JPH06209580A - 電力変換装置のスナバエネルギー回収回路 - Google Patents

電力変換装置のスナバエネルギー回収回路

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JPH06209580A
JPH06209580A JP5000874A JP87493A JPH06209580A JP H06209580 A JPH06209580 A JP H06209580A JP 5000874 A JP5000874 A JP 5000874A JP 87493 A JP87493 A JP 87493A JP H06209580 A JPH06209580 A JP H06209580A
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JP
Japan
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circuit
snubber
energy
diode
reactor
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JP5000874A
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English (en)
Inventor
Kazuo Kuroki
一男 黒木
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

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  • Power Conversion In General (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電力変換装置が動作する際にスナバ回路が回収
したエネルギーを簡単な回路構成で電源へ回生できるよ
うにすることにある。 【構成】コンデンサとダイオードとリアクトルとの直列
接続でなるエネルギー吸収回路をスナバダイオードに並
列接続し、このエネルギー吸収回路の属する極性とは逆
極性の回路との間をダイオードとリアクトルとの直列接
続でなるエネルギー回収回路で接続し、スナバコンデン
サ蓄積エネルギーを半導体スイッチのオン時にエネルギ
ー吸収回路のコンデンサに移し、次いで逆極性側半導体
スイッチのオン時にエネルギー回収回路へ放電して、こ
のエネルギー回収回路を構成しているリアクトルへの電
流を増加させ、次に逆極性側半導体スイッチのオフ時に
このリアクトル電流を半導体スイッチを構成しているフ
ィードバックダイオードを介して直流電源へ回生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体スイッチング
素子のオン・オフ動作で電力変換を行う際に発生するス
イッチング損失を回収する電力変換装置のスナバエネル
ギー回収回路に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体スイッチング素子で電力変換装置
を構成し、その半導体スイッチング素子をオン・オフ動
作させれば電力変換が行えるのは周知である。以下では
電力変換装置として、直流電力を交流電力に変換するイ
ンバータを例にして本発明の詳細を説明する。
【0003】図2はインバータの1相分の第1従来例を
示した回路図である。この図2において、半導体スイッ
チング素子としての絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
(以下ではIGBTと略記する)4Tとフィードバック
ダイオード4Dとを逆並列接続して正極側半導体スイッ
チ4を形成させ、IGBT6Tとフィードバックダイオ
ード6Dとを逆並列接続して負極側半導体スイッチ6を
形成させ、これら正極側半導体スイッチ4と負極側半導
体スイッチ6とを直列接続して直流電源2の正負極間に
接続する。この状態で、IGBT4TとIGBT6Tと
を交互にオン・オフ動作させれば、直流電源2からの直
流電力を交流電力に変換して交流端子7から取り出すこ
とが出来る。
【0004】半導体スイッチング素子のターンオン或い
はターンオフの際に電流波形と電圧波形に重なり期間が
生じると(重なり期間とは電圧が印加されながら電流を
