて構成した樹脂封止型半導体
装置の断面図であり、そして図１０は図８に示したリー
ドフレームを用いて半導体チップを樹脂封止する場合に
生じる樹脂の流れの一過程を説明するための平面図であ
る。
【０００３】図８に示した一素子単位のリードフレーム
Ｌは、平行に離間して延在する２本のフレーム枠２６
と、両フレーム枠２６と吊りリード２７によって連結せ
られるダイパッド２８と、先端部分がダイパッド２８の
周辺部に近接し、包囲するように設けられ、かつタイバ
ー２９に支持された複数本のリード３０などで構成さ
れ、これらは同一の金属帯板を打ち抜き、或いはエッチ
ングして形成され、それらは一平面上または吊りリード
２７をプレス加工することによりダイパッド２８のみが
下がった二平面上に構成されている。
Ｌは、平行に離間して延在する２本のフレーム枠２６
と、両フレーム枠２６と吊りリード２７によって連結せ
られるダイパッド２８と、先端部分がダイパッド２８の
周辺部に近接し、包囲するように設けられ、かつタイバ
ー２９に支持された複数本のリード３０などで構成さ
れ、これらは同一の金属帯板を打ち抜き、或いはエッチ
ングして形成され、それらは一平面上または吊りリード
２７をプレス加工することによりダイパッド２８のみが
下がった二平面上に構成されている。
【０００４】図９は図８のダイパッド２８が下がったリ
ードフレームＬを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。前記したリードフレームＬのダイパッド
２８の上に、電子回路を集積、形成された半導体チップ
Ｓがダイボンドされており、その半導体チップＳの表面
に形成されたボンディングパッドと各リード３０の内端
部３１とをワイヤー３２で結線し、モールド樹脂３３で
半導体チップＳ、ダイパッド２８、ワイヤ３２及びリー
ドの内端部３１を封止している。この樹脂封止はトラン
スファーモールド用金型を用いて行われるが、モールド
樹脂の流動を均一化するために、半導体チップＳ上の樹
脂肉厚Ｔａとダイパッド２８の下方の樹脂肉厚Ｔｂが等
しくなるように設計されることが多い。
ードフレームＬを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。前記したリードフレームＬのダイパッド
２８の上に、電子回路を集積、形成された半導体チップ
Ｓがダイボンドされており、その半導体チップＳの表面
に形成されたボンディングパッドと各リード３０の内端
部３１とをワイヤー３２で結線し、モールド樹脂３３で
半導体チップＳ、ダイパッド２８、ワイヤ３２及びリー
ドの内端部３１を封止している。この樹脂封止はトラン
スファーモールド用金型を用いて行われるが、モールド
樹脂の流動を均一化するために、半導体チップＳ上の樹
脂肉厚Ｔａとダイパッド２８の下方の樹脂肉厚Ｔｂが等
しくなるように設計されることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来のリード
フレームＬ及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の構
造では、図９に示したように、半導体チップＳ上及びダ
イパッド２８下の樹脂肉厚Ｔａ、Ｔｂに比べて、リード
３０の内端部３１の上下の樹脂肉厚Ｔｃ、Ｔｄの方が厚
いため、トランスファーモールド用金型に、図１０Ａに
示したように、矢印の方向からモールド樹脂３３を注入
した場合、その溶融状態のモールド樹脂３３は流動抵抗
が少ないリード３０の内端部３１の上下を流れるモール
ド樹脂３３が先行し、流動抵抗が大きい半導体チップＳ
上及びダイパッド２８の下方を流れるモールド樹脂３３
が遅行し、図１０Ｂに示したように、前記リード３０の
内端部３１の上下を流れるモールド樹脂３３がモールド
金型内に存在する空気を包み込む状態になり、それが半
導体チップＳ上及びまたはダイパッド２８の下方に気泡
（ボイド）４０となり、樹脂封止型半導体装置のボイド
不良という問題が発生した。それ故、この発明では、こ
のボイドの発生を防止することを課題とするものであ
る。
フレームＬ及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の構
造では、図９に示したように、半導体チップＳ上及びダ
