JPH06204712A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JPH06204712A JPH06204712A JP36005592A JP36005592A JPH06204712A JP H06204712 A JPH06204712 A JP H06204712A JP 36005592 A JP36005592 A JP 36005592A JP 36005592 A JP36005592 A JP 36005592A JP H06204712 A JPH06204712 A JP H06204712A
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Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヨークの有する磁気的特性及び電気的特性の
影響を事実上受けることなく、必要な接地特性を確保
し、ヨークを確実にアース電位に保つ。 【構成】 上、下のヨーク(5、6)を別体とし、ヨー
ク(5、6)とは別に独立してアース端子(81、8
2)を設ける。
影響を事実上受けることなく、必要な接地特性を確保
し、ヨークを確実にアース電位に保つ。 【構成】 上、下のヨーク(5、6)を別体とし、ヨー
ク(5、6)とは別に独立してアース端子(81、8
2)を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非可逆伝送特性を持つ
非可逆回路素子に関し、更に詳しくは、自動車電話、携
帯電話、コードレス電話等の通信システムにおいて、ア
イソレータまたはサーキュレータとして用いられる非可
逆回路素子に関する。
非可逆回路素子に関し、更に詳しくは、自動車電話、携
帯電話、コードレス電話等の通信システムにおいて、ア
イソレータまたはサーキュレータとして用いられる非可
逆回路素子に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の非可逆回路素子としては、例え
ば、特開平2ー260513号、実開平2ー24602
号公報等に記載されたものが知られている。これらの公
知文献に記載された、非可逆回路素子は、支持基板、磁
性体、シールド板及び永久磁石を有する非可逆回路素子
本体と、ヨークとを含んでいる。非可逆回路素子本体
は、支持基板上に互いに120度の交角で対称的に配置
された3つのストリップ導体の片側または両側に磁性体
を配置し、この磁性体をシールド板で覆い、その外側か
ら永久磁石により直流磁界を加える。ヨークは軟磁性体
からなり、永久磁石の生じる磁界に対する磁路を構成す
ると共に、非可逆回路素子本体を機械的に支えるケース
を固定する固定具として用いられ、更に、アース端子を
兼ねている。
ば、特開平2ー260513号、実開平2ー24602
号公報等に記載されたものが知られている。これらの公
知文献に記載された、非可逆回路素子は、支持基板、磁
性体、シールド板及び永久磁石を有する非可逆回路素子
本体と、ヨークとを含んでいる。非可逆回路素子本体
は、支持基板上に互いに120度の交角で対称的に配置
された3つのストリップ導体の片側または両側に磁性体
を配置し、この磁性体をシールド板で覆い、その外側か
ら永久磁石により直流磁界を加える。ヨークは軟磁性体
からなり、永久磁石の生じる磁界に対する磁路を構成す
ると共に、非可逆回路素子本体を機械的に支えるケース
を固定する固定具として用いられ、更に、アース端子を
兼ねている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の非可逆回路素子は、磁路を構成するヨークが、更に、
アース端子を兼ねているため、小型化及び薄型化の要求
に応えようとして、ヨークを薄くした場合、ヨークの電
気抵抗が増大し、アース端子としての接地特性が悪くな
る。電気抵抗を小さくして接地特性を改善しようとして
材質を変えた場合等には、磁路の磁気特性が悪くなり効
率が低下することがある。
の非可逆回路素子は、磁路を構成するヨークが、更に、
アース端子を兼ねているため、小型化及び薄型化の要求
に応えようとして、ヨークを薄くした場合、ヨークの電
気抵抗が増大し、アース端子としての接地特性が悪くな
る。電気抵抗を小さくして接地特性を改善しようとして
材質を変えた場合等には、磁路の磁気特性が悪くなり効
率が低下することがある。
【0004】そこで、本発明の課題は、ヨークの有する
磁気的特性及び電気的特性の影響を事実上受けることな
く、必要な接地特性を確保し、ヨークを確実にアース電
位に保つことの可能な非可逆回路素子を提供することで
ある。
磁気的特性及び電気的特性の影響を事実上受けることな
く、必要な接地特性を確保し、ヨークを確実にアース電
位に保つことの可能な非可逆回路素子を提供することで