流す期間)、過渡的な電力損失(所謂スイッチング損
失)が発生する。このスイッチング損失の1回当たりの
量は僅かであっても、パルス幅変調制御インバータのよ
うにスイッチング周波数が高い電力変換装置では単位時
間当たりの発生損失が無視出来なくなる。即ちエネルギ
ーの無益な浪費であり、装置の効率低下や発生した熱の
処理に余分の設備が必要になるなどの不都合も生じる。
そこで装置にはインダクタンスやコンデンサを挿入して
前述の重なり期間の短縮を図る。即ち直流電源2と正極
側半導体スイッチ4との間に正極側抑制リアクトル3を
挿入し、直流電源2と負極側半導体スイッチ6との間に
は負極側抑制リアクトル5を挿入してターンオン時にI
GBTに流入する電流の上昇率を抑制してスイッチング
損失を低減させている。更に正極側半導体スイッチ4に
は正極側スナバ回路8を並列に接続し、負極側半導体ス
イッチ6には負極側スナバ回路9を並列に接続して、I
GBTがターンオフする際にこのIGBTに印加される
電圧の上昇率を緩和してスイッチング損失を低減させて
いる。
【0005】正極側スナバ回路8はスナバコンデンサ8
Cとスナバダイオード8Dとスナバ抵抗8Rとで構成
し、負極側スナバ回路9も同様にスナバコンデンサ9C
とスナバダイオード9Dとスナバ抵抗9Rとで構成して
いるので、IGBTがターンオフする際に抑制リアクト
ルに蓄積していたエネルギーはそれぞれのスナバコンデ
ンサへ吸収される。このスナバコンデンサが吸収したエ
ネルギーは、次に各IGBTがターンオンする際にスナ
バ抵抗へ放出されて消費される。即ちスナバコンデンサ
へ吸収されたエネルギーは熱となって放散されてしまっ
ている。そこでこのエネルギーを回収して再利用を図る
べく、以下の図3や図4に図示の回路が提案されてい
る。
【0006】図3はインバータの1相分の第2従来例を
示した回路図である。この図3に図示の第2従来例回路
は「特開昭61−210875号」公報に記載の回路で
あって、直流電源2,正極側抑制リアクトル3,正極側
半導体スイッチ4,負極側抑制リアクトル5,負極側半
導体スイッチ6,及び交流端子7の名称・用途・機能は
図2で記述の第1従来例回路の場合と同じであるから、
これらの説明は省略する。
【0007】図3に図示の第2従来例回路では、スナバ
コンデンサ8Cとスナバダイオード8Dとで構成した正
極側スナバ回路11を正極側半導体スイッチ4に並列に
接続し、スナバコンデンサ8Cとスナバダイオード8D
との結合点と正極側補助直流電源15とを、ダイオード
12,リアクトル13,及び配線インダクタンス14を
介して接続している。このような回路構成により、IG
BT4Tがターンオフする際にスナバコンデンサ8Cに
蓄えられたエネルギーは、次にIGBT4Tがターンオ
ンする際にスナバコンデンサ8C→ダイオード12→リ
アクトル13→配線インダクタンス14→正極側補助直
流電源15→正極側抑制リアクトル3→IGBT4T→
スナバコンデンサ8Cの経路で正極側補助直流電源15
へ回生されるので、このエネルギーを再利用することが
可能となる。負極側半導体スイッチ6に並列接続してい
る負極側スナバ21,ダイオード22,リアクトル2
3,配線インダクタンス24,及び負極側補助直流電源
25の動作も前述と同じである。更に過電圧吸収回路2
0を設けて回路の過電圧を吸収し、このエネルギーを正
極側補助直流電源15へ回生するようにしているが、こ
れらの動作の詳細説明は省略する。
【0008】図4はインバータの1相分の第3従来例を
示した回路図である。この図4に図示の第3従来例回路
は「特開平3−256569号」公報に記載の回路であ
って、直流電源2,正極側抑制リアクトル3,正極側半
導体スイッチ4,負極側抑制リアクトル5,負極側半導
体スイッチ6,及び交流端子7の名称・用途・機能は図
2で既述の第1従来例回路の場合と同じであり、正極側
スナバ回路11,ダイオード12,リアクトル13,負
極側スナバ回路21,ダイオード22,及びリアクトル
23の名称・用途・機能は図3で既述の第2従来例回路
の場合と同じであるから、これらの説明は省略する。
【0009】図4に図示の第3従来例回路では、スナバ
コンデンサ8Cに蓄積したエネルギーをダイオード1
2,リアクトル13,ダイオード16,及びコンデンサ
17を介して正極側チョッパ18へ与えている。正極側
チョッパ18はこの入力エネルギーを所望の直流電圧に
変換して直流電源2へ返還する。負極側チョッパ28も
同様に負極側スナバ回路21を構成しているスナバコン
デンサ9Cに蓄積したエネルギーをダイオード22,リ
アクトル23,ダイオード26,及びコンデンサ27を
介して入力し、この入力エネルギーを所望の直流電圧に
変換して直流電源2へ返還するのであるが、これらの動
作の詳細説明は省略する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図2の第1従来例回路
に図示のように、正極側半導体スイッチ4には正極側ス
ナバ回路8を並列に接続し、負極側半導体スイッチ6に
は負極側スナバ回路9を並列に接続することで、半導体
スイッチがターンオフする際にこの半導体スイッチに印
加される電圧の上昇率を緩和すると共に、半導体スイッ
チがターンオンする際の電流上昇率を抑制するインダク
タンスに蓄えられたエネルギーをスナバコンデンサに移
すのであるが、従来はこのスナバコンデンサ蓄積エネル
ギーをスナバ抵抗で無駄に消費させていた。このエネル
ギーの無益な浪費を解消して電源へ回収するべく、図3
と図4に図示の第2従来例回路や第3従来例回路が提案
されている。これらの従来例回路はエネルギーを回収す
る効果は得られているが、このエネルギー回収のために
補助直流電源やチョッパを備えなければならない。これ
ら補助直流電源やチョッパは図示は省略しているが、こ
れらを制御するための装置が付属しているので、部品点
数が多く回路も複雑になって装置全体が大形・高価にな
り、信頼性も低下する等の欠点がある。
【0011】そこでこの発明の目的は、電力変換装置が
動作する際にスナバ回路が回収したエネルギーを簡単な
回路構成で電源へ回生できるようにすることにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めにこの発明の電力変換装置のスナバエネルギー回収回
路は、スナバコンデンサとスナバダイオードとの直列回
路で構成しているスナバ回路を並列に接続した半導体ス
イッチング素子の複数を直列に接続して直流電源の正負
極間に接続し、前記半導体スイッチング素子のオン・オ
フ動作で電力変換を行う電力変換装置において、前記ス
ナバダイオードのそれぞれに補助ダイオードと補助リア
クトルと補助コンデンサとの直列接続で構成しているエ
ネルギー吸収回路を別個に並列接続し、前記直流電源の
正極側に属している前記エネルギー吸収回路の任意の接
続箇所と前記直流電源の負極側との間に第1の回生ダイ
オードと第1の回生リアクトルとの直列接続で構成した
第1エネルギー回収回路を接続し、前記直流電源の負極
側に属している前記エネルギー吸収回路の任意の接続箇
所と前記直流電源の正極側との間を、第2の回生ダイオ
ードと第2の回生リアクトルとの直列接続で構成した第
2エネルギー回収回路を介して接続するものとする。
【0013】
【作用】この発明は、複数の半導体スイッチを直列接続
して電源に接続して電力変換を行う場合に、それぞれの
半導体スイッチに別個のスナバ回路を並列に接続する。
このスナバ回路の構成要素であるスナバダイオードには
エネルギー吸収回路を並列に接続するが、このエネルギ
ー吸収回路は補助コンデンサと補助ダイオードと補助リ
アクトルとの直列接続で構成する。このエネルギー吸収
回路が直流電源の正極側に属しているならば、この正極
側エネルギー吸収回路の構成要素のいずれかの接続点と
直流電源の負極側とを第1のエネルギー回収回路を介し
て接続する。ここで第1エネルギー回収回路は回生ダイ
オードと回生リアクトルとの直列接続で構成する。同様
に直流電源の負極側に属しているエネルギー吸収回路で
は、その構成要素を直列接続しているいずれかの接続点
と直流電源の正極側とを第2のエネルギー回収回路を介
して接続する。
【0014】正極側のスナバ回路を例にすれば、正極側
の半導体スイッチのターンオフ時に正極側スナバコンデ
ンサに蓄えられたエネルギーは、正極側半導体スイッチ
のターンオン時に正極側エネルギー吸収回路を構成する
補助コンデンサに移動し、次いで負極側半導体スイッチ
のターンオン時に正極側補助コンデンサの蓄積エネルギ
ーが第1エネルギー回収回路へ放電するので、この第1
エネルギー回収回路を構成している回生リアクトルへ流
れる電流が増加する。この状態で負極側半導体スイッチ
がターンオフすると、第1エネルギー回収回路の回生リ
アクトルに流れていた電流は正極側半導体スイッチを構
成しているフィードバックダイオードを介して直流電源
へ流入する。即ち電力の回生がなされる。負極側のスナ
バ回路も同様の動作によりスナバコンデンサに蓄積され
たエネルギーを直流電源へ回生する。
【0015】
【実施例】図1は本発明の実施例を表した回路図である
がこの図1の実施例に図示している直流電源2,正極側
抑制リアクトル3,正極側半導体スイッチ4,負極側抑
制リアクトル5,負極側半導体スイッチ6,交流端子
7,正極側スナバ回路8,及び負極側スナバ回路9の名
称・用途・機能は、図2,図3或いは図4で図示の従来
例回路で既述しているので、これらの説明は省略する。
【0016】本発明では、正極側スナバ回路11を構成
しているスナバダイオード8Dには正極側エネルギー吸
収回路31を並列接続しているが、この正極側エネルギ
ー吸収回路31は補助コンデンサ31Cと補助ダイオー
ド31Dと補助リアクトル31Lとの直列接続で構成し
ている。更に補助コンデンサ31Cと補助リアクトル3
1Lとの接続点(補助リアクトル31Lと補助コンデン
サ31Cとの接続点でも差し支え無い)と直流電源2の
負極側との間は、第1エネルギー回収回路34を介して
接続している。この第1エネルギー回収回路34は回生
ダイオード34Dと回生リアクトル34Lとの直列接続
回路である。同様に負極側スナバ回路21を構成してい
るスナバダイオード9Dには負極側エネルギー吸収回路
33を並列接続しているが、この負極側エネルギー吸収
回路33は補助コンデンサ33Cと補助ダイオード33
Dと補助リアクトル33Lとの直列接続で構成してい
る。更に補助コンデンサ33Cと補助リアクトル33L
との接続点(補助リアクトル33Lと補助コンデンサ3
3Cとの接続点でも差し支え無い)と直流電源2の正極
側との間は、第2エネルギー回収回路32を介して接続
するのであるが、この第2エネルギー回収回路32は回
生ダイオード32Dと回生リアクトル32Lとの直列接
続で構成している。
【0017】この回路において、正極側スナバ回路11
に蓄積されたエネルギーがどのように回生されるかの動
作を以下に説明する。正極側半導体スイッチ4を構成し
ているIGBT4Tがターンオフする際に、正極側抑制
リアクトル3の蓄積エネルギーがスナバコンデンサ8C
に移動するのは既に述べた。本発明ではスナバダイオー
ド8Dには正極側エネルギー吸収回路31が並列に接続
されているので、次にIGBT4Tがターンオンする
と、スナバコンデンサ8C→IGBT4T→補助コンデ
ンサ31C→補助リアクトル31L→補助ダイオード3
1D→スナバコンデンサ8Cの経路でスナバコンデンサ
8Cの電荷が放電するので、スナバコンデンサ8Cの蓄
積エネルギーは補助コンデンサ31Cへ移る。ここで負
極側半導体スイッチ6を構成しているIGBT6Tがタ
ーンオンすると、補助コンデンサ31C→IGBT6T
→負極側抑制リアクトル5→回生リアクトル34L→回
生ダイオード34D→補助リアクトル31L→補助コン
デンサ31Cの経路で補助コンデンサ31Cの電荷が放
電して、回生リアクトル34Lに流れる電流が増加し、
補助コンデンサ31Cの電荷は減少する。
【0018】次いでIGBT6Tがターンオフすると回
生リアクトル34Lに流れていた電流は、回生リアクト
ル34L→回生ダイオード34D→補助リアクトル31
L→補助コンデンサ31C→フィードバックダイオード
4D→正極側抑制リアクトル3→直流電源2の経路で流
れて直流電源2へ回生され、回生リアクトル34Lの電
流は減少し、且つ補助コンデンサ31Cの電荷は更に減
少する。この動作の繰り返しによりスナバコンデンサ8
Cに蓄積したエネルギーを直流電源2へ回生することが
出来る。
【0019】負極側半導体スイッチ6に並列接続してい
る負極側スナバ回路21のスナバコンデンサ9Cに蓄え
られたエネルギーも、同様の動作で先ず負極側エネルギ
ー吸収回路33を構成している補助コンデンサ33Cへ
移され、次いでIGBT4Tのオン・オフ動作に連動し
て第2エネルギー回収回路32とフィードバックダイオ
ード6Dとを介して直流電源2へ回生されることにな
る。
【0020】
【発明の効果】複数の半導体スイッチを直列接続して電
源に接続して電力変換を行う場合に、それぞれの半導体
スイッチには別個のスナバ回路を並列に接続する。この
発明によれば、このスナバ回路の構成要素であるスナバ
