JPH0620972A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0620972A JPH0620972A JP20063292A JP20063292A JPH0620972A JP H0620972 A JPH0620972 A JP H0620972A JP 20063292 A JP20063292 A JP 20063292A JP 20063292 A JP20063292 A JP 20063292A JP H0620972 A JPH0620972 A JP H0620972A
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- JP
- Japan
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- cvd
- ion source
- vacuum pump
- product
- reaction tube
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 効果的に副生成物を取り除き、真空ポンプの
故障や寿命低下を防ぐことができるＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 真空ポンプ２に連通されたＣＶＤ反応管１を
備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、ＣＶＤ反
応管１と真空ポンプ２との間に、ＣＶＤ反応管１の中で
生成される副生成物を正又は負に荷電するイオン源３
と、イオン源３によってイオン化された副生成物を電気
的に捕集するための電気的捕集部５とを設けた。
故障や寿命低下を防ぐことができるＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 真空ポンプ２に連通されたＣＶＤ反応管１を
備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、ＣＶＤ反
応管１と真空ポンプ２との間に、ＣＶＤ反応管１の中で
生成される副生成物を正又は負に荷電するイオン源３
と、イオン源３によってイオン化された副生成物を電気
的に捕集するための電気的捕集部５とを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置に係り、特に
ＣＶＤ反応管内の気相反応で生成される副生成物をイオ
ン源から放射されるイオンにより荷電し、電気的に副生
成物を除去することができるＣＶＤ装置に関する。
ＣＶＤ反応管内の気相反応で生成される副生成物をイオ
ン源から放射されるイオンにより荷電し、電気的に副生
成物を除去することができるＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置を使用して成膜を行ったり、
微粒子を造る場合、主生成物以外に副生成物ができる場
合がある。主生成物は基板上に薄膜を形成したり、微粒
子として取り出されて使用される。しかし、副生成物は
排気系の中に流れ、冷やされ固体粒子となって真空ポン
プの中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着し真空ポ
ンプの故障や寿命低下の原因となっていた。
微粒子を造る場合、主生成物以外に副生成物ができる場
合がある。主生成物は基板上に薄膜を形成したり、微粒
子として取り出されて使用される。しかし、副生成物は
排気系の中に流れ、冷やされ固体粒子となって真空ポン
プの中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着し真空ポ
ンプの故障や寿命低下の原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、副生成物が真空
ポンプの中に入り込むことを防止するために、ガストラ
ップを設け、排気ガスを強制的に冷却し管壁に付着さ
せ、副生成物を取り除く方法が取られているが、効果的
ではない。また、真空ポンプ内ではケーシングや回転翼
に副生成物が付着しないようシースエアとして多量の清
浄窒素ガスを流しているが、これも十分効果があるとは
言えない。
ポンプの中に入り込むことを防止するために、ガストラ
ップを設け、排気ガスを強制的に冷却し管壁に付着さ
せ、副生成物を取り除く方法が取られているが、効果的
ではない。また、真空ポンプ内ではケーシングや回転翼
に副生成物が付着しないようシースエアとして多量の清
浄窒素ガスを流しているが、これも十分効果があるとは
言えない。
【０００４】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、その目的とする処は、効果的に副生成物を取り除
き、真空ポンプの故障や寿命低下を防ぐことができるＣ
ＶＤ装置を提供することにある。
で、その目的とする処は、効果的に副生成物を取り除
き、真空ポンプの故障や寿命低下を防ぐことができるＣ
ＶＤ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に連通されたＣＶ
Ｄ反応管を備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置におい
て、前記ＣＶＤ反応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管
の中で生成される副生成物を正又は負に荷電するイオン
源と、該イオン源によってイオン化された副生成物を電
気的に捕集するための電気的捕集部とを設けたことを特
徴とするものである。
ため、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に連通されたＣＶ
