JPH0621483A - 集積化圧力センサ用圧力調整装置 - Google Patents
集積化圧力センサ用圧力調整装置Info
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- JPH0621483A JPH0621483A JP17577992A JP17577992A JPH0621483A JP H0621483 A JPH0621483 A JP H0621483A JP 17577992 A JP17577992 A JP 17577992A JP 17577992 A JP17577992 A JP 17577992A JP H0621483 A JPH0621483 A JP H0621483A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 claims abstract description 20
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- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 20
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 押さえ部材を用いることなく気密保持できウ
ェハ状態で出力調整を行うことができる集積化圧力セン
サ用圧力調整装置を提供することにある。 【構成】 集積化圧力センサのシリコンウェハ1にはチ
ップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とチップ毎
の薄肉のダイヤフラム2とチップ毎のピエゾ抵抗層とが
形成されている。圧力設定ステージ8にはダイヤフラム
2に加える圧力を調整するためのステージ用圧力調整通
路9a,9b,9cが形成されている。圧力設定ステー
ジ8の上面には溝部12が形成され、この溝部12はガ
ラス台座6の外周部の下面と対向し、かつガラス台座6
の外周部を囲う。この溝部12内に永久磁石13が固定
されるとともに、溝部12内に磁性流体14が充填さ
れ、磁性流体14にて圧力設定ステージ8とガラス台座
6とが気密保持されている。
ェハ状態で出力調整を行うことができる集積化圧力セン
サ用圧力調整装置を提供することにある。 【構成】 集積化圧力センサのシリコンウェハ1にはチ
ップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とチップ毎
の薄肉のダイヤフラム2とチップ毎のピエゾ抵抗層とが
形成されている。圧力設定ステージ8にはダイヤフラム
2に加える圧力を調整するためのステージ用圧力調整通
路9a,9b,9cが形成されている。圧力設定ステー
ジ8の上面には溝部12が形成され、この溝部12はガ
ラス台座6の外周部の下面と対向し、かつガラス台座6
の外周部を囲う。この溝部12内に永久磁石13が固定
されるとともに、溝部12内に磁性流体14が充填さ
れ、磁性流体14にて圧力設定ステージ8とガラス台座
6とが気密保持されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、集積化圧力センサ用
圧力調整装置に係り、詳しくは、ウェハ状態で出力調整
を行うために同ウェハに所定の圧力を加える集積化圧力
センサ用圧力調整装置に関するものである。
圧力調整装置に係り、詳しくは、ウェハ状態で出力調整
を行うために同ウェハに所定の圧力を加える集積化圧力
センサ用圧力調整装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、コストダウン及び生産性向上のた
め半導体圧力センサをウェハ状態にて機能トリミングし
たいという要望がある。そこで、集積化圧力センサをウ
ェハ状態で所定の圧力を加え出力調整(トリミング)す
ることが行われている。このための集積化圧力センサ用
圧力調整装置を図5に示す。圧力設定ステージ30の上
面にはガラス台座31に接合されたシリコンウェハ32
が配置され、シリコンウェハ32の外周部が押さえ部材
33にて押さえられている。この押さえ部材33と圧力
設定ステージ30との間、及び押さえ部材33とシリコ
ンウェハ32との間がOリング34,35により気密保
持されている。そして、真空ポンプ36による圧力がス
テージ用圧力調整通路37と台座用圧力調整通路38を
介してシリコンウェハ32の各ダイヤフラムに印加でき
るようになっている。センサ出力調整(圧力感度調整)
の際には、各ダイヤフラムに大気圧と所定の負圧とを印
加して、プローバ39を用いてレーザ装置40による抵
抗体のトリミングを行っていた。
め半導体圧力センサをウェハ状態にて機能トリミングし
たいという要望がある。そこで、集積化圧力センサをウ
