JPH06213734A

JPH06213734A - 荷重検出装置

Info

Publication number: JPH06213734A
Application number: JP646193A
Authority: JP
Inventors: Yukito Onishi; 幸人大西; Yujiro Nagai; 祐二郎永井
Original assignee: Unisia Jecs Corp
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-01-19
Filing date: 1993-01-19
Publication date: 1994-08-05

Abstract

(57)【要約】【目的】温度による特性の変化や経時劣化を減少させ
て精度および信頼性を向上させ、製造を容易として生産
性を向上させ、出力感度を高めて検出精度を向上できる
荷重検出装置の提供。【構成】ホイートストンブリッジ回路において、対向
する一方の組の抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ を荷重入力に
より歪みが生じる起歪体６ａに対して焼成し、対向する
もう一方の組の抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ を起歪体６ａ
と並列に設けられていて荷重入力が伝達されない基盤体
６ｊに対して焼成し、各抵抗体厚膜６ｃをホイートスト
ンブリッジ回路を構成するように接続するための結線
を、起歪体６ａおよび基盤体６ｊに対してそれぞれ焼成
した導体厚膜６ｄで形成し、起歪体６ａに焼成される一
方の組の抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ の歪検出方向を荷重
検出方向とし、基盤体６ｊに焼成されるもう一方の組の
抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ の歪検出方向を荷重検出方向
と交差する方向とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、荷重を検出する荷重検
出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、荷重検出装置として、例えば、図
８に示しているようなものが知られている。この荷重検
出装置６１は、円筒状の起歪体６１ａと、この起歪体６
１ａの外周面に等間隔に貼着されている抵抗素子６１ｂ
と、この抵抗素子６１ｂをホイートストンブリッジ回路
を構成するように接続する結線６１ｃとで構成されてい
る。

【０００３】そして、この荷重検出装置６１は、荷重が
起歪体６１ａに加わると、起歪体６１ａが荷重に応じて
圧縮変形する。そして、これに伴って起歪体６１ａに貼
着されている抵抗素子６１ｂにも歪みが生じ、電気抵抗
値が変化する。すると、抵抗値の変化に応じてホイート
ストンブリッジ回路の出力電圧が変化するので、出力電
圧の変化分を検出することにより荷重が検出される。な
お、このような荷重検出装置として、特開昭６２−５０
６０１号公報に記載されているものが公知である。

【０００４】ところで、上述のような抵抗素子６１ｂが
温度の影響を受けて、ホイートストンブリッジ回路の零
点が変化することのないように（零点ドリフト＝０とな
るように）、無負荷時にホイートストンブリッジ回路の
出力電圧ｅ₀ が０となるべく各抵抗素子６１ｂの抵抗値
を設定することが好ましい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
荷重検出装置にあっては、抵抗素子を起歪体に貼着した
構造であったため、抵抗素子を貼着する接着材の温度に
よる特性の変化や経時劣化等で荷重を検出する精度や信
頼性が低下するという問題があるし、また、生産性が悪
いという問題がある。

【０００６】さらに、零点ドリフトが生じないように無
負荷時の出力電圧を０に設定しようとすると、各抵抗素
子の抵抗値をあらかじめ正確に測定する必要があり、こ
れによっても手間がかかって生産性が悪いという問題が
生じる。

【０００７】また、抵抗素子のゲージ率がせいぜい２程
度で出力電圧が小さいことから荷重入力に対する出力感
度が低く、このため、高い増幅率が必要となって検出精
度が悪くなるという問題がある。

