JPH06338712A - 高周波集積回路 - Google Patents
高周波集積回路Info
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- JPH06338712A JPH06338712A JP5129186A JP12918693A JPH06338712A JP H06338712 A JPH06338712 A JP H06338712A JP 5129186 A JP5129186 A JP 5129186A JP 12918693 A JP12918693 A JP 12918693A JP H06338712 A JPH06338712 A JP H06338712A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 調整可能な整合回路を有した高周波集積回路
を提供する。 【構成】 信号線路１はキャパシタ２を通じてＲＦ的に
グランド３に短絡されている。また該信号線路１はバイ
アス供給点４に接続されている。本発明の特徴である調
整用キャパシタ５ａの一方の電極はグランド３に接続さ
れている。当初短絡スタブの終端はＲＦ短絡点６にあ
る。このとき、例えばボンディング点７ａと７ｂをワイ
ヤで結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短
くなる。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結
線することにより短絡スタブの実効的な長さは更に短く
なる。この操作により整合回路のインピーダンスを変化
させ、高周波集積回路の特性を調整することが可能とな
る。
を提供する。 【構成】 信号線路１はキャパシタ２を通じてＲＦ的に
グランド３に短絡されている。また該信号線路１はバイ
アス供給点４に接続されている。本発明の特徴である調
整用キャパシタ５ａの一方の電極はグランド３に接続さ
れている。当初短絡スタブの終端はＲＦ短絡点６にあ
る。このとき、例えばボンディング点７ａと７ｂをワイ
ヤで結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短
くなる。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結
線することにより短絡スタブの実効的な長さは更に短く
なる。この操作により整合回路のインピーダンスを変化
させ、高周波集積回路の特性を調整することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波集積回路に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路で用いられる、バ
イアスの印加された短絡スタブは例えば図４（ａ）のよ
うになっている。図４（ｂ）はこれを回路図で表現した
ものである。信号線路１は、ＲＦ短絡点６でキャパシタ
２を通じてグランド３に短絡されている一方、バイアス
点４から直流電圧が供給されている。すなわち、キャパ
シタ２は、ＲＦ短絡の働きを行うとともに直流を阻止す
る役目を同時に果たしている。
イアスの印加された短絡スタブは例えば図４（ａ）のよ
うになっている。図４（ｂ）はこれを回路図で表現した
ものである。信号線路１は、ＲＦ短絡点６でキャパシタ
２を通じてグランド３に短絡されている一方、バイアス
点４から直流電圧が供給されている。すなわち、キャパ
シタ２は、ＲＦ短絡の働きを行うとともに直流を阻止す
る役目を同時に果たしている。
【０００３】製作した集積回路内の素子パラメータは、
設計値と異なっていたり、分布を持っている。このため
集積回路は必ずしも最適な特性を示しているとはいえな
い。製作後に整合回路を調節することにより、回路を調
整する方法が考えられている。
設計値と異なっていたり、分布を持っている。このため
集積回路は必ずしも最適な特性を示しているとはいえな
い。製作後に整合回路を調節することにより、回路を調
整する方法が考えられている。
【０００４】例えば図５に示す様なマイクロストリップ
ライン整合回路において、マイクロストリップ伝送線路
１０とその近傍に配置された島状の金属（ランド１１）
をワイヤ１２を用いて結線することで線路のインピーダ
ンスを変化させ、最適な特性を得られるように調整して
いくものがある。これは整合回路中に開放スタブを設け
たと同じ働きをするため、バイアスが印加されるか否か
に関係なく用いることができる。
ライン整合回路において、マイクロストリップ伝送線路
１０とその近傍に配置された島状の金属（ランド１１）
をワイヤ１２を用いて結線することで線路のインピーダ
ンスを変化させ、最適な特性を得られるように調整して
いくものがある。これは整合回路中に開放スタブを設け
たと同じ働きをするため、バイアスが印加されるか否か
に関係なく用いることができる。
【０００５】また、誘電体基板上に、チップコンデンサ
とマイクロストリップ線路からなる調整可能な整合回路
を作る例は、特開昭６３−２２４５０３号公報に記載さ
れている。この場合では、平行に配置された線路上で両
線路間を接続するために置いたチップコンデンサを動か
す操作を行い、信号がチップコンデンサを通過する位置
を変えている。このとき両線路とチップコンデンサを含
む回路のインピーダンスも変化する。この例では、チッ
プコンデンサは直流阻止および整合回路のインピーダン
スを変化させるための役割を果たしている。
とマイクロストリップ線路からなる調整可能な整合回路
を作る例は、特開昭６３−２２４５０３号公報に記載さ
れている。この場合では、平行に配置された線路上で両
線路間を接続するために置いたチップコンデンサを動か
す操作を行い、信号がチップコンデンサを通過する位置
を変えている。このとき両線路とチップコンデンサを含
む回路のインピーダンスも変化する。この例では、チッ