ェハ状態で所定の圧力を加え出力調整(トリミング)す
ることが行われている。このための集積化圧力センサ用
圧力調整装置を図5に示す。圧力設定ステージ30の上
面にはガラス台座31に接合されたシリコンウェハ32
が配置され、シリコンウェハ32の外周部が押さえ部材
33にて押さえられている。この押さえ部材33と圧力
設定ステージ30との間、及び押さえ部材33とシリコ
ンウェハ32との間がOリング34,35により気密保
持されている。そして、真空ポンプ36による圧力がス
テージ用圧力調整通路37と台座用圧力調整通路38を
介してシリコンウェハ32の各ダイヤフラムに印加でき
るようになっている。センサ出力調整(圧力感度調整)
の際には、各ダイヤフラムに大気圧と所定の負圧とを印
加して、プローバ39を用いてレーザ装置40による抵
抗体のトリミングを行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、押さえ部材
33がシリコンウェハ32の上にかぶさっているためシ
リコンウェハ32の外周のチップに対するプロービング
がやりにくかった。又、押さえ部材33の取り付けに手
間がかかったり、Oリング34,35の摩耗により気密
性が低下してしまっていた。
33がシリコンウェハ32の上にかぶさっているためシ
リコンウェハ32の外周のチップに対するプロービング
がやりにくかった。又、押さえ部材33の取り付けに手
間がかかったり、Oリング34,35の摩耗により気密
性が低下してしまっていた。
【0004】そこで、この発明の目的は、押さえ部材を
用いることなく気密保持できウェハ状態で出力調整を行
うことができる集積化圧力センサ用圧力調整装置を提供
することにある。
用いることなく気密保持できウェハ状態で出力調整を行
うことができる集積化圧力センサ用圧力調整装置を提供
することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、シリコンウ
ェハにチップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路と
チップ毎の薄肉のダイヤフラムとチップ毎のピエゾ抵抗
層とが形成された集積化圧力センサの出力調整を行うた
めのものであって、前記シリコンウェハ又は同シリコン
ウェハが接合された台座が載置され、前記ダイヤフラム
に加える圧力を調整するためのステージ用圧力調整通路
を有する圧力設定ステージと、前記圧力設定ステージ上
面にて前記シリコンウェハ又は台座の外周部の下面と対
向し、かつ同シリコンウェハ又は台座の外周部を囲うよ
うに形成された溝部と、前記溝部内に固定された磁石
と、前記溝部内に充填され、前記圧力設定ステージと前
記シリコンウェハ又は台座とを気密保持する磁性流体と
を備えた集積化圧力センサ用圧力調整装置をその要旨と
するものである。
ェハにチップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路と
チップ毎の薄肉のダイヤフラムとチップ毎のピエゾ抵抗
層とが形成された集積化圧力センサの出力調整を行うた
めのものであって、前記シリコンウェハ又は同シリコン
ウェハが接合された台座が載置され、前記ダイヤフラム
に加える圧力を調整するためのステージ用圧力調整通路
を有する圧力設定ステージと、前記圧力設定ステージ上
面にて前記シリコンウェハ又は台座の外周部の下面と対
向し、かつ同シリコンウェハ又は台座の外周部を囲うよ
うに形成された溝部と、前記溝部内に固定された磁石
と、前記溝部内に充填され、前記圧力設定ステージと前
記シリコンウェハ又は台座とを気密保持する磁性流体と
を備えた集積化圧力センサ用圧力調整装置をその要旨と
するものである。
【0006】
【作用】圧力設定ステージ上面におけるシリコンウェハ
又は台座の外周部を囲うように溝部が形成され、この溝
部内に磁石が固定されるとともに、磁性流体が充填され
ている。この磁性流体により圧力設定ステージと、シリ
コンウェハ又は台座との間の気密が保持される。そし
て、この磁性流体シール状態にて圧力設定ステージのス
テージ用圧力調整通路を介してダイヤフラムに加える圧
力が調整され、信号処理回路の調整用抵抗体がトリミン
グされる。
又は台座の外周部を囲うように溝部が形成され、この溝
部内に磁石が固定されるとともに、磁性流体が充填され
ている。この磁性流体により圧力設定ステージと、シリ
コンウェハ又は台座との間の気密が保持される。そし
て、この磁性流体シール状態にて圧力設定ステージのス
テージ用圧力調整通路を介してダイヤフラムに加える圧
力が調整され、信号処理回路の調整用抵抗体がトリミン
グされる。
【0007】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図1には集積化圧力センサ用圧力調
