JPH0621344B2 - 超電導薄膜作製装置 - Google Patents
超電導薄膜作製装置Info
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- JPH0621344B2 JPH0621344B2 JP63034721A JP3472188A JPH0621344B2 JP H0621344 B2 JPH0621344 B2 JP H0621344B2 JP 63034721 A JP63034721 A JP 63034721A JP 3472188 A JP3472188 A JP 3472188A JP H0621344 B2 JPH0621344 B2 JP H0621344B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタリング現象を利用して高温超電導薄
膜作製用のターゲットを備えた超電導薄膜作製装置に関
する。
膜作製用のターゲットを備えた超電導薄膜作製装置に関
する。
（従来の技術と発明が解決しようとする問題点） 近年、臨界温度（以下Ｔｃという）３０Ｋで超電導状態
をあらわすＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体が
発見されて以来、世界中で超電導体の研究が急速に進め
られ、その結果、液体窒素（７７Ｋ）を越えるＴｃ９０
ＫのＢａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体が発見され
た。このような超電導状態を示すＴｃが上昇することで
その応用分野は急速に広がり、当該超電導体物質の薄膜
化や線材化への研究が活発に行われている。
をあらわすＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体が
発見されて以来、世界中で超電導体の研究が急速に進め
られ、その結果、液体窒素（７７Ｋ）を越えるＴｃ９０
ＫのＢａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体が発見され
た。このような超電導状態を示すＴｃが上昇することで
その応用分野は急速に広がり、当該超電導体物質の薄膜
化や線材化への研究が活発に行われている。
当該超電導体の薄膜化の手段として、蒸着法やスパッタ
法等が行われている。しかし、従来のスパッタ現象を利
用した超電導薄膜作製装置では、ターゲットとして焼結
体ターゲット（例えば、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ膜）を使用
していたため、次のような問題があった。すなわち、 （１）ターゲットに組成の経時変化が起こり、基板上に
作製する膜の組成制御が困難であった。
法等が行われている。しかし、従来のスパッタ現象を利
用した超電導薄膜作製装置では、ターゲットとして焼結
体ターゲット（例えば、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ膜）を使用
していたため、次のような問題があった。すなわち、 （１）ターゲットに組成の経時変化が起こり、基板上に
作製する膜の組成制御が困難であった。
（２）作製される膜の組成が最適な化学量論比からずれ
ていた場合、その化学量論比の補正が困難であった、ち
なみり現在、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体の
最適な化学量論比とされているのは、１：２：３：６．
９の割合である。
ていた場合、その化学量論比の補正が困難であった、ち
なみり現在、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体の
最適な化学量論比とされているのは、１：２：３：６．
９の割合である。
（３）ターゲット中の酸素含有量がわからず、基板上に
作製する膜中の酸素量を制御するのが困難であった。
作製する膜中の酸素量を制御するのが困難であった。
（４）焼結体ターゲットは、もろくて割れ易い。
（５）焼結体ターゲットを使用しているため、膜のデポ
ジッションレートが遅い。
ジッションレートが遅い。
（本発明の目的） 本発明の目的は、膜の組成制御を簡単に行ない、膜中の
酸素量を制御し、高温超電導薄膜のデポジッションレー
トを向上させることができる超電導薄膜製造装置を提供
することにある。
酸素量を制御し、高温超電導薄膜のデポジッションレー
トを向上させることができる超電導薄膜製造装置を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記を達成するために次のように構成されて
いる。すなわち、加熱可能な基板保持手段に固着した基
板と超電導薄膜作製用ターゲットとを真空に排気された
チャンバー内に、互いに対向するように配置し、スパッ
タ法により基板上に超電導薄膜を作製する超電導薄膜作
