JPH06208731A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH06208731A JPH06208731A JP50A JP1932993A JPH06208731A JP H06208731 A JPH06208731 A JP H06208731A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 1932993 A JP1932993 A JP 1932993A JP H06208731 A JPH06208731 A JP H06208731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- passivation
- film
- recording medium
- transparent substrate
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿性が高く、安定性、再現性、量産性に優
れ、長期間にわたって高い信頼性を有する光記録媒体を
提供する。 【構成】 透明基板１上には、第１干渉層２、記録層
３、第２干渉層４、不働態層７、反射層５、不働態層
７、保護膜層６が順次積層され、基板１側からレーザ光
８が照射されて記録層３で情報の記録・再生・消去が行
われる。反射膜５の両面に形成された不働態層７は、不
働態被膜７ａおよび不働態形成用膜７ｂの積層構造を有
する。不働態被膜７ａは、当該光ディスクの生産時に反
射層５の表面に形成された不働態形成用膜７ｂの表面
が、後に透明基板１あるいは保護膜層６を透過してくる
水分中の酸素と反応して得られた強固な酸化被膜であ
る。
れ、長期間にわたって高い信頼性を有する光記録媒体を
提供する。 【構成】 透明基板１上には、第１干渉層２、記録層
３、第２干渉層４、不働態層７、反射層５、不働態層
７、保護膜層６が順次積層され、基板１側からレーザ光
８が照射されて記録層３で情報の記録・再生・消去が行
われる。反射膜５の両面に形成された不働態層７は、不
働態被膜７ａおよび不働態形成用膜７ｂの積層構造を有
する。不働態被膜７ａは、当該光ディスクの生産時に反
射層５の表面に形成された不働態形成用膜７ｂの表面
が、後に透明基板１あるいは保護膜層６を透過してくる
水分中の酸素と反応して得られた強固な酸化被膜であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ光の照射等によ
り情報を記録、再生可能である光ディスク等の光記録媒
体に関する。
り情報を記録、再生可能である光ディスク等の光記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量、高密度のメモリとして、記録、
再生、消去が比較的容易な光ディスクの開発が進められ
ている。
再生、消去が比較的容易な光ディスクの開発が進められ
ている。
【０００３】かかる光ディスクでは、Ｔａ系金属薄膜を
記録層として用い、レーザ光の照射による熱エネルギを
利用して加熱徐冷却あるいは加熱急冷することにより、
アモルファス（非晶質）状態から結晶状態へ、あるいは
結晶状態からアモルファス状態へ変化させ、それぞれの
反射率の差を利用して情報の読み書きができる。
記録層として用い、レーザ光の照射による熱エネルギを
利用して加熱徐冷却あるいは加熱急冷することにより、
アモルファス（非晶質）状態から結晶状態へ、あるいは
結晶状態からアモルファス状態へ変化させ、それぞれの
反射率の差を利用して情報の読み書きができる。
【０００４】従来の光ディスクでは、反射層（反射膜）
としてＡｌ合金が用いられていたが、Ａｌ合金反射層
は、透明基板あるいは保護層を透過してくる水分などに
よって腐食し易く、これによってピンホールが発生し、
また、反射率が低下して再生時に記録情報の読み取りミ
スなどが生じるという問題があった。
としてＡｌ合金が用いられていたが、Ａｌ合金反射層
は、透明基板あるいは保護層を透過してくる水分などに
よって腐食し易く、これによってピンホールが発生し、
また、反射率が低下して再生時に記録情報の読み取りミ
スなどが生じるという問題があった。
【０００５】このような反射層の腐食を防止するため
に、例えば特開平２−２９２７４３号公報では、反射層
と基板との間に、耐水性を有する酸化物や窒化物からな
る中間層を設ける技術が開示されている。
に、例えば特開平２−２９２７４３号公報では、反射層
と基板との間に、耐水性を有する酸化物や窒化物からな
る中間層を設ける技術が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術で