イパッド２８下の樹脂肉厚Ｔａ、Ｔｂに比べて、リード
３０の内端部３１の上下の樹脂肉厚Ｔｃ、Ｔｄの方が厚
いため、トランスファーモールド用金型に、図１０Ａに
示したように、矢印の方向からモールド樹脂３３を注入
した場合、その溶融状態のモールド樹脂３３は流動抵抗
が少ないリード３０の内端部３１の上下を流れるモール
ド樹脂３３が先行し、流動抵抗が大きい半導体チップＳ
上及びダイパッド２８の下方を流れるモールド樹脂３３
が遅行し、図１０Ｂに示したように、前記リード３０の
内端部３１の上下を流れるモールド樹脂３３がモールド
金型内に存在する空気を包み込む状態になり、それが半
導体チップＳ上及びまたはダイパッド２８の下方に気泡
（ボイド）４０となり、樹脂封止型半導体装置のボイド
不良という問題が発生した。それ故、この発明では、こ
のボイドの発生を防止することを課題とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、半導体チップを配置する周辺にタイバ
ーに支持された複数本のリードが取り囲むように構成さ
れたリードフレームにおいて、前記複数本の各リードの
モールドラインより内側に存在する内端部の厚みを、そ
の他の部分の厚みより厚く構成し、このリードフレーム
に半導体チップを載置し、この半導体チップの電極バン
プと前記リードの内端部とを電気的に接続し、モールド
金型に装着して、前記半導体チップと前記リードの前記
電気的接続部分とをモールド樹脂で封止するようにし
た。
に、この発明は、半導体チップを配置する周辺にタイバ
ーに支持された複数本のリードが取り囲むように構成さ
れたリードフレームにおいて、前記複数本の各リードの
モールドラインより内側に存在する内端部の厚みを、そ
の他の部分の厚みより厚く構成し、このリードフレーム
に半導体チップを載置し、この半導体チップの電極バン
プと前記リードの内端部とを電気的に接続し、モールド
金型に装着して、前記半導体チップと前記リードの前記
電気的接続部分とをモールド樹脂で封止するようにし
た。
【０００７】
【作用】従って、このリードフレームに半導体チップを
載置してモールド金型に装着した場合に、半導体チップ
上とダイパッド下の樹脂肉厚と、リードの内端部上下の
樹脂肉厚とが等しなるので、そのような状態でモールド
樹脂を注入すると、そのリードの内端部の肉厚部分を流
れるモールド樹脂が流動抵抗を受けて流れの速さが抑え
られ、もともと流れの遅い半導体チップ上とダイパッド
下のモールド樹脂の流れと同等の速さにすることができ
る。
載置してモールド金型に装着した場合に、半導体チップ
上とダイパッド下の樹脂肉厚と、リードの内端部上下の
樹脂肉厚とが等しなるので、そのような状態でモールド
樹脂を注入すると、そのリードの内端部の肉厚部分を流
れるモールド樹脂が流動抵抗を受けて流れの速さが抑え
られ、もともと流れの遅い半導体チップ上とダイパッド
下のモールド樹脂の流れと同等の速さにすることができ
る。
【０００８】
【実施例】この発明の第１の実施例であるリードフレー
ム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置を図１乃至図
３を用いて説明する。図１はこの発明のリードフレーム
の第１の実施例であって、同図Ａはその平面図、同図Ｂ
は同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図２は図
１に示したリードフレームに半導体チップを載置し、モ
ールド金型に装着した状態を示した断面図であり、図３
は図２に示した、モールド金型に装着した状態でリード
フレーム及び半導体チップを樹脂封止する場合に生じる
樹脂の流れの状態を説明するための平面図であり、同図
Ａはその途中のモールド樹脂の流れの状態を示した平面
図、同図Ｂは同図Ａのモールド樹脂の流れの状態から樹
脂モールドが完了した状態を示した平面図である。
ム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置を図１乃至図
３を用いて説明する。図１はこの発明のリードフレーム
の第１の実施例であって、同図Ａはその平面図、同図Ｂ
は同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図２は図
