JPH06212433A

JPH06212433A - 真空室内で基板を被覆する装置及び方法

Info

Publication number: JPH06212433A
Application number: JP5291841A
Authority: JP
Inventors: Alfons Zoeller; ツェラーアルフォンス; Roland Schneider; シュナイダーローラント; Helmut Stoll; シュトルヘルムート; Karl Matl; マトルカール
Original assignee: Leybold AG
Current assignee: Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Priority date: 1992-11-25
Filing date: 1993-11-22
Publication date: 1994-08-02
Also published as: EP0603464B1; DE4239511A1; EP0603464A1; DE59302511D1

Abstract

(57)【要約】【目的】真空室内で基板を被覆する装置及び方法を提
供する。【構成】真空室内に配置された基板ホルダー（３０）
と、プラズマ雲（２８）を発生する装置（２９）と、前
記プラズマ雲（２８）を基板の表面に偏向する磁石（２
６，２７）とを設け、プラズマを点火するためのプロセ
スガスのための少なくとも１つの入口（１９）を設け、
該入口を介して付加的に珪素含有有機物質を直接プロセ
ス室（４３）内に導入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空室内に配置された
基板ホルダーと、プラズマ雲を発生する装置と、前記プ
ラズマ雲を基板の表面に偏向する磁石とを有する、真空
室内で基板を被覆する装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】イオンビーム発生器を有するプラズマゼ
ネレータは既に公知であり（D. M. Goebel, G. Campbel
l及びR. W. Conn著の論文“Jounal of Nucxlear Materi
al”,121 (1984), 277-282，North Holland Physics Pu
blishing Division, Amsterdam）、該イオンビーム発生
器は真空室と結合された分離された室内に配置されてお
り、この場合にはこの分離室のほぼ円筒形室壁がアノー
ドを形成し、かつプロセスガスの流入接続管片を備えて
いる。

【０００３】円筒形室は、リング状磁気コイルを有し、
かつ室壁を冷却するための管を備えている。電子エミッ
タ自体は円筒形室の一方端部を閉鎖する、元来の真空室
の反対側の壁部分に存在する。

【０００４】更に、陰極スパッタリング装置が公知であ
り（ドイツ国特許出願公開第３８３０４７８号明細
書）、該陰極スパッタリング装置では、真空室はプラズ
マビームを発生するための装置と結合されかつターゲッ
トを有し、該ターゲットは、プラズマビームをターゲッ
トの表面に偏向する磁石と共働し、かつターゲットの表
面に衝突し粒子を剥離するプラズマビーム内のイオンを
加速する装置を有し、かつスパッタされた粒子で被覆す
るための基板を保持するために真空室の内部に配置され
た基板ホルダーを有し、かつ有利には、プラズマビーム
の少なくとも１つのフィラメントもしくは部分ビームを
ターゲットから基板に偏向するための装置、例えば磁石
装置が装備されている。

【０００５】更に、ドイツ国特許第４０２６３６７号明
細書から真空室内で基板を被覆する装置が公知であり、
該装置は、真空室内に配置された基板ホルダーと、プラ
ズマ雲を発生するための装置と、基板の表面にプラズマ
雲を偏向する磁石とを有し、この場合プラズマ雲を発生
する装置は管形アノードが後続された電子エミッタを有
し、該アノードはプラズマを点火するためのプロセスガ
スの入口を備えかつアノード管を貫通させてプロセス室
に配向及び誘導するための磁石を備えており、かつ更に
基板上に層を形成するための材料の原子、分子又はクラ
スター発生するための、プロセス室内にプラズマソース
の直ぐ近くの設けられた装置、有利には電子ビーム蒸発
器を有し、該装置から蒸発又はスパッタされた材料を直
接基板に被覆可能であり、その場合もう１つのプラズマ
がプラズマソースと真空室との間に電位差を印加するこ
とにより電子ビーム蒸発器の坩堝とプラズマソースのア
ノード管との間に発生可能である。