製装置において、上記ターゲットが少なくとも３種類の
金属材料を組み合わせて構成した金属ターゲットである
ことを特徴とする。
いる。すなわち、加熱可能な基板保持手段に固着した基
板と超電導薄膜作製用ターゲットとを真空に排気された
チャンバー内に、互いに対向するように配置し、スパッ
タ法により基板上に超電導薄膜を作製する超電導薄膜作
製装置において、上記ターゲットが少なくとも３種類の
金属材料を組み合わせて構成した金属ターゲットである
ことを特徴とする。
（作用） 上記のようにターゲットを複数の金属材料によって構成
しているので、これら金属材料の組成比を変えると、プ
ラズマに晒されるターゲットの表面の面積比を変えるこ
とができる。これによって、基板上に作製される超電導
薄膜が最適な化学量論比になるように制御することがで
きる。
しているので、これら金属材料の組成比を変えると、プ
ラズマに晒されるターゲットの表面の面積比を変えるこ
とができる。これによって、基板上に作製される超電導
薄膜が最適な化学量論比になるように制御することがで
きる。
（実施例） 第１図は本発明の実施例を示している。なお、実際の高
温超電導体薄膜の製造に際しては、高周波スパッタ方
式、ＤＣスパッタ方式、高周波マグネトロンスパッタ方
式等のスパッタ方式を実施したが、以下には、高周波ス
パッタ方式を用いた場合について詳細に説明する。
温超電導体薄膜の製造に際しては、高周波スパッタ方
式、ＤＣスパッタ方式、高周波マグネトロンスパッタ方
式等のスパッタ方式を実施したが、以下には、高周波ス
パッタ方式を用いた場合について詳細に説明する。
図中符号１はターゲット、２はＭｇＯ、ＳrＴiＯ2、Ｙ
ＳＺ、ＺrＯ、サファイアなどからなる基板、３は基板
ステージで、上記基板２を保持している。当該基板ステ
ージ３は、温調計１３及び電力調整器１４によって制御
され、±０．５℃の制御が可能なヒータ５を内蔵してい
る。そして、当該ヒータ５によって基板ステージ３を加
熱し、その抵抗加熱によって基板２を加熱するようにし
ている。
ＳＺ、ＺrＯ、サファイアなどからなる基板、３は基板
ステージで、上記基板２を保持している。当該基板ステ
ージ３は、温調計１３及び電力調整器１４によって制御
され、±０．５℃の制御が可能なヒータ５を内蔵してい
る。そして、当該ヒータ５によって基板ステージ３を加
熱し、その抵抗加熱によって基板２を加熱するようにし
ている。
また、該基板ステージ３は、耐酸化性の強い材料、例え
ば、インコネルで構成されているため、１０-1Ｔｏｒｒ
の酸素雰囲気中でも８００℃まで加熱が可能である。図
中符号４は、上記基板ステージ３の加熱効率を上げる反
射板である。当該反射板４は、断面コの字型に形成さ
れ、基板ステージ３の基板保持側を除く外側を覆うよう
に設けられている。
ば、インコネルで構成されているため、１０-1Ｔｏｒｒ
の酸素雰囲気中でも８００℃まで加熱が可能である。図
中符号４は、上記基板ステージ３の加熱効率を上げる反
射板である。当該反射板４は、断面コの字型に形成さ
れ、基板ステージ３の基板保持側を除く外側を覆うよう
に設けられている。
また、矢印６及び６′は、イオン衝撃によって起こるカ
ソード１８に設置したターゲットの温度上昇を防ぐため
に、ターゲット電極１内に供給する冷却水の流入流出方
向を示している。７及び８はガス導入のためのバリアブ
ルリークバルブであり、これにより、各々アルゴンガス
及び酸素ガスが導入される。
ソード１８に設置したターゲットの温度上昇を防ぐため
に、ターゲット電極１内に供給する冷却水の流入流出方
向を示している。７及び８はガス導入のためのバリアブ
ルリークバルブであり、これにより、各々アルゴンガス
及び酸素ガスが導入される。
ここで導入するガスの種類は、プロセスによって異な
る。本実施例ではアルゴンガス、単体ガス又はアルゴン
ガスと酸素ガスの混合ガスを用いている。９はチャンバ
ー１２を真空にする排気システムで、これにより、バッ
クグランドの真空を１０-5Ｐａ台に保っている。１０は
マッチングボックス、１１はＲＦ電源であり、上記バリ
アブルリークバルブ７、８を介して上記アルゴンガス及
び酸素ガスをチャンバー１２内に導入し、１０-1〜１０
Ｐａ台の圧力でＲＦ電力をＲＦ電源１１、マッチングボ
ックス１０を通してターゲット１に供給し、チャンバー
１２内にプラズマを発生させる。さらに、プラズマ中の
イオンが加速され、ターゲットに衝突してターゲットか
らターゲット材粒子をたたきだし、基板上に所望の膜を
作製することができる。
る。本実施例ではアルゴンガス、単体ガス又はアルゴン
ガスと酸素ガスの混合ガスを用いている。９はチャンバ
ー１２を真空にする排気システムで、これにより、バッ
クグランドの真空を１０-5Ｐａ台に保っている。１０は
マッチングボックス、１１はＲＦ電源であり、上記バリ
アブルリークバルブ７、８を介して上記アルゴンガス及
び酸素ガスをチャンバー１２内に導入し、１０-1〜１０
Ｐａ台の圧力でＲＦ電力をＲＦ電源１１、マッチングボ