プコンデンサは直流阻止および整合回路のインピーダン
スを変化させるための役割を果たしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、バイアスが印加
された短絡スタブを有する調整可能な整合回路を同一基
板上で一体構成するのが困難であった。特にコプレーナ
線路で形成された整合回路の場合、線路がグランドに囲
まれているため従来例で述べた島状のランドを結線して
いく方法は適用できないという課題があった。また、チ
ップコンデンサを用いる方法では、回路中に外付けの部
品を組み込むことを前提としており、集積化等の点で課
題があった。
された短絡スタブを有する調整可能な整合回路を同一基
板上で一体構成するのが困難であった。特にコプレーナ
線路で形成された整合回路の場合、線路がグランドに囲
まれているため従来例で述べた島状のランドを結線して
いく方法は適用できないという課題があった。また、チ
ップコンデンサを用いる方法では、回路中に外付けの部
品を組み込むことを前提としており、集積化等の点で課
題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の高周波
集積回路は、伝送線路により基板上に構成された整合回
路を有する高周波集積回路において、バイアスが印加さ
れた短絡スタブと、該短絡スタブに近接して配置された
調整用のキャパシタとを設けたことを特徴としている。
集積回路は、伝送線路により基板上に構成された整合回
路を有する高周波集積回路において、バイアスが印加さ
れた短絡スタブと、該短絡スタブに近接して配置された
調整用のキャパシタとを設けたことを特徴としている。
【０００８】請求項２に記載の高周波集積回路は、請求
項１に記載の集積回路に於いて、短絡スタブがコプレー
ナ線路であることを特徴としている。
項１に記載の集積回路に於いて、短絡スタブがコプレー
ナ線路であることを特徴としている。
【０００９】請求項３に記載の高周波集積回路は、請求
項１に記載の集積回路に於いて、短絡スタブがマイクロ
ストリップ線路であることを特徴としている。
項１に記載の集積回路に於いて、短絡スタブがマイクロ
ストリップ線路であることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明では、図４の従来回路におけるＲＦ短絡
および直流阻止用キャパシタとは別に、予め短絡スタブ
の近傍に片側の電極を接地した調整用のキャパシタを作
っておく。このキャパシタのもう一方の電極はキャパシ
タ内部を通じてＲＦ的にグランドに短絡されており、ま
た直流バイアスが印加されたとしても支障はない。
および直流阻止用キャパシタとは別に、予め短絡スタブ
の近傍に片側の電極を接地した調整用のキャパシタを作
っておく。このキャパシタのもう一方の電極はキャパシ
タ内部を通じてＲＦ的にグランドに短絡されており、ま
た直流バイアスが印加されたとしても支障はない。
【００１１】短絡スタブの任意の位置で新たに設けたキ
ャパシタとワイヤで結線すればＲＦ短絡点を任意の位置
に設定できる。これは短絡スタブの実効的な長さを変え
ることに相当し、整合回路の調整が可能になる。
ャパシタとワイヤで結線すればＲＦ短絡点を任意の位置
に設定できる。これは短絡スタブの実効的な長さを変え
ることに相当し、整合回路の調整が可能になる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】《実施例１》図１（ａ）は請求項２に記載
の発明を適用した、コプレーナ線路で構成された整合回
路内の短絡スタブの終端部分を示している。信号線路１
はキャパシタ２を通じてＲＦ的にグランド３に短絡され
ている。また該信号線路１はバイアス供給点４に接続さ
れている。本発明の特徴である線路の近傍に配置してあ
るキャパシタ５ａはグランド３上に形成され、一方の電
極としてグランド３をそのまま利用している。図１
（ｂ）は図１（ａ）を回路図で表現したものである。
の発明を適用した、コプレーナ線路で構成された整合回
路内の短絡スタブの終端部分を示している。信号線路１
はキャパシタ２を通じてＲＦ的にグランド３に短絡され
ている。また該信号線路１はバイアス供給点４に接続さ
れている。本発明の特徴である線路の近傍に配置してあ
るキャパシタ５ａはグランド３上に形成され、一方の電
極としてグランド３をそのまま利用している。図１
（ｂ）は図１（ａ）を回路図で表現したものである。
【００１４】当初短絡スタブの終端はＲＦ短絡点６にあ
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
【００１５】この実施例１では、ワイヤによる結線とい
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
【００１６】《実施例２》図２（ａ）は請求項２に記載
の発明を適用した、コプレーナ線路で構成された整合回
路内の短絡スタブの終端部分を示している。信号線路１
はキャパシタ２を通じてＲＦ的にグランド３に短絡され
ている。また該信号線路１はバイアス供給点４に接続さ
れている。本発明の特徴である線路の近傍に配置してあ
るキャパシタ５ｂの電極の一方はグランド３に接続され
ている。図２（ｂ）は第２（ａ）を回路図で表現したも
のである。
の発明を適用した、コプレーナ線路で構成された整合回
路内の短絡スタブの終端部分を示している。信号線路１
はキャパシタ２を通じてＲＦ的にグランド３に短絡され
ている。また該信号線路１はバイアス供給点４に接続さ
れている。本発明の特徴である線路の近傍に配置してあ
るキャパシタ５ｂの電極の一方はグランド３に接続され
ている。図２（ｂ）は第２（ａ）を回路図で表現したも
のである。
【００１７】当初短絡スタブの終端はＲＦ短絡点６にあ
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
