JPH0621272A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0621272A JPH0621272A JP17242392A JP17242392A JPH0621272A JP H0621272 A JPH0621272 A JP H0621272A JP 17242392 A JP17242392 A JP 17242392A JP 17242392 A JP17242392 A JP 17242392A JP H0621272 A JPH0621272 A JP H0621272A
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- Japan
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- semiconductor element
- sealing resin
- semiconductor
- resin
- semiconductor device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 22
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の裏面と封止樹脂の密着性を向上
させることで、半導体素子の裏面と封止樹脂の間のはく
離及び封止樹脂の割れの発生のない半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体素子の裏面に酸化珪素膜９又は窒化珪
素膜１４を蒸着することで、半導体素子の裏面と封止樹
脂のすき間をなくし、密着性を向上させ、はんだ実装時
の熱ストレス等による半導体素子の裏面と封止樹脂の間
のはく離及び封止樹脂の割れを防止することができる。
させることで、半導体素子の裏面と封止樹脂の間のはく
離及び封止樹脂の割れの発生のない半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体素子の裏面に酸化珪素膜９又は窒化珪
素膜１４を蒸着することで、半導体素子の裏面と封止樹
脂のすき間をなくし、密着性を向上させ、はんだ実装時
の熱ストレス等による半導体素子の裏面と封止樹脂の間
のはく離及び封止樹脂の割れを防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を有し、そ
の囲りを樹脂封止している半導体装置に関するものであ
る。
の囲りを樹脂封止している半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の多機能化、縮小化に
ともない、半導体素子の表面実装化が進んでいる。
ともない、半導体素子の表面実装化が進んでいる。
【０００３】従来の技術について、図面を参照しながら
説明する。図４は、バンプを介しリードフレームと接合
している従来の半導体装置の断面図である。１は半導体
素子、２はリードフレーム、３は前記半導体素子と前記
リードフレームを電気的に接合するためのバンプ、４は
これらを覆う封止樹脂である。
説明する。図４は、バンプを介しリードフレームと接合
している従来の半導体装置の断面図である。１は半導体
素子、２はリードフレーム、３は前記半導体素子と前記
リードフレームを電気的に接合するためのバンプ、４は
これらを覆う封止樹脂である。
【０００４】従来は、半導体素子１の裏面はなにも処理
することなく樹脂封止していた。
することなく樹脂封止していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置では、プリント基板に実装する際、封止樹
脂４に吸湿した水分により、封止樹脂４と半導体素子１
の裏面の間で水蒸気圧が発生し、その圧力で封止樹脂４
と半導体素子１の裏面の間がはく離したり、又は封止樹
脂４が割れる現象が発生していた。封止樹脂４と半導体
素子１の裏面の間がはく離したり、又は封止樹脂４が割
れるため、水分が半導体装置内部に浸入するリードパス
が短くなり、その後の耐湿信頼性が悪くなってしまう。
の半導体装置では、プリント基板に実装する際、封止樹
脂４に吸湿した水分により、封止樹脂４と半導体素子１
の裏面の間で水蒸気圧が発生し、その圧力で封止樹脂４
と半導体素子１の裏面の間がはく離したり、又は封止樹
脂４が割れる現象が発生していた。封止樹脂４と半導体
素子１の裏面の間がはく離したり、又は封止樹脂４が割
れるため、水分が半導体装置内部に浸入するリードパス
が短くなり、その後の耐湿信頼性が悪くなってしまう。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、封止
樹脂４と半導体素子１の裏面の間のはく離、又は封止樹
脂４の割れを防止した半導体装置を提供することを目的
としている。
樹脂４と半導体素子１の裏面の間のはく離、又は封止樹
脂４の割れを防止した半導体装置を提供することを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体素子の裏面に酸化珪素膜又は窒化珪
素膜に代表される珪素化合物膜を形成することを特徴と
する。
するために、半導体素子の裏面に酸化珪素膜又は窒化珪
素膜に代表される珪素化合物膜を形成することを特徴と
する。
【０００８】
【作用】本発明は上記構成により、半導体素子と封止樹
脂のすき間をなくし、珪素化合物膜により密着性を向上
させることにより、半導体素子裏面と封止樹脂の間のは
く離、又はプラスチック封止樹脂の割れを防ぐことがで
きる。
脂のすき間をなくし、珪素化合物膜により密着性を向上
させることにより、半導体素子裏面と封止樹脂の間のは
く離、又はプラスチック封止樹脂の割れを防ぐことがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１および図
２を参照しながら説明する。図１は、バンプを介し半導
体素子とリードフレームを電気的に接合し、その囲りを
封止樹脂で覆ったものであり、５は半導体素子、６はリ
ードフレーム、７はバンプ、８は封止樹脂、９は酸化珪
素膜である。図２は、バンプを介し半導体素子とリード
フレームを電気的に接合し、その囲りを封止樹脂で覆っ
たものであり、１０は半導体素子、１１はリードフレー
ム、１２はバンプ、１３は封止樹脂、１４は窒化珪素膜
である。
２を参照しながら説明する。図１は、バンプを介し半導
体素子とリードフレームを電気的に接合し、その囲りを
封止樹脂で覆ったものであり、５は半導体素子、６はリ
ードフレーム、７はバンプ、８は封止樹脂、９は酸化珪
素膜である。図２は、バンプを介し半導体素子とリード
フレームを電気的に接合し、その囲りを封止樹脂で覆っ
たものであり、１０は半導体素子、１１はリードフレー
ム、１２はバンプ、１３は封止樹脂、１４は窒化珪素膜
である。
【００１０】次に図１および図２に示す本発明の実施例
に係る半導体装置の動作例として、図３を参照して信頼
性試験結果を示す。
に係る半導体装置の動作例として、図３を参照して信頼
性試験結果を示す。
【００１１】図３に示すように厳しい条件で信頼性試験
として封止樹脂に強制加湿試験を行った後、高温のはん
だに浸漬しても、半導体素子５，１０の裏面と封止樹脂
８，１３の間のはく離、及び樹脂８，１３の割れが発生
することがない。
として封止樹脂に強制加湿試験を行った後、高温のはん
だに浸漬しても、半導体素子５，１０の裏面と封止樹脂
８，１３の間のはく離、及び樹脂８，１３の割れが発生
することがない。
【００１２】なお、酸化珪素膜９、窒化珪素膜１４を形
成するには、蒸着により可能である。
成するには、蒸着により可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明によれば、プリント基板に半導体素子を実装した際、
半導体素子の裏面と封止樹脂の間のはく離、又は封止樹
脂の割れることがない半導体装置を実現できるものであ
る。
明によれば、プリント基板に半導体素子を実装した際、
半導体素子の裏面と封止樹脂の間のはく離、又は封止樹
脂の割れることがない半導体装置を実現できるものであ
る。
【図１】本発明の実施例のシリコン基板の裏面に酸化珪
素膜を蒸着した半導体装置の断面図
素膜を蒸着した半導体装置の断面図
【図２】本発明の実施例のシリコン基板の裏面に窒化珪
素膜を蒸着した半導体装置の断面図
素膜を蒸着した半導体装置の断面図
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置に対して、信
頼性試験を実施した際の結果を示す図
頼性試験を実施した際の結果を示す図
【図４】従来の半導体装置の断面図
１，５，１０ 半導体素子 ２，６，１１ リードフレーム ３，７，１２ バンプ ４，８，１３ 封止樹脂 ９ 酸化珪素膜 １４ 窒化珪素膜
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子裏面に珪素化合物膜を有した状
態で樹脂封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】珪素化合物膜が酸化珪素膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】珪素化合物膜が窒化珪素膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17242392A JPH0621272A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17242392A JPH0621272A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621272A true JPH0621272A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15941698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17242392A Pending JPH0621272A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116053239A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-02 | 中科华艺(天津)科技有限公司 | 一种多芯片组件的封装结构 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17242392A patent/JPH0621272A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116053239A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-02 | 中科华艺(天津)科技有限公司 | 一种多芯片组件的封装结构 |
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