【０００６】先願（ドイツ国特許出願第４１２８５４
７．６号明細書）には、レンズ上に反射防止層を製造す
る方法及び装置が提案され、それによれば蒸発器及びプ
ラズマソースを収容した真空室内で、まずＳｉＯからな
る極めて薄い付着層を被覆し、該付着層に次いで厚いＳ
ｉＯ₂層を被覆する、このために蒸発器にＳｉＯ₂を入
れ、反応ガスＯ₂又はＮ₂を真空室に導入しかつ蒸発器内
で材料を蒸発させると同時に基板にプラズマをプラズマ
ソースから照射する。

【０００７】最後に、ヨーロッパ特許公開第０４７０７
７７号明細書から、プロセス室内に基板に向かい合うよ
うに電子ビーム蒸発器（シャッターにより分離）が配置
された装置が公知であり、この場合にはガス入口はプロ
セス室内に、ガス噴流が基板とほぼ無機物質を蒸発させ
るための蒸発器との間の領域に流入するように配置され
ている。この公知の装置では、無機物質の導入の他にま
た第２の層を形成するために有機珪素化合物（例えばテ
トラエトキシシラン＝ＴＥＯＳ）を導入することもでき
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明の課
題は、自体公知のＡＰＳソース（Advanced Plasma Sour
ce）を僅かに変更して該ソースをＰＥＣＤ析出のために
改良することであった。更に、層付着、表面張力、脆性
層に基づく疎水性特性を改良することできる、他発生プ
ラズマを用いて金属又は誘電性材料を被覆する方法及び
装置を見出すことであった。最後に、該装置は、プロセ
スを中断する必要なく、基板を有機物質でもまた無機物
質でも被覆することができるべきであった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明によ
り、プラズマ雲を発生する装置と、前記プラズマ雲を基
板の表面に偏向する磁石と設け、プラズマを点火するた
めのプロセスガスのための少なくとも１つの入口を設
け、該入口を介してプロセスガス、例えばアルゴンもま
た付加的に珪素含有有機物質をも直接プロセス室内に導
入可能である方法及び装置により解決される。

【００１０】本発明のその他の詳細及び特徴は、特許請
求の範囲に記載されている。

【００１１】

【実施例】本発明は、多種多様な実施可能性を提供する
が、そのうちの２つを図示して詳細に説明する。

【００１２】本発明は、絶縁又は金属化されていてもい
薄膜の層特性を変性するための装置及び方法に関する。

【００１３】このような薄膜の、基板ホルダー３０によ
って保持された基板３１，３１′，…への被覆は、真空
室２中での従来の蒸着並びにまたプラズマ補助蒸着法又
はプラズマ−ＣＶＤ法により行うことができる。該方法
自体は、成長する薄膜の層特性がプラズマ周辺層３２か
らのイオン衝突により変性可能であるプラズマ補助方法
を包含する。

【００１４】図１の装置は、全体的に２９で示されたプ
ラズマソース（ＡＰＳソース）を有し、該プラズマソー
ス内で必要なプラズマ２８が発生しかつ適当な磁界及び
電界の助けで源２９から抽出される。

【００１５】ソース２９からの抽出後に、プラズマ２８
は適当な磁界によりソース２９から基板ホルダー３０に
誘導され、拡大されかつ可能な限り均一に基板ホルダー
３０の領域に分配される。プラズマ２８のイオンは導管
１９を介して導入されたガスのイオンから形成される
（もしくは図２の実施例ではイオン化された蒸着材料３
３から、又はプラズマ２８を横切り、その際イオン化さ
れる材料から分離される）。

【００１６】基板ホルダー３０は、真空室２に対して絶
縁されているか又はスイッチ５７を介してＤＣ及び／又
はＨｆ電源３５，４２又は３４に接続されている。この
基板ホルダー３０は、蒸着保護２５を有し、該蒸着保護
は絶縁材料を被覆する際にこの絶縁材料で基板ホルダー
３０の表面の一部が被覆されるのを阻止し、ひいては基
板ホルダー３０を介する電荷の流出を可能にする。