【０００８】本発明は、上記の問題に着目してなされた
もので、温度による特性の変化や経時劣化を減少させて
精度および信頼性を向上させると共に、製造を容易とし
て生産性を向上することができ、かつ、出力感度を高め
て検出精度を向上させることができる荷重検出装置を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の荷重検出装置は、ホイートストンブリッジ回
路を構成するように接続されていてその歪み量に応じて
抵抗値が変化する４つの抵抗素子を抵抗体厚膜で形成
し、前記ホイートストンブリッジ回路において、対向す
る一方の組の抵抗体厚膜を荷重入力により歪みが生じる
起歪体に対して焼成し、対向するもう一方の組の抵抗体
厚膜を前記起歪体と並列に設けられていて荷重入力が伝
達されない基盤体に対して焼成し、前記各抵抗体厚膜を
ホイートストンブリッジ回路を構成するように接続する
ための結線を、前記起歪体および基盤体に対してそれぞ
れ焼成した導体厚膜で形成し、前記起歪体に焼成される
一方の組の抵抗体厚膜の歪検出方向を荷重検出方向と
し、基盤体に焼成されるもう一方の組の抵抗体厚膜の歪
検出方向を荷重検出方向と交差する方向とした手段とし
た。

【００１０】

【作用】本発明の荷重検出装置を製造する際には、起歪
体および基盤体の所定位置に抵抗体厚膜を焼成すると共
に、ホイートストンブリッジ回路を形成するようにこの
抵抗体厚膜を接続するようにして導体厚膜を焼成する。

【００１１】このようにして形成した抵抗体厚膜の無負
荷時の抵抗値は、例えば、トリミングによって任意に設
定することができる。また、各厚膜は焼成しているの
で、温度的に安定していると共に、経時変化も生じにく
い。

【００１２】また、抵抗体厚膜はその材質を適切に選択
することにより、一般の金属歪ゲージより高いゲージ率
をを得ることができ、それにより、荷重検出精度を向上
させることが可能となる。

【００１３】また、起歪体に対する荷重入力があると、
該起歪体に歪が発生し、該起歪体に焼成された歪検出方
向を荷重検出方向とする一方の組の抵抗体厚膜ではその
抵抗値が減少することでホイートストンブリッジ回路の
出力電圧を増加させる方向に作用するのに対し、歪検出
方向を荷重検出方向と交差する方向とするもう一方の組
の抵抗体厚膜では、そのゲージ率が高い（約2.6 以上）
場合には、荷重入力に対してその抵抗値が減少すること
でホイートストンブリッジ回路の出力電圧を減少させる
方向に作用してしまうことになる。

【００１４】ところが、この発明では、歪発生方向を荷
重検出方向とする一方の組の抵抗体厚膜は荷重入力が伝
達されない基盤体に焼成されていることから、抵抗値の
変化（減少）による出力電圧の減少を防止することがで
きる。

【００１５】したがって、歪検出方向を荷重検出方向と
する一方の組の抵抗体厚膜における大きな抵抗値変化
（減少）に基づいて大きな出力電圧を得ることができ、
これにより、荷重入力に対する高い出力感度が得られて
検出精度が向上する。

【００１６】

【実施例】本発明実施例の荷重検出装置を図面に基づい
て説明する。まず、構成を説明する。

【００１７】図２は本発明実施例の荷重検出装置が適用
されているサスペンションのアッパマウント部を示す断
面図で、図中、１はアッパマウントで、その外側シェル
１ａは車体２に支持されている。また、アッパマウント
１の内側シェル１ｂの底部には、ストラットＳＴのスト
ラットロッド３の上端に設けたねじ部３ａが、下方から
挿通され、このねじ部３ａの挿通端側にスペーサ４を介
しナット５を螺合して締め付けることにより、ストラッ
トロッド３をアッパマウント１にマウントしている。ま
た、前記内側シェル１ｂの底部と、これに対向するスト
ラットロッド３の端部３ｂとの間には、サスペンション
にかかる荷重を検出する荷重検出装置６が介在され、こ
の荷重検出装置６は、前記ナット５により締め付けられ
ている。なお、図中７は、バンパラバーであり、また、
８はサスペンションスプリングであり、９はバンパラバ
ー７およびサスペンションスプリング８の上端が係合す
る受部材である。

【００１８】次に、前記荷重検出装置６は、図１の断面
図に示すように、起歪体６ａと、基盤体６ｊと、回路部
６ｋと、ケーシング６ｍとを有している。そして、前記
ケーシング６ｍは、環状底板部６ｐと円筒状周壁部６ｒ
とで断面Ｌ字型の環状に形成されている。