Ｄ反応管を備え減圧下で使用されるＣＶＤ装置におい
て、前記ＣＶＤ反応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管
の中で生成される副生成物を正又は負に荷電するイオン
源と、該イオン源によってイオン化された副生成物を電
気的に捕集するための電気的捕集部とを設けたことを特
徴とするものである。
【０００６】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、ＣＶＤ
反応管で生成された副生成物はイオン源を通過する間に
正又は負に荷電される。そして、イオン源によってイオ
ン化された副生成物は電場が形成された電気的捕集部に
おいて捕集される。したがって、副生成物を真空ポンプ
に入る前に効果的に除去することができ、真空ポンプの
故障や寿命低下を防止することができる。
反応管で生成された副生成物はイオン源を通過する間に
正又は負に荷電される。そして、イオン源によってイオ
ン化された副生成物は電場が形成された電気的捕集部に
おいて捕集される。したがって、副生成物を真空ポンプ
に入る前に効果的に除去することができ、真空ポンプの
故障や寿命低下を防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るＣＶＤ装置の一実施例を
図１及び図２を参照して説明する。本発明に係るＣＶＤ
装置においては、図１に示されるように、ＣＶＤ反応管
１と排気系の真空ポンプ２との間にイオン源３と、電気
的捕集部５とが設置されている。前記イオン源３には、
アメリシウム（ 241Ａｍ）、クリプトン（85Ｋｒ）、ポ
ロニウム（ 210Ｐｏ）等の様なエネルギーの低い放射性
物質４が使用されている。これらの放射性物質４はエア
ロゾルを荷電させたり、中和するのに広く使われてお
り、危険度は低い。イオン源３を通過する副生成物はイ
オンにより正又は負に荷電される。また、電気的捕集部
５には、複数の平板状の電極６が配設されており、これ
ら複数の電極６は直流電源７に接続されている。したが
って、対向する電極６，６間には電場が形成されてお
り、イオン源３で荷電された副生成物は電気的捕集部５
によって捕集される。
図１及び図２を参照して説明する。本発明に係るＣＶＤ
装置においては、図１に示されるように、ＣＶＤ反応管
１と排気系の真空ポンプ２との間にイオン源３と、電気
的捕集部５とが設置されている。前記イオン源３には、
アメリシウム（ 241Ａｍ）、クリプトン（85Ｋｒ）、ポ
ロニウム（ 210Ｐｏ）等の様なエネルギーの低い放射性
物質４が使用されている。これらの放射性物質４はエア
ロゾルを荷電させたり、中和するのに広く使われてお
り、危険度は低い。イオン源３を通過する副生成物はイ
オンにより正又は負に荷電される。また、電気的捕集部
５には、複数の平板状の電極６が配設されており、これ
ら複数の電極６は直流電源７に接続されている。したが
って、対向する電極６，６間には電場が形成されてお
り、イオン源３で荷電された副生成物は電気的捕集部５
によって捕集される。
【０００８】次に、前述のように構成されたＣＶＤ装置
の作用を図２を参照して説明する。この作用の説明にお
いては、ジクロールシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）とアン
モニアガス（ＮＨ3 ）を使用してシリコンナイトライド
（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する例を用いて説明する。
の作用を図２を参照して説明する。この作用の説明にお
いては、ジクロールシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）とアン
モニアガス（ＮＨ3 ）を使用してシリコンナイトライド
（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する例を用いて説明する。
【０００９】半導体の絶縁膜に用いられるシリコンナイ
トライドを成膜する時、ジクロールシランガスとアンモ
ニアガスを使用して行う場合がしばしばある。この反応
は下記のように表される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → Ｓｉ3Ｎ4＋６ＮＨ4Ｃｌ＋６Ｈ2 この時、副生成物、塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が
生成する。塩化アンモニウムは１８４℃で気体から固体
となる。１８４℃より高温にあるＣＶＤ反応管（約７０
０〜９５０℃）の中ではガス状であり、排気系の中に流
れでて冷却され数ｎｍ〜数μｍ程度の粒子となる。生成
された粒子は一部配管に付着し、その多くは真空ポンプ
の中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着して摩擦や
かじり等の故障の原因となり、真空ポンプの寿命を低下
させる。
トライドを成膜する時、ジクロールシランガスとアンモ
ニアガスを使用して行う場合がしばしばある。この反応
は下記のように表される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → Ｓｉ3Ｎ4＋６ＮＨ4Ｃｌ＋６Ｈ2 この時、副生成物、塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が
生成する。塩化アンモニウムは１８４℃で気体から固体
となる。１８４℃より高温にあるＣＶＤ反応管（約７０
０〜９５０℃）の中ではガス状であり、排気系の中に流
れでて冷却され数ｎｍ〜数μｍ程度の粒子となる。生成
された粒子は一部配管に付着し、その多くは真空ポンプ
の中に入り込み、ケーシングや回転翼に付着して摩擦や