【００１７】図２のＡＰＳソース２９自体は、入口２
０，２１，６３の他に、反応性ガス（例えばＯ₂及び
Ｎ₂）を流入させるためのガス入口１９を有し、かつ基
板ホルダー３０に向かってプラズマソース２９からのプ
ラズマ２８を誘導するため及び基板ホルダー３０の位置
でプラズマの適当な密度分布を発生するための電磁コイ
ル４，７並びに２６，２７の系を有する。

【００１８】プラズマソース２９内で、プラズマ２８を
発生させるために熱グロー放電を発生させる。プラズマ
ソース２９は、そのために装置に対して相対的に絶縁さ
れたカソード１１を有する。該カソード１１は、例えば
黒鉛からなるヒーター１２を備え、該ヒーターは交流で
加熱される。ヒーター１２は間接的に熱放射を介してカ
ソード１１を加熱する。該カソード１１は、熱した状態
で電子の放出を可能にする材料、例えば六硼化ランタン
（ＬａＢ₆）からなる。カソード１１自体は、円筒形部
分と屋根形部分からなっているので、電子の放出はソー
スの軸線に対して半径方向にもまた軸線方向、即ち図示
の場合には垂直方向にも可能である。

【００１９】更に、プラズマソース２９は装置に対して
及びカソード１１に対して相対的に絶縁されたアノード
管３８を備え、該アノード管は例えば水が貫流する冷却
蛇管８を備えている。電流の流れは、装置に対して絶縁
された冷媒管２２を介して行われる。

【００２０】プロセスガス自体は、希ガス（例えばＡ
ｒ）又は反応性ガス（例えばＯ₂）もしくは両者の混合
物であってよいが、しかしまた有機物質を導入すること
ができる。ガス供給導管２０，２１は、装置自体から電
気的に絶縁されている。

【００２１】更に、プラズマソース２９は２つの水冷式
高電流ダクト３９，４０、及びアノード管３８上に押し
嵌められた長いソレノイド磁石７を備え、この場合該ソ
レノイド磁石はソース２９の垂直軸線に対して平行な軸
線方向の磁界を発生する。

【００２２】該磁石７で、電子の運動性が水平方向で著
しく低下せしめられかつ垂直方向で著しく高められる。
長いソレノイド７の上端部には、磁界を長いソレノイド
の端部で強化する短いソレノイド４が配置されている。
この手段により、磁界は均一である。それというのも、
ソレノイドの軸線方向の磁界は中心部から端部に向かっ
て半分に低下せしめられるからである。

【００２３】プラズマソース２９側で、長いソレノイド
７上に軟磁性材料からなる円筒形シールド管が押し嵌め
られている。このシールド管５は、装置の内部に存在す
ることがある散乱磁界のシールドのために役立ち、それ
によりソース２９内部のプラズマ２８が妨害されない。
更に、プラズマソース２９はまた暗室シールド３を備え
ており、該シールドはソース２９から外部に好ましくな
いサブプラズマが発生しないように機能する。

【００２４】プラズマソース２９及び基板ホルダー３０
はそれぞれ、プラズマ２８の特性を決定可能である電源
３４，３５，４２に接続可能である。更に、カソード１
１のヒーター１２のために特別の加熱電源４１が設けら
れている。

【００２５】更に、プラズマソース２９は放電流のため
の電源３５を有し、該電源でカソード１１とアノード３
８もしくは３０もしくは２との間の電位差が決定され
る。

【００２６】最後に、プラズマソース２９は電源４２を
備え、該電源により例えばプラズマソース２９と装置２
又は基板ホルダー３０との間にバイアス電位差を印加す
ることが可能である。それにより、プラズマ電位、及び
基板３１，３１′，…に衝突するエネルギーに影響を及
ぼすことができる。

【００２７】基板ホルダー３０は高周波電源３４を備え
ており、該電源で、絶縁基板３１，３１′，…にもプラ
ズマ２８に対して相対的な付加的なＤＣバイアス電圧を
印加し、それによって基板３１，３１′，…に衝突する
イオンのエネルギー及び電流強度を高めることが可能で
ある。