ックス１０を通してターゲット１に供給し、チャンバー
１２内にプラズマを発生させる。さらに、プラズマ中の
イオンが加速され、ターゲットに衝突してターゲットか
らターゲット材粒子をたたきだし、基板上に所望の膜を
作製することができる。
本発明者は、上記した構造の超電導薄膜作製装置によっ
て種々の実験を行ったが、特に、ＭｇＯ基板上に約１μ
ｍのＹＢa2Ｃu3Ｏ7膜を成膜することができたので、以
下、これについて説明する。なお、使用したターゲット
としては、金属材料を組み合わせて構成した金属ターゲ
ットを用い、導入ガスとして、アルゴンガスを用いた。
て種々の実験を行ったが、特に、ＭｇＯ基板上に約１μ
ｍのＹＢa2Ｃu3Ｏ7膜を成膜することができたので、以
下、これについて説明する。なお、使用したターゲット
としては、金属材料を組み合わせて構成した金属ターゲ
ットを用い、導入ガスとして、アルゴンガスを用いた。
第２図及び第３図は、このとき金属ターゲットの形状及
び構成を示しており、当該各図の（ａ）は、金属ターゲ
ット１の平面図、（ｂ）は、金属ターゲット１の側面図
である。この図から明らかなように、当該ターゲット１
は、Ｂａ１５、Ｙ１６、Ｃｕ１７の３種類の金属材料を
組合わせるように構成している。この点、従来のターゲ
ットが焼結体で構成されていたのと相違している。
び構成を示しており、当該各図の（ａ）は、金属ターゲ
ット１の平面図、（ｂ）は、金属ターゲット１の側面図
である。この図から明らかなように、当該ターゲット１
は、Ｂａ１５、Ｙ１６、Ｃｕ１７の３種類の金属材料を
組合わせるように構成している。この点、従来のターゲ
ットが焼結体で構成されていたのと相違している。
第２図（Ａ）に示した金属ターゲット１はＢａ、Ｙ、Ｃ
ｕの各金属材料を均等に組み合わせたものである。ま
た、第３図（ａ）はＹを下地として、ＢａとＣｕを放射
状に組み込むようにしたものである。もっとも、このよ
うな金属材料の組合わせは、各金属材料が生成されるプ
ラズマに晒される表面積を変えることができるようにす
る限り、様々な組合わせが可能である。
ｕの各金属材料を均等に組み合わせたものである。ま
た、第３図（ａ）はＹを下地として、ＢａとＣｕを放射
状に組み込むようにしたものである。もっとも、このよ
うな金属材料の組合わせは、各金属材料が生成されるプ
ラズマに晒される表面積を変えることができるようにす
る限り、様々な組合わせが可能である。
ところで、圧力、電力、基板温度等の各種条件により、
ターゲットのスパッタ率が変わり、膜組成に影響を与え
ることは既知の事実である。従って、当該ターゲット１
を構成するＢａ、Ｙ、Ｃｕのスパッタ率を考慮して、基
板上に形成される高Ｔｃ膜の膜組成が前記した最適な化
学量論比となるように、Ｂａ、Ｙ、Ｃｕのプラズマに晒
されるＢａ、Ｙ、Ｃｕの表面の面積比を選定するように
している。
ターゲットのスパッタ率が変わり、膜組成に影響を与え
ることは既知の事実である。従って、当該ターゲット１
を構成するＢａ、Ｙ、Ｃｕのスパッタ率を考慮して、基
板上に形成される高Ｔｃ膜の膜組成が前記した最適な化
学量論比となるように、Ｂａ、Ｙ、Ｃｕのプラズマに晒
されるＢａ、Ｙ、Ｃｕの表面の面積比を選定するように
している。
そして、上記のような化学量論比となるよう調整された
膜に、種々の方法を用いて酸素をドーピングする。酸素
ドーピングの方法として種々行ったが、その中で代表的
なものは次の三つの方法である。
膜に、種々の方法を用いて酸素をドーピングする。酸素
ドーピングの方法として種々行ったが、その中で代表的
なものは次の三つの方法である。
第１は、酸素ガスイオン銃による方法、第２は、プラズ
マ酸化による方法、第３は、酸素雰囲気中の熱処理によ
る方法である。これらの処理を施すことによりＴｃが８
６Ｋの高温超電導体薄膜を再現性よく作製できた。
マ酸化による方法、第３は、酸素雰囲気中の熱処理によ
る方法である。これらの処理を施すことによりＴｃが８
６Ｋの高温超電導体薄膜を再現性よく作製できた。
また、ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅの状態（膜作製後でアニ
ールなどの処理を未だやっていない状態）で高温超電導
体薄膜を作製するために、バリアブルリークバルブ８、
９を介して、アルゴンガスに酸素ガスを混合して導入す
ることにより、膜の組成及び膜中の酸素量を制御する。
ールなどの処理を未だやっていない状態）で高温超電導
体薄膜を作製するために、バリアブルリークバルブ８、
９を介して、アルゴンガスに酸素ガスを混合して導入す
ることにより、膜の組成及び膜中の酸素量を制御する。
当該膜中の酸素量は、酸素ガス圧比が上昇すれば、その
分圧比に比例して上昇するため、酸素ガス圧比を調整す
ることにより膜中の酸素を制御することができ、ａｓ−
ｄｅｐｏｓｉｔｅで高温超電導体薄膜が得られ、Ｔｃが
８６Ｋの高温超電導体薄膜が再現性よく作製できた。
分圧比に比例して上昇するため、酸素ガス圧比を調整す
