JPH06204747A - マイクロ波発振器の出力レベル調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】帯域反射型のマイクロ波発振器における出力レ
ベルのばらつきを抑制することができる出力レベル調整
方法を提供する。 【構成】誘電体共振器１０との結合ポイントと発振用能
動素子であるＦＥＴ１との間のストリップライン８のイ
ンピーダンスを調節することにより所定の出力レベルを
得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストリップラインに誘
電体共振器を磁界結合させることにより共振回路を構成
した帯域反射型のマイクロ波発振器の出力レベル調整方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波発振器は、例えば図３
に示すような回路構成で各部品を図示していない誘電体
基板上に配置することにより構成されている。すなわ
ち、発振用能動素子としての電界効果トランジスタ（以
下、ＦＥＴという）１のドレインと電源端子Ｖｂとの間
にチョークコイル２を設け、ＦＥＴ１のソースと接地点
との間にチョークコイル３とバイアス抵抗４とを設けて
いる。また、ＦＥＴ１のドレインには接地用ストリップ
ライン５を設け、ＦＥＴ１のソースと出力端子ＯＵＴと
の間にはストリップライン６とコンデンサ７とを設けて
いる。上記のチョークコイル２，３は、通常、誘電体基
板上に形成された導体膜により構成されている。

【０００３】さらに、ＦＥＴ１のゲートと接地点との間
にストリップライン８と終端抵抗９とを設けている。そ
して、このストリップライン８にＴＥ₀₁δモードの誘電
体共振器１０を磁界結合させることにより共振回路を構
成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような回路構成
を有するマイクロ波発振器は、ストリップライン８にお
ける誘電体共振器１０との結合ポイントと発振用能動素
子であるＦＥＴ１との間の距離Ｌと、マイクロ波発振器
の出力レベルとの関係が図４に示すような特性を有して
いる。すなわち、誘電体共振器１０がある所定の位置に
あるときに出力レベルは最大となりその位置からはずれ
ると出力レベルは低下する。この出力レベルが最大にな
る位置は、ＦＥＴ１の特性のばらつきなどによって、マ
イクロ波発振器ごとに異なり、図５に示すように、ある
発振器ではその距離がＬ₁であっても、他の発振器では
Ｌ₂とかＬ₃となる。

【０００５】そのため、すべてのマイクロ波発振器の出
力レベルが最大になるようにするには、誘電体共振器１
０の位置をマイクロ波発振器ごとに調節しなければなら
ないことになる。

【０００６】ところが、マイクロ波発振器の量産工程に
おいては、製造効率の観点から発振器ごとに誘電体共振
器１０を最適の位置に調節することはきわめて困難であ
るため、誘電体共振器１０はあらかじめ設定した位置に
設けるしかなく、その結果、出力レベルのばらつきが大
きくなるという問題があった。

【０００７】したがって、本発明においては、製造効率
の観点から誘電体共振器をあらかじめ設定した位置に設
けることによって生じる出力レベルのばらつきを抑制す
ることのできるマイクロ波発振器の出力レベル調整方法
を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のマイクロ波発振器の出力レベル調整
方法においては、誘電体共振器との結合ポイントと発振
用能動素子との間のストリップラインのインピーダンス
を調節することにより所定の出力レベルを得るようにし
たことを特徴としている。インピーダンスを調節するた
めの具体的手段としては、ストリップラインに切溝を形
成したり、ストリップラインの幅を部分的に広くしたり
する。

【０００９】

【作用】誘電体共振器との結合ポイントと発振用能動素
子との間のストリップラインに切溝を形成すると、その
ストリップラインのインピーダンスが大きくなり、スト
リップラインの誘電体共振器との結合ポイントと発振用
能動素子との間の距離が実質的に長くなったことにな
る。

【００１０】また、誘電体共振器との結合ポイントと発
振用能動素子との間のストリップラインの幅を部分的に
広くすると、そのストリップラインのインピーダンスが
小さくなり、上記のストリップラインの距離が実質的に
短くなったことになる。

【００１１】すなわち、誘電体共振器の位置を調節しな
くてもその位置を調節したのと同じ作用を奏することに
なる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。

【００１３】図１は、本発明の第１の実施例を示し、図
２は本発明の第２の実施例を示している。これらの実施
例に示すマイクロ波発振器の基本構成は、図３に示す従
来のものと同様であるから、ここではその要部のみを示
し、従来のものと同一または相当する部分には同一の符
号を付すことにより、その詳細な説明は省略する。