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、上、下のヨークを別体とし、ヨークとは
別に独立してアース端子を設けた。
め、本発明は、上、下のヨークを別体とし、ヨークとは
別に独立してアース端子を設けた。
【0006】
【作用】上、下のヨークを別体とし、ヨークとは別に独
立してアース端子を設けたから、従来の非可逆回路素子
と異なり、ヨークの有する磁気的特性及び電気的特性の
影響を事実上受けることなく、必要な接地特性を確保
し、ヨークを確実にアース電位に保つことができる。例
えば、小型化及び薄型化の要求に応えようとしてヨーク
を薄くしたために、ヨークの電気抵抗が増大したとして
も、これとは無関係に、アース端子の有する低い電気抵
抗によって、ヨークを確実にアース電位に保つことがで
きる。また、ヨークの有する磁気特性を改善するため電
気抵抗の大きな磁性材料を用いたとしても、それに影響
されることなく、アース端子の有する電気的特性によっ
て、ヨークを確実にアース電位に保つことができる。
立してアース端子を設けたから、従来の非可逆回路素子
と異なり、ヨークの有する磁気的特性及び電気的特性の
影響を事実上受けることなく、必要な接地特性を確保
し、ヨークを確実にアース電位に保つことができる。例
えば、小型化及び薄型化の要求に応えようとしてヨーク
を薄くしたために、ヨークの電気抵抗が増大したとして
も、これとは無関係に、アース端子の有する低い電気抵
抗によって、ヨークを確実にアース電位に保つことがで
きる。また、ヨークの有する磁気特性を改善するため電
気抵抗の大きな磁性材料を用いたとしても、それに影響
されることなく、アース端子の有する電気的特性によっ
て、ヨークを確実にアース電位に保つことができる。
【0007】
【実施例】図1は本発明に係る非可逆回路素子の分解斜
視図、図2は非可逆回路素子の平面図、図3は図2のA
3ーA3線上における正面断面図、図4は図2のA4ー
A4線上における正面断面図である。図において、1は
支持基板、2は磁性体、3はアース導体、4は永久磁
石、5、6はヨーク、7はコンデンサ、8はケース、9
は抵抗板である。
視図、図2は非可逆回路素子の平面図、図3は図2のA
3ーA3線上における正面断面図、図4は図2のA4ー
A4線上における正面断面図である。図において、1は
支持基板、2は磁性体、3はアース導体、4は永久磁
石、5、6はヨーク、7はコンデンサ、8はケース、9
は抵抗板である。
【0008】支持基板1は、複数のストリップ導体を含
み、アース端子(81、82)と導通接続するアース用
電極を有している。図5または図6に示すように、支持
基板1は、3つのストリップ導体(11、12、13)
が互いに120度の角度で交叉しており、表面側に入出
力端子(83、84)の導通経路としての入出力用電極
(151、152)、裏面側にアース端子(81、8
2)の導通経路としてのアース用電極(145、14
6)を有している。ストリップ導体11は、基板14の
表面に分割片110を、裏面に分割片111を2分割し
て配置し、分割片110と分割片111とを貫通導体
(11a、11b)を用いて接続されている。同様に、
ストリップ導体12は、基板14の表面に分割片120
を、裏面に分割片121を2分割して配置し、分割片1
20と分割片121とを貫通導体(12a、12b)を
用いて接続されている。ストリップ導体13について
も、基板14の表面に分割片130を、裏面に分割片1
31を2分割して配置され、分割片130と分割片13
1とを貫通導体(13a、13b)を用いて導通させて
ある。これらの貫通導体(11a、11b、12a、1
2b、13a、13b)及び貫通導体(141、14
2、143、144)は、メッキを施して形成できる。
み、アース端子(81、82)と導通接続するアース用
電極を有している。図5または図6に示すように、支持
基板1は、3つのストリップ導体(11、12、13)
が互いに120度の角度で交叉しており、表面側に入出
力端子(83、84)の導通経路としての入出力用電極
(151、152)、裏面側にアース端子(81、8
2)の導通経路としてのアース用電極(145、14
6)を有している。ストリップ導体11は、基板14の
表面に分割片110を、裏面に分割片111を2分割し
て配置し、分割片110と分割片111とを貫通導体
(11a、11b)を用いて接続されている。同様に、
ストリップ導体12は、基板14の表面に分割片120
を、裏面に分割片121を2分割して配置し、分割片1
20と分割片121とを貫通導体(12a、12b)を
用いて接続されている。ストリップ導体13について
も、基板14の表面に分割片130を、裏面に分割片1
31を2分割して配置され、分割片130と分割片13
1とを貫通導体(13a、13b)を用いて導通させて
ある。これらの貫通導体(11a、11b、12a、1
2b、13a、13b)及び貫通導体(141、14