【００１８】この実施例２でも、ワイヤによる結線とい
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
【００１９】《実施例３》図３（ａ）は請求項３に記載
の発明を適用した、マイクロストリップ線路で構成され
た整合回路内の短絡スタブの終端部分を示している。信
号線路１はキャパシタ２およびスルーホール９を通じて
ＲＦ的に裏面のグランドに短絡されている。また該信号
線路１はバイアス供給点４に接続されている。本発明の
特徴である線路の近傍に配置してあるキャパシタ５ｃの
電極の一方はスルーホール９を通じて裏面のグランドに
接続されている。図３（ｂ）は図３（ａ）を回路図で表
現したものである。
の発明を適用した、マイクロストリップ線路で構成され
た整合回路内の短絡スタブの終端部分を示している。信
号線路１はキャパシタ２およびスルーホール９を通じて
ＲＦ的に裏面のグランドに短絡されている。また該信号
線路１はバイアス供給点４に接続されている。本発明の
特徴である線路の近傍に配置してあるキャパシタ５ｃの
電極の一方はスルーホール９を通じて裏面のグランドに
接続されている。図３（ｂ）は図３（ａ）を回路図で表
現したものである。
【００２０】当初短絡スタブの終端はＲＦ短絡点６にあ
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
る。ここで例えばボンディング点７ａと７ｂをワイヤで
結線することにより短絡スタブの実効的な長さは短くな
る。さらにボンディング点８ａと８ｂをワイヤで結線す
ることにより短絡スタブの実効的な長さは更に短くな
る。
【００２１】この実施例３でも、ワイヤによる結線とい
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
う操作により整合回路における短絡スタブの実効長の調
整をし、この調整により集積回路の特性を最適化させる
ことが可能となる。
【００２２】以上、実施例１、実施例２および実施例３
で本発明の具体例を提示した。
で本発明の具体例を提示した。
【００２３】以上に述べた実施例では、調整用のキャパ
シタ５ａ、５ｂ、５ｃは一つであるが、信号線路１に沿
って複数個並べることも可能である。また信号線路１の
片側だけでなく、両側に配置することもできる。
シタ５ａ、５ｂ、５ｃは一つであるが、信号線路１に沿
って複数個並べることも可能である。また信号線路１の
片側だけでなく、両側に配置することもできる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に伝送線路によ
り構成された整合回路を有する高周波集積回路に於い
て、製作後にワイヤを結線していくことで回路の特性を
最適化することが可能になる。本発明は、コプレーナ線
路またはマイクロストリップ線路のいずれの線路で構成
された整合回路にも適用できる。
り構成された整合回路を有する高周波集積回路に於い
て、製作後にワイヤを結線していくことで回路の特性を
最適化することが可能になる。本発明は、コプレーナ線
路またはマイクロストリップ線路のいずれの線路で構成
された整合回路にも適用できる。
【００２５】本発明によれば、再設計、再製作による工
程数を減らすことができる。また、本発明を量産品に適
用すれば、短絡スタブの実効長が調整できるようになる
から、歩留まりを向上させることが可能になる。
程数を減らすことができる。また、本発明を量産品に適
用すれば、短絡スタブの実効長が調整できるようになる
から、歩留まりを向上させることが可能になる。
【図１】（ａ）は請求項２に記載の発明の一実施例（実
施例１）に於けるコプレーナ線路で構成された整合回路
内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回路図で表
したものをそれぞれ示している。
施例１）に於けるコプレーナ線路で構成された整合回路
内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回路図で表
したものをそれぞれ示している。
【図２】（ａ）は請求項２に記載の発明の別の実施例
（実施例２）に於けるコプレーナ線路で構成された整合
回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回路図
で表したものをそれぞれ示している。
（実施例２）に於けるコプレーナ線路で構成された整合
回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回路図
で表したものをそれぞれ示している。
【図３】（ａ）は請求項３に記載の発明の一実施例（実
施例３）に於けるマイクロストリップ線路で構成された
整合回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回
路図で表したものをそれぞれ示している。
施例３）に於けるマイクロストリップ線路で構成された
整合回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこれを回
路図で表したものをそれぞれ示している。
【図４】（ａ）は従来例に於けるコプレーナ線路で構成
された整合回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこ
れを回路図で表したものをそれぞれ示している。
された整合回路内の短絡スタブの終端部分、（ｂ）はこ
れを回路図で表したものをそれぞれ示している。
【図５】従来例に於けるマイクロストリップ線路のイン
ピーダンスを変える方法を示した図である。
ピーダンスを変える方法を示した図である。