【００１９】前記起歪体６ａは図３の斜視図および図４
の展開図に示すように円筒状に形成されると共に、その
外周面には絶縁厚膜６ｂが形成され、さらに該絶縁厚膜
６ｂの上面には、その歪検出方向を荷重検出方向とする
２つの軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ が直
径方向に対向する状態で形成されている。そして、この
起歪体６ａは、図１に示すように、その下端面をケーシ
ング６ｍにおける環状底板部６ｐの内側上面に当接させ
た状態で設けられている。

【００２０】前記基盤体６ｊは図５の斜視図および図６
の展開図に示すように、前記起歪体６ａの外径より大径
の内径を有すると共に、起歪体６ａよりは軸方向に短い
円筒状に形成されると共に、その外周面には絶縁厚膜６
ｂが形成され、さらに該絶縁厚膜６ｂの上面には、その
歪検出方向を荷重検出方向と直交する方向とする２つの
周方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ が直径方向
に対向する状態で形成されている。そして、この基盤体
６ｊは、起歪体６ａの外周側に並列状態で装着され、そ
の下端面をケーシング６ｍにおける環状底板部６ｐの上
面に当接させた状態で設けられている。

【００２１】図１に戻り、前記回路部６ｋは、ホイート
ストンブリッジ回路および増幅回路を構成する電子部品
を組み込んだプリント基盤６ｎを有している。そして、
このプリント基盤６ｎは、その内周側を前記基盤体６ｊ
の上面側に当接固定する状態で設けられると共に、この
プリント基盤６ｎと基盤体６ｊとは、起歪体６ａとケー
シング６ｍとの間に形成される中空部内に充填された絶
縁材料６ｓ内に埋設された状態で設けられている。

【００２２】また、前記起歪体６ａおよび基盤体６ｊに
は、前記各抵抗体厚膜６ｃ（６ｃ₁，６ｃ₂ ，６ｃ₃ ，
６ｃ₄ ）を、図７に示すようなホイートストンブリッジ
回路を形成するように接続するための導体厚膜６ｄがそ
れぞれ形成されている。すなわち、２つの軸方向（縦方
向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ 同士、および、２つの周
方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ 同士がそれぞ
れ対向するような結線状態となっている。また、前記各
導体厚膜６ｄの先端部には、図４および図５に示すよう
に端子６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈが形成されていて、両端
子６ｅ，６ｇ間に電源Ｅが接続され、かつ、両端子６
ｆ，６ｈが出力電圧ｅ₀ を取り出す出力端子として、増
幅回路に接続されている。

【００２３】そして、この起歪体６ａの外周面におい
て、各抵抗体厚膜６ｃ，導体厚膜６ｄおよび各端子６
ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈ以外の部分には、絶縁厚膜６ｂが
形成されている。なお、各厚膜６ｂ，６ｃ，６ｄおよび
各端子各端子６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈは、無機質材料を
素材として焼成により形成されている。また、各抵抗体
厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₂ ，６ｃ₃ ，６ｃ₄ の抵抗値は、それ
ぞれＲ₁ ，Ｒ₂ ，Ｒ₃ ，Ｒ₄ とする。

【００２４】そして、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ
₁ ，６ｃ₃ は特にゲージ率K_fv の大きな（ 7〜10）材質
で形成される一方、周方向（横方向）抵抗体６ｃ₂ ，６
ｃ₄についてもゲージ率K_fh₀が2.6 以上の材質で形成さ
れている。

【００２５】前記荷重検出装置６は、内側シェル１ｂの
底部と、これに対向するストラットロッド３の端部３ｂ
との間に、起歪体６ａ部分のみが挟持されていて、該起
歪体６ａ部分に荷重が入力される一方で、その他の部
分、特に、周方向（横方向）抵抗体６ｃ₂ ，６ｃ₄ が設
けられる基盤体６ｊに対しては荷重入力が伝達されない
ような構造となっている。

