JPH06214255A - 配線材料および液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

配線材料および液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

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JPH06214255A
JPH06214255A JP590093A JP590093A JPH06214255A JP H06214255 A JPH06214255 A JP H06214255A JP 590093 A JP590093 A JP 590093A JP 590093 A JP590093 A JP 590093A JP H06214255 A JPH06214255 A JP H06214255A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 大型化／高精細化に適し、高い歩留まりを実
現でき、簡略な工程で製造できる液晶表示装置用の薄膜
半導体装置を提供する。 【構成】 走査信号電極をＴａ電極１０と主表面が（２
２０)面に配向したＡｌ電極１１との積層膜で構成す
る。積層膜の表面／側面に陽極酸化膜２０，２１を形成
し、外部接続端子部は、陽極酸化膜２０，２１をマスク
とし上層のＡｌ電極１１をエッチング除去し、Ｔａ電極
１０のみを露出させて形成する。a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とゲ
ートＳｉＮ膜２２とを同一のパターンに加工する。 【効果】 表面のヒロックを抑制してショート不良を低
減できる。耐腐食性の高い外部接続端子を実現できる。
上記構造を１回のホト工程で形成でき、製造工程が簡略
化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器等の画像情報
／文字情報の表示装置として用いられる薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
およびその配線材料ならびに液晶表示装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス等の絶縁基板上にＴＦＴをマトリ
クス状に形成しこれをスイッチング素子として用いるア
クティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質のフラ
ットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００３】現在、ＴＦＴアクティブマトリクス型ディ
スプレイにおいては、解決すべき課題がいくつかある。
第１の課題は、製造歩留まりの向上である。特に走査信
号配線と映像信号配線との間のショート不良が最大の不
良原因であり、この不良の低減が課題となっている。第
２の課題は、製造工程数の低減である。特にホトリソグ
ラフィ工程数の削減が強く求められている。第３の課題
は、画面の高精細化／大型化に対応できる低抵抗の走査
信号配線の形成技術である。第４の課題は、信頼性の確
保である。具体的には、画像品質の信頼性とともに配線
の外部接続端子の腐食等に対する信頼性の確保が、課題
としてあげられる。
【０００４】以上の課題に対して、従来から種々の提案
がなされている。第１の製造歩留まり向上の課題につい
ては、例えば特開昭６１−１３３６６２号が、ＴＦＴの
ゲート絶縁膜をゲート電極の陽極酸化膜とＳｉＮ膜との
２層構造とし、ゲート絶縁膜のピンホール等による配線
間ショートを防止する技術を開示している（第１の従来
技術）。
【０００５】第２のホトリソグラフィ工程数削減の課題
については、数多くの提案がなされている。例えば特開
昭６３−９９７７号は、走査配線を透明電極と金属膜の
２層構造とし、走査配線の透明電極により画素電極を構
成する構造を開示している。この方式では、走査信号配
線と画素電極とを１回のパターニングで形成できるの
で、ホトリソグラフィ工程を削減可能である（第２の従
来技術）。
【０００６】また、特開昭６２−３２６５１号は、１枚
のホトマスクを用いてＴＦＴを構成するゲート絶縁膜と
半導体膜とを同一パターンに加工することにより、ホト
リソグラフィ工程数を削減する方法を開示している（第
３の従来技術）。
【０００７】第３の低抵抗の走査信号配線の形成技術の
課題に対しては、例えば特開平２−８５８２６号が、Ａ
ｌを走査配線とし、Ａｌ2Ｏ3膜をゲート絶縁膜および層
間絶縁膜として用いる例を開示している。低抵抗のＡｌ
を走査配線として用いると、高精細化／大画面化により
走査配線の負荷が増大しても、走査信号の遅延を実用上
問題無いレベルに押さえることができる（第４の従来技
術）。
【０００８】さらに、特開昭６４−３５４２１号は、Ａ
ｌとＡｌ上に形成したＴａを走査配線に用い、このＡｌ
とＴａの陽極酸化膜をゲート絶縁膜および層間絶縁膜と
して使用し、走査配線を低抵抗化し、層間ショート不良
を低減し、併せて工程を削減する方法を開示している
（第５の従来技術）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴアクティブマト
リクス型液晶表示装置を本格的に普及させるには、上記
すべての課題を同時に解決し、高画質／低コスト／高信
頼性を実現する必要がある。しかし、上記従来技術は、
狙いとする各々の課題についてそれなりの効果をあげて
いるが、各々の要素技術は互いにトレードオフの関係と
なるものが多く、上記すべての課題を同時に満足するこ
とはできない。また、上記の個々の技術を単に組合せた
だけでは、新たな問題が発生し所望の効果が得られな
い。その事情を説明する。
【００１０】例えば、第１の従来技術と第２の従来技術
とを組み合わせると、走査信号配線金属を透明電極の上
で陽極酸化する必要がある。透明導電膜上で金属を陽極
酸化すると、材料の標準電位の違いから電池反応により
金属膜が溶失してしまう問題がある。また、陽極酸化時
に選択酸化のためのレジストマスクを形成するには、新
たにホトマスクが必要となるので、第２の課題である工
程数の削減を達成することはできない。
【００１１】また、第２の従来技術では、活性層である
半導体膜がゲート電極の外にはみ出す構造となるので、
表示装置を構成したときにバックライトや外光がゲート
電極の外にはみだした半導体膜に当たり、半導体膜の光
電流によりＴＦＴのリーク電流が増加して画質が低下す
る。この画質低下を防止するには、半導体膜を薄膜化す
ることが有効である。しかし、良く知られているよう
に、プロセス上の制約から従来の逆スタガ型のＴＦＴで
半導体膜を薄膜化するには、ＴＦＴのチャネル部を保護
するチャネル保護膜を形成するためのホトマスクを１枚
増やさなければならない。この問題については、例え
ば、『フラットパネルディスプレイ '９１』（日経ＢＰ
社１９９０）８８頁〜９６頁に述べられている。
【００１２】したがって、第２の従来技術では、半導体
膜とゲート絶縁膜とのマスクを統合して１枚ホトマスク
を削減できるものの、実用に耐えうる画質を保証するに
は、半導体膜を薄膜化することが必要であり、チャネル
保護膜を形成するためにホトマスクを１枚増やさなけれ
ばならず、結果的にはホトマスク削減による工程簡略化
は達成できない。
【００１３】第３の従来技術と第４の従来技術とを組み
合わせると、走査信号配線は透明電極と低抵抗配線であ
るＡｌ電極との２層構造となる。この場合、走査信号配
線の外部接続端子部分にはＡｌ電極をそのまま用いるか
または上層のＡｌを選択除去して、透明電極を外部接続
端子として用いることになる。
【００１４】配線の外部接続端子部分は、液晶封入等の
後工程以後も種々の溶剤等に曝されるので、Ａｌのよう
に活性な金属を用いると、腐食されるという問題があ
る。また、透明電極を端子部分に用いた場合、金属酸化
物である透明電極と配線金属のＡｌの接合においては、
Ａｌが透明電極中の酸素により酸化されて界面に絶縁膜
を形成するため、コンタクトの信頼性が極めて低いとい
う問題がある。
【００１５】第５の従来技術においては、Ａｌの上にＴ
ａが形成されるので、コンタクトの問題は無いが、端子
の側面にはＡｌがやはり露出するため、腐食が発生しや
すい問題がある。
【００１６】以上のような問題から、走査信号配線にＡ
ｌを用いる場合、端子部分の透明電極とのコンタクトを
良好に保つため、バリアメタルを間に挿入することがよ
く行われている。しかし、バリアメタルを加工するため
に新たなホトマスクが必要となる。したがって、第２の
課題である工程数の削減を達成することはできない。
【００１７】さらに、一般に、ＴＦＴのゲート絶縁膜お
よび半導体膜は、プラズマ気相成長法（ＰＣＶＤ）によ
り３００℃程度の温度で形成される。走査信号配線にＡ
ｌを用いると、ＰＣＶＤ工程での熱履歴によりヒロック
と呼ばれる表面の凹凸が多数成長する。このような凹凸
には電界が集中し、走査信号配線と映像信号配線間の絶
縁耐圧を極端に低下させる。したがって、走査信号配線
に低抵抗のＡｌを用いると、第１の課題である製造歩留
まりの向上を達成することが難しくなる。
【００１８】以上述べたように、従来の技術の単なる組
合せでは、上記の複数の課題を同時にすべて解決するこ
とはできない。
【００１９】本発明の目的は、最小限のホトマスク数で
高い信頼性と良好な画質とを有ししかも低コストで製造
できる液晶表示装置の配線材料およびこれを用いた液晶
表示装置ならびに液晶表示装置の製造方法を提供するこ
とである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
(１) 本発明は、上記目的を達成するために、（２２
０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と
（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶
粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ膜またはＡｌを
主成分とする合金膜を含む配線材料を提案するものであ
る。
【００２１】(２) 本発明は、また、上記目的を達成す
るために、（２２０）面が膜表面に平行になるように配
向した結晶粒と（１１１）面が膜表面に平行になるよう
に配向した結晶粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ
膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料を提
案するものである。
【００２２】(３) 本発明は、換言すれば、上記目的を
達成するために、含有量が最も多い第１の配向方向を有