【００２８】図示の回路の場合には、ソースは“レフレ
ックス−アーク”ソースとして働く。アノード管３８は
直接放電電源３５のプラス極と接続されているので、放
電流はアノード管３８を介してのみ流出することができ
る。プラズマソース２９は、装置の他の部分に対して絶
縁配置されている。カソーソ１１から出る電子は、直接
アノード管３８に達するのをソレノイド磁石７の軸方向
磁界によって阻止される。むしろ、該電子は磁力線に沿
って、ソレノイド２９から出て、ソースの外部にプラズ
マ２８を形成する。全てのソース２９は、装置のその他
の部分に相対的に正の電位に調整される。このことによ
り、電界が構成され、該電界は、ソースの外部の電子を
反射し、磁力線に沿ってアノード管３８にフィードバッ
クする。

【００２９】この作動形式により、例えばイオンプレー
ティング法におけると同様に、基板ホルダー３０は負の
バイアス電位に帯電しない。基板ホルダー３０は典型的
には＋２Ｖ〜＋５Ｖに帯電され、この場合イオンはその
エネルギーをアノード管３８と基板ホルダー３０との間
の電位差を介して得る。

【００３０】このための典型的な値は、以下の通りであ
る：

【００３１】

【表１】

【００３２】図面から明らかなように、アノード管３８
もまた中空円筒形の磁界シールド５もセラミックからな
る絶縁板６の上に載っており、絶縁板は銅からなる接触
板１６上に支持されている。

【００３３】ヒータ１２はクランプリング１３によりキ
ャップ状の電子エミッター１１と固定結合されており、
この場合２つの接点ボルト１４，１５が設けられてお
り、これらのボルトでヒータ１２が一方では接触板１６
上に、他方では接点ピン４７上に支持されている。

【００３４】接触板１６はピン１７を介して高電流ダク
ト３９と接続され、該ダクトは絶縁体５３によって真空
室２の壁に保持されかつ更に水貫流式冷媒管２３を有し
ている。接触板１６はセラミックリング１８によって高
電流ダクト４０に対して電気的に絶縁され、該ダクトは
同様に冷媒管２４を備えかつピン４７を介して接点ボル
ト１４に導電性接触している。高電流ダクト４８は絶縁
体５５で真空室の底部分に保持され、かつ他の部分はＤ
Ｃ電源３５と接続された水貫流式冷媒管２２を取り囲ん
でいる。

【００３５】図２の実施例でプラズマソース２９の側面
の真空室２の底部に配置された蒸発器３７は、蒸発器台
４６と、該台によってその上側に保持された、蒸発すべ
き被覆材料が入った坩堝４５と、該材料を溶融及び蒸発
させるための電子ビーム銃４４と、電子ビームを配向す
るための絞り５６とからなる。

【００３６】従って、蒸着のために電子ビーム蒸発器３
７を使用する場合には、蒸着のために坩堝４５内に存在
する材料を電子ビーム銃４４で発生した電子を衝突させ
ることにより溶融させる。この場合には、溶融すべき材
料の電子衝撃により二次電子が発生せしめられる。この
真空室２と同じ電位にある電子ビーム蒸発器３７に近く
で、例えばＡＰＳソースを使用する場合には、ＡＰＳソ
ース２９、ひいてはアノード管３８をバイアス電源４２
で及び導線５８，５９を装置に対して相対的に正の電位
に印加し、一方同時にＡＰＳソース２９にプラズマを発
生させかつ装置内に移行させると、前記二次電子を用い
てプラズマ２８を電子ビーム蒸発器３７の坩堝４５とＡ
ＰＳソース２９のアノード管３８の間に発生させること
ができる。

【００３７】このためには、電子ビーム蒸発器３７に正
確に向かい合うように開口６１を暗室シールド３内に設
けることが必要であり、それにより電子ビーム蒸発器３
７の坩堝４５から放出される電子６０を直接的に、アノ
ード電位にある磁界シールド管５の到達させ、そうして
プラズマ６０を発生させることができる。