整装置の全体構成を示す。シリコンウェハ1には、チッ
プ毎の薄肉のダイヤフラム2が形成されている。又、シ
リコンウェハ1には、図2に示すように、チップ毎のピ
エゾ抵抗層(ゲージ抵抗)3と、チップ毎の調整用抵抗
体(薄膜抵抗)4を有する信号処理回路5とが形成され
ている。つまり、図2に示すように、中央部が薄く加工
されてダイヤフラム2を構成するとともに、ダイヤフラ
ム2にピエゾ抵抗層3が不純物拡散にて形成され、さら
に、ダイヤフラム2以外の肉厚部に調整用抵抗体4を有
する信号処理回路5が集積化して形成されている。そし
て、信号処理回路5はピエゾ抵抗層3より生ずる信号に
対し増幅等の処理を行う。
に従って説明する。図1には集積化圧力センサ用圧力調
整装置の全体構成を示す。シリコンウェハ1には、チッ
プ毎の薄肉のダイヤフラム2が形成されている。又、シ
リコンウェハ1には、図2に示すように、チップ毎のピ
エゾ抵抗層(ゲージ抵抗)3と、チップ毎の調整用抵抗
体(薄膜抵抗)4を有する信号処理回路5とが形成され
ている。つまり、図2に示すように、中央部が薄く加工
されてダイヤフラム2を構成するとともに、ダイヤフラ
ム2にピエゾ抵抗層3が不純物拡散にて形成され、さら
に、ダイヤフラム2以外の肉厚部に調整用抵抗体4を有
する信号処理回路5が集積化して形成されている。そし
て、信号処理回路5はピエゾ抵抗層3より生ずる信号に
対し増幅等の処理を行う。
【0008】又、図1のガラス台座6は、シリコンウェ
ハ1のダイヤフラム2に対応する多数の台座用圧力調整
通路7が形成され、通路7の一端は上面に開口し、他端
は下面に開口している。そして、図1に示すように、ガ
ラス台座6の上にシリコンウェハ1が陽極接合されてい
る。
ハ1のダイヤフラム2に対応する多数の台座用圧力調整
通路7が形成され、通路7の一端は上面に開口し、他端
は下面に開口している。そして、図1に示すように、ガ
ラス台座6の上にシリコンウェハ1が陽極接合されてい
る。
【0009】圧力設定ステージ8は非磁性体である樹脂
よりなる。この圧力設定ステージ8にはステージ用圧力
調整通路9a,9b,9cが形成されている。ステージ
用圧力調整通路9cの一端は下面に開口し他端は通路9
aと連通し、ステージ用圧力調整通路9aは多数の通路
9bが分岐している。ステージ用圧力調整通路9bの他
端は圧力設定ステージ8の上面に開口しており、各開口
部はガラス台座6の台座用圧力調整通路7の一端開口部
と対向するようになっている。ステージ用圧力調整通路
9cは真空ポンプ10と接続されている。そして、真空
ポンプ10によりステージ用圧力調整通路9a,9b,
9cが負圧にされる。尚、ステージ用圧力調整通路9c
には圧力計11が接続されている。
よりなる。この圧力設定ステージ8にはステージ用圧力
調整通路9a,9b,9cが形成されている。ステージ
用圧力調整通路9cの一端は下面に開口し他端は通路9
aと連通し、ステージ用圧力調整通路9aは多数の通路
9bが分岐している。ステージ用圧力調整通路9bの他
端は圧力設定ステージ8の上面に開口しており、各開口
部はガラス台座6の台座用圧力調整通路7の一端開口部
と対向するようになっている。ステージ用圧力調整通路
9cは真空ポンプ10と接続されている。そして、真空
ポンプ10によりステージ用圧力調整通路9a,9b,
9cが負圧にされる。尚、ステージ用圧力調整通路9c
には圧力計11が接続されている。
【0010】そして、この圧力設定ステージ8上に、シ
リコンウェハ1が接合されたガラス台座6が載置されて
いる。一方、圧力設定ステージ8の上面において溝部1
2が形成され、この溝部12はガラス台座6の外周部の
下面と対向し、かつ同台座6の外周部を囲うように円形
状に形成されている。この溝部12内における底部には
永久磁石13が全長にわたり固定されている。又、溝部
12内には磁性流体14が充填されている。この磁性流
体14は、鉄の微粒子をオイルに分散させたものであ
り、粘度が10000cSt(センチストークス)程度
である。
リコンウェハ1が接合されたガラス台座6が載置されて
いる。一方、圧力設定ステージ8の上面において溝部1
2が形成され、この溝部12はガラス台座6の外周部の
下面と対向し、かつ同台座6の外周部を囲うように円形
状に形成されている。この溝部12内における底部には
永久磁石13が全長にわたり固定されている。又、溝部
12内には磁性流体14が充填されている。この磁性流
体14は、鉄の微粒子をオイルに分散させたものであ
り、粘度が10000cSt(センチストークス)程度
である。
【0011】次に、このように構成した集積化圧力セン
サ用圧力調整装置の作用を説明する。溝部12内に磁性
流体14を充填した状態で、圧力設定ステージ8上に、
シリコンウェハ1を接合したガラス台座6を載置する。