１に示したリードフレームに半導体チップを載置し、モ
ールド金型に装着した状態を示した断面図であり、図３
は図２に示した、モールド金型に装着した状態でリード
フレーム及び半導体チップを樹脂封止する場合に生じる
樹脂の流れの状態を説明するための平面図であり、同図
Ａはその途中のモールド樹脂の流れの状態を示した平面
図、同図Ｂは同図Ａのモールド樹脂の流れの状態から樹
脂モールドが完了した状態を示した平面図である。
【０００９】先ず、図１を用いてこの発明のリードフレ
ームＬａを説明する。このリードフレームＬａは、平行
に離間して延在する２本のフレーム枠１と、両フレーム
枠１と吊りリード２とで連結されたダイパッド３と、内
端部６がダイパッド３の周辺部に近接、配置され、かつ
タイバー４に支持された複数本のリード５などで構成さ
れた金属帯板からなり、前記吊りリード２を下方にプレ
ス加工することによりダイパッド３を下げた構造に構成
した。そして前記リード５のモールドライン７より内側
の内端部６は、図１Ｂに示したように、その厚みを上下
に厚く構成した。この内端部６の突部の下面は前記ダイ
パッド３の下面と同一の平面になるように構成されてい
る。
ームＬａを説明する。このリードフレームＬａは、平行
に離間して延在する２本のフレーム枠１と、両フレーム
枠１と吊りリード２とで連結されたダイパッド３と、内
端部６がダイパッド３の周辺部に近接、配置され、かつ
タイバー４に支持された複数本のリード５などで構成さ
れた金属帯板からなり、前記吊りリード２を下方にプレ
ス加工することによりダイパッド３を下げた構造に構成
した。そして前記リード５のモールドライン７より内側
の内端部６は、図１Ｂに示したように、その厚みを上下
に厚く構成した。この内端部６の突部の下面は前記ダイ
パッド３の下面と同一の平面になるように構成されてい
る。
【００１０】この内端部６の厚みＷａはリードフレーム
Ｌａの前記ダイパッド３の表面に半導体チップＳを載置
した状態の場合のそれら全体の厚みと同一か、それより
もやや厚い厚みに形成する。図１の実施例の場合、同一
厚みに形成されている。
Ｌａの前記ダイパッド３の表面に半導体チップＳを載置
した状態の場合のそれら全体の厚みと同一か、それより
もやや厚い厚みに形成する。図１の実施例の場合、同一
厚みに形成されている。
【００１１】このような構成のリードフレームＬａの前
記ダイパッド３の表面に半導体チップＳをダイボンディ
ングし、図示していないが、従来の方法で半導体チップ
Ｓのボンディングパッドと前記リード５の各内端部６の
上方突部の表面とをワイヤで結線する。
記ダイパッド３の表面に半導体チップＳをダイボンディ
ングし、図示していないが、従来の方法で半導体チップ
Ｓのボンディングパッドと前記リード５の各内端部６の
上方突部の表面とをワイヤで結線する。
【００１２】このように半導体チップＳを前記リードフ
レームＬａに載置した状態で、図２に示したように、上
金型８ａ及び下金型８ｂからなるモールド金型８に装着
する。モールドライン７より内側のリード５の内端部６
が上下に厚くなっていることにより、半導体チップＳの
上方の樹脂肉厚Ｔａとダイパッド３の下方の樹脂肉厚Ｔ
ｂと、内端部６の突部上方及び突部下方のそれぞれの樹
脂肉厚Ｔｃ、Ｔｄとが等しくなっている。
レームＬａに載置した状態で、図２に示したように、上
金型８ａ及び下金型８ｂからなるモールド金型８に装着
する。モールドライン７より内側のリード５の内端部６
が上下に厚くなっていることにより、半導体チップＳの
上方の樹脂肉厚Ｔａとダイパッド３の下方の樹脂肉厚Ｔ
ｂと、内端部６の突部上方及び突部下方のそれぞれの樹
脂肉厚Ｔｃ、Ｔｄとが等しくなっている。
【００１３】この状態で、図３Ａに示したように、矢印
の方向からモールド金型８に溶融したモールド樹脂１０
を注入すると、前記内端部６の上下部を流れる樹脂１０
ａのがその内端部６で抵抗を受け、もともと抵抗の大き
い半導体チップＳの表面上及びダイパッド３の下方を流
れる樹脂１０ｂの流れの速さと同等の速さになるので、
モールド金型８内に存在する空気を包み込まず、図３Ｂ
に示したように、気泡（ボイド）が残らないように封止
することができる。
の方向からモールド金型８に溶融したモールド樹脂１０
を注入すると、前記内端部６の上下部を流れる樹脂１０