【００１４】すなわち、図１はストリップラインのイン
ピーダンスを大きくして出力レベルを調節する場合の例
であり、ストリップライン８の誘電体共振器１０との結
合ポイントとＦＥＴ１との間の部分に切溝１１を形成し
ている。このように切溝１１を形成することにより、ス
トリップライン８のその部分のインピーダンスが大きく
なり、実質的に誘電体共振器１０の位置をＦＥＴ１から
遠ざかる方向に調節したのと同様の作用を奏する。

【００１５】このようにストリップライン８に切溝を入
れてマイクロ波発振器の出力レベルを調節する場合は、
例えば誘電体共振器１０をあらかじめ設計上の最適位置
よりもＦＥＴ１側に少し近付けて設けておき、それぞれ
の発振器の出力レベルを測定しながらストリップライン
８に適当な大きさの切溝１１を形成するようにすると、
出力レベルのばらつきを効果的に抑制することができ
る。

【００１６】また、図２はストリップラインのインピー
ダンスを小さくして出力レベルを調節する場合の例であ
り、ストリップライン８を形成するときに、そのストリ
ップライン８の誘電体共振器１０との結合ポイントとＦ
ＥＴ１との間の部分に近接して同時にインピーダンス調
節用ランド１２を設けておく。このインピーダンス調節
用ランド１２は、所定の間隔をおいて配置された複数の
ランド１２ａ，１２ｂ，１２ｃから形成されている。そ
して、まず、はじめにランド１２ａをストリップライン
８に半田とかワイヤなどで接続する。これにより、スト
リップライン８の幅が部分的に広くなり、ストリップラ
イン８のインピーダンスが小さくなる。さらにインピー
ダンスを小さくする必要があるときは、残るランド１２
ｂ，１２ｃを順に接続していく。

【００１７】このようにストリップライン８の幅を部分
的に広くしてマイクロ波発振器の出力レベルを調節する
場合は、例えば誘電体共振器１０をあらかじめ設計上の
最適位置よりもＦＥＴ１から少し遠ざけて設けておき、
それぞれの発振器の出力レベルを測定しながらストリッ
プライン８にインピーダンス調節用ランド１２の各ラン
ド１２ａ，１２ｂ，１２ｃを順に接続するようにする
と、出力レベルのばらつきを効果的に抑制することがで
きる。

【００１８】また、図２のようにインピーダンス調節用
ランド１２を設けておいて、例えば誘電体共振器１０は
設計上の最適位置に設けておき、マイクロ波発振器ごと
に図１のように切溝１１を形成するか、図２のようにイ
ンピーダンス調節用ランド１２を接続するかを選択して
所定の出力レベルを得るようにしてもよいし、その両方
の手段を用いて所定の出力レベルを得るようにしてもよ
い。

【００１９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、帯域反射
型のマイクロ波発振器において、誘電体共振器との結合
ポイントと発振用能動素子との間のストリップラインの
インピーダンスを調節することにより所定の出力レベル
を得るようにしたことから、誘電体共振器をあらかじめ
設定した位置に設けることによって生じる出力レベルの
ばらつきを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのマイク
ロ波発振器の要部回路図である。

【図２】本発明の第２の実施例を説明するためのマイク
ロ波発振器の要部回路図である。

【図３】従来のマイクロ波発振器の回路図である。

【図４】マイクロ波発振器の出力レベル特性を示す図で
ある。

【図５】マイクロ波発振器の出力レベル特性が発振器ご
とに異なることを示す図である。

【符号の説明】

１ ＦＥＴ ２，３ チョークコイル ４ バイアス抵抗 ５，６，８ ストリップライン ７ コンデンサ ９ 終端抵抗 １０ 誘電体共振器 １１ 切溝 １２ インピーダンス調節用ランド

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発振用能動素子と終端抵抗との間に接続
   されたストリップラインに誘電体共振器を磁界結合させ
   ることにより共振回路を構成した帯域反射型のマイクロ
   波発振器の出力レベル調整方法であって、 前記誘電体共振器との結合ポイントと前記発振用能動素
   子との間のストリップラインのインピーダンスを調節す
   ることにより所定の出力レベルを得るようにしたことを
   特徴とするマイクロ波発振器の出力レベル調整方法。