2、143、144)は、メッキを施して形成できる。
【0009】磁性体2は、YIG(イットリュウム鉄ガ
ーネット)などのフェリ磁性体からなり、ストリップ導
体(11、12、13)に対向して上下の位置に2個配
置されている。
ーネット)などのフェリ磁性体からなり、ストリップ導
体(11、12、13)に対向して上下の位置に2個配
置されている。
【0010】アース導体3は、上側の磁性体2について
は、コンデンサ7の孔10内周面に被覆された導体膜7
4と、磁性体2の上側に配置されたシールド板3aとか
らなり、下側の磁性体2については、下側の磁性体2を
電気的にシールドするシールド板3bからなる。このよ
うにして、アース導体3は、両磁性体2を覆ように配置
している。両シールド板(3a、3b)は、薄い銅板に
銀メッキを施したものである。下側のシールド板3bの
周辺部には3つの突片31〜33が立設されている。
は、コンデンサ7の孔10内周面に被覆された導体膜7
4と、磁性体2の上側に配置されたシールド板3aとか
らなり、下側の磁性体2については、下側の磁性体2を
電気的にシールドするシールド板3bからなる。このよ
うにして、アース導体3は、両磁性体2を覆ように配置
している。両シールド板(3a、3b)は、薄い銅板に
銀メッキを施したものである。下側のシールド板3bの
周辺部には3つの突片31〜33が立設されている。
【0011】永久磁石4は、表面が導体膜41で被覆さ
れ、アース導体3としての上側のシールド板の外側と下
側のシールド板の外側とに両方配置され、共にアース導
体3と導通接続され、磁性体2に直流磁界を印加してい
る。永久磁石4は、絶縁体の永久磁石、例えばフェライ
ト磁石を使用できる。導体膜41は、例えば、導電性が
高い銅等を永久磁石4の表面にメッキすることにより形
成できる。永久磁石4として、フェライト磁石以外の金
属磁石を使用する場合においても、この金属磁石の表面
をメッキして使用することができる。
れ、アース導体3としての上側のシールド板の外側と下
側のシールド板の外側とに両方配置され、共にアース導
体3と導通接続され、磁性体2に直流磁界を印加してい
る。永久磁石4は、絶縁体の永久磁石、例えばフェライ
ト磁石を使用できる。導体膜41は、例えば、導電性が
高い銅等を永久磁石4の表面にメッキすることにより形
成できる。永久磁石4として、フェライト磁石以外の金
属磁石を使用する場合においても、この金属磁石の表面
をメッキして使用することができる。
【0012】下側のヨーク5及び上側のヨーク6は、永
久磁石4と導通接続されるようにして支持基板1、磁性
体2、アース導体3及び永久磁石4を覆う。ヨーク5
は、例えば、鉄に銀メッキを施したものに永久磁石4と
導通接続される部分を少なくとも除いて、絶縁樹脂をコ
ートしたものが使用される。絶縁樹脂としてはフッ素樹
脂が適している。フッ素樹脂は放熱性がよいから、小型
でハイパワーの非可逆回路素子を実現する手助けとなり
得る。ヨーク6は、薄い鉄板にニッケルメッキ施したも
のが使用される。
久磁石4と導通接続されるようにして支持基板1、磁性
体2、アース導体3及び永久磁石4を覆う。ヨーク5
は、例えば、鉄に銀メッキを施したものに永久磁石4と
導通接続される部分を少なくとも除いて、絶縁樹脂をコ
ートしたものが使用される。絶縁樹脂としてはフッ素樹
脂が適している。フッ素樹脂は放熱性がよいから、小型
でハイパワーの非可逆回路素子を実現する手助けとなり
得る。ヨーク6は、薄い鉄板にニッケルメッキ施したも
のが使用される。
【0013】ヨーク5に付着される絶縁樹脂としてはフ
ッ素樹脂が適している。フッ素樹脂は放熱性がよいか
ら、小型でハイパワーの非可逆回路素子を実現する手助
けとなり得る。ヨーク5は絶縁樹脂コートを施されず、
アース端子としても使用できる。
ッ素樹脂が適している。フッ素樹脂は放熱性がよいか
ら、小型でハイパワーの非可逆回路素子を実現する手助
けとなり得る。ヨーク5は絶縁樹脂コートを施されず、
アース端子としても使用できる。
【0014】コンデンサ7は、ガラス基材フッ素樹脂銅
張積層板等で構成されていて、3層の誘電体層(71
1、712、713)を含み、誘電体層(711、71
2、713)のそれぞれが対向する両主面に容量形成用
等の電極を有し、互いに積層されて積層体を構成してい
る。積層体は、表面側及び裏面側にアース用電極(76
0、770)を有するとともに、面内に孔10を有して
いる。磁性体2は、孔10内に挿入されている。孔10
は、内周面の全体が導体膜74で被覆され、導体膜74
が両アース用電極(760、770)と導通接続してい
る。導体膜74は孔10の内壁面にメッキを施すか、真
空蒸着するか、またはスパッタすることにより形成でき
る。
張積層板等で構成されていて、3層の誘電体層(71
1、712、713)を含み、誘電体層(711、71
2、713)のそれぞれが対向する両主面に容量形成用