このとき、磁性流体14によりガラス台座6の下面と圧
力設定ステージ8の上面との気密が保持される。
サ用圧力調整装置の作用を説明する。溝部12内に磁性
流体14を充填した状態で、圧力設定ステージ8上に、
シリコンウェハ1を接合したガラス台座6を載置する。
このとき、磁性流体14によりガラス台座6の下面と圧
力設定ステージ8の上面との気密が保持される。
【0012】そして、この状態で、チップ毎に圧力感度
調整を行う。つまり、プローバ(針)16をプロービン
グ用パッド15(図2に示す)に当てながらレーザ装置
17からのレーザビームを調整用抵抗体4に照射して抵
抗値を調整する。この調整は、真空ポンプ10及び圧力
計11を用いてダイヤフラム2に対し大気圧と所定の負
圧(−758mmHgゲージ圧)とを印加して行う。
調整を行う。つまり、プローバ(針)16をプロービン
グ用パッド15(図2に示す)に当てながらレーザ装置
17からのレーザビームを調整用抵抗体4に照射して抵
抗値を調整する。この調整は、真空ポンプ10及び圧力
計11を用いてダイヤフラム2に対し大気圧と所定の負
圧(−758mmHgゲージ圧)とを印加して行う。
【0013】この負圧印加時において、図3に示すよう
に、ガラス台座6と圧力設定ステージ8の間の微小な隙
間を磁性流体14が塞いでシールしている。この際、磁
性流体14はそれ自身の粘性および永久磁石13の引力
により隙間を通り抜けてステージ用圧力調整通路9bに
流入することはない。
に、ガラス台座6と圧力設定ステージ8の間の微小な隙
間を磁性流体14が塞いでシールしている。この際、磁
性流体14はそれ自身の粘性および永久磁石13の引力
により隙間を通り抜けてステージ用圧力調整通路9bに
流入することはない。
【0014】このように圧力感度調整を終えたシリコン
ウェハ1及びガラス台座6は、圧力設定ステージ8から
外される。このとき、永久磁石13により磁性流体14
が引っ張られているので、磁性流体14がガラス台座6
に付着する量は最小限ですむこととなる。
ウェハ1及びガラス台座6は、圧力設定ステージ8から
外される。このとき、永久磁石13により磁性流体14
が引っ張られているので、磁性流体14がガラス台座6
に付着する量は最小限ですむこととなる。
【0015】その後、シリコンウェハ1及びガラス台座
6は、チップ毎にダイシングされ裁断される。このよう
に本実施例では、圧力設定ステージ8の上面に溝部12
を形成し、この溝部12はガラス台座6の外周部の下面
と対向し、かつガラス台座6の外周部を囲うようにし、
この溝部12内に永久磁石13を固定するとともに、溝
部12内に磁性流体14を充填し、磁性流体14にて圧
力設定ステージ8とガラス台座6とを気密保持するよう
にした。よって、図5に示した押さえ部材33やOリン
グ34,35を用いることなく気密保持できウェハ状態
で出力調整を行うことができる。つまり、シリコンウェ
ハ1の上面には押さえ部材33が無いのでシリコンウェ
ハ1の最外周部分までプロービングできる。又、Oリン
グを使用していないので、Oリングの摩耗もなく、メン
テナンスは定期的に磁性流体14を補充するだけでよ
い。さらに、高い気密性を簡単なセッティングで実現で
きる。
6は、チップ毎にダイシングされ裁断される。このよう
に本実施例では、圧力設定ステージ8の上面に溝部12
を形成し、この溝部12はガラス台座6の外周部の下面
と対向し、かつガラス台座6の外周部を囲うようにし、
この溝部12内に永久磁石13を固定するとともに、溝
部12内に磁性流体14を充填し、磁性流体14にて圧
力設定ステージ8とガラス台座6とを気密保持するよう
にした。よって、図5に示した押さえ部材33やOリン
グ34,35を用いることなく気密保持できウェハ状態
で出力調整を行うことができる。つまり、シリコンウェ
ハ1の上面には押さえ部材33が無いのでシリコンウェ
ハ1の最外周部分までプロービングできる。又、Oリン
グを使用していないので、Oリングの摩耗もなく、メン
テナンスは定期的に磁性流体14を補充するだけでよ
い。さらに、高い気密性を簡単なセッティングで実現で
きる。
【0016】尚、この発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、例えば、図4に示すように、ガラス台座の
接合されていないシリコンウェハ1をトリミングする場
合に適用してもよい。
のではなく、例えば、図4に示すように、ガラス台座の
接合されていないシリコンウェハ1をトリミングする場
合に適用してもよい。
【0017】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
押さえ部材を用いることなく気密保持できウェハ状態で
出力調整を行うことができる優れた効果を発揮する。