する結晶粒の体積に対する含有量が２番目に多い第２の
配向方向を有する結晶粒の体積の割合が、ほぼ０．５以
上である配線材料を提案するものである。
【００２３】(４) 本発明は、上記目的を達成するため
に、具体的には、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなり第１の
導電膜上に形成される第２の導電膜とにより構成された
積層型配線材料を提案するものである。
【００２４】(５) (４)の積層型配線材料の場合、Ａｌ
膜またはＡｌを主成分とする合金膜に含まれる（２２
０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と
（２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶
粒の体積比は、０．５以上とすることが望ましい。
【００２５】(６) 本発明は、さらに、上記目的を達成
するために、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を
駆動する液晶表示装置において、走査信号電極と映像信
号電極の少なくとも一方が、（２２０）面が膜表面に平
行になるように配向した結晶粒と（２００）面が膜表面
に平行になるように配向した結晶粒との体積比が、０．
５以上であるＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を
含む配線材料で形成されている液晶表示装置を提案する
ものである。
【００２６】(７) 本発明は、上記目的を達成するため
に、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信号
電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査
信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜
トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電
極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動する
液晶表示装置において、走査信号電極と映像信号電極の
少なくとも一方が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−
Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−
Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔ
ａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電
膜と、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなり第１
の導電膜上に形成される第２の導電膜とにより構成され
た積層型配線材料で形成されている液晶表示装置を提案
するものである。
【００２７】(８) (７)の液晶表示装置の場合には、Ａ
ｌまたはＡｌを主成分とする合金に含まれる（２２０）
面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２０
０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒との
体積比は、０．５以上とする。
【００２８】(９) 本発明は、さらに、上記目的を達成
するために、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を
駆動する液晶表示装置において、走査信号電極が、少な
くともＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含む２
種以上の導電膜の積層膜であり、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，
Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ
−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からな
る導電膜をＡｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜の上
層および下層に配置した液晶表示装置を提案するもので
ある。
【００２９】(１０) 上記(６)ないし(９)のいずれかの
液晶表示装置において、Ａｌ膜またはＡｌを主成分とす
る合金膜の表面および側面に、Ａｌを母材とする被覆絶
縁膜を形成できる。
【００３０】(１１) また、上記(６)ないし(９)のいず
れかの液晶表示装置において、Ａｌ膜またはＡｌを主成
分とする合金膜は、走査信号電極の一端部から０．１cm
以上離れた位置にのみ存在させることが可能である。
【００３１】(１２) さらに、上記(６)ないし(１１)の
いずれかの液晶表示装置において、走査信号電極と映像
信号電極の少なくとも一方を構成する膜は、薄膜トラン
ジスタのゲート電極と兼用してもよい。
【００３２】(１３) Ａｌを母材とする絶縁膜は、具体
的には、Ａｌの酸化膜または窒化膜である。
【００３３】(１４) 本発明は、上記目的を達成するた
めに、絶縁基板上に形成した走査信号電極と、走査信号
電極に交差するように形成された映像信号電極と、走査
信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄膜
トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電
極とからなるアクティブマトリクス基板と、アクティブ
マトリクス基板に接続された外部駆動回路とを有し、薄
膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置にお
いて、外部駆動回路と映像信号電極または走査信号電極
との接続端子が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
と、第１の導電膜上に形成された金属酸化物からなる透
明導電膜とにより構成された液晶表示装置を提案するも
のである。
【００３４】(１５) 上記(１)ないし(５)のいずれの配
線からなる走査信号電極と、走査信号電極上に形成され
た薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上
に形成された半導体膜と、走査信号電極に交差するよう
に形成された映像信号電極と、薄膜トランジスタに接続
された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液
晶を駆動する液晶表示装置において、半導体膜と当該半
導体膜に接するゲート絶縁膜とは、同一の平面形状とす
ることができる。
【００３５】(１６) (１５)に記載の液晶表示装置の場
合、半導体膜および当該半導体膜に接するゲート絶縁膜
が、映像信号電極の下層に当該映像信号電極よりも幅広
のパターンで延在させることも可能である。
【００３６】(１７) (１５)または(１６)の液晶表示装
置においては、半導体膜のうち、ソース，ドレインの金
属電極と接触する領域にはｎ型またはｐ型のいずれかの
不純物の一方のみを導入し、チャネル部にはｎ型および
ｐ型の両方の不純物を導入するようにしてもよい。
【００３７】(１８) (１５)ないし(１７)のいずれかの
液晶表示装置において、半導体膜は、膜厚が６０ｎｍ以
下の水素化非晶質Ｓｉ，水素化非晶質ＳｉＧｅ，水素化
非晶質Ｇｅのいずれかである。
【００３８】(１９) この場合、ｎ型およびｐ型不純物
の濃度が、半導体膜の表面において１０21cm~3以上であ
り、半導体膜とゲート絶縁膜の界面で１０19cm~3以下と
することが望ましい。
【００３９】(２０) (１５)ないし(１９)のいずれかの
液晶表示装置において、画素電極は、半導体膜およびゲ
ート絶縁膜の下層に配置することができる。
【００４０】(２１) また、半導体膜およびゲート絶縁
膜は、画素電極のパターンの外周部のみを被覆すること
が可能である。
【００４１】(２２) 本発明は、また、上記目的を達成
するために、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を
駆動する液晶表示装置の製造方法において、 ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを真空中で順
次連続して積層し、所定のパターンに加工して走査信号
電極と映像信号電極の少なくとも一方を形成する工程 ｂ．走査信号電極の一部を被覆する絶縁膜を形成する工
程 ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極を構成する導電
膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除
去する工程を含む液晶表示装置の製造方法を提案するも
のである。
【００４２】(２３) (２２)の液晶表示装置の製造方法
において、絶縁膜は、陽極酸化法，プラズマ酸化法，プ
ラズマ窒化法のいずれかにより形成する。
【００４３】(２４) また、絶縁膜は、プラズマＣＶＤ
法またはスパッタリング法により形成してもよい。
【００４４】(２５) さらに、絶縁膜をマスクとして走
査信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主
成分とする合金膜のみを除去する工程が、ハロゲン化水
素ガスを含む混合ガスを用いたイオンエッチング法とす
る。
【００４５】(２６) 第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを
主成分とする合金膜とは、真空を保持したまま連続して
形成できる。
【００４６】(２７) 本発明は、さらに、上記目的を達
成するために、絶縁基板上に形成された走査信号電極
と、走査信号電極に交差するように形成された映像信号
電極と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形
成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続
された画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液
晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、 ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