ダイオードにエネルギー吸収回路を並列に接続し、この
エネルギー吸収回路が属する極性とは逆極性の回路との
間をエネルギー回収回路を介して接続する回路構成にし
ているので、正極側と負極側の半導体スイッチのオン・
オフ動作に伴って、スナバコンデンサに蓄積されたエネ
ルギーがエネルギー吸収回路に移り、次いでエネルギー
回収回路を介して電源へ回生されるので、エネルギーが
無駄に消費されることが無く、装置の効率が向上する
し、熱の発生も回避できる。このエネルギー吸収回路と
エネルギー回収回路はいずれもコンデンサとダイオード
及びリアクトルのみで構成されているので、従来のエネ
ルギー回収装置よりも遙かに回路が簡素になり、小形軽
量であり故障の恐れもなく、信頼性を向上出来る効果も
合わせて有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を表した回路図
【図2】インバータの1相分の第1従来例を示した回路
図
【図3】インバータの1相分の第2従来例を示した回路
図
【図4】インバータの1相分の第3従来例を示した回路
図
【符号の説明】
2 直流電源 3 正極側抑制リアクトル 4 正極側半導体スイッチ 4D.6D フィードバックダイオード 4T.6T 半導体スイッチング素子としてのIGB
T 5 負極側抑制リアクトル 6 負極側半導体スイッチ 7 交流端子 8,11 正極側スナバ回路 8C.9C スナバコンデンサ 8D.9D スナバダイオード 8R.9R スナバ抵抗 9,21 負極側スナバ回路 15 正極側補助直流電源 18 正極側チョッパ 25 負極側補助直流電源 28 負極側チョッパ 31 正極側エネルギー吸収回路 31C.33C 補助コンデンサ 31D.33D 補助ダイオード 31L.33L 補助リアクトル 32 第2エネルギー回収回路 32D.34D 回生ダイオード 32L.34L 回生リアクトル 33 負極側エネルギー吸収回路 34 第1エネルギー回収回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スナバコンデンサとスナバダイオードとの
    直列回路で構成しているスナバ回路を並列に接続した半
    導体スイッチング素子の複数を直列に接続して直流電源
    の正負極間に接続し、前記半導体スイッチング素子のオ
    ン・オフ動作で電力変換を行う電力変換装置において、 前記スナバダイオードのそれぞれに補助ダイオードと補
    助リアクトルと補助コンデンサとの直列接続で構成して
    いるエネルギー吸収回路を別個に並列接続し、前記直流
    電源の正極側に属している前記エネルギー吸収回路の任
    意の接続箇所と前記直流電源の負極側との間に第1の回
    生ダイオードと第1の回生リアクトルとの直列接続で構
    成した第1エネルギー回収回路を接続し、前記直流電源
    の負極側に属している前記エネルギー吸収回路の任意の
    接続箇所と前記直流電源の正極側との間を第2の回生ダ
    イオードと第2の回生リアクトルとの直列接続で構成し
    た第2エネルギー回収回路を介して接続することを特徴
    とする電力変換装置のスナバエネルギー回収回路。
JP5000874A 1993-01-07 1993-01-07 電力変換装置のスナバエネルギー回収回路 Pending JPH06209580A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1098428A3 (en) * 1999-11-05 2002-01-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor power converting apparatus
EP2533411A4 (en) * 2010-02-05 2014-09-03 Shenzhen Clou Inverter Co Ltd VOLTAGE LIMITATION CIRCUIT FOR SERIES MOUNTED POWER SWITCHING DEVICES
JP2021170867A (ja) * 2020-04-14 2021-10-28 シャープ株式会社 スナバ回路および電源装置

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