ａのがその内端部６で抵抗を受け、もともと抵抗の大き
い半導体チップＳの表面上及びダイパッド３の下方を流
れる樹脂１０ｂの流れの速さと同等の速さになるので、
モールド金型８内に存在する空気を包み込まず、図３Ｂ
に示したように、気泡（ボイド）が残らないように封止
することができる。
【００１４】図４に第２の実施例のリードフレームＬｂ
をモールド金型１８に装着した状態の断面図を示した。
このリードフレームＬｂは、リード５の内端部６Ａの厚
い部分を上方のみに形成した構造を採っていること以外
は、第１の実施例と同じである。これらの内端部６Ａは
上方のみが厚くなっているため、上金型１８ａのキャビ
ティの深さＤａが下金型１８ｂのキャビティの深さＤｂ
よりも深いモールド金型１８を用いると良い。
をモールド金型１８に装着した状態の断面図を示した。
このリードフレームＬｂは、リード５の内端部６Ａの厚
い部分を上方のみに形成した構造を採っていること以外
は、第１の実施例と同じである。これらの内端部６Ａは
上方のみが厚くなっているため、上金型１８ａのキャビ
ティの深さＤａが下金型１８ｂのキャビティの深さＤｂ
よりも深いモールド金型１８を用いると良い。
【００１５】図５に第３の実施例のリードフレームＬｃ
をモールド金型２８に装着した状態の断面図を示した。
このリードフレームＬｃは、リード５の内端部６Ｂの厚
い部分を下方のみに形成した構造を採っていること以外
は、第１の実施例と同じである。これらの内端部６Ｂは
下方のみが厚くなっているため、下金型２８ｂのキャビ
ティの深さＤｂが上金型２８ａのキャビティの深さＤａ
よりも深いモールド金型２８を用いると良い。
をモールド金型２８に装着した状態の断面図を示した。
このリードフレームＬｃは、リード５の内端部６Ｂの厚
い部分を下方のみに形成した構造を採っていること以外
は、第１の実施例と同じである。これらの内端部６Ｂは
下方のみが厚くなっているため、下金型２８ｂのキャビ
ティの深さＤｂが上金型２８ａのキャビティの深さＤａ
よりも深いモールド金型２８を用いると良い。
【００１６】次に、リード５の内端部６を厚くする形成
方法及びその構造を図６及び図７を用いて説明する。図
６はその第１の実施例を示した一部拡大斜視図であり、
図７は第２の実施例を示し、同図Ａはその一部拡大斜視
図、同図Ｂはその全体の状態を示した平面図である。
方法及びその構造を図６及び図７を用いて説明する。図
６はその第１の実施例を示した一部拡大斜視図であり、
図７は第２の実施例を示し、同図Ａはその一部拡大斜視
図、同図Ｂはその全体の状態を示した平面図である。
【００１７】先ず、図６に示した第１の実施例の内端部
６は、リード５やタイバー４などからなるリードフレー
ムと同一厚さの内端部６ａの表裏両面（図には裏面を示
していない）に、これらと同材質で内端部６ａと同一形
状の金属片６ｂを導電性接着剤などで接着して、前記内
端部６を厚く形成する例である。この金属片６ｂの表面
に銀メッキ６ｃを施しておけば、ワイヤボンディングを
確実に行うことができる。
６は、リード５やタイバー４などからなるリードフレー
ムと同一厚さの内端部６ａの表裏両面（図には裏面を示
していない）に、これらと同材質で内端部６ａと同一形
状の金属片６ｂを導電性接着剤などで接着して、前記内
端部６を厚く形成する例である。この金属片６ｂの表面
に銀メッキ６ｃを施しておけば、ワイヤボンディングを
確実に行うことができる。
【００１８】次に、図７に示した第２の実施例を説明す
る。この実施例では、内端部６を厚くする手段として絶
縁性テープ９を用い、図７Ａに示したように、これを前
記内端部６ａの表裏両面（図には裏面を示していない）
に貼って前記内端部６を形成するようにしている。内端
部６ａにワイヤボンディングする部分の前記絶縁性テー
プ９には、リード５毎に対応して切り欠き９Ａが形成さ
れている。これらの切り欠き９Ａを設けたことにより、
これらの切り欠き９Ａを通してワイヤボンディングする
際、隣接するワイヤのショートを防止することができ
る。また、この第２の実施例のリードフレームの製作方
法の方が第１の実施例のリードフレームの製作より製作
し易い。
る。この実施例では、内端部６を厚くする手段として絶
縁性テープ９を用い、図７Ａに示したように、これを前
