JPH0620973A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH0620973A JPH0620973A JP20063392A JP20063392A JPH0620973A JP H0620973 A JPH0620973 A JP H0620973A JP 20063392 A JP20063392 A JP 20063392A JP 20063392 A JP20063392 A JP 20063392A JP H0620973 A JPH0620973 A JP H0620973A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 効果的に副生成物を取り除き、真空ポンプの
故障や寿命低下を防ぐことができるＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 真空ポンプ２に連通されたＣＶＤ反応管１を
備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、ＣＶＤ反
応管１と真空ポンプ２との間に、ＣＶＤ反応管１の中で
生成される副生成物をコロナ放電により荷電するコロナ
放電部３と、コロナ放電部３によって荷電された副生成
物を電気的に捕集するための電気的捕集部５とを設け
た。
故障や寿命低下を防ぐことができるＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 真空ポンプ２に連通されたＣＶＤ反応管１を
備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、ＣＶＤ反
応管１と真空ポンプ２との間に、ＣＶＤ反応管１の中で
生成される副生成物をコロナ放電により荷電するコロナ
放電部３と、コロナ放電部３によって荷電された副生成
物を電気的に捕集するための電気的捕集部５とを設け
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置に係り、特に
ＣＶＤ反応管内の気相反応で生成される副生成物をコロ
ナ放電により荷電し、電気的に副生成物を除去すること
ができるＣＶＤ装置に関する。
ＣＶＤ反応管内の気相反応で生成される副生成物をコロ
ナ放電により荷電し、電気的に副生成物を除去すること
ができるＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置を使用して成膜を行ったり、
微粒子を造る場合、主生成物以外に副生成物ができる場
合がある。主生成物は基板上に薄膜を形成したり、微粒
子として取り出されて使用される。しかし、副生成物は
排気系の中に流れ、冷やされ固体粒子となって真空ポン
プの中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着し真空ポ
ンプの故障や寿命低下の原因となっていた。
微粒子を造る場合、主生成物以外に副生成物ができる場
合がある。主生成物は基板上に薄膜を形成したり、微粒
子として取り出されて使用される。しかし、副生成物は
排気系の中に流れ、冷やされ固体粒子となって真空ポン
プの中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着し真空ポ
ンプの故障や寿命低下の原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、副生成物が真空
ポンプの中に入り込むことを防止するために、ガストラ
ップを設け、排気ガスを強制的に冷却し管壁に付着さ
せ、副生成物を取り除く方法が取られているが、効果的
ではない。また、真空ポンプ内ではケーシングや回転翼
に副生成物が付着しないようシースエアとして多量の清
浄窒素ガスを流しているが、これも十分効果があるとは
言えない。
ポンプの中に入り込むことを防止するために、ガストラ
ップを設け、排気ガスを強制的に冷却し管壁に付着さ
せ、副生成物を取り除く方法が取られているが、効果的
ではない。また、真空ポンプ内ではケーシングや回転翼
に副生成物が付着しないようシースエアとして多量の清
浄窒素ガスを流しているが、これも十分効果があるとは
言えない。
【０００４】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、その目的とする処は、効果的に副生成物を取り除
き、真空ポンプの故障や寿命低下を防ぐことができるＣ
ＶＤ装置を提供することにある。
で、その目的とする処は、効果的に副生成物を取り除
き、真空ポンプの故障や寿命低下を防ぐことができるＣ
ＶＤ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に連通されたＣＶ
Ｄ反応管を備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置におい
て、前記ＣＶＤ反応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管
の中で生成される副生成物をコロナ放電により荷電する
コロナ放電部と、該コロナ放電部によって荷電された副
生成物を電気的に捕集するための電気的捕集部とを設け
たことを特徴とするものである。
ため、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に連通されたＣＶ
Ｄ反応管を備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置におい
て、前記ＣＶＤ反応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管
の中で生成される副生成物をコロナ放電により荷電する
コロナ放電部と、該コロナ放電部によって荷電された副
生成物を電気的に捕集するための電気的捕集部とを設け
たことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、ＣＶＤ
反応管で生成された副生成物はコロナ放電部を通過する
間にコロナ放電により発生するイオンまたは電子により
荷電される。そして、コロナ放電部によって荷電された
副生成物は電場が形成された電気的捕集部において捕集
される。したがって、副生成物を真空ポンプに入る前に
効果的に除去することができ、真空ポンプの故障や寿命
低下を防止することができる。
反応管で生成された副生成物はコロナ放電部を通過する
間にコロナ放電により発生するイオンまたは電子により
荷電される。そして、コロナ放電部によって荷電された
副生成物は電場が形成された電気的捕集部において捕集
される。したがって、副生成物を真空ポンプに入る前に
効果的に除去することができ、真空ポンプの故障や寿命
低下を防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るＣＶＤ装置の一実施例を
図１及び図２を参照して説明する。本発明に係るＣＶＤ
装置においては、図１に示されるように、ＣＶＤ反応管
１と排気系の真空ポンプ２との間にコロナ放電部３と、
電気的捕集部５とが設置されている。コロナ放電部３は
放電電極４を備えている。この放電電極４は線対円筒
型、点対平面型、点対多数平面型等、いずれでも良い。
コロナ放電部３を通過する副生成物は、コロナ放電によ
り発生したイオン及び電子により荷電される。また、電
気的捕集部５には、複数の平板状の電極６が配設されて
おり、これら複数の電極６は直流電源７に接続されてい
る。したがって、対向する電極６，６間には電場が形成
されており、コロナ放電部３で荷電された副生成物は電
気的捕集部５によって捕集される。
図１及び図２を参照して説明する。本発明に係るＣＶＤ
装置においては、図１に示されるように、ＣＶＤ反応管
１と排気系の真空ポンプ２との間にコロナ放電部３と、
電気的捕集部５とが設置されている。コロナ放電部３は
放電電極４を備えている。この放電電極４は線対円筒
型、点対平面型、点対多数平面型等、いずれでも良い。
コロナ放電部３を通過する副生成物は、コロナ放電によ
り発生したイオン及び電子により荷電される。また、電
気的捕集部５には、複数の平板状の電極６が配設されて
おり、これら複数の電極６は直流電源７に接続されてい
る。したがって、対向する電極６，６間には電場が形成
されており、コロナ放電部３で荷電された副生成物は電
気的捕集部５によって捕集される。
【０００８】次に、前述のように構成されたＣＶＤ装置
の作用を図２を参照して説明する。この作用の説明にお
いては、ジクロールシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）とアン
モニアガス（ＮＨ3 ）を使用してシリコンナイトライド
（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する例を用いて説明する。
の作用を図２を参照して説明する。この作用の説明にお
いては、ジクロールシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）とアン
モニアガス（ＮＨ3 ）を使用してシリコンナイトライド
（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する例を用いて説明する。
【０００９】半導体の絶縁膜に用いられるシリコンナイ
トライドを成膜する時、ジクロールシランガスとアンモ
ニアガスを使用して行う場合がしばしばある。この反応
は下記の様に表される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → Ｓｉ3Ｎ4＋６ＮＨ4Ｃｌ＋６Ｈ2 この時、副生成物、塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が
生成する。塩化アンモニウムは１８４℃で気体から固体
となる。１８４℃より高温にあるＣＶＤ反応管（約７０
０〜９５０℃）の中ではガス状であり、排気系の中に流
れでて冷却され数ｎｍ〜数μｍ程度の粒子となる。生成
された粒子は一部配管に付着し、その多くは真空ポンプ
の中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着して摩擦や
かじり等の故障の原因となり、真空ポンプの寿命を低下
させる。
トライドを成膜する時、ジクロールシランガスとアンモ
ニアガスを使用して行う場合がしばしばある。この反応
は下記の様に表される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → Ｓｉ3Ｎ4＋６ＮＨ4Ｃｌ＋６Ｈ2 この時、副生成物、塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が
生成する。塩化アンモニウムは１８４℃で気体から固体
となる。１８４℃より高温にあるＣＶＤ反応管（約７０
０〜９５０℃）の中ではガス状であり、排気系の中に流
れでて冷却され数ｎｍ〜数μｍ程度の粒子となる。生成
された粒子は一部配管に付着し、その多くは真空ポンプ
の中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着して摩擦や
かじり等の故障の原因となり、真空ポンプの寿命を低下
させる。
【００１０】そこで、本実施例においては、図１に示さ
れるようにＣＶＤ反応管１と真空ポンプ２の間にコロナ
放電部３と電気的捕集部５を設け、これらコロナ放電部
３及び電気的捕集部５の中を冷却され固体となった副生
成物である塩化アンモニウムを含む排気ガスが通過する