を形成し、 第１の導電膜表面の清浄性を保った状態
でその上にＡｌまたはＡｌを主成分 とする合金膜を
積層し、所定のパターンに加工して走査信号電極または
映像 信号電極を形成する工程 ｂ．走査信号電極または映像信号電極の一部を被覆する
絶縁膜を形成する工程 ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極または映像信号
電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分と
する合金膜のみを除去する工程を含む液晶表示装置の製
造方法を提案するものである。
【００４７】(２８) 本発明は、また、上記目的を達成
するために、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、走査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を
駆動する液晶表示装置の製造方法において、 ａ．絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
を形成する工程 ｂ．第１の導電膜の表面層の一部を除去する工程 ｃ．表面層の一部を除去した第１の導電膜の上にＡｌま
たはＡｌを主成分とする合金膜を積層する工程 ｄ．積層膜を所定のパターンに加工して走査信号電極ま
たは映像信号電極を形成する工程 ｅ．走査信号電極または映像信号電極の一部を被覆する
絶縁膜を形成する工程 ｆ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極または映像信号
電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分と
する合金膜のみを除去する工程を含む液晶表示装置の製
造方法を提案するものである。
【００４８】(２９) 本発明は、上記目的を達成するた
めに、絶縁基板上に形成された走査信号電極と、走査信
号電極に交差するように形成された映像信号電極と、走
査信号電極と映像信号電極の交差点付近に形成された薄
膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素
電極とからなり、薄膜トランジスタにより液晶を駆動す
る液晶表示装置の製造方法において、 ａ．絶縁基板上に第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成
分とする合金膜を真空中で順次連続して積層し、所定の
パターンに加工して走査信号電極を形成する工程 ｂ．走査信号電極の一部の表面および側面に各々の導電
膜を構成する材料を母材とする絶縁膜を形成する工程 ｃ．絶縁膜をマスクとして走査信号電極を構成する導電
膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみを除
去する工程 ｄ．基板全面に透明電極膜を形成し所定の形状に加工し
て画素電極を形成する工程 ｅ．基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜を形成する工程 ｆ．半導体膜に５keV以下のエネルギーでリンを含むイ
オンビームを照射して半導体膜中にリンを導入する工程 ｇ．ゲート絶縁膜、半導体膜を同一パターンに加工する
工程 ｈ．導電膜を堆積して所定のパターンに加工し映像信号
電極およびソース電極を形成する工程 ｉ．映像信号電極およびソース電極のパターンをマスク
として半導体膜に５keV以下のエネルギーでボロンを含
むイオンビームを照射して半導体膜中にボロンを導入す
る工程を含む液晶表示装置の製造方法を提案するもので
ある。
【００４９】(３０) 本発明は、上記(６)ないし(２１)
のいずれかの液晶表示装置または上記(２２)ないし(２
９)のいずれかの製造方法により製造した液晶示装置を
表示手段として備えた情報処理装置、例えば、ワークス
テーション，パーソナルコンピュータ等を提案するもの
である。
【００５０】
【作用】(１)(２)(３)のように、含有量が最も多い第１
の配向方向を有する結晶粒の体積に対する含有量が２番
目に多い第２の配向方向を有する結晶粒の体積の割合が
ほぼ０．５以上であるＡｌ膜またはＡｌを主成分とする
合金膜を含む配線材料とすると、Ａｌ表面のヒロックの
発生を抑制できる。したがって、表示装置等を構成した
ときに配線間のショートを低減できる。このような現象
はこれまで知られていないことであり、発明者等の実験
により、初めて明らかとなった。
【００５１】より、具体的には、(４)(５)(６)(８)のよ
うに、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ
−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔ
ａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｗ−Ｔａ−Ｎ合
金のうち１つの金属からなる第１の導電膜と、第１の導
電膜上に形成されたＡｌまたはＡｌを主成分とする合金
からなる第２の導電膜とにより積層型配線を構成し、Ａ
ｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜中の（２２０）面
が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と（２０
０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒の体
積比を０．５以上とすると、Ａｌ表面のヒロックの発生
を抑制できる。したがって、表示装置等を構成したとき
に配線間のショートを低減できる。
【００５２】(７)のように、積層型配線を液晶表示装置
の走査信号電極に用いると、走査信号電極と映像信号電
極との間の層間絶縁耐圧が上がる。その結果、ショート
不良を低減するとともに走査信号電極を低抵抗化し、表
示画面の大型化／高精細化を達成できる。
【００５３】(９)のように、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎ
ｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合
金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−
Ｗ合金，Ｗ−Ｔａ−Ｎ合金のうち１つの金属を、Ａｌま
たはＡｌを主成分とする合金の下層だけでなく、上層に
も配置すると、Ａｌ表面のヒロック成長が抑えられ、シ
ョート不良を低減できる。
【００５４】(１０)のように、上記Ａｌの表面をすべて
Ａｌを母材とする絶縁膜で被覆すると、Ａｌが薬品等に
曝されることがなくなるので、耐腐食性を確保できると
ともに、Ａｌ表面のヒロック発生を更に抑制できる。Ａ
ｌを母材とする絶縁膜としては、(１３)のように、Ａｌ
の酸化膜または窒化膜を用いることができる。
【００５５】(１１)のように、Ａｌを走査信号電極の一
端部から０．１cm以上離れた位置にのみ形成し、Ａｌの
下層に配置したＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合
金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ
合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ， Ｔａ−Ｗ合金，Ｗ−
Ｔａ−Ｎ合金のうち１つの金属により外部接続端子を構
成し、腐食しやすいＡｌが薬品等に曝されないようにす
ると、端子部分での耐腐食性が向上する。
【００５６】(１４)のように、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎ
ｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金， Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ
合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ
−Ｗ合金，Ｗ−Ｔａ−Ｎ合金のうち１つの金属とその上
層に形成した金属酸化物からなる透明導電膜により外部
接続端子を構成すると、端子の耐薬品性が向上するとと
もに、透明導電膜と金属との反応による絶縁性バリア層
が界面に形成されにくくなる。したがって、接続端子の
コンタクト抵抗の増大を防止でき、信頼性の高い接続端
子が得られる。
【００５７】(９)(１０)の構造は、Ａｌ表面に形成した
絶縁膜をマスクとしてＡｌをエッチング除去すると、形
成できる。したがって、上記構造は、１枚のホトマスク
だけで形成でき、工程数の削減，耐腐食性の確保，ショ
ート不良の低減，走査信号電極の低抵抗化等の効果を同
時にもたらす。
【００５８】(１２)のように、走査信号電極を構成する
積層膜を薄膜トランジスタのゲート電極としても用いる
と、走査信号電極と薄膜トランジスタのゲート電極とを
一回のホトエッチ工程で形成できることになり、工程数
の削減が可能となる。
【００５９】(１５)のように、(４)(５)の構造の走査信
号電極を有する液晶表示装置において、ゲート絶縁膜と
半導体膜とを同一のパターンで形成すると、ゲート絶縁
膜と半導体膜とを一回のホトエッチ工程で形成でき、工
程数をさらに減らせる。
【００６０】この時、(１７)のように、半導体膜のうち
ソース，ドレインの金属電極と接触する部分にはｎ型不
純物を導入し、ＴＦＴのチャネル部分にはｎ型不純物，
ｐ型不純物の両方を導入して、ＴＦＴのチャネル部のｎ
型の不純物とｐ型不純物を相互にコンペンセイトする
と、チャネル部分の半導体膜が高抵抗となり、従来必要
であったｎ型ａ−Ｓｉ膜のエッチング工程を経ずに、ソ
ース，ドレイン電極を電気的に分離できる。従来は、ｎ
型ａ−Ｓｉ膜と真性ａ−Ｓｉ膜の間の選択比が小さいた
めに、真性ａ−Ｓｉ膜を薄膜化できなかった。真性ａ−
Ｓｉ膜を薄膜化するには、既に述べたように、ホトマス
クを１枚加えてＴＦＴのチャネル部をＳｉＮ膜等で保護
する必要があった。これに対して本発明の構造では、ｎ
型ａ−Ｓｉ膜のエッチングが不要となる。したがって、
チャネル部の保護膜を形成するためのホトマスクを用い
ずに，半導体膜を薄膜化できる。その結果、ゲート絶縁
膜と半導体膜とを同一のパターンで形成しても、光電流
によるＴＦＴのオフ抵抗の低下を防止し、製造工程数を
削減しつつ、良好な画質を確保できる。
【００６１】上記構造のＴＦＴにおいて、ソース，ドレ
インの金属電極と半導体膜とをオーミックにコンタクト
させるには、半導体膜中のｎ型の不純物濃度を１０21cm
~3以上にする必要がある。また、チャネル領域のｎ型の
不純物を補償するには、同程度の濃度のｐ型不純物を導
入する必要がある。水素化非晶質Ｓｉや水素化非晶質Ｓ
ｉＧｅ等の材料においては、導電率制御のために不純物
を導入すると、不純物濃度の１／２乗に比例して膜中の
欠陥密度が増加する。したがって、これらｎ型不純物と
ｐ型不純物とを半導体膜中に均一に導入すると、キャリ
ア蓄積層となる半導体とゲート絶縁膜界面近くでの不純
物濃度も１０21cm~3程度の高濃度となってしまうので、
半導体膜中の欠陥密度が増大し、ＴＦＴの特性が低下す
る。
【００６２】そこで、(１９)のように、導入するｎ型不
純物とｐ型不純物の濃度を、膜表面で１０21cm~3以上と
し、半導体とゲート絶縁膜界面で１０19cm~3以下とす
る。すなわち、金属電極とコンタクトする部分の不純物
濃度を高くし、キャリア蓄積層となる半導体とゲート絶
縁膜界面近くでの不純物濃度を低くすると、半導体膜と
金属電極とのオーミックコンタクトを良好に保ちつつ界
面近くの半導体膜中の欠陥密度の増加を抑制でき、ＴＦ
Ｔ特性の低下を抑制できる。
【００６３】(１６)(１９)(２０)のように、透明導電膜
からなる画素電極を半導体膜とゲート絶縁膜の下層に配
置し、半導体膜とゲート絶縁膜を映像信号電極に沿って
映像信号電極よりも幅広のパターンとして延在させ、画
素電極のパターンの周辺部のみを被覆すると、画素電極
と映像信号電極とを分離できる。このようにすると、画
素電極と映像信号電極とのショートを防止しつつ画素電
極と映像信号電極との間の距離を縮小しても、ショート
による画素欠陥を低減できる。また、画素電極の幅が拡
大され、画素開口率が向上する。したがって、工程数の
削減，高歩留まり，低抵抗配線，端子部の信頼性向上等
の特長に加えて、低欠陥，高輝度の液晶表示装置を実現
できる。
【００６４】発明者らは、Ｔａ膜を形成した後、特にそ
の表面の清浄性を保ったまま、Ａｌ膜を真空中で連続し
て形成すると、（１１１）配向が弱くなり、（２２０）
面が優先成長し、それと同時に膜表面のヒロックが小さ
くなることを発見した。本発明の製造方法は、この知見
に基づいている。すなわち、本発明の液晶表示装置の製
造方法においては、Ｔａ表面に成長するＡｌは、吸着層
の影響を受けず、下地のＴａ膜の影響を直接受けるた
め、通常の条件では起こらない（２２０）面の優先成長
が実現される。（２２０）面が優先成長すると、全体と
してはランダムな配向に変化し膜表面のヒロックが小さ
くなる。
【００６５】本発明のその他の変形例の特徴および／ま
たは効果は、以下の実施例の記載から明らかになるであ
ろう。
【００６６】
【実施例】
《実施例１》図１は、本発明による積層配線材料の一実
施例の斜視図である。本実施例の積層配線材料は、マグ
ネトロンスパッタ法により、Ｔａ膜１０とＡｌ膜１１と
をガラス基板１上に順次積層し、同一のパターンに加工
し形成してある。
【００６７】上層のＡｌ膜１１は、下地の影響を受けて
（２２０）面に配向した結晶方位を有する。体心立方格
子（ｂｃｃ）を有するＴａの（１１０）上に面心立方格
子（ｆｃｃ）であるＡｌを成長させると（１１１）に配
向することが、従来から知られている。発明者らの実験
では、Ｔａ膜１０を形成した後、特にその表面の清浄性
を保ったまま、Ａｌ膜１１を真空中で連続して形成する
と、（１１１）配向が弱くなり、（２２０）面が優先成
長することが見出された。それと同時に膜表面のヒロッ
クが小さくなることも発見された。
【００６８】図２は、ガラス基板１上とＴａ膜１０と上
にそれぞれ形成したＡｌ膜１１の表面の凹凸を比較して
示す図である。ガラス基板１上に形成したＡｌ膜１１に
は、１００ｎｍ程度の高さのヒロックがいくつかみられ
るのに対し、Ｔａ膜１０上に形成したＡｌ膜１１では、
微小な凹凸が数多く発生しているものの、大きなヒロッ
クは全くみられない。この違いは、、おそらく、微小な
結晶粒を有するＴａ下地の影響を受けてＡｌが成長する
結果、結晶粒が大きく成長しないので、膜の内部応力が
緩和されることになり、ヒロックが成長する際、微小な
ヒロックが数多く発生するためと推察される。
【００６９】（２２０）面を成長させるには、成膜時に
注意が必要である。ＴａとＡｌとはほとんど時間を置く
ことなく、Ｔａ表面の清浄性を保ったまま、連続して成
長させなければ、（２２０）配向が出現しないことが実
験により確かめられた。Ｔａを成膜後、一旦放電を停止
し数分以上放置すると、たとえ真空を解除しなくてもＴ
ａ表面にＨ2Ｏ等の吸着層が形成され、(２２０）面の優
先成長は起こらない。発明者等は、ＴａとＡｌとをそれ
ぞれスパッタリング中のチャンバー内でゆっくりと移動
させる方法により初めて（２２０）配向を得た。このよ
うな方式では、ＴａとＡｌは界面付近で多少混じり合い
ながら連続して形成されるので、従来のように、Ｔａ表
面にＨ2Ｏ等の吸着層が形成されることはない。すなわ
ち、Ｔａ表面に成長するＡｌは、吸着層の影響を受け
ず、下地のＴａ膜の影響を直接受けるため、通常の条件
では起こらない（２２０）面の優先成長が実現される。
【００７０】図３は、本発明の配線に用いたＡｌ薄膜の
Ｘ線回折パターンと従来のＡｌ膜のＸ線回折パターンと
を比較して示す図である。回折パターンのピークの高さ
は、それぞれのピークの位置に示した面が膜表面に平行
になるように配向した結晶粒の体積に比例する。(２２
０)の回折ピークと(１１１)回折ピークの強度比は、従
来のＡｌ膜においては０.１５であったが、本発明のＡ
ｌ膜においては、０.７以上と大きくなる。従来のＡｌ
膜に比べて、本発明のＡｌ膜では、(２２０)面からの回
折ピークが大きくなり、(１１１)面からの回折ピークが
減少しているのがわかる。従来のＡｌ膜では(１１１)面
に強く配向していた結晶粒が、本発明のＡｌ膜では、
(２２０)面の成長により、全体としてはランダムな配向
に変化していると考えられる。すなわち、回折ピーク強
度が最大の面の強度と、２番目に強度が大きい面の強度
との比は、従来のＡｌ膜では、例えば約０.５であった
が、本発明では、約０.７から１.０となる。このため、
平均結晶粒径がやや小さくなり、粒径のばらつきも小さ
くなって、均一化したものと推察される。
【００７１】また、従来、ＬＳＩで用いられるＡｌ配線
においては、Ａｌの結晶粒が微小化するとエレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーションに対する耐
性が低下するため、Ａｌは（１１１）に優先配向させ結
晶粒を大きくしている。このようなＡｌ膜では、応力を
緩和するサイトとなる結晶粒の３重点が少ないために大
きなヒロックが成長する。液晶表示装置用のＴＦＴアレ
イにおいては、配線幅が１０μｍ程度であり、ＬＳＩに
比べると大きいため、エレクトロマイグレーションやス
トレスマイグレーションは、さほど問題とはならない。
むしろ、Ａｌ表面のヒロックを抑えて層間ショートを抑
制ことが重要である。したがって、本発明の（２２０）
配向化と結晶粒の微小化とによるヒロックの抑制は、Ｔ
ＦＴアレイ用の配線として、非常に望ましい。
【００７２】図４は、上記Ａｌ膜のＸ線回折から得られ
た（２２０）の回折ピークおよび（２００）回折ピーク
の強度比と表面ヒロック密度との関係を示す図である。
ヒロック密度は(２２０)/(２００)比が大きくなると減
少し、(２２０)/(２００)比が１．０以上になると、ヒ
ロックがほとんど消失することがわかる。
【００７３】下地の材料としては、Ｔａだけでなく、bc
cの結晶構造を有する金属であればよい。例えば、Ｔａ
−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ
−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合
金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金でも同様な効
果が得られる。また、上層の材料も、純Ａｌだけでな
く、Ａｌ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ｔａ−Ｔｉ等のＡ
ｌ合金膜でもよい。
【００７４】なお、本発明のＡｌ膜は、表面が清浄なＴ
ａを含む上記合金上に成長可能であり、下地膜形成後連
続して成膜を行なう方法の他に、形成済みの下地表面を
スパッタエッチングなどで清浄にした後、成膜を実行す
る方法も採用できる。
【００７５】《実施例２》図５は、上記本発明の積層配
線材料を用いて構成した液晶表示装置用走査信号配線の
平面図である。図６は、図５の走査信号配線の外部接続
端子部分の断面図である。図７は、図６のＡ−Ａ面を矢
印方向から見た断面図である。
【００７６】ガラス基板１上にＴａ電極１０とＡｌ電極
１１が形成され、これらの表面および側面はＴａ2Ｏ5膜
2０とＡｌ2Ｏ3膜２１によって被覆されている。ここで
は、Ａｌ2Ｏ3膜２１は、２層導電膜の上層膜であるＡｌ
電極１１の表面をすべて被覆するように形成した。ま
た、上層膜であるＡｌ電極１１は、走査信号電極の端部
より距離Ｘ以上離れた位置から形成し（距離Ｘは、この
例では１.０cmとした）、外部部材と接触する端部から
Ａｌ電極１１を排除した。
【００７７】本実施例によれば、腐食しやすいＡｌ電極
を完全にＡｌ2Ｏ3膜で被覆し、しかも外部部材と接触す
る端部から排除しつつ、走査信号電極に低抵抗のＡｌ電
極を使用できるので、表示装置の高精細化／大型化が達
成される。外部部材と確実に接続するには、Ｘは０.１c
m以上とすればよい。また、腐食しやすいＡｌ電極の下
層に耐腐食性の高いＴａを配置し、Ａｌ2Ｏ3膜とＡｌ電
極との端面を一致させる構造とし、Ａｌ2Ｏ3膜をマスク
として端部のＡｌ電極をエッチング除去して外部接続端
子を形成するので、接続端子を金属加工するためのホト
マスクが不要となり、工程数を削減できる。さらに、ヒ
ロックの少ない（２２０）配向のＡｌ電極を上層膜とし
て用いてあり、層間ショート不良を低減できる。このよ
うに、高品質のＡｌ2Ｏ3膜を層間絶縁膜として利用でき
るので、層間ショート不良をさらに低減できる。
【００７８】《実施例３》図８は、本発明による液晶表
示装置の走査信号電極の他の実施例の端部を示す断面図
である。図９は、図８のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断
面図である。
【００７９】本実施例の走査信号電極は、２層のＴａ電
極１０とこれらによりはさまされたＡｌ電極１１との３
層の導電膜からなる。上記実施例と同様に、これらの膜
の表面および側面はＴａ2Ｏ5膜２０とＡｌ2Ｏ3膜２１に
より被覆され、最上層膜であるＴａ電極１０の表面は、
すべてＴａ2Ｏ5膜２０で被覆されている。また、上層膜
のＴａ電極１０とＡｌ電極１１とは、走査信号電極の端
部より距離１.０cm以上離れた位置から形成して、外部
部材と接触する端部からＡｌ電極１１を排除した。