記内端部６ａの表裏両面（図には裏面を示していない）
に貼って前記内端部６を形成するようにしている。内端
部６ａにワイヤボンディングする部分の前記絶縁性テー
プ９には、リード５毎に対応して切り欠き９Ａが形成さ
れている。これらの切り欠き９Ａを設けたことにより、
これらの切り欠き９Ａを通してワイヤボンディングする
際、隣接するワイヤのショートを防止することができ
る。また、この第２の実施例のリードフレームの製作方
法の方が第１の実施例のリードフレームの製作より製作
し易い。
【００１９】このような構造の絶縁性テープ９を、図７
Ｂに示したように、前記リードフレームＬａのダイパッ
ド３の両側縁に配列された内端部６に表裏両面に貼る
と、前記内端部６が形成することができる。
Ｂに示したように、前記リードフレームＬａのダイパッ
ド３の両側縁に配列された内端部６に表裏両面に貼る
と、前記内端部６が形成することができる。
【００２０】第２実施例のリードフレームＬｂ（図４）
の内端部６Ａを製作する場合には、前記内端部６ａの表
面のみに前記金属片６ｂまたは前記絶縁性テープ９を接
着するだけでよく、第３実施例のリードフレームＬｃ
（図５）の内端部６Ｂを製作する場合には、前記内端部
６ａの裏面のみに前記金属片６ｂまたは前記絶縁性テー
プ９を接着するだけで実現することができる。
の内端部６Ａを製作する場合には、前記内端部６ａの表
面のみに前記金属片６ｂまたは前記絶縁性テープ９を接
着するだけでよく、第３実施例のリードフレームＬｃ
（図５）の内端部６Ｂを製作する場合には、前記内端部
６ａの裏面のみに前記金属片６ｂまたは前記絶縁性テー
プ９を接着するだけで実現することができる。
【００２１】前記の各実施例では、ダイパッド３を備え
たリードフレームを例示して、この発明のリードフレー
ム及び樹脂封止型半導体装置を説明したが、この発明は
ダイパッドレスのリードフレームにも適用できることは
言うまでもない。
たリードフレームを例示して、この発明のリードフレー
ム及び樹脂封止型半導体装置を説明したが、この発明は
ダイパッドレスのリードフレームにも適用できることは
言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、リードフレームのモールドラインより内側のリード
部を他の部分より厚くすることにより、モールド樹脂の
流動を制御でき、従って、ボイド不良の少ない高信頼性
の樹脂封止型半導体装置が得られる。
ば、リードフレームのモールドラインより内側のリード
部を他の部分より厚くすることにより、モールド樹脂の
流動を制御でき、従って、ボイド不良の少ない高信頼性
の樹脂封止型半導体装置が得られる。
【図１】この発明のリードフレームの第１の実施例であ
って、同図Ａはその平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線
上における断面図である。
って、同図Ａはその平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線
上における断面図である。
【図２】図１に示したリードフレームに半導体チップを
載置し、モールド金型に装着した状態を示した断面図で
ある。
載置し、モールド金型に装着した状態を示した断面図で
ある。
【図３】図２に示した、モールド金型に装着した状態で
リードフレーム及び半導体チップを樹脂封止する場合に
生じる樹脂の流れの状態を説明するための平面図であ
り、同図Ａはその途中のモールド樹脂の流れの状態を示
した平面図、同図Ｂは同図Ａのモールド樹脂の流れの状
態から樹脂モールドが完了した状態を示した平面図であ
る。
リードフレーム及び半導体チップを樹脂封止する場合に
生じる樹脂の流れの状態を説明するための平面図であ
り、同図Ａはその途中のモールド樹脂の流れの状態を示
した平面図、同図Ｂは同図Ａのモールド樹脂の流れの状
態から樹脂モールドが完了した状態を示した平面図であ
る。
【図４】この発明の第２の実施例であるリードフレーム
に半導体チップを載置し、モールド金型に装着した状態
を示した断面図である。
に半導体チップを載置し、モールド金型に装着した状態
を示した断面図である。
【図５】この発明の第３の実施例であるリードフレーム
に半導体チップを載置し、モールド金型に装着した状態