は、中間層が酸化物あるいは窒化物といった化合物であ
ったため成膜性、品質の安定性が悪く、膜厚にばらつき
が生じたりピンホールが発生しやすいという問題があっ
た。また、化合物薄膜は、一般的に品質の再現性が悪い
ため、量産性が悪いという問題もあった。
は、中間層が酸化物あるいは窒化物といった化合物であ
ったため成膜性、品質の安定性が悪く、膜厚にばらつき
が生じたりピンホールが発生しやすいという問題があっ
た。また、化合物薄膜は、一般的に品質の再現性が悪い
ため、量産性が悪いという問題もあった。
【０００７】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解決して、耐湿性が高く、安定性、再現性、量産性
に優れた光記録媒体を提供することにある。
点を解決して、耐湿性が高く、安定性、再現性、量産性
に優れた光記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、透明基板上に、記録層、反射層お
よび保護層を順次積層して構成される光記録媒体におい
て、透明基板と反射層との間および反射層と保護層との
間のうち少なくとも透明基板と反射層との間に、不働態
形成用膜および不働態被膜を積層してなる不働態層を、
当該不働態形成用膜が反射層側となるように設けた点に
特徴がある。
ために、本発明では、透明基板上に、記録層、反射層お
よび保護層を順次積層して構成される光記録媒体におい
て、透明基板と反射層との間および反射層と保護層との
間のうち少なくとも透明基板と反射層との間に、不働態
形成用膜および不働態被膜を積層してなる不働態層を、
当該不働態形成用膜が反射層側となるように設けた点に
特徴がある。
【０００９】
【作用】上記した構成によれば、基板あるいは保護膜層
を透過してくる水分中の酸素が不働態形成用膜と反応し
てその表面に強固な不働態被膜を形成し、この不働態被
膜によって水分（酸素）の反射層への浸入が阻止される
ので、反射層のピンホールや腐食が防止されて信頼性が
向上する。
を透過してくる水分中の酸素が不働態形成用膜と反応し
てその表面に強固な不働態被膜を形成し、この不働態被
膜によって水分（酸素）の反射層への浸入が阻止される
ので、反射層のピンホールや腐食が防止されて信頼性が
向上する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の第１実施例である光ディス
クの構成を示した断面図である。透明基板１上（図では
下方）には、第１干渉層２、記録層３、第２干渉層４、
不働態層７、反射層５、不働態層７、保護膜層６が順次
積層され、基板１側からレーザ光８が照射されて記録層
３で情報の記録・再生・消去が行われる。
クの構成を示した断面図である。透明基板１上（図では
下方）には、第１干渉層２、記録層３、第２干渉層４、
不働態層７、反射層５、不働態層７、保護膜層６が順次
積層され、基板１側からレーザ光８が照射されて記録層
３で情報の記録・再生・消去が行われる。
【００１１】透明基板１は、表面が平滑なＰＭＭＡ、ポ
リカ−ボネイト等の透明樹脂またはガラス等からなり、
その露出面には、レ−ザ光８を導くためのスパイラル又
は同心円状のトラック（図示せず）が設けられている。
リカ−ボネイト等の透明樹脂またはガラス等からなり、
その露出面には、レ−ザ光８を導くためのスパイラル又
は同心円状のトラック（図示せず）が設けられている。
【００１２】第１および第２干渉層２、４は、ＳｉＯ2
、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの誘電
体膜によって構成されている。各干渉層２、４は、多重
干渉効果を利用して記録層３への変調度を高めたり、記
録層３が記録、消去を繰り返した時に破壊されるのを防
止するために設けられている。なお、記録層３は相変化
記録媒体および光磁気記録媒体のいずれであっても良
い。
、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの誘電
体膜によって構成されている。各干渉層２、４は、多重
干渉効果を利用して記録層３への変調度を高めたり、記
録層３が記録、消去を繰り返した時に破壊されるのを防
止するために設けられている。なお、記録層３は相変化
記録媒体および光磁気記録媒体のいずれであっても良
い。
【００１３】反射層５は、例えばＡｌ−Ｔｉ合金から成
り、記録層３を透過した光を反射することによって記録
層３の光吸収率を高めたり、相変化記録媒体を用いた光
ディスクにあっては、溶融した記録層３をアモルファス
化するための急冷板として用いられる。反射層５の膜厚
は、光の透過率が１０％以下となるように５０ｎｍ以上