等の電極を有し、互いに積層されて積層体を構成してい
る。積層体は、表面側及び裏面側にアース用電極(76
0、770)を有するとともに、面内に孔10を有して
いる。磁性体2は、孔10内に挿入されている。孔10
は、内周面の全体が導体膜74で被覆され、導体膜74
が両アース用電極(760、770)と導通接続してい
る。導体膜74は孔10の内壁面にメッキを施すか、真
空蒸着するか、またはスパッタすることにより形成でき
る。
【0015】ケース8は、絶縁材料、例えば、絶縁樹脂
で構成されている。図7及び図8に示すように、ケース
8は、支持基板1を載せる面において、アース端子81
に接続するアース用電極811、アース端子82に接続
するアース用電極812、入出力端子83に接続する入
出力用電極813及び入出力端子84に接続する入出力
用電極814を有する。アース用電極(811、81
2)は、それぞれが支持基板1の電極(145、14
6)にアース導体突片(32、33)を介して接続され
ている(図6参照)。
で構成されている。図7及び図8に示すように、ケース
8は、支持基板1を載せる面において、アース端子81
に接続するアース用電極811、アース端子82に接続
するアース用電極812、入出力端子83に接続する入
出力用電極813及び入出力端子84に接続する入出力
用電極814を有する。アース用電極(811、81
2)は、それぞれが支持基板1の電極(145、14
6)にアース導体突片(32、33)を介して接続され
ている(図6参照)。
【0016】抵抗板9は、抵抗体9aと、抵抗体9aを
挟んだ電極9b、9cを有し、ケース8の上面の一辺側
に配置されている。電極9bの一方は、支持基板1上の
アース用電極146及びケース8のアース用電極811
に接続され、他方は、支持基板1上のアース用電極14
5及びケース8のアース用電極812に接続されてい
る。電極9cは、支持基板1上の終端用電極131に接
続されている。従って、この抵抗体9は、2つの抵抗体
9Cが互いに並列接続されているから、より大きい電流
を流すことが可能な回路素子を得ることができる。抵抗
板9は、抵抗体9aとして、例えば、アルミナ基板上に
酸化ルテニウム(RuO)等の抵抗材料を用いると共
に、電極9b、9cとして銀ーパラジウム(AgPd)
等の電極材料を用い、印刷技術によって形成される。
挟んだ電極9b、9cを有し、ケース8の上面の一辺側
に配置されている。電極9bの一方は、支持基板1上の
アース用電極146及びケース8のアース用電極811
に接続され、他方は、支持基板1上のアース用電極14
5及びケース8のアース用電極812に接続されてい
る。電極9cは、支持基板1上の終端用電極131に接
続されている。従って、この抵抗体9は、2つの抵抗体
9Cが互いに並列接続されているから、より大きい電流
を流すことが可能な回路素子を得ることができる。抵抗
板9は、抵抗体9aとして、例えば、アルミナ基板上に
酸化ルテニウム(RuO)等の抵抗材料を用いると共
に、電極9b、9cとして銀ーパラジウム(AgPd)
等の電極材料を用い、印刷技術によって形成される。
【0017】抵抗板9を設けずに、電極(9b、9c)
で終端していたストリップ導体3を新たに設けられた端
子85に電極815に介して接続することにより、サー
キュレータを得ることができる。
で終端していたストリップ導体3を新たに設けられた端
子85に電極815に介して接続することにより、サー
キュレータを得ることができる。
【0018】組み立てに当たっては、ヨーク5に下側の
永久磁石4を搭載し、次に、ケース8の上面の一辺側に
抵抗板9を配置し、続いて、下側の磁性体2を突片3
1、32、33の間に配した下側のアース導体3をケー
ス8の孔86に挿入する。次に、支持基板1をケース8
の上に被せ、この支持基板1の上にコンデンサ7を載
せ、コンデンサ7の孔10の中に上側の磁性体2を挿入
し、その上に上側のアース導体3を被せる。続いて、上
側の永久磁石4を上側の磁性体2に垂直に磁界を印加す
るように配置し、更にその上にヨーク6を被せて、ヨー
ク5の止め金51とヨーク6の止め金受け部61と嵌合
させてケース8を固定する。
永久磁石4を搭載し、次に、ケース8の上面の一辺側に
抵抗板9を配置し、続いて、下側の磁性体2を突片3
1、32、33の間に配した下側のアース導体3をケー
ス8の孔86に挿入する。次に、支持基板1をケース8
の上に被せ、この支持基板1の上にコンデンサ7を載
せ、コンデンサ7の孔10の中に上側の磁性体2を挿入
し、その上に上側のアース導体3を被せる。続いて、上
側の永久磁石4を上側の磁性体2に垂直に磁界を印加す
るように配置し、更にその上にヨーク6を被せて、ヨー
ク5の止め金51とヨーク6の止め金受け部61と嵌合
させてケース8を固定する。
【0019】非可逆回路素子は、本実施例においては、
ストリップ導体(11、12、13)を挟んで両面側に