かじり等の故障の原因となり、真空ポンプの寿命を低下
させる。
【００１０】そこで、本実施例においては、図１に示さ
れるようにＣＶＤ反応管１と真空ポンプ２の間にイオン
源３と電気的捕集部５を設け、これらイオン源３及び電
気的捕集部５を冷却され固体となった副生成物である塩
化アンモニウムを含む排気ガスが通過するようにする。
イオン源３を通過する副生成物は、図２に示されるよう
にイオンにより正又は負に荷電され、電場を形成した電
気的捕集部５において捕集される。
れるようにＣＶＤ反応管１と真空ポンプ２の間にイオン
源３と電気的捕集部５を設け、これらイオン源３及び電
気的捕集部５を冷却され固体となった副生成物である塩
化アンモニウムを含む排気ガスが通過するようにする。
イオン源３を通過する副生成物は、図２に示されるよう
にイオンにより正又は負に荷電され、電場を形成した電
気的捕集部５において捕集される。
【００１１】本実施例においては、塩化アンモニウムの
粒子の減少した排気ガスが真空ポンプ２の中に入るた
め、ポンプケーシングや回転翼等への塩化アンモニウム
の付着が減少し、故障が少なくなり真空ポンプの長寿命
化が図れる。
粒子の減少した排気ガスが真空ポンプ２の中に入るた
め、ポンプケーシングや回転翼等への塩化アンモニウム
の付着が減少し、故障が少なくなり真空ポンプの長寿命
化が図れる。
【００１２】塩化アンモニウムは水溶性であるので捕集
部をカートリッジ式にして取り出しを容易にしておくこ
とにより、水洗いで簡単に捕集部の洗浄が出来る利点が
ある。また、塩化アンモニウムを含まない排気ガスが真
空ポンプ２の中に入るので、シースエアとしての窒素ガ
スは不要となるか、極く僅かですみ経済的にも有利であ
る。
部をカートリッジ式にして取り出しを容易にしておくこ
とにより、水洗いで簡単に捕集部の洗浄が出来る利点が
ある。また、塩化アンモニウムを含まない排気ガスが真
空ポンプ２の中に入るので、シースエアとしての窒素ガ
スは不要となるか、極く僅かですみ経済的にも有利であ
る。
【００１３】以上、ジクロールシランガスとアンモニア
ガスを使用してシリコンナイトライドを生膜する例につ
いて述べたが、本発明は、ＣＶＤ装置を用い気相反応か
ら主生成物以外に副生成物を生成するような場合はすべ
て適用できる。
ガスを使用してシリコンナイトライドを生膜する例につ
いて述べたが、本発明は、ＣＶＤ装置を用い気相反応か
ら主生成物以外に副生成物を生成するような場合はすべ
て適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
ＶＤ反応管で生成される副生成物を正または負に荷電し
電気的に捕集することにより、副生成物を効果的に除去
することができ、真空ポンプの故障や寿命低下を防止す
ることができる。
ＶＤ反応管で生成される副生成物を正または負に荷電し
電気的に捕集することにより、副生成物を効果的に除去
することができ、真空ポンプの故障や寿命低下を防止す
ることができる。
【図１】本発明に係るＣＶＤ装置の一実施例を示す説明
図である。
図である。
【図２】図１に示すＣＶＤ装置の作用を説明する説明図
である。
である。
１ ＣＶＤ反応管 ２ 真空ポンプ ３ イオン源 ４ 放射性物質 ５ 電気的捕集部
Claims (2)
- 【請求項１】 真空源に連通されたＣＶＤ反応管を備え
減圧下で使用されるＣＶＤ装置において、前記ＣＶＤ反
応管と真空源との間に、ＣＶＤ反応管の中で生成される
副生成物を正又は負に荷電するイオン源と、該イオン源
によってイオン化された副生成物を電気的に捕集するた
めの電気的捕集部とを設けたことを特徴とするＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 前記イオン源はアメリシウム（ 241Ａ
ｍ）、クリプトン（85Ｋｒ）、ポロニウム（ 210Ｐｏ）
等の軟β線やα線を放射する物質からなることを特徴と
する請求項１記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20063292A JPH0620972A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20063292A JPH0620972A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620972A true JPH0620972A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16427615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20063292A Pending JPH0620972A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11117531B2 (en) | 2016-10-31 | 2021-09-14 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Wire harness module |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP20063292A patent/JPH0620972A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11117531B2 (en) | 2016-10-31 | 2021-09-14 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Wire harness module |
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