JPH0621040A - 噴流式ウェットエッチング装置 - Google Patents
噴流式ウェットエッチング装置Info
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- JPH0621040A JPH0621040A JP17573592A JP17573592A JPH0621040A JP H0621040 A JPH0621040 A JP H0621040A JP 17573592 A JP17573592 A JP 17573592A JP 17573592 A JP17573592 A JP 17573592A JP H0621040 A JPH0621040 A JP H0621040A
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- JP
- Japan
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- wafer
- wet etching
- type wet
- etching
- jet
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- Granted
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- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
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- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大口径および微細化する半導体装置をウェツ
トエッチングする場合に、常に新鮮な薬液をウェハース
表面に供給し、裏面を導電性チャックで吸着することに
より、パーティクルの付着を防止し、加工精度を向上さ
せる。 【構成】 ウェハ３を導電性の真空チャック１で表面を
下向きにして保持し、下からノズル４を通してエッチン
グ薬液の噴流を表面に吹きつける。これにより、パーテ
ィクルや薬液の微粒子（ミスト）の付着、裏面からのパ
ーティクルの回り込みを防ぎ、加工精度を向上させる。
トエッチングする場合に、常に新鮮な薬液をウェハース
表面に供給し、裏面を導電性チャックで吸着することに
より、パーティクルの付着を防止し、加工精度を向上さ
せる。 【構成】 ウェハ３を導電性の真空チャック１で表面を
下向きにして保持し、下からノズル４を通してエッチン
グ薬液の噴流を表面に吹きつける。これにより、パーテ
ィクルや薬液の微粒子（ミスト）の付着、裏面からのパ
ーティクルの回り込みを防ぎ、加工精度を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、噴流式ウェットエッチ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェットエッチング装置は、図３
に示すように、エッチング槽内に、キャリア１１に入れ
られたウェハ３を浸漬するものである。薬液は、内槽１
２からオーバフローして外槽１３へ落ち、ドレイン１５
から、ポンプ７によって、フィルタ６を通って内槽１２
へ戻る経路で循環し、フィルタリングが行われる。ウェ
ハ３およびキャリア１１は所定の時間のエッチングを行
った後に、水洗、乾燥される。
に示すように、エッチング槽内に、キャリア１１に入れ
られたウェハ３を浸漬するものである。薬液は、内槽１
２からオーバフローして外槽１３へ落ち、ドレイン１５
から、ポンプ７によって、フィルタ６を通って内槽１２
へ戻る経路で循環し、フィルタリングが行われる。ウェ
ハ３およびキャリア１１は所定の時間のエッチングを行
った後に、水洗、乾燥される。
【０００３】図４に、スピンナ式のウェットエッチング
装置を示す。この場合には、ウェハ３は、１００〜３０
００ｒ．ｐ．ｍ．程度で回転し、ウェハ３の上面から、
ノズル１４を通して薬液をかける。薬液はドレイン２５
からタンク１９へ回収され、再使用される。
装置を示す。この場合には、ウェハ３は、１００〜３０
００ｒ．ｐ．ｍ．程度で回転し、ウェハ３の上面から、
ノズル１４を通して薬液をかける。薬液はドレイン２５
からタンク１９へ回収され、再使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た浸漬式のウェットエッチング装置では、ウェハを保持
するためのカセットやウェハ自身の帯電によってごみを
吸着する。
た浸漬式のウェットエッチング装置では、ウェハを保持
するためのカセットやウェハ自身の帯電によってごみを
吸着する。
【０００５】また他のウェハの裏面に付着したパーティ
クルが表面に付着する。
クルが表面に付着する。
【０００６】一方、スピンナ式のエッチング装置の場合
でも、降下するパーティクルの付着や、エッチング後に
飛散した薬液の微粒子（ミスト）が、ウェハの表面に付
着して、しみ状になるなどの課題がある。
でも、降下するパーティクルの付着や、エッチング後に
飛散した薬液の微粒子（ミスト）が、ウェハの表面に付
着して、しみ状になるなどの課題がある。
【０００７】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした新規な噴流
式ウェットエッチング装置を提供することにある。
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした新規な噴流
式ウェットエッチング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係る噴流式ウェットエッチング装置は、ウ
ェハの裏面を真空吸着する導電性の真空チェックと、ウ
ェハの表面を下向きに、ウェハを保持するウェハホルダ
と、ウェハの表面にのみエッチング液を吹きつけるポン
プとを備えて構成される。
に、本発明に係る噴流式ウェットエッチング装置は、ウ
ェハの裏面を真空吸着する導電性の真空チェックと、ウ
ェハの表面を下向きに、ウェハを保持するウェハホルダ
と、ウェハの表面にのみエッチング液を吹きつけるポン
プとを備えて構成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明をその好ましい各実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
て図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】図１は本発明に係る噴流式ウェットエッチ
ング装置の第１の実施例を示す一部断面概略構成図であ
る。
ング装置の第１の実施例を示す一部断面概略構成図であ
る。
【００１１】図１を参照するに、ウェハ３は、導電性の
真空チャック１によって、チャンバ８の内部に、表面を
下向きにして保持されている。真空チャック１は、帯電
を防ぐために接地されている。この構造体に下方向から
ポンプ７によって薬液を吹きつける。
真空チャック１によって、チャンバ８の内部に、表面を
下向きにして保持されている。真空チャック１は、帯電
を防ぐために接地されている。この構造体に下方向から
ポンプ７によって薬液を吹きつける。
【００１２】薬液は、フィルタ６でろ過された後に、ノ
ズル４から噴出し、清流板２を通してウェハ３の表面に
吹きつけられる。整流板２は、エッチング液が均一にウ
ェハの表面に当たるように設けられており、整流板２に
あけられた孔（図示せず）を通して、噴流がウェハ３に
当たる。整流板２の形状は、エッチング液の粘性や噴流
の流量、チャンバ８の形状に応じて決められる。
ズル４から噴出し、清流板２を通してウェハ３の表面に
吹きつけられる。整流板２は、エッチング液が均一にウ
ェハの表面に当たるように設けられており、整流板２に
あけられた孔（図示せず）を通して、噴流がウェハ３に
当たる。整流板２の形状は、エッチング液の粘性や噴流
の流量、チャンバ８の形状に応じて決められる。
【００１３】ウェハ３に当たったあと薬液は、ドレイン
５から排液されて、タンク９へ戻り再使用される。
５から排液されて、タンク９へ戻り再使用される。
【００１４】ウェハ３が表面を下向きに保持されている
ために、パーティクルの降下による付着が少なく、ま
た、薬液の微粒子（ミスト）の表面への付着も少なくな
る。また、ウェハの裏面からのパーティクルの回り込み
は防ぐことができる。
ために、パーティクルの降下による付着が少なく、ま
た、薬液の微粒子（ミスト）の表面への付着も少なくな
る。また、ウェハの裏面からのパーティクルの回り込み
は防ぐことができる。
【００１５】本発明の装置によるパーティクル付着数を
従来例と比較して図５に示す。噴流によって、下方向か
らエッチングすることにより、ウェハの表面には、常に
ノズル４からの新しい薬液が当たることになり、パーテ
ィクルの減少、ウェハの表面のエッチング量の均一性を
向上させることができる。
従来例と比較して図５に示す。噴流によって、下方向か
らエッチングすることにより、ウェハの表面には、常に
ノズル４からの新しい薬液が当たることになり、パーテ
ィクルの減少、ウェハの表面のエッチング量の均一性を
向上させることができる。
【００１６】また、噴流がウェハの表面に垂直に当たる
ことにより、サイドエッチ量を減らし、面内均一性を向
上させることができる。
ことにより、サイドエッチ量を減らし、面内均一性を向
上させることができる。
【００１７】図２は、本発明による第２の実施例を示す
一部断面概略構成図である。
一部断面概略構成図である。
【００１８】図２を参照するに、本発明の第２の実施例
の場合には導電性真空チャック１を回転させるモータ１
０が設けられている。
の場合には導電性真空チャック１を回転させるモータ１
０が設けられている。
【００１９】この第２の実施例の場合には、ウェハ３を
モータ１０により１００〜３０００ｒ．ｐ．ｍ．で回転
させることにより、さらに面内の均一性を向上させるこ
とができる。
モータ１０により１００〜３０００ｒ．ｐ．ｍ．で回転
させることにより、さらに面内の均一性を向上させるこ
とができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電性の真空チャックによる除電効果と、表面を下向き
にして噴流式のエッチングを行うことによって、パーテ
ィクルの付着を防止することができ、加工精度を向上さ
せるという効果が得られる。
導電性の真空チャックによる除電効果と、表面を下向き
にして噴流式のエッチングを行うことによって、パーテ
ィクルの付着を防止することができ、加工精度を向上さ
せるという効果が得られる。
【図１】本発明による第１の実施例を示す一部断面概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明による第２の実施例を示す一部断面概略
構成図である。
構成図である。
【図３】従来における浸漬式ウェットエッチング装置の
模式図である。
模式図である。
【図４】従来におけるスピンナ式エッチング装置の模式
図である。
図である。
【図５】本発明による付着粒子数を従来例と比較して示
す図である。
す図である。
１…導電性真空チャック ２…整流板 ３…ウェハ ４…ノズル ５、１５、２５…ドレイン ６…フィルタ ７…ポンプ ８…チャンバ ９、１９…タンク １０…モータ １１…キャリア １２…内槽 １３…外槽
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハの裏面を真空吸着する導電性の真
空チャックと、ウェハの表面を下向きにウェハを保持す
るウェハホルダと、ウェハの表面にエッチング液を吹き
つけるポンプとを有し、エッチング液を噴流状にウェハ
の表面に吹きつけ、エッチングすることを特徴とする噴
流式ウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17573592A JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17573592A JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621040A true JPH0621040A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3067398B2 JP3067398B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=16001333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17573592A Expired - Lifetime JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067398B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358142A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Fujitsu Ltd | 埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置 |
| JP2003297801A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| CN110620069A (zh) * | 2019-10-21 | 2019-12-27 | 深圳市思坦科技有限公司 | 晶圆的湿处理系统及方法 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17573592A patent/JP3067398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358142A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Fujitsu Ltd | 埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置 |
| JP2003297801A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| CN110620069A (zh) * | 2019-10-21 | 2019-12-27 | 深圳市思坦科技有限公司 | 晶圆的湿处理系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067398B2 (ja) | 2000-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000418 |