【００３８】そのようにして坩堝４５上に発生せしめら
れたプラズマ雲６０は、蒸着材料の付加的なイオン化を
惹起する。このことは被覆される薄膜の層特性の付加的
な改善及び基板ホルダー上の分布の改善をもたらす。そ
れというのも、イオンはプラズマ及び装置内に存在する
磁界によって基板ホルダーに導かれるからである。

【００３９】特殊な実施例（詳細には図示せず）におい
ては、開口６１を省略できることも明らかである。この
場合には、プラズマ流６０は坩堝４５から上から暗室シ
ールド３の蓋部分内の上方中心開口に流入しかつ直接ア
ノード管３８に達すする。

【００４０】プロセス室４３内には、専ら短鎖状有機物
質（ヘキサン）又は金属含有モノマー（金属有機化合
物、珪素有機化合物）を流入させるための１つの付加的
導管６３（プロセスガスＡｒ及び反応性ガス、例えばＯ
₂，Ｎ₂のための導管の他に）が開口している。

【００４１】前記の装置における種々の被覆法（古典的
蒸着、プラズマ補助蒸着、気相からのプラズマ補助析
出、プラズマ補助蒸着と気相からのプラズマ補助析出の
組み合わせ）は任意の順序及び組み合わせで実施するこ
とができるので、例えばプラスチックレンズ３１，３
１′…に、Ｃからなる第１番目の層６４、ＳｉＯからな
る第２番目の層６５（Ｃ_xＨyＳｉＯ₂により補助）、Ｓ
ｉＯからなる第３番目の層６６（Ｃ_xＨ_yＳｉＯ₂により
補助）、Ｔａ₂Ｏ₅からなる第４番目の層６７、ＳｉＯ₂
からなる第５番目の層６８、Ｔａ₂Ｏ₅からなる第６番目
の層６９及びＳｉＯ₂からなる第７番目の層７０（Ｃ_xＨ
_yＳｉＯにより補助）を被覆することができ、この場合
には第１番目と第２番目の層はＰＥＣＶＤ法で、第４番
目と第６番目の層はプラズマ−ＩＡＤ法でかつ第３番目
と第７番目の層はプラズマ−ＩＡＤとＰＥＣＶＤ法の組
み合わせで被覆することが可能である。

【００４２】第２図に示した装置を用いると、蒸着の利
点（高い被覆速度、層厚の高い精度及び再現性、多数の
十分に研究された被覆材料及び層系の利用）とＰＥＣＶ
Ｄの利点（良好な付着、層の弾性、所望の表面変性等）
とを組み合わせることができる。

【００４３】同時蒸着法を用いた被覆法は、典型的には
１０~³未満の圧力範囲で行う。蒸着法のためには、一般
に蒸着ソースと基板の間の距離をより大きく選択する。
それにより、大きな基板面積並びに湾曲した基板表面を
良好な均一性をもって被覆することが可能である。図２
の装置は、低い圧力で大きな容積にプラズマを充満させ
ることを可能にする（約１．５×１０~⁴で１０ｋｗＤＣ
プラズマ）。

【００４４】前記方法は、以下の目的のために好適であ
る：例えばＰＭＭＡへの層付着を改良するため、極端な
屈折率を有する層を製造するため、ためにサングラスの
ための吸収層を製造するため、不均一な層を製造し、そ
れによりレーザ誘導破壊閾を高め、ルゲート（Rugate）
フィルタ（高いエッジ急峻度を有するインバースフィル
タ）を実現するため及び遮断層のため。

【００４５】ＡＰＳソース２９の工業的実施態様は、低
〜中程度の１０~⁴ミリバール範囲の相応するイオンエネ
ルギーを有する強力なプラズマを発生することを可能に
する。この場合には、高いプラズマ強度の領域はプラズ
マソースの直ぐ上に制限され、プラズマ密度は基板ホル
イダー３０の方向に著しく低下する。ＰＥＣＶＤ被覆
は、一般に１０~³ミリバール程度で実施する。

【００４６】また例えば１ｍの基板ホルダー直径を有す
る蒸着装置で効果的にＰＥＣＶＤ被覆を実施することが
できるためには、装置全体内で、特に被覆すべき基板３
１，３１′，…の直前で強力なプラズマ２８を必要とす
る。