を示した断面図である。
に半導体チップを載置し、モールド金型に装着した状態
を示した断面図である。
【図６】図１に示したリードフレームの構成要部の形成
方法及び構造の第１の実施例を示した一部拡大斜視図で
ある。
方法及び構造の第１の実施例を示した一部拡大斜視図で
ある。
【図７】図１に示したリードフレームの構成要部の形成
方法及び構造の第２の実施例を示し、同図Ａはその一部
拡大斜視図、同図Ｂはその全体の状態を示した平面図で
ある。
方法及び構造の第２の実施例を示し、同図Ａはその一部
拡大斜視図、同図Ｂはその全体の状態を示した平面図で
ある。
【図８】従来技術のリードフレームの一例を示した平面
図である。
図である。
【図９】図８に示したリードフレームを用いて構成した
樹脂封止型半導体装置の断面図である。
樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１０】図８に示したリードフレームを用いて半導体
チップを樹脂封止する場合に生じる樹脂の流れの一過程
を説明するための平面図である。
チップを樹脂封止する場合に生じる樹脂の流れの一過程
を説明するための平面図である。
１ フレーム枠 ２ 吊りリード ３ ダイパッド ４ タイバー ５ リード ６ 第１実施例の内端部 ６ａ 内端部 ６ｂ 金属片 ６ｃ 銀メッキ ６Ａ 第２実施例の内端部 ６Ｂ 第３実施例の内端部 ７ モールドライン ８ モールド金型 ９ 絶縁性テープ ９Ａ 切り欠き １０ モールド樹脂 １８ モールド金型 ２８ モールド金型 Ｓ 半導体チップ Ｌａ 第１実施例のリードフレーム Ｌｂ 第２実施例のリードフレーム Ｌｃ 第３実施例のリードフレーム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】この内端部６の厚みＷａはリードフレーム
Ｌａの前記ダイパッド３の表面に半導体チップＳを載置
した状態の場合のそれら全体の厚みと同一か、それより
もやや厚くても薄くてもよい。図１の実施例の場合、同
一厚みに形成されている。
Ｌａの前記ダイパッド３の表面に半導体チップＳを載置
した状態の場合のそれら全体の厚みと同一か、それより
もやや厚くても薄くてもよい。図１の実施例の場合、同
一厚みに形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】この状態で、図３Ａに示したように、矢印
の方向からモールド金型８に溶融したモールド樹脂１０
を注入すると、前記内端部６の上下部を流れる樹脂１０
ａがその内端部６で抵抗を受け、もともと抵抗の大きい
半導体チップＳの表面上及びダイパッド３の下方を流れ
る樹脂１０ｂの流れの速さと同等の速さになるので、モ
ールド金型８内に存在する空気を包み込まず、図３Ｂに
示したように、気泡（ボイド）が残らないように封止す
ることができる。この場合、樹脂１０ａ及び１０ｂの流
れを最適化するためには、内端部６の厚さや、厚くする
部分の面積などを変更することにより調整できる。
の方向からモールド金型８に溶融したモールド樹脂１０
を注入すると、前記内端部６の上下部を流れる樹脂１０
ａがその内端部６で抵抗を受け、もともと抵抗の大きい
半導体チップＳの表面上及びダイパッド３の下方を流れ
る樹脂１０ｂの流れの速さと同等の速さになるので、モ
ールド金型８内に存在する空気を包み込まず、図３Ｂに
示したように、気泡（ボイド）が残らないように封止す
ることができる。この場合、樹脂１０ａ及び１０ｂの流
れを最適化するためには、内端部６の厚さや、厚くする
部分の面積などを変更することにより調整できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】前記の各実施例では、ダイパッド３を備え
たリードフレームを例示して、この発明のリードフレー
ム及び樹脂封止型半導体装置を説明したが、この発明は
ダイパッドレスのリードフレームにも適用できることは
言うまでもない。また、前記実施例では、ＳＯＰ型半導
体装置用リードフレームを例示して説明したが、ＱＦＰ
型半導体装置用リードフレームにも適用できる。
たリードフレームを例示して、この発明のリードフレー
ム及び樹脂封止型半導体装置を説明したが、この発明は
ダイパッドレスのリードフレームにも適用できることは