【００８０】本実施例によれば、第１実施例の場合と同
様の効果に加えて、比誘電率の大きいＴａ2Ｏ5膜をＴＦ
Ｔのゲート絶縁膜の一部として利用できるので、ＴＦＴ
の相互コンダクタンスが向上する。また、上層のＴａ電
極１０によりＡｌ電極１１のヒロック発生をさらに抑制
し、層間ショート不良を低減できる。
【００８１】《実施例４》図１０は、実施例２の構造を
有する走査信号電極を用いて構成した液晶表示装置の単
位画素の模式断面図である。
【００８２】ガラス基板１上にＴａ電極１０とＡｌ電極
１１とからなる走査信号電極が形成され、これらの表面
および側面は、Ｔａ2Ｏ5膜２０とＡｌ2Ｏ3膜２１とによ
り被覆されている。これらの走査信号電極上にＳｉＮ膜
２２，a−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１が形
成され、さらにｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３１上には映像信号
電極１４とソース電極１５とが形成され、前記ソース電
極にはＩＴＯ膜からなる画素電極１３が接続されてい
る。画素電極１３には、容量電極１６が接続され、走査
信号電極１１と容量電極１６とは、付加容量を形成して
いる。さらに、これら全体を保護ＳｉＮ膜２３で被覆し
てある。
【００８３】図１１は、薄膜トランジスタ基板の走査信
号電極の外部接続端子の断面図である。ここでは、走査
信号電極のうち、上層のＡｌ電極１１の表面は、Ａｌ2
Ｏ3膜２１により被覆し、Ｔａ電極１０をＡｌ2Ｏ3膜２
１の外まで延在させ、外部接続端子を構成している。ま
た、Ｔａ電極１０は、ＩＴＯ電極１３で被覆してある。
本実施例では、ＴａとＩＴＯとの反応によってＴａ／Ｉ
ＴＯ界面に形成されるバリア層の絶縁性が完全ではない
ため、ＴａとＩＴＯとのコンタクト抵抗は、例えばＡｌ
とＩＴＯを組み合わせた場合に比べ、格段に小さくな
る。また、ＴａとＩＴＯでは、熱処理によるコンタクト
抵抗の増大もほとんどないため、極めて安定した接続端
子が得られる。
【００８４】本実施例では、下地金属としてＴａを用い
たが、Ｔａ以外にもＴａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｔａ−Ｎｂ合
金，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合
金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ
−Ｎ合金等でも、同様な効果が得られる。特に、Ｔａ−
ＮやＴｉ−Ｎ等の金属窒化物を用いると、金属とＩＴＯ
の反応をより抑制し、コンタクト抵抗を極めて小さくで
きる。
【００８５】図１２〜図１６は、上記実施例の薄膜半導
体装置の製造工程を示す図である。これらの図の右側
は、走査信号電極端子部分の各工程での断面を示す図で
ある。
【００８６】図１２においては、ガラス基板１上にＴａ
膜１０とＡｌ膜１１とをスパッタリングにより連続的に
堆積させ、ホトリソグラフィ技術を用いて所定の形状に
パターニングする。
【００８７】図１３においては、陽極酸化法によりＴａ
膜１０とＡｌ膜１１との表面および側面にＴａ2Ｏ5膜２
０とＡｌ2Ｏ3膜２１を形成する。
【００８８】図１４においては、Ａｌ2Ｏ3膜２１をマス
クとして、走査信号電極端子部のＡｌ膜１１をエッチン
グ除去し、Ｔａ電極１０を露出させる。このとき、臭化
水素(ＨＢｒ)と３塩化硼素(ＢＣｌ3)との混合ガスプラ
ズマを用いたリアクティブイオンエッチング法によれ
ば、ＡｌとＴａのエッチング選択比を大きくとれるの
で、エッチングの作業裕度が大きくなり、歩留まりが向
上する。続いてＩＴＯ膜をスパッタリングにより堆積
し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングして画
素電極１３および端子Ｔａの保護膜１３１を形成する。
【００８９】図１５においては、プラズマＣＶＤ法によ
り、ゲートＳｉＮ膜２２，ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ
−Ｓｉ:Ｈ膜３１を堆積し、ａ−Ｓｉ:Ｈ膜３０，ｎ型ａ
−Ｓｉ:Ｈ膜３１を所定の形状にパターニングし、続い
て画素電極１３上および端子部電極上のゲートＳｉＮ膜
２２を除去する。
【００９０】図１６においては、スパッタリングにより
Ｔｉ膜を堆積し、所定の形状にパターニングして映像信
号電極１４とソース電極１５および容量電極１６を得
る。最後に、プラズマＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３
を形成して薄膜半導体装置は完成する。
【００９１】本実施例によれば、外部接続端子に耐腐食
性の高いＴａを使用できるので、高信頼性を確保でき
る。また、Ａｌ2Ｏ3膜をマスクとして、外部接続端子部
のＴａ電極を露出させるため、従来必要であった外部接
続端子金属加工用ホトマスクが不要となり、工程数を削
減できる。さらに、Ａｌ表面のヒロックの抑制により、
層間ショートを低減するとともに、走査信号電極に低抵
抗のＡｌ電極を使用可能となるので、液晶表示装置の高
精細化／大型化が実現できる。
【００９２】以上の実施例では、走査信号電極にＴａと
Ａｌを用いたが、本発明はこの組合せに限らず、Ｔａの
代りにＷ，Ｎｂやこれらを成分とする合金、例えばＴａ
Ｎ，Ｎｂ−Ｎ，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ，Ｔａ−Ti−Ｎ等を用い
ても同様に適用できる。また、純Ａｌに限らず、Ａｌ−
Pd，Ａｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ti−Ｔａ等の合金を用いてもよ
い。
【００９３】さらに、上記実施例においては、Ａｌの表
面に形成したＡｌ2Ｏ3膜をマスクとして、外部接続端子
のＴａ電極を露出させる方法を採用したが、外部接続端
子のＴａ電極を露出させる工程は、端子部電極上のゲー
トＳｉＮ膜２２を除去したあとに行なってもよい。この
場合でも、ゲートＳｉＮ膜２２上を加工するためのホト
レジストをそのままＴａ電極１０を露出させるためのマ
スクとして用いることができるので、工程が増加するこ
とはない。
【００９４】Ｔａ電極を露出させる時のプラズマにゲー
トＳｉＮ膜やＡｌ2Ｏ3膜が直接さらされることがなく、
膜にプラズマダメージが入ることがないので、良好な絶
縁特性を維持できる。
【００９５】《実施例５》本発明による配線材料は、走
査信号配線だけでなく、映像信号配線にも適用できる。
図１７は、映像信号配線に本発明による配線材料を適用
した実施例の画素の断面図である。本実施例において
は、実施例１の構造に加えて、映像信号配線とソース電
極および容量電極とが、Ｔａ膜１４１，１５１，１６１
とＡｌ膜１４２，１５２，１６２の積層電極とからな
る。このような構造を採用したことにより、Ａｌ膜１４
２，１５２，１６２が(２２０)配向となるので、既に述
べた理由により、保護膜２３形成時の熱処理によるＡｌ
膜からのホイスカ，ヒロックの成長を防止できる。
【００９６】《実施例６》図１８は、図５に示した実施
例２の構造を有する走査信号電極を用いて構成した別の
液晶表示装置の実施例の画素部の断面図である。図１９
は、図１８の実施例の平面図である。
【００９７】前記実施例と同様、ガラス基板１上にＴａ
電極１０とＡｌ電極１１からなる走査信号電極が形成さ
れている。これら電極の表面および側面は、Ｔａ2Ｏ5膜
２０とＡｌ2Ｏ3膜２１とにより被覆されている。これら
の走査信号電極上に膜厚４００nmのＳｉＮ膜２２と膜厚
５０nmのa−Ｓｉ:Ｈ膜３０とが同一の平面形状に形成さ
れ、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０上には映像信号電極１４とソース
電極１５が形成されている。ソース電極１５には、ＩＴ
Ｏ膜からなる画素電極１３が接続されている。
【００９８】画素電極１３は、ＳｉＮ膜２２の下層に配
置され、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とＳｉＮ膜２２は、映像信号
電極１４の下層に映像信号電極１４に沿って延在してお
り、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とＳｉＮ膜２２とは、画素電極１
３のパターンの周辺部のみを被覆している。画素電極１
３には、容量電極１６が接続され、走査信号電極１１と
前記容量電極１６とは付加容量を形成している。これら
全体は、保護ＳｉＮ膜２３で被覆されている。
【００９９】図２０は、図１８中のＡ−Ａ断面における
a−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の31Ｐと11Ｂの深さ方向の濃度分布
を示す図である。図２１は、図１８中のＢ−Ｂ断面にお
けるa−Ｓｉ:Ｈ膜３０内の31Ｐと11Ｂの深さ方向の濃度
分布を示す図である。
【０１００】ソース電極１５とコンタクトするＢ−Ｂ断
面では、31Ｐのみが表面から指数関数的に減少する急俊
な濃度プロファイルで導入されている。また、ＴＦＴの
チャネル領域であるＡ−Ａ断面では、ほぼ等量の31Ｐと
11Ｂが導入されている。
【０１０１】以上の構成により、本実施例には、先に述
べた効果に加えて、以下の効果がある。 ａ．従来別々のホトマスクでパターニングしていたa−
Ｓｉ:Ｈ膜３０とゲートＳｉＮ膜３１とが、１枚のホト
マスクで同一の形状にパターニングされるので、ホトリ
ソグラフィ工程が１回少なくなり、工程数を削減でき、
製造コストを低減できる。 ｂ．ＴＦＴのチャネル領域は、31Ｐと11Ｂが相互に補償
されて高抵抗化されるため、従来必要であったｎ型a−
Ｓｉ:Ｈ膜のエッチングなしに、ソース電極とドレイン
電極とを分離できるので、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０の薄膜化が
可能となる。 a−Ｓｉ:Ｈ膜３０の膜厚を６０nm以下
とすると、光電流によるＴＦＴのオフ 抵抗の低下を
防止でき、良好な画質が得られる。また、a−Ｓｉ:Ｈ膜
３０を 薄膜化する際に従来必要であったチャネル保
護膜の形成が不要になり、製造 工程の増加がない。 ｃ．画素電極１３と映像信号電極１４とが、a−Ｓｉ:Ｈ
膜３０とゲートＳｉＮ膜２２により分離されるので、画
素電極１３と映像信号電極１４がショートすることがな
い。このため、主として画素電極１３と映像信号電極１
４とのショートにより発生している画素欠陥を低減でき
る。また、画素電極１３と映像信号電極１４との距離を
縮小し、その分画素電極１３の面積を拡大でき、画素開
口率が向上する。その結果、ディスプレイの高輝度化が
達成できる。
【０１０２】図２２〜２９は図１８の実施例の製造工程
を示す断面図である。図２２においては、ガラス基板１
上にＴａ膜１０とＡｌ膜１１とをスパッタリングにより
堆積させ、ホトリソグラフィ技術を用いて所定の形状に
パターニングする。次に、陽極酸化法によりＴａ膜とＡ
ｌ膜との表面および側面にＴａ2Ｏ5膜２０とＡｌ2Ｏ3膜
２１とを形成する。
【０１０３】図２３においては、スパッタリングによ
り、ＩＴＯ膜を１１０nm堆積させ、パターニングして画
素電極１３とする。
【０１０４】図２４においては、プラズマＣＶＤ法によ
り、ゲートＳｉＮ膜２２を４００nm堆積させ、a−Ｓｉ:
Ｈ膜３０を５０nm形成する。
【０１０５】図２５においては、ＰＨ3ガスの放電プラ
ズマから引き出した質量分離しないＰＨ＋，ＰＨ2＋等
のイオンを２keV程度の低エネルギーで照射し、a−Ｓ
ｉ:Ｈ膜３０にＰを導入する。このような質量分離しな
いイオンビームを用いる不純物ドーピング技術として
は、例えば特開平２−１９９８２４号において磁気バケ
ット型イオン源を用いた方法が開示されている。
【０１０６】図２６においては、ホトリソグラフィ技術
により、ゲートＳｉＮ膜２２とa−Ｓｉ:Ｈ膜３０とを同
一の平面形状に加工する。
【０１０７】図２７においては、Ｔｉ電極をスパッタリ
ングにより形成し、パターニングして映像信号電極１４
とソース電極１５と容量電極１６とを得る。
【０１０８】図２８においては、映像信号電極１４とソ
ース電極１５のパターンをマスクとして、質量分離しな
いＢＨ＋，Ｂ2Ｈ2＋等のイオンを２keV程度の低エネル
ギーで照射し、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０のチャネル領域にＢを
導入する。これは、先に述べた技術において、放電ガス
をＢ2Ｈ6等のＢを含むガスにすれば、容易に実現でき
る。
【０１０９】図２９においては、保護ＳｉＮ膜を形成
し、素子を完成させる。
【０１１０】上記製造工程を採用すると、既に述べたよ
うに、a−Ｓｉ:Ｈ膜３０を薄膜化する際に従来必要であ
ったチャネル保護膜の形成が不要になるので、製造工程
を簡略化できる。特に、不純物導入法として質量分離し
ない低エネルギーのイオンビームを用いると、大面積に
効率良く不純物を導入できるので、生産効率が向上す
る。
【０１１１】図３０は、本発明の液晶表示装置における
ＴＦＴ基板の等価回路である。ガラス基板１上に、複数
の走査信号電極１０／１１と、これに直交する複数の映
像信号電極１４と、これらの電極に接続されたＴＦＴ
と、ＴＦＴに接続された液晶容量および付加容量とを形
成してある。走査信号電極１０／１１と映像信号電極１
４とのどちらか一方の端部には、外部部材接続のための
端子１４０が設けられている。
【０１１２】画像を表示するには、走査信号電極１０／
１１に順次パルス信号を印加して一行分のＴＦＴをオン
状態とし、その間に映像信号電極から画像信号を液晶層
に印加する。この操作を１行ごとに繰り返す。
【０１１３】図３１は、本発明の液晶表示装置における
別のＴＦＴ基板の等価回路である。ガラス基板１上に複
数の走査信号電極１０，１１と、これに直交する複数の
映像信号電極１４と、これらの電極接続されたＴＦＴ
と、ＴＦＴに接続された液晶容量および付加容量とから
構成される部分は、上記例と同様であるが、本実施例に
おいては、ガラス基板１上に、ＴＦＴを駆動するための
走査信号回路２００および映像信号回路２１０が、ＴＦ
Ｔを用いて形成されている。このように、駆動回路もガ
ラス基板１上に集積することにより、外部部品が大幅に
少なくなるので、全体としてのコストを大幅に低減でき
る。このような外部接続端子が少ない場合にも、本発明
の配線材料を同様に適用できることはもちろんである。
【０１１４】以上述べた実施例においては、逆スタガー
ド型の薄膜トランジスタを用いた例を説明したが、本発
明の配線材料は、これに限らず、スタガード型またはコ
ープレーナ型の電極構造を持つ薄膜トランジスタにも同
様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０１１５】図３２は、本発明による薄膜半導体装置に
より構成した液晶表示装置の模式断面を示す図である。
図３２の中央部は、１画素部分の断面を示し、左側は、
一対のガラス基板１および５０８の左側縁部で外部引出
端子の存在する部分の断面を示し、右側は、一対のガラ
ス基板１および５０８の右側縁部で外部引出端子の存在
しない部分の断面を示している。
【０１１６】液晶層５０６を基準に、下部のガラス基板
１上には、走査信号電極１１と映像信号電極１４とがマ
トリックス状に形成されている。その交点近傍に形成さ
れたＴＦＴは、ＩＴＯからなる画素電極１３を駆動す
る。液晶層５０６をはさんで対向する対向ガラス基板５
０８上には、ＩＴＯからなる対向電極５１０，カラーフ
ルタ５０７，カラーフィルタ保護膜５１１，遮光用ブラ
ックマトリクスパターンとなる遮光膜５１２が形成され
ている。図３２の左側／右側のそれぞれに示すシール材
ＳＬは、液晶層５０６を封止するように、（図示してい
ない）液晶封入口を除くガラス基板１および５０８の縁
全体に沿って形成されている。シール材は、例えばエポ
キシ樹脂である。
【０１１７】対向ガラス基板５０８側の対向電極５１０
は、少なくとも一個所において、銀ペースト材ＳＩＬに
より、ガラス基板１に形成された外部引出配線に接続さ
れている。この外部接続配線は、走査信号配線１０，ソ
ース電極１５，映像信号電極１４のそれぞれと同一製造
工程で形成される。配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，画素電
極１３，保護膜２３，カラーフィルタ保護膜５１１，ゲ
ートＳｉＮ膜２１のそれぞれの層は、シール材ＳＬの内
側に形成されている。偏光板５０５は、それぞれ一対の
ガラス基板１および５０８の外側の表面に形成されてい
る。
【０１１８】液晶層５０６は、液晶分子の向きを設定す
る下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間に封
入され、シール材ＳＬによりシールされている。下部配
向膜ＯＲＩ１は、ガラス基板１側の保護膜２３の上部に
形成される。対向ガラス基板５０８の内側の表面には、
遮光膜５１２，カラーフィルタ５０７，カラーフィルタ
保護膜５１１，対向電極５１０，上部配向膜ＯＲＩ２
が、順次積層して設けられている。
【０１１９】この液晶表示装置は、ガラス基板１側と対
向ガラス基板５０８側の層とを別々に形成し、その後に
上下ガラス基板１および５０８を重ねあわせ、両者間に
液晶５０６を封入して組立られる。バックライトＢＬか
らの光の透過を画素電極１３部分で調節すると、ＴＦＴ
駆動型のカラー液晶表示装置が形成される。
【０１２０】本発明の液晶表示装置は、低抵抗のＡｌか
らなる走査信号電極を使用できるので、大型化／高精細
化に好適である。また、簡略な製造工程で歩留まり良く
製造できるので、コストを大幅に低減し、安価な液晶表
示装置を提供することが可能となる。
【０１２１】
【発明の効果】本発明によれば、最小限のホトリソグラ
フィ工程で、ヒロックの少ない低抵抗の走査信号電極と
耐腐食性の高い外部接続端子とを備え、画素欠陥密度が
少なく大きな画素開口率の液晶表示装置が得られ、液晶
表示装置の大型化／高精細化／低コスト化を同時に実現
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による積層配線材料の一実施例の斜視図
である。
【図２】ガラス基板１上とＴａ膜１０と上にそれぞれ形
成したＡｌ膜１１の表面の凹凸を比較して示す図であ
る。
【図３】本発明の配線に用いたＡｌ薄膜のＸ線回折パタ
ーンを従来のＡｌ膜のＸ線回折パターンと比較して示す
図である。
【図４】上記Ａｌ膜のＸ線回折から得られた（２２０）
の回折ピークおよび（２００）回折ピークの強度比と表
面ヒロック密度との関係を示す図である。
【図５】上記本発明の積層配線材料を用いて構成した液
晶表示装置用走査信号配線の平面図である。
【図６】図５の走査信号配線の外部接続端子部分の断面
図である。
【図７】図６のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図であ
る。
【図８】本発明による液晶表示装置の走査信号電極の他
の実施例の端部を示す断面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ面を矢印方向から見た断面図であ
る。
【図１０】図５に示した実施例２の構造を有する走査信
号電極を用いて構成した液晶表示装置の単位画素の模式
断面図である。
【図１１】薄膜トランジスタ基板の走査信号電極の外部
接続端子の断面図である。
【図１２】上記実施例の薄膜半導体装置の製造工程を示
す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工
程での断面を示す図である。
【図１３】上記実施例の薄膜半導体装置の製造工程を示
す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工
程での断面を示す図である。
【図１４】上記実施例の薄膜半導体装置の製造工程を示
す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工
程での断面を示す図である。
【図１５】上記実施例の薄膜半導体装置の製造工程を示
す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工
程での断面を示す図である。
【図１６】上記実施例の薄膜半導体装置の製造工程を示
す図である。図の右側は、走査信号電極端子部分の各工
程での断面を示す図である。
【図１７】本発明の配線材料を映像信号配線に適用した
実施例の画素の断面図である。
【図１８】図５に示した実施例２の構造を有する走査信
号電極を用いて構成した別の液晶表示装置の実施例の画
素部の断面図である。
【図１９】図１８の実施例の平面図である。
【図２０】図１８中のＡ−Ａ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜
３０内の31Ｐと11Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図であ
る。
【図２１】図１８中のＢ−Ｂ断面におけるa−Ｓｉ:Ｈ膜
３０内の31Ｐと11Ｂの深さ方向の濃度分布を示す図であ
る。