ることにより膜中の酸素を制御することができ、ａｓ−
ｄｅｐｏｓｉｔｅで高温超電導体薄膜が得られ、Ｔｃが
８６Ｋの高温超電導体薄膜が再現性よく作製できた。
現状でのアルゴンガスのみのプロセスでは、高温超電導
体薄膜を作製するために成膜後、９００℃近傍のＯ2雰
囲気中でのアニール処理が必要であるが、成膜速度を速
くすることができる特徴がある。他方、アルゴンガス＋
酸素ガスの混合ガスのプロセスでは、成膜速度は低下す
るが、化学量論比が最適な高温超電導に適合してくるた
め、ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅの状態で高温超電導体薄膜
を作成できる特徴がある。
体薄膜を作製するために成膜後、９００℃近傍のＯ2雰
囲気中でのアニール処理が必要であるが、成膜速度を速
くすることができる特徴がある。他方、アルゴンガス＋
酸素ガスの混合ガスのプロセスでは、成膜速度は低下す
るが、化学量論比が最適な高温超電導に適合してくるた
め、ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅの状態で高温超電導体薄膜
を作成できる特徴がある。
第４図及び第５図は本発明の他の実施例を示している。
なお、前記実施例と同じ構成要素については同一符号を
使用する。
なお、前記実施例と同じ構成要素については同一符号を
使用する。
当該ターゲットの特徴は、その形状にあり、前記実施例
の場合のターゲットの形状が平板型であるのに対し、矩
形の立体形状をしている。このような形状のターゲット
は、第６図に示すように、カソード１８内に収納されて
おり、上記平板型のカソードに比べ、膜をデポジッショ
ンさせる方向に指向性がある。特に、プラズマ密度が高
くなることから、ｈｉｇｈ−ｒａｔｅで膜を作成できる
特徴がある。当該立体型ターゲットを用いた超電導体薄
膜の製造方法としても前記平板型ターゲットと同様な効
果が得られた。
の場合のターゲットの形状が平板型であるのに対し、矩
形の立体形状をしている。このような形状のターゲット
は、第６図に示すように、カソード１８内に収納されて
おり、上記平板型のカソードに比べ、膜をデポジッショ
ンさせる方向に指向性がある。特に、プラズマ密度が高
くなることから、ｈｉｇｈ−ｒａｔｅで膜を作成できる
特徴がある。当該立体型ターゲットを用いた超電導体薄
膜の製造方法としても前記平板型ターゲットと同様な効
果が得られた。
以上のように、本発明の超電導体薄膜作製装置による
と、従来の焼結体ターゲットを用いた同様の装置と比べ
て、超電導体薄膜の作成方法に選択の幅があり、かつ精
密に再現性良く作成できる特徴がある。
と、従来の焼結体ターゲットを用いた同様の装置と比べ
て、超電導体薄膜の作成方法に選択の幅があり、かつ精
密に再現性良く作成できる特徴がある。
なお、上記実施例において、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-y膜につ
いて述べたが、ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y膜（Ｌｕ＝Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）でも同様な結果を
得ることができ、更にこれらの膜にＮｂ、Ｓｒ、Ｃａ、
Ｓｃ等を加えた膜でも超電導体薄膜を得られた。特に、
ＳｒＢａＹＣｕ3Ｏｙ膜は、室温で超電導体薄膜が得ら
れた。
いて述べたが、ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y膜（Ｌｕ＝Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）でも同様な結果を
得ることができ、更にこれらの膜にＮｂ、Ｓｒ、Ｃａ、
Ｓｃ等を加えた膜でも超電導体薄膜を得られた。特に、
ＳｒＢａＹＣｕ3Ｏｙ膜は、室温で超電導体薄膜が得ら
れた。
また、カソード形状については、他に多角形などが考え
られ、円形、矩形に限定されるものではない。
られ、円形、矩形に限定されるものではない。
（発明の効果） 本発明の請求項（１）によれば、ターゲットの面積比を
変えて、酸素ガスを成膜中又は成膜後にドープすること
により、膜の組成及び膜中の酸素を容易に制御できると
ともに、成膜速度の向上した精密な超電導体薄膜を再現
性良く作製できる。
変えて、酸素ガスを成膜中又は成膜後にドープすること
により、膜の組成及び膜中の酸素を容易に制御できると
ともに、成膜速度の向上した精密な超電導体薄膜を再現
性良く作製できる。
請求項（２）によれば、所望の超電導体薄膜を精密に再
現性良く作成できる。
現性良く作成できる。
第１図は本発明に係る装置の概略図、第２図（ａ）は他
の実施例に係る金属ターゲットの平面図、同図（ｂ）は
実施例に係る金属ターゲットの側面図、第３図（ａ）は
第２実施例に係る金属ターゲットの平面図、同図（ｂ）
は第２実施例に係る金属ターゲットの側面図、第４図
（ａ）は第３実施例に係る金属ターゲットの平面図、同
図（ｂ）は第３実施例に係る金属ターゲットの側面図、
第５図は第４図に示した金属ターゲットをカソード内に
収容した状態を示したものである。 １……金属ターゲット、２……基板、３……基板ステー
ジ、５……ヒータ、１２……チャンバー、１５……Ｂａ
材、１６……Ｙ材、１７……Ｃｕ材。
の実施例に係る金属ターゲットの平面図、同図（ｂ）は
実施例に係る金属ターゲットの側面図、第３図（ａ）は
第２実施例に係る金属ターゲットの平面図、同図（ｂ）
は第２実施例に係る金属ターゲットの側面図、第４図
（ａ）は第３実施例に係る金属ターゲットの平面図、同
図（ｂ）は第３実施例に係る金属ターゲットの側面図、
第５図は第４図に示した金属ターゲットをカソード内に
収容した状態を示したものである。 １……金属ターゲット、２……基板、３……基板ステー
ジ、５……ヒータ、１２……チャンバー、１５……Ｂａ
材、１６……Ｙ材、１７……Ｃｕ材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 和男 東京都府中市四谷５―８―１ 日電アネル バ株式会社内 (72)発明者 金 京植 東京都府中市四谷５―８―１ 日電アネル バ株式会社内 審査官 板橋 一隆
Claims (2)
- 【請求項１】加熱可能な基板保持手段に固着した基板と
超電導薄膜作製用ターゲットとを真空に排気されたチャ
ンバー内に、互いに対向するように配置し、スパッタ法
により基板上に超電導薄膜を作製する超電導薄膜作製装
置において、上記ターゲットが少なくとも３種類の金属
材料を組み合わせて構成した金属ターゲットであること
を特徴とする超電導薄膜作製装置。 - 【請求項２】金属材料が、Ｂａ及び／又はＹ及び／又は
Ｃｕ及び／又はＮｂ及び／又はＳｒ及び／又はＬｎ及び
／又はＣａ及び／又はＳｃであることを特徴とする請求
項（１）記載の超電導薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63034721A JPH0621344B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 超電導薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63034721A JPH0621344B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 超電導薄膜作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212752A JPH01212752A (ja) | 1989-08-25 |
| JPH0621344B2 true JPH0621344B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12422191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63034721A Expired - Lifetime JPH0621344B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 超電導薄膜作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621344B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102591747B1 (ko) * | 2023-07-07 | 2023-10-23 | 주식회사 마루엘앤씨 | 선재 증착 장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL117657A0 (en) * | 1996-03-26 | 1996-07-23 | Technion Res & Dev Foundation | Ceramic target for thin film deposition |
| KR100466307B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP63034721A patent/JPH0621344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102591747B1 (ko) * | 2023-07-07 | 2023-10-23 | 주식회사 마루엘앤씨 | 선재 증착 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01212752A (ja) | 1989-08-25 |
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