言うまでもない。また、前記実施例では、ＳＯＰ型半導
体装置用リードフレームを例示して説明したが、ＱＦＰ
型半導体装置用リードフレームにも適用できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】半導体チップを配置する周辺にタイバーに
支持された複数本のリードが取り囲むように構成された
リードフレームにおいて、前記複数本の各リードのモー
ルドラインより内側に存在する部分の厚みを、その他の
部分の厚みより厚く構成したことを特徴とするリードフ
レーム。 - 【請求項２】請求項１に記載のリードフレームにおける
前記複数本のリードの厚さが厚い部分は、これらのリー
ドのその他の部分に、これらの前記その他の部分の金属
材質と同材質の金属片を接着して構成したことを特徴と
する請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１に記載のリードフレームにおける
前記複数本のリードの厚さが厚い部分は、これらのリー
ドのその他の部分に、半導体チップの電極を電気的に接
続できる切り欠きが形成された絶縁性テープを貼着して
構成したことを特徴とする請求項１に記載のリードフレ
ーム。 - 【請求項４】請求項１及び請求項２に記載のリードフレ
ームに半導体チップを載置し、この半導体チップの電極
バンプと前記リードの厚さが厚い部分とを電気的に接続
し、前記半導体チップと前記リードの前記電気的接続部
分とを樹脂で封止したことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項５】請求項３に記載のリードフレームに半導体
チップを載置し、この半導体チップの電極バンプと前記
絶縁性テープの切り欠きを通して前記リード部分の厚さ
と同一の厚さの内端部とを電気的に接続し、前記半導体
チップと前記リードの前記電気的接続部分とを樹脂で封
止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348458A JPH06204380A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348458A JPH06204380A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204380A true JPH06204380A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18397144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4348458A Pending JPH06204380A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757387A1 (de) * | 1995-12-22 | 1997-02-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Leadframe für die Lead-on-Chip-Montage und seine Verwendung zur Herstellung eines Gehäuses für einen an ihm befestigten Chip |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4348458A patent/JPH06204380A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757387A1 (de) * | 1995-12-22 | 1997-02-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Leadframe für die Lead-on-Chip-Montage und seine Verwendung zur Herstellung eines Gehäuses für einen an ihm befestigten Chip |
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