磁性体2及び永久磁石4を配置したものであるが、スト
リップ導体の一面にのみ磁性体及び永久磁石を配置した
ものであってもよいことはいうまでもない。
ストリップ導体(11、12、13)を挟んで両面側に
磁性体2及び永久磁石4を配置したものであるが、スト
リップ導体の一面にのみ磁性体及び永久磁石を配置した
ものであってもよいことはいうまでもない。
【0020】上述のように、上、下のヨーク(5、6)
を別体とし、ヨーク(5、6)とは別に独立してアース
端子(81、82)を設けたから、ヨーク(5、6)の
有するヨークの有する磁気的特性及び電気的特性の影響
を事実上受けることなく、アース端子(81、82)を
用いて、ヨーク5、6を確実にアース電位に保つことが
できる。例えば、小型化及び薄型化の要求に応えようと
してヨーク5、6を薄くしたために、ヨーク5、6の電
気的抵抗が増大したとしても、これとは無関係に、アー
ス端子81、82の有する低い電気抵抗によって、ヨー
ク5、6を確実にアース電位に保つことができる。ま
た、ヨーク5、6の有する磁気特性を改善するため、ヨ
ーク5、6を電気抵抗の大きな磁性材料を用いたとして
も、それに影響されることなく、アース端子81、82
の有する電気的特性によって、ヨーク5、6を確実にア
ース電位に保つことができる。
を別体とし、ヨーク(5、6)とは別に独立してアース
端子(81、82)を設けたから、ヨーク(5、6)の
有するヨークの有する磁気的特性及び電気的特性の影響
を事実上受けることなく、アース端子(81、82)を
用いて、ヨーク5、6を確実にアース電位に保つことが
できる。例えば、小型化及び薄型化の要求に応えようと
してヨーク5、6を薄くしたために、ヨーク5、6の電
気的抵抗が増大したとしても、これとは無関係に、アー
ス端子81、82の有する低い電気抵抗によって、ヨー
ク5、6を確実にアース電位に保つことができる。ま
た、ヨーク5、6の有する磁気特性を改善するため、ヨ
ーク5、6を電気抵抗の大きな磁性材料を用いたとして
も、それに影響されることなく、アース端子81、82
の有する電気的特性によって、ヨーク5、6を確実にア
ース電位に保つことができる。
【0021】しかも、ヨーク(5、6)をグランド電位
に保つことにより、この回路素子を組み込んだ製品内で
発生する相互変調ひずみを減少させることができる。
に保つことにより、この回路素子を組み込んだ製品内で
発生する相互変調ひずみを減少させることができる。
【0022】次に、上述したコンデンサ7の各誘電体層
(711、712、713)が有する電極パターンを詳
細に説明する。
(711、712、713)が有する電極パターンを詳
細に説明する。
【0023】図9はコンデンサ7の平面図である。図に
おいて、第1誘電体層711は、ガラス基材フッ素樹脂
等からなり、表面上にアース用電極760を形成してい
る。751〜753はメッキ等により形成された第1誘
電体層711を貫通する貫通導体である。
おいて、第1誘電体層711は、ガラス基材フッ素樹脂
等からなり、表面上にアース用電極760を形成してい
る。751〜753はメッキ等により形成された第1誘
電体層711を貫通する貫通導体である。
【0024】図10は図3のA10ーA10における断
面図である。図において、第2誘電体層712は、ガラ
ス基材フッ素樹脂等からなり、3つのコンデンサ電極
(761、762、763)を有している。コンデンサ
電極(761、762、763)は、それぞれ、貫通導
体751〜753によって第1誘電体層711の表面側
に導出されている(図8及び図9参照)。
面図である。図において、第2誘電体層712は、ガラ
ス基材フッ素樹脂等からなり、3つのコンデンサ電極
(761、762、763)を有している。コンデンサ
電極(761、762、763)は、それぞれ、貫通導
体751〜753によって第1誘電体層711の表面側
に導出されている(図8及び図9参照)。
【0025】図11は図3のA11ーA11における断
面図である。図において、第3誘電体層713はガラス
基材フッ素樹脂等からなり、3つのコンデンサ電極(7
64、765、766)を有している。コンデンサ電極
764は、コンデンサ電極761と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極
765は、コンデンサ電極762と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極
766は、コンデンサ電極763と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。
面図である。図において、第3誘電体層713はガラス
基材フッ素樹脂等からなり、3つのコンデンサ電極(7
64、765、766)を有している。コンデンサ電極
764は、コンデンサ電極761と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極