【図２２】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２３】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２４】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２５】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２６】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２７】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２８】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２９】図１８の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
【図３０】本発明の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の
等価回路である。
【図３１】本発明の液晶表示装置における別のＴＦＴ基
板の等価回路である。
【図３２】本発明による薄膜半導体装置により構成した
液晶表示装置の模式断面を示す図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 １０ Ｔａ電極 １１ （２２０）面に配向したＡｌ電極 １３ 画素電極 １４ 映像信号電極 １５ ソース電極 １６ 容量電極 ２０ Ｔａ2Ｏ5膜 ２１ Ａｌ2Ｏ3膜 ２２ ゲートＳｉＮ電極 ２３ 保護ＳｉＮ膜 ３０ ａ−Ｓｉ:Ｈ膜 ３１ ｎ型ａ−Ｓｉ:Ｈ膜 １４０ 外部接続端子 １４１，１５１，１６１ Ｔａ膜 １４２，１５２，１６２ Ａｌ膜 ２００ 走査信号回路 ２１０ 映像信号回路 ５０５ 偏光板 ５０６ 液晶層 ５０７ カラーフィルタ ５０８ 対向ガラス基板 ５１０ 対向電極 ５１１ カラーフィルタ保護膜 ５１２ 遮光膜 ＢＬ バックライト ＯＲＩ 配向膜 ＳＬ シール材 ＳＩＬ 銀ペースト材
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （２２０）面が膜表面に平行になるよう
    に配向した結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になる
    ように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上である
    Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含むことを特
    徴とする配線材料。
  2. 【請求項２】 （２２０）面が膜表面に平行になるよう
    に配向した結晶粒と（１１１）面が膜表面に平行になる
    ように配向した結晶粒との体積比が、０．５以上である
    Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜を含むことを特
    徴とする配線材料。
  3. 【請求項３】 含有量が最も多い第１の配向方向を有す
    る結晶粒の体積に対する含有量が２番目に多い第２の配
    向方向を有する結晶粒の体積の割合が、ほぼ０．５以上
    であることを特徴とする配線材料。
  4. 【請求項４】 Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合
    金，Ｔａ−Ｎｂ合金， Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔ
    ｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ
    −Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
    と、 ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなり前記第１の
    導電膜上に形成される第２の導電膜とにより構成された
    積層型配線材料。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の積層型配線材料におい
    て、 前記Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜に含まれる
    （２２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶
    粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向した
    結晶粒との体積比が、０．５以上であることを特徴とす
    る積層型配線材料。
  6. 【請求項６】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置におい
    て、 前記走査信号電極と前記映像信号電極の少なくとも一方
    が、（２２０）面が膜表面に平行になるように配向した
    結晶粒と（２００）面が膜表面に平行になるように配向
    した結晶粒との体積比が、０．５以上であるＡｌ膜また
    はＡｌを主成分とする合金膜を含む配線材料で形成され
    ていることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置におい
    て、 前記走査信号電極と前記映像信号電極の少なくとも一方
    が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−
    Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ
    −Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金
    のうちの１つの金属からなる第１の導電膜と、Ａｌまた
    はＡｌを主成分とする合金からなり前記第１の導電膜上
    に形成される第２の導電膜とにより構成された積層型配
    線材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の液晶表示装置におい
    て、 前記ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金に含まれる（２
    ２０）面が膜表面に平行になるように配向した結晶粒と
    （２００）面が膜表面に平行になるように配向した結晶
    粒との体積比が、０．５以上であることを特徴とする液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置におい
    て、 前記走査信号電極が、少なくともＡｌ膜またはＡｌを主
    成分とする合金膜を含む２種以上の導電膜の積層膜であ
    り、 Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ
    合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔ
    ｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のう
    ちの１つの金属からなる導電膜を前記Ａｌ膜またはＡｌ
    を主成分とする合金膜の上層および下層に配置したこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 請求項６ないし９のいずれか一項に記
    載の液晶表示装置において、 前記Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜の表面およ
    び側面に、Ａｌを母材とする被覆絶縁膜を形成したこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 請求項６ないし９のいずれか一項に記
    載の液晶表示装置において、 前記Ａｌ膜またはＡｌを主成分とする合金膜が、前記走
    査信号電極の一端部から０．１cm以上離れた位置にのみ
    存在することを特徴とする液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 請求項６ないし１１のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 前記走査信号電極と前記映像信号電極の少なくとも一方
    を構成する膜が、前記薄膜トランジスタのゲート電極で
    あることを特徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 請求項６ないし１２のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置において、 前記Ａｌを母材とする絶縁膜が、Ａｌの酸化膜または窒
    化膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 絶縁基板上に形成した走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなるアクティブ
    マトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に接
    続された外部駆動回路とを有し、前記薄膜トランジスタ
    により液晶を駆動する液晶表示装置において、 前記外部駆動回路と映像信号電極または走査信号電極と
    の接続端子が、Ｔａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ−Ｎ合
    金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ−Ｔｉ
    合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，Ｔａ−
    Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導電膜
    と、前記第１の導電膜上に形成された金属酸化物からな
    る透明導電膜とにより構成されたことを特徴とする液晶
    表示装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１ないし５のいずれか一項に記
    載の配線からなる走査信号電極と、前記走査信号電極上
    に形成された薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と、前記
    ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記走査信号
    電極に交差するように形成された映像信号電極と、前記