ようにする。このとき、コロナ放電部３では、図２に示
されるようにコロナ放電により発生したイオン及び電子
により塩化アンモニウムの粒子を荷電させる。荷電され
た塩化アンモニウムの粒子は、電場を負荷した電気的捕
集部５において捕集される。
れるようにＣＶＤ反応管１と真空ポンプ２の間にコロナ
放電部３と電気的捕集部５を設け、これらコロナ放電部
３及び電気的捕集部５の中を冷却され固体となった副生
成物である塩化アンモニウムを含む排気ガスが通過する
ようにする。このとき、コロナ放電部３では、図２に示
されるようにコロナ放電により発生したイオン及び電子
により塩化アンモニウムの粒子を荷電させる。荷電され
た塩化アンモニウムの粒子は、電場を負荷した電気的捕
集部５において捕集される。
【００１１】塩化アンモニウムの粒子の減少した排気ガ
スが真空ポンプ２の中に入るため、ポンプケーシングや
回転翼等への塩化アンモニウムの付着が減少し、故障が
少なくなり真空ポンプの長寿命化が図られる。
スが真空ポンプ２の中に入るため、ポンプケーシングや
回転翼等への塩化アンモニウムの付着が減少し、故障が
少なくなり真空ポンプの長寿命化が図られる。
【００１２】コロナ放電部３の放電針、電気的捕集部５
の電極板をガス排気方向と平行に置くことにより圧力損
失の恐れがない。また、塩化アンモニウムは水溶性であ
るので捕集部をカートリッジ式にして取り出しを容易に
しておくことにより、水洗いで簡単に捕集部の洗浄が出
来る利点がある。また、塩化アンモニウムを含まない排
気ガスが真空ポンプ２の中に入るので、シースエアとし
ての窒素ガスは不要となるか、極く僅かですみ経済的に
も有利である。
の電極板をガス排気方向と平行に置くことにより圧力損
失の恐れがない。また、塩化アンモニウムは水溶性であ
るので捕集部をカートリッジ式にして取り出しを容易に
しておくことにより、水洗いで簡単に捕集部の洗浄が出
来る利点がある。また、塩化アンモニウムを含まない排
気ガスが真空ポンプ２の中に入るので、シースエアとし
ての窒素ガスは不要となるか、極く僅かですみ経済的に
も有利である。
【００１３】以上、ジクロールシランガスとアンモニア
ガスを使用してシリコンナイトライドを生膜する例につ
いて述べたが、本発明は、ＣＶＤ装置を用い気相反応か
ら主生成物以外に副生成物を生成するような場合はすべ
て適用できる。
ガスを使用してシリコンナイトライドを生膜する例につ
いて述べたが、本発明は、ＣＶＤ装置を用い気相反応か
ら主生成物以外に副生成物を生成するような場合はすべ
て適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
ＶＤ反応管で生成される副生成物をコロナ放電により荷
電し電気的に捕集することにより、副生成物を効果的に
除去することができ、真空ポンプの故障や寿命低下を防
止することができる。
ＶＤ反応管で生成される副生成物をコロナ放電により荷
電し電気的に捕集することにより、副生成物を効果的に
除去することができ、真空ポンプの故障や寿命低下を防
止することができる。
【図１】本発明に係るＣＶＤ装置の一実施例を示す説明
図である。
図である。
【図２】図１に示すＣＶＤ装置の作用を説明する説明図
である。
である。
１ ＣＶＤ反応管 ２ 真空ポンプ ３ コロナ放電部 ４ 放電電極 ５ 電気的捕集部
Claims (1)
- 【請求項１】 真空源に連通されたＣＶＤ反応管を備え
減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、前記ＣＶＤ反
応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管の中で生成される
副生成物をコロナ放電により荷電するコロナ放電部と、
該コロナ放電部によって荷電された副生成物を電気的に
捕集するための電気的捕集部とを設けたことを特徴とす
るＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20063392A JPH0620973A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20063392A JPH0620973A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620973A true JPH0620973A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16427633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20063392A Pending JPH0620973A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025003252A (ja) * | 2023-06-21 | 2025-01-09 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 高温領域での熱分解と低温領域での酸化反応誘導による半導体工程用反応副産物捕集装置 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP20063392A patent/JPH0620973A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025003252A (ja) * | 2023-06-21 | 2025-01-09 | ミラエボ カンパニー リミテッド | 高温領域での熱分解と低温領域での酸化反応誘導による半導体工程用反応副産物捕集装置 |
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