【００４７】このようなプラズマはアルゴンガスで発生
可能である。図２のＡＰＳソースに対する図１のＡＰＳ
ソースの変更は、ソース内部にガス入口が存在しないの
でなく、ガスがソース２９の上の導管１９を介して装置
内に導入されることにある。この場合には、急激に放電
特性及びプラズマ抵抗が変化する。

【００４８】強力なアルゴンプラズマは１×１０~³ミリ
バールの装置内圧力で発生可能である。該プラズマは蒸
着装置全体に充満する。

【００４９】この場合、以下のパラメータに調節する：プラズマ内の放電流：２５Ａ装置アースに対するアノードの電位：＋４０Ｖ装置アースに対するカソードの電位： −１３０Ｖ。

【００５０】装置内に設置されたラングムイーエウソン
デ（Rangmuir-Sond）で、基板ホルダーのセルフバイア
ス電位は−１００Ｖであることが測定された。それによ
り、イオン衝突は縁部から基板の直前で行われると予測
することができる。

【００５１】今や、周知のようにプラズマ補助気相析出
のために使用されるアルゴンガスの他に例えば珪素含有
有機物質（例えばＴＥＯＳ）を導入すると、基板上にＳ
ｉＯ₂析出が生じる。例えばＣＨ₄をアルゴンプラズマに
加えて導入すると、炭素の析出が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＰＥＣＶＤ被膜を製造する装置の断面図であ
る。