【００２６】すなわち、各周方向（横方向）抵抗体厚膜
６ｃ₂ ，６ｃ₄ 対する荷重入力の伝達を回避することに
より、その抵抗値Ｒ₂ ，Ｒ₄ が変化（減少）するのを防
止するような構造となっている。

【００２７】次に、作用を説明する。

【００２８】本実施例の荷重検出装置６を製造する手順
について説明すると、まず、円筒形状の起歪体６ａおよ
び基盤体６ｊの外周面に絶縁厚膜６ｂを焼成する。次
に、各導体厚膜６ｄを焼成する。最後に、各抵抗体厚膜
６ｃを所定の位置に焼成する。なお、焼成に際し、起歪
体６ａに印刷するが、起歪体６ａおよび基盤体６ｊは円
筒形状であるので、例えば、特開平２−１５１７０１号
公報に記載されているような吹き付けによる印刷を行
う。ちなみに、起歪体または基盤体が平面形状である場
合や、印刷の後に円筒形に加工するような場合には、こ
の印刷に際して、例えば、特公昭５５−５２９２４号公
報に記載されているようなスクリーン印刷を用いること
ができる。

【００２９】ところで、荷重検出装置６にあっては、温
度変化等により無負荷時の出力電圧ｅ₀ が変化すること
のないように（零点ドリフトが生じないように）、無負
荷時の出力電圧が０となるように設定するのが好まし
い。この場合、各抵抗体厚膜６ｃの抵抗値がＲ₁ ＝Ｒ
₄ ，Ｒ₂ ＝Ｒ₃ となるように設定するもので、各抵抗体
厚膜６ｃの抵抗値が焼成時に、Ｒ₁ ＝Ｒ₄ ，Ｒ₂ ＝Ｒ₃
でない場合には、所定の抵抗体厚膜６ｃに対し、レーザ
加工等によりスリットや溝を設けることで抵抗値を補正
して、上記抵抗値となるようにする。このように、後加
工により簡単に抵抗値を補正できるから、製造の手間が
かからない。

【００３０】また、図４に示しているホイートストンブ
リッジ回路の出力電圧ｅ_O は次式で求めることができ
る。

【００３１】

【式１】すなわち、起歪体６ａの軸方向に圧縮荷重がかかると、
起歪体６ａに荷重に比例した歪が発生し、また、その歪
により、両抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ の抵抗値Ｒ₁ ，Ｒ
₃ が変化するので、荷重に比例した出力電圧ｅ_O が得ら
れる。

【００３２】そして、この時、軸方向（縦方向）抵抗体
厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ では圧縮荷重が作用した時にその抵
抗値Ｒ₁ ，Ｒ₃ が小さくなるように変化し、周方向（横
方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ では圧縮荷重が作用し
た時にその抵抗値Ｒ₂ ，Ｒ₄が大きくなるように変化す
れば、出力電圧ｅ_O としては大きな値が得られることに
なる。なお、圧縮荷重が作用した時の起歪体６ａの歪
による、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ の
ゲージ率K_fv は、次式（２）で求められ、また、周方向
（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ の荷重検出方向
（軸方向）におけるゲージ率K_fh₀は、次式（３）で求め
ることができる。

【００３３】

【式２】

【００３４】

【式３】なお、上記式において、νはポアソン比，ε_v は軸方向
（縦方向）歪，ρは比抵抗を示す。

【００３５】また、前記式（３）は、次式（４）に変形
することができる。

【００３６】 K_fh ＝K_fh₀−２（１＋ν）・・・・・・・・（４）なお、上記式において、K_fh₀は、周方向（横方向）抵抗
体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ における本来の歪検出方向のゲー
ジ率を示す。

【００３７】従って、縦方向抵抗厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ の
抵抗値変化量dRv は、次式（５）で求められ、また、周
方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ の抵抗値変化
量dRh は、次式（６）で求めることができる。

【００３８】 dRv ＝K_fv ・Ｒv ・ε_v ・・・・・・・・（５） dRh ＝K_fh ・Ｒh ・ε_v ＝｛K_fh₀−２（１＋ν）｝Ｒh ・ε_v ・・・・・・・・（６）なお、上記式において、Ｒv は、縦方向抵抗厚膜の初期
抵抗値、Ｒh は、周方向（横方向）抵抗体の初期抵抗値
を示す。

【００３９】上記式（６）によると、圧縮荷重が作用し
た場合、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ で
はその抵抗値が初期の値より減少し、また、周方向（横
方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ の抵抗値については、
その抵抗値の増減がゲージ率K_fh₀に依存することがわか
る。すなわち、ポアソン比νはおおむね0.3 であるか
ら、この値を前記式（６）に当てはめると、次式（７）
のようになる。

【００４０】 dRh ＝｛K_fh₀−２（１＋0.3 ）｝Ｒh ・ε_v ＝｛K_fh₀−2.6 ｝Ｒh ・ε_v ・・・・・・・・（７）上記式（７）により、周方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ
₂ ，６ｃ₄ の抵抗値Ｒ₂ ，Ｒ₄ は、ゲージ率K_fh₀が2.6
以下の時は、圧縮荷重を受けることによって、初期値よ
り増加し、ゲージ率K_fh₀が2.6 以上の時は、圧縮荷重を
受けることによって、初期値より減少することになる。

【００４１】したがって、この実施例では、前述したよ
うに、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ のゲ
ージ率K_fv を 7〜10に設定すると共に、周方向（横方
向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ のゲージ率K_fh₀も2.6 以
上の値に設定しているため、起歪体６ａに対する荷重入
力があると、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ
₃ ではその抵抗値Ｒ₁ ，Ｒ₃ が減少する方向に変化する
ことでホイートストンブリッジ回路の出力電圧ｅ₀ を増
加させる方向に作用するのに対し、周方向（横方向）抵
抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ ではその抵抗値Ｒ₂ ，Ｒ₄ が減
少する方向に変化することで出力電圧ｅ₀ を減少させる
方向に作用してしまうことになる。

【００４２】ところが、この実施例では、上述のよう
に、周方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ₄ が設け
られる基盤体６ｊ部分には荷重入力が伝達されない構造
であるため、その抵抗値Ｒ₂ ，Ｒ₄ の変動はない。

【００４３】したがって、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜
６ｃ₁ ，６ｃ₃ における抵抗値Ｒ₁，Ｒ₃ の大きな変化
（減少）に基づいてホイートストンブリッジ回路の出力
として大きな電圧ｅ₀ を得ることができ、これにより、
荷重入力に対する高い出力感度が得られて検出精度を向
上させることができるようになる。

【００４４】以上説明してきたように、実施例の荷重検
出装置６にあっては、無機質材料を素材として素材印刷
および焼成により絶縁体厚膜６ｂ，抵抗体厚膜６ｃ，導
体厚膜６ｄおよび各端子６ｅ〜６ｈを形成しているた
め、これらの起歪体６ａに対する付着は温度的に非常に
安定しており、温度による特性変化が生じにくいし、経
時劣化においても高い信頼性を有する。また、従来のよ
うに抵抗体を貼着してホイートストンブリッジ回路を形
成するのに比べ、印刷および焼成は、生産性が格段に高
い。

【００４５】また、ホイートストンブリッジ回路を形成
するにあたり、各抵抗体厚膜６ｃの抵抗値を所定の抵抗
値に設定するにあたり、従来は、その抵抗値の抵抗体を
１つ１つ選択していたのに対し、本実施例のものは、焼
成時点では設定した抵抗値でなくても簡単な加工で補正
することができるもので、これによっても生産性が向上
する。

【００４６】さらに、抵抗体厚膜６ｃによれば、その材
質を適切に選定することによって一般の金属歪ゲージ率
より高いゲージ率を得ることができるもので、これによ
り、荷重入力に対する出力感度を高めることができると
共に、荷重入力により出力電圧ｅ₀ を減少させる方向に
作用する周方向（横方向）抵抗体厚膜６ｃ₂ ，６ｃ
₄を、荷重入力のない基盤体６ｊに形成した構成とする
ことで、その抵抗値変化（減少）を防止し、これによ
り、軸方向（縦方向）抵抗体厚膜６ｃ₁ ，６ｃ₃ におけ
る大きな抵抗値変化（減少）に基づいて、大きな出力電
圧ｅ₀ を得ることができてさらに出力感度が高くなり、
すなわち、検出精度を高めることができるようになると
いう特徴を有している。

