JPH0621242U - 超純水加温装置 - Google Patents
超純水加温装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】装置本体の簡素化を図ることができ、またヒー
タ収納部に突沸防止処理を施す必要がなく、またヒータ
のワット密度が大きく、小形化、コストダウンを図るこ
とができる超純水加温装置を提供することにある。 【構成】石英ガラスからなる加温筒２１の一端側に超純
水の流入口２２、他端側に超純水の流出口２３を有し、
内部に超純水流通路２４を形成し、加温筒２１の内部に
前記超純水流通路２４と隔離された石英ガラスからなる
ヒータ収納部２５を設け、このヒータ収納部２５に前記
超純水流通路２４を流通する超純水を加温する赤外線ヒ
ータ２６を設けたことにある。
タ収納部に突沸防止処理を施す必要がなく、またヒータ
のワット密度が大きく、小形化、コストダウンを図るこ
とができる超純水加温装置を提供することにある。 【構成】石英ガラスからなる加温筒２１の一端側に超純
水の流入口２２、他端側に超純水の流出口２３を有し、
内部に超純水流通路２４を形成し、加温筒２１の内部に
前記超純水流通路２４と隔離された石英ガラスからなる
ヒータ収納部２５を設け、このヒータ収納部２５に前記
超純水流通路２４を流通する超純水を加温する赤外線ヒ
ータ２６を設けたことにある。
Description
【０００１】
この考案は、半導体製造装置におけるシリコンウェハ等のウェット洗浄に用 いる超純水加温装置に関する。
【０００２】
半導体製造装置におけるシリコンウェハ等のウェット洗浄は重要なプロセス であり、洗浄の良し悪しは半導体デバイスの歩留りに大きな影響を与える。洗浄 工程のなかでも最終工程である超純水による洗浄は、デバイスの高集積化、微細 化が進むに従い、特にクリーン度が要求されている。
【０００３】 また、最近、高温の超純水による洗浄が室温の超純水によるものと比べて洗浄 効果が高いことが明らかになっており、高温の超純水を用いてウェット洗浄を行 っている。
【０００４】 図４および図５は従来の超純水加温装置を示すもので、１は石英ガラスからな る円筒状の加温筒であり、この加温筒１の一端部には超純水の流入口２が設けら れ、他端部には超純水の流出口３が設けられている。そして、加温筒１の内部に は超純水流通路４が設けられている。
【０００５】 加温筒１の内部には超純水流通路４と隔離して石英ガラスの螺旋状パイプから なる複数のヒータ収納管５が設けられ、このヒータ収納管５の両端部は加温筒１ の側壁を貫通して外部に突出している。
【０００６】 ヒータ収納管５の内部にはコイル状のニクロム線からなるヒータ６が挿通され ており、このヒータ６の両端部は端子板７を介してリード線８に接続され、電源 （図示しない）に接続されている。
【０００７】 また、加温筒１の一端部には超純水流通路４の内部に突出する突出管９が一体 に設けられ、この内部には温度センサ１０が挿入されている。この温度センサ１ ０は制御回路（図示しない）に接続され、制御回路は温度センサ１０からの検出 信号に基づいてヒータ６をオン・オフ制御して超純水流通路４を流通する超純水 を一定の温度に保っている。
【０００８】
ところが、前述したように構成された超純水加温装置は、加温筒１の内部に 複数の螺旋状パイプからなるヒータ収納管５を設け、このヒータ収納管５にニク ロム線からなるヒータ６を挿通した構成である。
【０００９】 したがって、主として熱伝導加熱であり、ヒータ収納管５の外表面で突沸現象 が発生しやすく、その衝撃によって石英ガラスからなるヒータ収納管５が破壊す る恐れがある。そこで、突沸現象を防止するために、図６に示すように、ヒータ 収納管５の外周面に突沸防止処理１１を施しているが、突沸防止処理１１を施す と、表面が凹凸粗面となって超純水に接する面積が大きくなり、不純物が多くな り、これが超純水に混入するという問題がある。
【００１０】 この考案は、前記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、 装置本体の簡素化を図ることができ、またヒータ収納管に突沸防止処理を施す必 要がなく、またヒータのワット密度が大きく、小形化、コストダウンを図ること ができる超純水加温装置を提供することにある。
【００１１】
この考案は、前述した目的を達成するために、一端側に超純水の流入口、他 端側に超純水の流出口を有し、内部に超純水流通路を形成した石英ガラスからな る加温筒と、この加温筒の内部に設けられ前記超純水流通路と隔離された石英ガ ラスからなるヒータ収納部と、このヒータ収納部に収納され前記超純水流通路を 流通する超純水を加温する赤外線ヒータとを具備したことにある。
【００１２】
流入口から加温筒の内部の超純水流通路に流入した超純水は、超純水流通路 を流通中にヒータ収納部に収納された赤外線ヒータから発生する赤外線がヒータ 収納部を透過して直接超純水に吸収されて加温され、流出口から洗浄工程に流入 される。
【００１３】
以下、この考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
【００１４】 図１〜図３は超純水加温装置を示すもので、２１は石英ガラスからなる円筒状 の加温筒であり、この加温筒２１の一端部には超純水の流入口２２が設けられ、 他端部には超純水の流出口２３が設けられている。そして、加温筒２１の内部に は超純水流通路２４が設けられている。
【００１５】 加温筒２１の内部にはこの軸方向に石英ガラスからなる直管形の複数本、この 実施例においては６本のヒータ収納部２５が設けられ、このヒータ収納部２５の 両端部は加温筒２１の両端壁に一体に接続されている。
【００１６】 したがって、ヒータ収納部２５は超純水流通路２４と隔離されており、両端の 開口部２５ａは加温筒２１の外部に連通している。この加温筒２１の内部には赤 外線ヒータ２６が挿入されている。
【００１７】 赤外線ヒータ２６は、直管形の石英管２７と、この石英管２７の内部に挿通さ れたニクロムまたはカンタル線からなる発熱体２８および石英管２７の両端部に 装着され、発熱体２８の両端部を固定するヒータ固定具２９とから構成されてい る。
【００１８】 この赤外線ヒータ２６のヒータ固定具２９はヒータ収納部２５の開口部２５ａ から外部に突出して設けられ、このヒータ固定具２９には端子３０が設けられて いる。この端子３０にはリード線３１に接続され、電源（図示しない）に接続さ れている。