765は、コンデンサ電極762と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極
766は、コンデンサ電極763と第2誘電体層712
を挟んで対向し、容量を形成している。
【0026】図12はコンデンサ7の底面図である。図
において、底面に形成された電極(770)には、アー
ス端子(81、82)の導通経路としてのアース用電極
(771、772)、入出力端子(83、84)の導通
経路としての入出力用電極(773、774)を有して
いる。アース用電極(771、772)は、支持基板1
のアース用電極(145、146)に導通している。入
出力用電極(773、774)は、支持基板1のストリ
ップ導体(11、12)の端部に設けられた入出力用電
極(151、152)に導通されている。
において、底面に形成された電極(770)には、アー
ス端子(81、82)の導通経路としてのアース用電極
(771、772)、入出力端子(83、84)の導通
経路としての入出力用電極(773、774)を有して
いる。アース用電極(771、772)は、支持基板1
のアース用電極(145、146)に導通している。入
出力用電極(773、774)は、支持基板1のストリ
ップ導体(11、12)の端部に設けられた入出力用電
極(151、152)に導通されている。
【0027】図13は図9〜図12に示した構造を有す
るようコンデンサ7の電気的等価回路を示すために用い
られた展開図である。a、b、cは貫通導体751、7
52及び753によって形成される端子を示している。
端子aーb間にコンデンサ電極761とコンデンサ電極
764とによる端子間容量C11が形成され、端子bー
c間にコンデンサ電極762とコンデンサ電極765に
よる端子間容量C12が形成され、端子cーa間にコン
デンサ電極763とコンデンサ電極766とによる端子
間容量C13が形成される。また、アース用電極(76
0、770)とコンデンサ電極(761、766)、
(762、764)及び(763、765)との間に接
地容量C01、C02、C03がそれぞれ形成される。
るようコンデンサ7の電気的等価回路を示すために用い
られた展開図である。a、b、cは貫通導体751、7
52及び753によって形成される端子を示している。
端子aーb間にコンデンサ電極761とコンデンサ電極
764とによる端子間容量C11が形成され、端子bー
c間にコンデンサ電極762とコンデンサ電極765に
よる端子間容量C12が形成され、端子cーa間にコン
デンサ電極763とコンデンサ電極766とによる端子
間容量C13が形成される。また、アース用電極(76
0、770)とコンデンサ電極(761、766)、
(762、764)及び(763、765)との間に接
地容量C01、C02、C03がそれぞれ形成される。
【0028】図14は図9〜図12に示したコンデンサ
7を用いたアイソレータの等価回路図を示し、端子aー
b間に端子間容量C11を接続し、端子bーc間に端子
間容量C12を接続し、端子cーa間に端子間容量C1
3を接続するとともに、端子a、b、cのそれぞれに接
地容量C01、C02、C03をそれぞれ接続した回路
が得られる。
7を用いたアイソレータの等価回路図を示し、端子aー
b間に端子間容量C11を接続し、端子bーc間に端子
間容量C12を接続し、端子cーa間に端子間容量C1
3を接続するとともに、端子a、b、cのそれぞれに接
地容量C01、C02、C03をそれぞれ接続した回路
が得られる。
【0029】本実施例において、コンデンサ7は、複数
の誘電体層(711、712、713)を含み、互いに
積層されて積層体を構成しており、この積層体が中央に
孔10を有しており、磁性体2が孔10内に挿入されて
いるので、非可逆回路素子を小型、かつ薄型に構成し得
る。しかも、磁性体2の位置決めが容易になる。
の誘電体層(711、712、713)を含み、互いに
積層されて積層体を構成しており、この積層体が中央に
孔10を有しており、磁性体2が孔10内に挿入されて
いるので、非可逆回路素子を小型、かつ薄型に構成し得
る。しかも、磁性体2の位置決めが容易になる。
【0030】コンデンサ7は、複数の誘電体層(71
1、712、713)を含み、誘電体層(711、71
2、713)のそれぞれが対向する両主面を有し、互い
に積層されて積層体を構成しているので、孔10を設け
たことによるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚
み方向におけるコンデンサ7の積層によって補うことが
できる。このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化が
図れる。
1、712、713)を含み、誘電体層(711、71
2、713)のそれぞれが対向する両主面を有し、互い