押さえ部材を用いることなく気密保持できウェハ状態で
出力調整を行うことができる優れた効果を発揮する。
【図1】実施例の集積化圧力センサ用圧力調整装置の断
面図である。
面図である。
【図2】チップ化された集積化圧力センサを示す斜視図
である。
である。
【図3】集積化圧力センサ用圧力調整装置の要部拡大図
である。
である。
【図4】別例の集積化圧力センサ用圧力調整装置の断面
図である。
図である。
【図5】従来の集積化圧力センサ用圧力調整装置の断面
図である。
図である。
1 シリコンウェハ 2 ダイヤフラム 3 ピエゾ抵抗層 4 調整用抵抗体 5 信号処理回路 6 ガラス台座 8 圧力設定ステージ 9a,9b,9c ステージ用圧力調整通路 12 溝部 13 永久磁石 14 磁性流体
Claims (1)
- 【請求項1】 シリコンウェハにチップ毎の調整用抵抗
体を有する信号処理回路とチップ毎の薄肉のダイヤフラ
ムとチップ毎のピエゾ抵抗層とが形成された集積化圧力
センサの出力調整を行うためのものであって、 前記シリコンウェハ又は同シリコンウェハが接合された
台座が載置され、前記ダイヤフラムに加える圧力を調整
するためのステージ用圧力調整通路を有する圧力設定ス
テージと、 前記圧力設定ステージ上面にて前記シリコンウェハ又は
台座の外周部の下面と対向し、かつ同シリコンウェハ又
は台座の外周部を囲うように形成された溝部と、 前記溝部内に固定された磁石と、 前記溝部内に充填され、前記圧力設定ステージと前記シ
リコンウェハ又は台座とを気密保持する磁性流体とを備
えたことを特徴とする集積化圧力センサ用圧力調整装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17577992A JPH0621483A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 集積化圧力センサ用圧力調整装置 |
| DE19924239132 DE4239132C2 (de) | 1991-11-20 | 1992-11-20 | Verfahren zum Fabrizieren eines integrierten Drucksensors |
| US08/072,758 US5421956A (en) | 1991-11-20 | 1993-06-07 | Method of fabricating an integrated pressure sensor |
| US08/364,993 US5528214A (en) | 1991-11-20 | 1994-12-28 | Pressure-adjusting device for adjusting output of integrated pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17577992A JPH0621483A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 集積化圧力センサ用圧力調整装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621483A true JPH0621483A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16002120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17577992A Pending JPH0621483A (ja) | 1991-11-20 | 1992-07-02 | 集積化圧力センサ用圧力調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009186395A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Denso Corp | センサチップの取付構造 |
| JP2012154936A (ja) * | 2012-03-12 | 2012-08-16 | Denso Corp | センサチップの取付構造 |
| WO2020101703A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pressure sensors |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17577992A patent/JPH0621483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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