【００４７】以上、実施例を図面に基づいて説明してき
たが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっ
ても本発明に含まれる。

【００４８】例えば、実施例では、周方向（横方向）抵
抗体厚膜のゲージ率を2.6 以上の材質で形成した場合を
示したが、ゲージ率が2.6 以下の材質で形成することも
できる。

【００４９】また、実施例では、起歪体および基盤体を
円筒状に形成したが、その形状は任意である。

【００５０】また、実施例では、回路部を一体に組み込
んだ構成としたが、別体に設けるようにしてもよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の荷重
検出装置にあっては、抵抗素子および結線を起歪体に焼
成した抵抗体厚膜および導体厚膜で形成した手段とした
ため、抵抗素子を起歪体１つ１つ貼り付けるのに比べ
て、生産性が格段に向上するという効果，各厚膜と起歪
体との付着が温度的に安定していて、温度で特性が変化
しにくいし経時変化も生じにくく、高い信頼性が得られ
るという効果，抵抗体厚膜は、トリミングにより抵抗値
を任意に設定することができるから、零点の設定も容易
となるという効果が同時に得られる。

【００５２】また、抵抗体厚膜の材質を適切に選定する
ことにより一般の金属歪ゲージより高いゲージ率を得る
ことができ、それにより検出精度を向上させることも可
能となる。

【００５３】加えて、ホイートストンブリッジ回路にお
いて、対向する一方の組の抵抗体厚膜を荷重入力により
歪みが生じる起歪体に対して焼成し、対向するもう一方
の組の抵抗体厚膜を前記起歪体と並列に設けられていて
荷重入力が伝達されない基盤体に対して焼成した構成と
したことで、抵抗値の変化（減少）による出力電圧の減
少を防止することができ、したがって、歪検出方向を荷
重検出方向とする一方の組の抵抗体厚膜における大きな
抵抗値変化（減少）に基づいて大きな出力電圧を得るこ
とができ、これにより、荷重入力に対する高い出力感度
が得られて検出精度を向上させることができるようにな
るという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の荷重検出装置を示す要部拡大断
面図である。

【図２】実施例装置が適用されているサスペンションの
アッパマウント部を示す断面図である。

【図３】荷重検出装置を構成する起歪体を示す斜視図で
ある。

【図４】起歪体を示す外周面の展開図である。

【図５】荷重検出装置を構成する基盤体を示す斜視図で
ある。

【図６】基盤体を示す外周面の展開図である。

【図７】ホイートストンブリッジ回路を示す回路図であ
る。

【図８】従来の荷重検出装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

６荷重検出装置６ａ起歪体６ｃ抵抗体厚膜６ｄ導体厚膜６ｊ基盤体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ホイートストンブリッジ回路を構成する
ように接続されていてその歪み量に応じて抵抗値が変化
する４つの抵抗素子を抵抗体厚膜で形成し、前記ホイートストンブリッジ回路において、対向する一
方の組の抵抗体厚膜を荷重入力により歪みが生じる起歪
体に対して焼成し、対向するもう一方の組の抵抗体厚膜
を前記起歪体と並列に設けられていて荷重入力が伝達さ
れない基盤体に対して焼成し、前記各抵抗体厚膜をホイートストンブリッジ回路を構成
するように接続するための結線を、前記起歪体および基
盤体に対してそれぞれ焼成した導体厚膜で形成し、前記起歪体に焼成される一方の組の抵抗体厚膜の歪検出
方向を荷重検出方向とし、基盤体に焼成されるもう一方
の組の抵抗体厚膜の歪検出方向を荷重検出方向と交差す
る方向としたことを特徴とする荷重検出装置。