    薄膜トランジスタに接続された画素電極とからなり、前
    記薄膜トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置
    において、 前記半導体膜と当該半導体膜に接するゲート絶縁膜と
    が、同一の平面形状であることを特徴とする液晶表示装
    置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の液晶表示装置にお
    いて、前記半導体膜および当該半導体膜に接するゲート
    絶縁膜が、前記映像信号電極の下層に当該映像信号電極
    よりも幅広のパターンで延在していることを特徴とする
    液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１５または１６に記載の液晶表
    示装置において、前記半導体膜のうち、ソース，ドレイ
    ンの金属電極と接触する領域にはｎ型またはｐ型のいず
    れかの不純物の一方のみが導入され、チャネル部にはｎ
    型およびｐ型の両方の不純物が導入されていることを特
    徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１５ないし１７のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置において、 前記半導体膜が、膜厚が６０ｎｍ以下の水素化非晶質Ｓ
    ｉ，水素化非晶質ＳｉＧｅ，水素化非晶質Ｇｅのいずれ
    かからなることを特徴とする液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の液晶表示装置にお
    いて、 前記ｎ型およびｐ型不純物の濃度が、半導体膜の表面に
    おいて１０21cm~3以上であり、半導体膜とゲート絶縁膜
    の界面で１０19cm~3以下であることを特徴とする液晶表
    示装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１５ないし１９のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置において、 前記画素電極が、前記半導体膜およびゲート絶縁膜の下
    層に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 請求項２０に記載の液晶表示装置にお
    いて、 前記半導体膜およびゲート絶縁膜が、前記画素電極のパ
    ターンの外周部のみを被覆していることを特徴とする液
    晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造
    方法において、 ａ．前記絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ
    −Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ
    −Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，
    Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導
    電膜とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜とを真空中
    で順次連続して積層し、所定のパターンに加工して前記
    走査信号電極と前記映像信号電極の少なくとも一方を形
    成する工程 ｂ．前記走査信号電極の一部を被覆する絶縁膜を形成す
    る工程 ｃ．前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極を構成
    する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜
    のみを除去する工程を含むことを特徴とする液晶表示装
    置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 前記絶縁膜を陽極酸化法，プラズマ酸化法，プラズマ窒
    化法のいずれかにより形成することを特徴とする液晶表
    示装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 前記絶縁膜をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法
    により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
  25. 【請求項２５】 請求項２２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極を構成する
    導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜のみ
    を除去する工程が、ハロゲン化水素ガスを含む混合ガス
    を用いたイオンエッチング法であることを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜と
    を、真空を保持したまま連続して形成することを特徴と
    する液晶表示装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造
    方法において、 ａ．前記絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ
    −Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ
    −Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，
    Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導
    電膜を形成し、前記第１の導電膜表面の清浄性を保った
    状態でその上にＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を
    積層し、所定のパターンに加工して前記走査信号電極ま
    たは前記映像信号電極を形成する工程 ｂ．前記走査信号電極または前記映像信号電極の一部を
    被覆する絶縁膜を形成する工程 ｃ．前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極または
    前記映像信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡ
    ｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程を含むこと
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造
    方法において、 ａ．前記絶縁基板上にＴａ，Ｔａ−Ｎ合金，Ｎｂ，Ｎｂ
    −Ｎ合金，Ｔａ−Ｎｂ合金，Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金，Ｔａ
    −Ｔｉ合金，Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金，Ｗ，Ｔａ−Ｗ合金，
    Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のうちの１つの金属からなる第１の導
    電膜を形成する工程 ｂ．前記第１の導電膜の表面層の一部を除去する工程 ｃ．前記表面層の一部を除去した第１の導電膜の上にＡ
    ｌまたはＡｌを主成分とする合金膜を積層する工程 ｄ．前記積層膜を所定のパターンに加工して前記走査信
    号電極または映像信号電極を形成する工程 ｅ．前記走査信号電極または前記映像信号電極の一部を
    被覆する絶縁膜を形成する工程 ｆ．前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極または
    前記映像信号電極を構成する導電膜のうちＡｌまたはＡ
    ｌを主成分とする合金膜のみを除去する工程を含むこと
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 絶縁基板上に形成された走査信号電極
    と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像
    信号電極と、前記走査信号電極と前記映像信号電極の交
    差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
    ランジスタに接続された画素電極とからなり、前記薄膜
    トランジスタにより液晶を駆動する液晶表示装置の製造
    方法において、 ａ．絶縁基板上に第１の導電膜とＡｌまたはＡｌを主成
    分とする合金膜を真空中で順次連続して積層し、所定の
    パターンに加工して走査信号電極を形成する工程 ｂ．前記走査信号電極の一部の表面および側面に各々の
    導電膜を構成する材料を母材とする絶縁膜を形成する工
    程 ｃ．前記絶縁膜をマスクとして前記走査信号電極を構成
    する導電膜のうちＡｌまたはＡｌを主成分とする合金膜
    のみを除去する工程 ｄ．基板全面に透明電極膜を形成し所定の形状に加工し
    て画素電極を形成する工程 ｅ．基板全面にゲート絶縁膜，半導体膜を形成する工程 ｆ．前記半導体膜に５keV以下のエネルギーでリンを含
    むイオンビームを照射して半導体膜中にリンを導入する
    工程 ｇ．前記ゲート絶縁膜、半導体膜を同一パターンに加工
    する工程 ｈ．導電膜を堆積して所定のパターンに加工し映像信号
    電極およびソース電極を形成する工程 ｉ．前記映像信号電極およびソース電極のパターンをマ
    スクとして半導体膜に５keV以下のエネルギーでボロン
    を含むイオンビームを照射して半導体膜中にボロンを導
    入する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造
    方法。
  30. 【請求項３０】 請求項６項〜２１のいずれか一項に記
    載の液晶表示装置を表示手段として備えた情報処理装
    置。
  31. 【請求項３１】 請求項２２項〜２９のいずれか一項に
    記載の製造方法により製造した液晶示装置を表示手段と
    して備えた情報処理装置。
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