【００１９】 また、加温筒２１の一端部には超純水流通路２４の内部に突出する突出管３２ が一体に設けられ、この内部には温度センサ３３が挿入されている。この温度セ ンサ３３は制御回路（図示しない）に接続され、制御回路は温度センサ３３から の検出信号に基づいて赤外線ヒータ２６をオン・オフ制御して超純水流通路２４ を流通する超純水を一定の温度に保っている。
【００２０】 したがって、赤外線ヒータ２６に通電して加熱するとともに、流入口２２から 超純水を流入すると、超純水は加温筒２１の内部の超純水流通路２４を流通し、 この間に赤外線ヒータ２６から発生する輻射熱が石英管２７を透過して直接超純 水に吸収され、超純水が加熱される。加熱された超純水は流出口２３から半導体 のウェット洗浄工程（図示しない）に供給される。
【００２１】 このように赤外線ヒータ２６の輻射熱によって超純水が加熱されることから、 石英管２７の表面で突沸現象が起こりにくく、ヒータのワット密度が大きく、小 形化が図れる。さらに、石英管２７には突沸防止処理を施していないため、表面 が平滑で超純水に接触する面積が少なくなり、その分だけ不純物が少なくなる。
【００２２】
以上説明したように、この考案によれば、内部に超純水流通路を形成した石 英ガラスからなる加温筒の内部に、超純水流通路と隔離された石英ガラスからな るヒータ収納部を設け、このヒータ収納部に超純水流通路を流通する超純水を加 温する赤外線ヒータを設け、輻射熱によって超純水を加熱するようにしたから、 装置本体の簡素化を図ることができ、またヒータ収納部に突沸防止処理を施す必 要がなく、またヒータのワット密度が大きく、小形化、コストダウンを図ること ができるという効果を奏する。
【図１】この考案の一実施例の超純水加温装置の加温筒
の縦断側面図。
の縦断側面図。
【図２】同実施例の加温筒の横断面図。
【図３】同実施例の赤外線ヒータの取付け状態を示す縦
断側面図。
断側面図。
【図４】従来の超純水加温装置の加温筒の一部切欠した
側面図。
側面図。
【図５】同じく加温筒の横断面図。
【図６】同じくヒータ収納管の縦断側面図。
２１…加温筒、２２…流入口、２３…流出口、２４…超
純水流通路、２５…ヒータ収納部、２６…赤外線ヒー
タ。
純水流通路、２５…ヒータ収納部、２６…赤外線ヒー
タ。
Claims (1)
- 【請求項１】 一端側に超純水の流入口、他端側に超純
水の流出口を有し、内部に超純水流通路を形成した石英
ガラスからなる加温筒と、この加温筒の内部に設けられ
前記超純水流通路と隔離された石英ガラスからなるヒー
タ収納部と、このヒータ収納部に収納され前記超純水流
通路を流通する超純水を加温する赤外線ヒータとを具備
したことを特徴とする超純水加温装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5644292U JPH0621242U (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 超純水加温装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5644292U JPH0621242U (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 超純水加温装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621242U true JPH0621242U (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=13027205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5644292U Pending JPH0621242U (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 超純水加温装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621242U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012105414A1 (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Jnc株式会社 | ガス過熱器および過熱器連結体 |
| JP2015042925A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 三浦工業株式会社 | 蒸気発生装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321348A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Komatsu Electron Kk | 恒温装置 |
| JPH0474420A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| JPH04338282A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Mitsubishi Corp | 半導体製造装置 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP5644292U patent/JPH0621242U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321348A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Komatsu Electron Kk | 恒温装置 |
| JPH0474420A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
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| JP2015042925A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 三浦工業株式会社 | 蒸気発生装置 |
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