に積層されて積層体を構成しているので、孔10を設け
たことによるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚
み方向におけるコンデンサ7の積層によって補うことが
できる。このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化が
図れる。
【0031】コンデンサ7は、孔10の内周面の全体が
導体膜74で被覆され、この導体膜74がアース用電極
(760、770)と導通接続しているので、浮遊容量
の発生を防ぐことができる。
導体膜74で被覆され、この導体膜74がアース用電極
(760、770)と導通接続しているので、浮遊容量
の発生を防ぐことができる。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果を得ることができる。 (a)上、下のヨークを別体とし、ヨークとは別に独立
してアース端子を設けたから、ヨークの有する磁気的特
性及び電気的特性の影響を事実上受けることなく、必要
な接地特性を確保し、ヨークを確実にアース電位に保ち
得る非可逆回路素子を提供できる。 (b)ヨークをグランド電位に保つことにより、この回
路素子を組み込んだ製品内で発生する相互変調ひずみを
減少させることの可能な非可逆回路素子を提供できる。
ような効果を得ることができる。 (a)上、下のヨークを別体とし、ヨークとは別に独立
してアース端子を設けたから、ヨークの有する磁気的特
性及び電気的特性の影響を事実上受けることなく、必要
な接地特性を確保し、ヨークを確実にアース電位に保ち
得る非可逆回路素子を提供できる。 (b)ヨークをグランド電位に保つことにより、この回
路素子を組み込んだ製品内で発生する相互変調ひずみを
減少させることの可能な非可逆回路素子を提供できる。
【図1】本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図であ
る。
る。
【図2】本発明に係る非可逆回路素子の平面図である。
【図3】図2のA3ーA3線上における正面断面図であ
る。
る。
【図4】図2のA4ーA4線上における正面断面図であ
る。
る。
【図5】本発明に係る非可逆回路素子を構成する支持基
板を表面側から見た平面図である。
板を表面側から見た平面図である。
【図6】図5に示された支持基板を裏面側から見た平面
図である。
図である。
【図7】図1に示されたケースの拡大斜視図である。
【図8】図1に示されたケースの平面図である。
【図9】図3に記載されたコンデンサの平面図である。
【図10】図3のA10ーA10における断面図であ
る。
る。
【図11】図3のA11ーA11における断面図であ
る。
る。
【図12】図3に記載されたコンデンサの底面図であ
る。
る。
【図13】図9〜図12に示された本発明に係る非可逆
回路素子用コンデンサの電気的等価回路を示すために用
いられた展開図である。
回路素子用コンデンサの電気的等価回路を示すために用
いられた展開図である。
【図14】図9〜図12に示された本発明に係る非可逆
回路素子用コンデンサを用いて実現されたアイソレータ
の等価回路図である。
回路素子用コンデンサを用いて実現されたアイソレータ
の等価回路図である。
1 支持基板 2 磁性体 3 アース導体 4 永久磁石 5、6 ヨーク 7 コンデンサ 8 ケース 9 抵抗板 10 孔 11、12、13 ストリップ導体 14 基板 41 導体膜 74 導体膜 81、82 アース端子 83、84 入出力端子 145、146 アース電極 711 第1誘電体層 712 第2誘電体層 713 第3誘電体層 760、770 アース用電極 811、812 アース用電極
Claims (10)
- 【請求項1】 上、下のヨークを別体とし、前記ヨーク
とは別に独立してアース端子を設けた非可逆回路素子。 - 【請求項2】 上、下のヨークを前記アース端子に接続
する導通手段が設けられた請求項1に記載の非可逆回路
素子。 - 【請求項3】 前記導通手段の一部が永久磁石の表面に
設けられた導体膜である請求項2に記載の非可逆回路素
子。 - 【請求項4】 前記導通手段の一部が前記永久磁石自体
である請求項2に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項5】 前記下のヨークの底面側が絶縁樹脂でコ
ートされている請求項1に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項6】 支持基板と、磁性体と、アース導体とを
有し、 前記支持基板は、複数のストリップ導体を含み、アース
端子と導通接続するアース電極を有しており、 前記磁性体は、前記ストリップ導体に対向して配置され
ており、 前記アース導体は、前記磁性体を覆うように配置され、
前記支持基板の前記アース電極と導通接続されており、 前記永久磁石は、前記アース導体の外側に配置され、前