１ 信号線路 ２ キャパシタ ３ グランド ４ バイアス供給点 ５ａ 実施例１に於けるキャパシタ ５ｂ 実施例２に於けるキャパシタ ５ｃ 実施例３に於けるキャパシタ ６ ＲＦ短絡点 ７ａ ボンディング点 ７ｂ ボンディング点 ８ａ ボンディング点 ８ｂ ボンディング点 ９ 実施例３に於けるスルーホール １０ マイクロストリップ伝送線路 １１ ランド １２ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 伝送線路により基板上に構成された整合
回路を有する高周波集積回路において、バイアスが印加
された短絡スタブと、該短絡スタブに近接して配置され
た調整用のキャパシタとを設けたことを特徴とする高周
波集積回路。 - 【請求項２】 短絡スタブがコプレーナ線路であること
を特徴とする請求項１に記載の高周波集積回路。 - 【請求項３】 短絡スタブがマイクロストリップ線路で
あることを特徴とする請求項１に記載の高周波集積回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129186A JP2788838B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波集積回路 |
| US08/251,425 US5384558A (en) | 1993-05-31 | 1994-05-31 | Radio-frequency integrated circuit device having adjustable matching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129186A JP2788838B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338712A true JPH06338712A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2788838B2 JP2788838B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=15003274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129186A Expired - Fee Related JP2788838B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波集積回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5384558A (ja) |
| JP (1) | JP2788838B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100812066B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2008-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 알에프 매칭 회로 및 그 제조 방법 |
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| US6067594A (en) * | 1997-09-26 | 2000-05-23 | Rambus, Inc. | High frequency bus system |
| DE19805911A1 (de) * | 1998-02-13 | 1999-08-19 | Cit Alcatel | Übergang von einer Mikrostripleitung zu einem Hohlleiter sowie Verwendung eines solchen Übergangs |
| US6392504B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-05-21 | Innerwireless, Inc. | Device for coupling radio frequency energy from various transmission lines using variable impedance transmission lines with cable tap |
| US6362709B1 (en) | 1999-12-21 | 2002-03-26 | Andrew Corporation | Broadband tap for extracting energy from transmission lines using impedance transformers |
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1993
- 1993-05-31 JP JP5129186A patent/JP2788838B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-31 US US08/251,425 patent/US5384558A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100812066B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2008-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 알에프 매칭 회로 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2788838B2 (ja) | 1998-08-20 |
| US5384558A (en) | 1995-01-24 |
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