にすることが望ましい。
り、記録層３を透過した光を反射することによって記録
層３の光吸収率を高めたり、相変化記録媒体を用いた光
ディスクにあっては、溶融した記録層３をアモルファス
化するための急冷板として用いられる。反射層５の膜厚
は、光の透過率が１０％以下となるように５０ｎｍ以上
にすることが望ましい。
【００１４】反射膜５の両面に形成された不働態層７
は、不働態被膜７ａおよび不働態形成用膜７ｂの積層構
造を有する。不働態被膜７ａは、当該光ディスクの生産
時に反射層５の表面に形成された不働態形成用膜７ｂの
表面が、後に透明基板１あるいは保護膜層６を透過して
くる水分中の酸素と反応して得られた強固な酸化被膜で
ある。
は、不働態被膜７ａおよび不働態形成用膜７ｂの積層構
造を有する。不働態被膜７ａは、当該光ディスクの生産
時に反射層５の表面に形成された不働態形成用膜７ｂの
表面が、後に透明基板１あるいは保護膜層６を透過して
くる水分中の酸素と反応して得られた強固な酸化被膜で
ある。
【００１５】不働態形成用膜７ｂは、チタン、クロム、
およびモリブデンといった金属元素単体、ならびにこれ
らの合金のいずれかであることが望ましい。
およびモリブデンといった金属元素単体、ならびにこれ
らの合金のいずれかであることが望ましい。
【００１６】保護層６は、積層された各層を保護するた
めに設けられ、上記した誘電体または樹脂によって構成
することができる。誘電体であれば、スパッタリング、
蒸着等の適宜の方法で形成することができる。樹脂であ
れば、塗布等により形成することができる。
めに設けられ、上記した誘電体または樹脂によって構成
することができる。誘電体であれば、スパッタリング、
蒸着等の適宜の方法で形成することができる。樹脂であ
れば、塗布等により形成することができる。
【００１７】このような構成によれば、透明基板１ある
いは保護膜層６を透過してくる水分中の酸素と反応して
得られた強固な不働態被膜７ａにより、水分（酸素）の
反射層５への浸入が阻止されるので、反射層５でのピン
ホールや腐食の発生が防止されて信頼性が向上する。
いは保護膜層６を透過してくる水分中の酸素と反応して
得られた強固な不働態被膜７ａにより、水分（酸素）の
反射層５への浸入が阻止されるので、反射層５でのピン
ホールや腐食の発生が防止されて信頼性が向上する。
【００１８】また、酸素と結合して不働態被膜７ａを形
成するチタン、クロム、あるいはモリブデン等の金属元
素単体あるいは合金は、窒化膜や酸化膜に比べて成膜性
すなわち安定性や再現性に優れることから、光ディスク
としての信頼性および量産性が向上する。
成するチタン、クロム、あるいはモリブデン等の金属元
素単体あるいは合金は、窒化膜や酸化膜に比べて成膜性
すなわち安定性や再現性に優れることから、光ディスク
としての信頼性および量産性が向上する。
【００１９】図２は、本発明の第２実施例である光ディ
スクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符号は
同一または同等部分を表している。
スクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符号は
同一または同等部分を表している。
【００２０】本実施例では、不働態層７を反射層５の両
主面のみならず、端面にも被着するようにした点に特徴
がある。
主面のみならず、端面にも被着するようにした点に特徴
がある。
【００２１】ディスク端面から侵入する水分は両主面か
ら侵入する分に比べて十分に少ないが、本実施例の構成
とすることにより耐水性が更に向上するため、特に高信
頼性が要求される分野や高湿度環境下で使用される場合
に有効である。
ら侵入する分に比べて十分に少ないが、本実施例の構成
とすることにより耐水性が更に向上するため、特に高信
頼性が要求される分野や高湿度環境下で使用される場合
に有効である。
【００２２】図３は、本発明の第３実施例である再生専
用のコンパクトディスク( ＣＤ) の構成を示した断面図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
用のコンパクトディスク( ＣＤ) の構成を示した断面図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
【００２３】ここでいう記録層３とは、プラスチック基
板１の片側にスタンパから凹凸の信号ピットが転写され
た部分をいう。従来のＣＤなどの光ディスクの構成は上
記基板１に反射層５( Ａｌ、Ａｌ合金) 、保護層６( 樹
脂を塗布) を順次積層した構成になっている。
板１の片側にスタンパから凹凸の信号ピットが転写され
た部分をいう。従来のＣＤなどの光ディスクの構成は上
記基板１に反射層５( Ａｌ、Ａｌ合金) 、保護層６( 樹
脂を塗布) を順次積層した構成になっている。
【００２４】本実施例でも、反射層５の全面に不働態層
７を形成することにより、反射層５のピンホールや腐食
が防止されて信頼性が向上する。
７を形成することにより、反射層５のピンホールや腐食
が防止されて信頼性が向上する。
【００２５】なお、保護層６としてＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＮなどの誘電体を用いると、これらの誘電体は
プラスチック基板１とは異なって吸湿性を有しなので、
保護層６側からの水分の浸入は、保護層６作製時にでき
たピットからのものがほとんどで非常に少ない。
3 、ＳｉＮなどの誘電体を用いると、これらの誘電体は
プラスチック基板１とは異なって吸湿性を有しなので、
保護層６側からの水分の浸入は、保護層６作製時にでき
たピットからのものがほとんどで非常に少ない。
【００２６】したがって、このような構成では、図４に
示した本発明の第４実施例のように、反射層５の光入射
側（基板１側）のみに不働態層７を積層すれば十分であ
る。なお、保護層６にＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮな
どの誘電体を用いた場合であっても、反射層５全面に不
働態被膜層７を積層すれば、更に耐湿性が向上すること
は、あらためて記述するまでもない。
示した本発明の第４実施例のように、反射層５の光入射
側（基板１側）のみに不働態層７を積層すれば十分であ
る。なお、保護層６にＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮな
どの誘電体を用いた場合であっても、反射層５全面に不
働態被膜層７を積層すれば、更に耐湿性が向上すること
は、あらためて記述するまでもない。
【００２７】図５は、本発明の第５実施例の構成を示し
た断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。
た断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。
【００２８】本実施例では、第１干渉層２をＳｉＮ２ａ
（６０〜８０ｎｍ）及びＺｎＳ−ＳｉＯ2 （６０〜８０
ｎｍ）２ｂの２層構造とすると共に、記録層３をＩｎ3
ＳｂＴｅ2(２５〜３５ｎｍ) 、第２干渉層４をＺｎＳ−
ＳｉＯ2(８０〜１３０ｎｍ)、反射層５をＡｌ- Ｔｉ(
１００〜２５０ｎｍ) とし、反射層５の全面に不働態層
７を約２ｎｍ積層した例である。
（６０〜８０ｎｍ）及びＺｎＳ−ＳｉＯ2 （６０〜８０
ｎｍ）２ｂの２層構造とすると共に、記録層３をＩｎ3
ＳｂＴｅ2(２５〜３５ｎｍ) 、第２干渉層４をＺｎＳ−
ＳｉＯ2(８０〜１３０ｎｍ)、反射層５をＡｌ- Ｔｉ(
１００〜２５０ｎｍ) とし、反射層５の全面に不働態層
７を約２ｎｍ積層した例である。
【００２９】本実施例でも、透明基板１あるいは保護膜
層６を透過してくる水分中の酸素と反応して得られた強
固な不働態被膜７ａにより、反射層５のピンホールや腐
食が防止されて信頼性が向上する。
層６を透過してくる水分中の酸素と反応して得られた強
固な不働態被膜７ａにより、反射層５のピンホールや腐
食が防止されて信頼性が向上する。
【００３０】図６は、本発明の第６実施例である光磁気
ディスクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。
ディスクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。
【００３１】本実施例では、記録層２としてＴｂＦｅＣ
ｏ系あるいはＤｙＦｅＣｏ系の磁気光学効果を有する記
録媒体を用いている。
ｏ系あるいはＤｙＦｅＣｏ系の磁気光学効果を有する記
録媒体を用いている。
【００３２】本実施例でも、上記した各光ディスクの場
合と同等の効果が得られる。
合と同等の効果が得られる。
【００３３】図７は、本発明の第７実施例である光ディ
スクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符号は
同一または同等部分を表している。
スクの構成を示した断面図であり、前記と同一の符号は
同一または同等部分を表している。
【００３４】本実施例では、不働態層７をＰＣ基板１に
直接積層した点に特徴がある。このような膜構成にする
ことによって、ＰＣ基板１からの水分の浸入を第１干渉
膜２の前でブロックすることができるので、反射層５ば
かりか記録層３の腐食をも防止できる効果がある。
直接積層した点に特徴がある。このような膜構成にする
ことによって、ＰＣ基板１からの水分の浸入を第１干渉
膜２の前でブロックすることができるので、反射層５ば
かりか記録層３の腐食をも防止できる効果がある。
【００３５】また、記録層３として相変化記録媒体を用
いた場合は、記録層３を繰返し溶融するために、熱がＰ
Ｃ基板１へ伝導してＰＣ基板１が熱変形することが考え
られる（ＰＣ基板の軟化点が約１２０℃と低いため）。
いた場合は、記録層３を繰返し溶融するために、熱がＰ
Ｃ基板１へ伝導してＰＣ基板１が熱変形することが考え
られる（ＰＣ基板の軟化点が約１２０℃と低いため）。
【００３６】ところが、本実施例の構成によれば、不働
態層７が記録膜３からの伝導熱を吸収してＰＣ基板１の
熱変形が防止できる効果もある。
態層７が記録膜３からの伝導熱を吸収してＰＣ基板１の
熱変形が防止できる効果もある。
【００３７】図８は本発明を適用した光ディスクと従来
の光ディスクとの環境試験における反射率の変化を比較
した図である。環境試験は、温度８０℃、相対湿度９０
％の条件下で最高２０００ｈｒ放置した。
の光ディスクとの環境試験における反射率の変化を比較
した図である。環境試験は、温度８０℃、相対湿度９０
％の条件下で最高２０００ｈｒ放置した。
【００３８】ディスクは、ポリカ−ボネ−ト基板１上に
第１干渉層ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （７０ｎｍ）、記録層Ｉｎ
3 ＳｂＴｅ2 （３０ｎｍ）、第２干渉層ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 （９０ｎｍ）、反射層Ａｌ- Ｔｉ（２００ｎｍ）を積
層したもので、本発明のディスクの反射層表面には、不
働態形成用膜７ｂとしてＴｉを約２ｎｍの膜厚で積層し
た。
第１干渉層ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （７０ｎｍ）、記録層Ｉｎ
3 ＳｂＴｅ2 （３０ｎｍ）、第２干渉層ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 （９０ｎｍ）、反射層Ａｌ- Ｔｉ（２００ｎｍ）を積
層したもので、本発明のディスクの反射層表面には、不
働態形成用膜７ｂとしてＴｉを約２ｎｍの膜厚で積層し
た。
【００３９】図から明らかなように、本発明を適用した
ディスクでは、放置時間が２０００ｈｒに達しても反射
率が低下しないのに対して、従来のディスクでは約３０
０ｈｒで低下し初め、２０００ｈｒでは約１０％に低下
した。
ディスクでは、放置時間が２０００ｈｒに達しても反射
率が低下しないのに対して、従来のディスクでは約３０
０ｈｒで低下し初め、２０００ｈｒでは約１０％に低下
した。
【００４０】なお、このときＴｉの表面には、ＴｉＯ2
あるいはＴｉ2 Ｏ3 が形成されたものと考えられる。
あるいはＴｉ2 Ｏ3 が形成されたものと考えられる。
【００４１】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、基板
あるいは保護膜層を透過してくる水分中の酸素が不働態
形成用膜と反応して得られた強固な不働態被膜により、
水分（酸素）の反射層への浸入が阻止されるので、反射
層５のピンホールや腐食が防止される。したがって、あ
らゆる環境下において、長期間良好な使用状態を確保す
ることができ、信頼性が向上する。
あるいは保護膜層を透過してくる水分中の酸素が不働態
形成用膜と反応して得られた強固な不働態被膜により、
水分（酸素）の反射層への浸入が阻止されるので、反射
層５のピンホールや腐食が防止される。したがって、あ
らゆる環境下において、長期間良好な使用状態を確保す
ることができ、信頼性が向上する。
【００４２】また、酸素と結合して不働態被膜を形成す
るチタン、クロム、あるいはモリブデン等の金属元素単
体あるいは合金は、窒化膜や酸化膜に比べて成膜性すな
わち安定性や再現性に優れることから、光ディスクとし
ての信頼性および量産性が向上する。
るチタン、クロム、あるいはモリブデン等の金属元素単
体あるいは合金は、窒化膜や酸化膜に比べて成膜性すな
わち安定性や再現性に優れることから、光ディスクとし
ての信頼性および量産性が向上する。
【図１】 本発明の第１実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の第２実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の第３実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図４】 本発明の第４実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図５】 本発明の第５実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の第６実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図７】 本発明の第７実施例の構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図８】 本発明による反射層の反射率を経時的に示し
た図である。
た図である。
１…基板、２…第１干渉層、３…記録層、４…第１干
渉層、５…反射層、６…保護層、７…不働態層、７ａ…
不働態被膜、７ｂ…不働態形成用膜、８…レ−ザ光
渉層、５…反射層、６…保護層、７…不働態層、７ａ…
不働態被膜、７ｂ…不働態形成用膜、８…レ−ザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 義美 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 成瀬 篤子 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 前田 佳均 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 美雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 角田 義人 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に、記録層、反射層および保
護層を順次積層して構成され、透明基板側から記録層に
レーザ光を照射されて情報の記録、再生等を行う光記録
媒体において、 透明基板と反射層との間および反射層と保護層との間の
うち少なくとも透明基板と反射層との間に、不働態形成
用膜および不働態被膜を積層してなる不働態層を、当該
不働態形成用膜が反射層側となるように設けたことを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記不働態被膜は、不働態形成用膜の表
面が酸化して得られる酸化膜であることを特徴とする請
求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記不働態層を、反射層上に設けたこと
を特徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記不働態層を、反射層の端面に設けた
ことを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記透明基板と反射層との間に配置され
る不働態層を、透明基板上と記録層との間に設けたこと
を特徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 前記不働態形成用膜は、チタン、クロ
ム、およびモリブデン、ならびにこれらの合金のいずれ
かから成ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06208731A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06208731A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208731A true JPH06208731A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11996377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06208731A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008287880A (ja) * | 1997-06-27 | 2008-11-27 | Sony Corp | 光記録媒体 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP50A patent/JPH06208731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008287880A (ja) * | 1997-06-27 | 2008-11-27 | Sony Corp | 光記録媒体 |
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