【図２】ＰＶＤ並びにＰＥＣＶＤ法を可能にする装置の
断面図である。

【図３】図２の装置で製造した層系の断面図である。

【符号の説明】

２真空室、３暗室シールド、４ソレノイド磁
石、５磁界シールド、６絶縁板（セラミック
板）、７磁石（ソレノイド）、８冷却蛇管、
９酸素入口（流入接続管）、１０アルゴン入口
（流入接続管）、１１六硼化ランタンカソード（電子
エミッタ）、１２黒鉛ヒータ、１３クランプリン
グ、１４，１５棒（接点ボルト）、１６銅板
（接触板）、１７ピン（接点ピン）、１８セラ
ミックリング、１９ガス入口、２０酸素及び／又
は窒素入口、２１アルゴン入口、２２，２３，２
４水貫流冷媒管、２５有孔板、２６，２７リン
グコイル、２８プラズマ雲、２９プラズマソー
ス、３０基板ホルダー、３１，３１′，…基板、
３２プラズマ周辺層、３３蒸着材料、３４
ＨＦ電源、３５ＤＣ電源、３６蒸着保護、３７
電子ビーム蒸発器、３８アノード管、３９，４
０高電流ダクト、４１電源、４２電圧源（バ
イアス電圧用）、４３プロセス室、４４電子ビ
ーム銃、４５坩堝、４６蒸発器台、４７ピン
４８高電流ダクト、４９軸、５０，５１絶
縁チューブ、５２，５２′，… 孔、５３，５４，
５５絶縁体、５６絞り、５７スイッチ、５
８，５９電線、６０プラズマ流、６１開口、
６２シャッター、６３ヘキサン又は金属含有モノ
マーの入口、６４〜７０種々の層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ローラントシュナイダードイツ連邦共和国ハーナウアムマインフィリップスルーアーアレー２ (72)発明者ヘルムートシュトルドイツ連邦共和国ズルツバッハエシュボルナーシュトラーセ 22 (72)発明者カールマトルドイツ連邦共和国クラインオストハイムヘルビュールリング 27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空室（２）内で基板（３１，３１′，
３１″，……）を被覆する装置であって、該真空室内に
配置された基板ホルダー（３０）と、プラズマ雲（２
８）を発生する装置（２９）と、前記プラズマ雲（２
８）を基板の表面に偏向する磁石（２６，２７）とを有
する前記装置において、プラズマを点火するためのプロ
セスガスのための少なくとも１つの入口（１９）が設け
られており、該入口を介して付加的に珪素含有有機物質
が直接プロセス室（４３）内にプラズマ強化化学蒸着
（ＰＥＣＶＤ）を起こさせるために導入可能であること
を特徴とする、真空室内で基板を被覆する装置。
【請求項２】真空室（２）内で基板（３１，３１′，
……）を被覆する装置であって、該真空室内に配置され
た基板ホルダー（３０）と、プラズマ雲（２８）を発生
する装置（２９）と、前記プラズマ雲（２８）を基板
（３１，３１′，……）の表面に偏向する磁石（２６，
２７）とを有する前記装置において、アノード管（３
８）の周辺にプラズマを点火するためのプロセスガスの
ための少なくとも１つの入口（１０）が設けられてお
り、かつ基板（３１，３１′，……）上に層を形成する
ための材料の原子、分子又はクラスターを発生するため
の装置を有し、該装置によって蒸発したもしくはスッパ
タした材料（３３）が直接基板（３１，３１′，……）
上に被覆可能であり、プロセスガス及び／又は反応ガス
のための入口（１０又は２０）の他に別の付加的導管
（６３）が設けられており、該導管を介してプロセスガ
スの導入と同時に又はそれに引き続き短鎖状有機物質又
は金属含有モノマーがプロセス室（４３）内に導入可能
であることを特徴とする、真空室内で基板を被覆する装
置。
【請求項３】真空室（２）内で基板（３１，３１′，
……）を被覆する装置であって、該真空室内に配置され
た基板ホルダー（３０）と、プラズマ雲（２８）を発生
する装置（２９）と、前記プラズマ雲（２８）を基板
（３１，３１′，……）の表面に偏向する磁石（２６，
２７）とを有する前記装置において、更に電子ビーム蒸
発器（３７）又は熱蒸発器を有し、該蒸発器から蒸発し
たもしくはスッパタした材料（３３）が直接基板（３
１，３１′，……）上に被覆可能であり、その際蒸発器
（３７）の坩堝（４５）とプラズマソース（２９）の暗
室シールド（３）内の開口（６１）との間の（サブ）プ
ラズマがプラズマソース（２９）と真空室（２）との間
の電位差の印加により発生可能であり、前記坩堝（４
５）がプラズマのためのカソードを形成し、かつイオン
補助析出（ＩＡＤ）とイオンプレーティング（ＩＰ）及
びプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）と組み合わせる
ために、プロセスガスＡｒ又は反応がスのための入口
（１０，１９）の他に直接プロセス室（４３）に開口し
た、短鎖状有機物質又は金属含有モノマー、金属有機化
合物又は珪素有機化合物を導入するための付加的導管
（６３）を有していることを特徴とする、真空室内で基
板を被覆する装置。
【請求項４】真空室（２）内で基板（３１，３１′，
……）を被覆する方法において、該真空室内に配置され
た基板ホルダー（３０）と、プラズマ雲（２８）を発生
する装置（２９）と、前記プラズマ雲（２８）を基板の
表面に偏向する磁石（２６，２７）と、更に電子ビーム
蒸発器（３７）又は熱蒸発器を有し、該蒸発器から蒸発
したもしくはスッパタした材料（３３）が直接基板（３
１，３１′，……）上に被覆可能である装置を使用し、
その際蒸発器（３７）の坩堝（４５）とプラズマソース
（２９）の暗室シールド（３）内の開口（６１）との間
に（サブ）プラズマをプラズマソース（２９）と真空室
（２）との間に電位差を印加することにより発生させ、
前記坩堝（４５）がプラズマのためのカソードを形成
し、かつイオン補助析出（ＩＡＤ）とイオンプレーティ
ング（ＩＰ）及びプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）
と組み合わせるために、プロセスガスＡｒ又は反応がス
のための入口（１０，１９）の他に直接プロセス室（４
３）に開口した、短鎖状有機物質又は金属含有モノマ
ー、金属有機化合物又は珪素有機化合物を導入するため
の付加的導管（６３）を有していることを特徴とする、
真空室内で基板を被覆する方法。