記アース導体と導通接続され、前記磁性体に直流磁界を
印加しており、 前記ヨークは、前記永久磁石と導通接続されるようにし
て前記支持基板、前記磁性体、前記アース導体及び前記
永久磁石を覆う請求項1、2、3、4または5に記載の
非可逆回路素子。 - 【請求項7】 前記アース導体は、前記磁性体の側面部
及び上面部を覆う板で構成されたシールド導体を含む請
求項6に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項8】 前記永久磁石の表面を被覆する前記導体
膜は、メッキで形成される請求項1に記載の非可逆回路
素子。 - 【請求項9】 コンデンサを含んでおり、 前記コンデンサは、複数の誘電体層を含み、前記誘電体
層のそれぞれが対向する両主面に電極を有し、互いに積
層されて積層体を構成しており、 前記積層体は、表面側及び裏面側にアース用電極を有す
るとともに、面内に孔を有しており、 前記磁性体は、前記孔内に挿入されている請求項6、7
または8に記載の非可逆回路素子。 - 【請求項10】 前記孔は、内周面の全体が導体膜で被
覆され、前記導体膜が前記両アース用電極と導通接続し
ている請求項9に記載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36005592A JPH06204712A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36005592A JPH06204712A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204712A true JPH06204712A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18467678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36005592A Withdrawn JPH06204712A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204712A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821426A1 (en) | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal circuit element |
| US6597253B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-07-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus including the same |
| US6710672B2 (en) * | 1999-11-30 | 2004-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device, communication apparatus, and method for manufacturing nonreciprocal circuit device |
-
1992
- 1992-12-30 JP JP36005592A patent/JPH06204712A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821426A1 (en) | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal circuit element |
| US5900789A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Irreversible circuit element |
| US6710672B2 (en) * | 1999-11-30 | 2004-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device, communication apparatus, and method for manufacturing nonreciprocal circuit device |
| US6597253B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-07-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device and communication apparatus including the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |