JPH0621515A - 光集積デバイス - Google Patents
光集積デバイスInfo
- Publication number
- JPH0621515A JPH0621515A JP17668592A JP17668592A JPH0621515A JP H0621515 A JPH0621515 A JP H0621515A JP 17668592 A JP17668592 A JP 17668592A JP 17668592 A JP17668592 A JP 17668592A JP H0621515 A JPH0621515 A JP H0621515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- optical
- optical waveguide
- semiconductor light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑なアライメントを必要とすることなく半
導体発光素子と光導波路を集積した光集積デバイスを提
供する。 【構成】 光導波路構造を有した基板を用い、導波路端
面を含む基板端面に多結晶半導体発光素子を作製し、半
導体多結晶光半導体素子から発せられる光が前記光導波
路の端面で結合することを特徴とする光集積デバイス。
導体発光素子と光導波路を集積した光集積デバイスを提
供する。 【構成】 光導波路構造を有した基板を用い、導波路端
面を含む基板端面に多結晶半導体発光素子を作製し、半
導体多結晶光半導体素子から発せられる光が前記光導波
路の端面で結合することを特徴とする光集積デバイス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理に
必須の、発光素子と光導波路が結合した光集積デバイス
に関するものである。
必須の、発光素子と光導波路が結合した光集積デバイス
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子から出射した光を光導波
路と結合するための構成として、最も簡便な構成は空間
光学系を用いた構成である。これは図５に示すように半
導体発光素子５０から出射した光を、例えばセルフォッ
クレンズ、球レンズあるいは顕微鏡対物レンズ等、開口
数の大きなレンズ５１で集光し、光導波路５２と結合す
るという構成である。また図６に示すように、レンズ等
を用いずに直接に光導波路端面に半導体発光素子をほと
んど密着するように配置することで、発光素子からの光
を光導波路と結合するという、直接結合型の構成も用い
られている。
路と結合するための構成として、最も簡便な構成は空間
光学系を用いた構成である。これは図５に示すように半
導体発光素子５０から出射した光を、例えばセルフォッ
クレンズ、球レンズあるいは顕微鏡対物レンズ等、開口
数の大きなレンズ５１で集光し、光導波路５２と結合す
るという構成である。また図６に示すように、レンズ等
を用いずに直接に光導波路端面に半導体発光素子をほと
んど密着するように配置することで、発光素子からの光
を光導波路と結合するという、直接結合型の構成も用い
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】空間光学系を併用した
もの、あるいは直接結合型のいずれも、光学系のアライ
メントが容易ではない。例えば光導波路からの出射光を
モニタし、半導体発光素子あるいはレンズを微動して出
力光が最も大きくなるところで固定するという操作が必
要であった。また、空間光学系を併用した結合では、レ
ンズ等の光部品がモジュールのコンパクト化を妨げてい
る。さらに半導体発光素子の一つである発光ダイオード
（ＬＥＤ）は数１０μｍ□のサイズで機能するが、ダイ
ボンドやワイヤボンディングを施す必要があるため、必
要以上のサイズに切り出されている。このこともモジュ
ールのコンパクト化を妨げている一つの要因である。
もの、あるいは直接結合型のいずれも、光学系のアライ
メントが容易ではない。例えば光導波路からの出射光を
モニタし、半導体発光素子あるいはレンズを微動して出
力光が最も大きくなるところで固定するという操作が必
要であった。また、空間光学系を併用した結合では、レ
ンズ等の光部品がモジュールのコンパクト化を妨げてい
る。さらに半導体発光素子の一つである発光ダイオード
（ＬＥＤ）は数１０μｍ□のサイズで機能するが、ダイ
ボンドやワイヤボンディングを施す必要があるため、必
要以上のサイズに切り出されている。このこともモジュ
ールのコンパクト化を妨げている一つの要因である。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決し、複雑
なアライメントを必要とすることなく半導体発光素子と
光導波路を集積した光集積デバイスを提供することを目
的とする。
なアライメントを必要とすることなく半導体発光素子と
光導波路を集積した光集積デバイスを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光集積デバイス
は、基板がアモルファス、セラミック、多結晶あるいは
単結晶の材料であって、またはその表面が前記材料で覆
われたものであって、その基板が光導波路を有し、基板
端面に多結晶半導体発光素子が形成され、該多結晶半導
体発光素子の発光スポットの一部が少なくとも導波路の
延長線上と一致しており、多結晶半導体発光素子から発
せられる光が光導波路と結合していることを特徴とす
る。
は、基板がアモルファス、セラミック、多結晶あるいは
単結晶の材料であって、またはその表面が前記材料で覆
われたものであって、その基板が光導波路を有し、基板
端面に多結晶半導体発光素子が形成され、該多結晶半導
体発光素子の発光スポットの一部が少なくとも導波路の
延長線上と一致しており、多結晶半導体発光素子から発
せられる光が光導波路と結合していることを特徴とす
る。
【０００６】本発明はアモルファス、セラミック、多結
晶あるいは単結晶の基板に直接作製した多結晶半導体発
光素子を応用したものであって、光導波路構造を有する
アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶の基
板の端面に多結晶半導体発光素子を形成するものであ
る。
晶あるいは単結晶の基板に直接作製した多結晶半導体発
光素子を応用したものであって、光導波路構造を有する
アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶の基
板の端面に多結晶半導体発光素子を形成するものであ
る。
【０００７】本発明で用いる多結晶半導体発光素子は、
アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶材
料、もしくは基板表面がアモルファス、セラミック、多
結晶あるいは単結晶の材料で覆われた基板等、種々の基
板に対して製造可能であることから、様々な材料から成
る光導波路に対して適用できる。また、リブ型、リッジ
型、埋め込み型、拡散型等いかなる構造の光導波路に対
しても応用できる。さらに発光素子は光導波路の材料に
直接製造するため、ダイボンドを必要とせず、半導体発
光素子を必要最小限のサイズにまでコンパクト化でき
る。半導体発光素子としては、ＡｌＧａＡｓをはじめ、
ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ
等、種々の半導体の多結晶材料を用いることができる。
すなわち任意の波長の光を発する多結晶半導体発光素子
と光導波路とを集積した光集積デバイスを提供できる。
アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶材
料、もしくは基板表面がアモルファス、セラミック、多
結晶あるいは単結晶の材料で覆われた基板等、種々の基
板に対して製造可能であることから、様々な材料から成
る光導波路に対して適用できる。また、リブ型、リッジ
型、埋め込み型、拡散型等いかなる構造の光導波路に対
しても応用できる。さらに発光素子は光導波路の材料に
直接製造するため、ダイボンドを必要とせず、半導体発
光素子を必要最小限のサイズにまでコンパクト化でき
る。半導体発光素子としては、ＡｌＧａＡｓをはじめ、
ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ
等、種々の半導体の多結晶材料を用いることができる。
すなわち任意の波長の光を発する多結晶半導体発光素子
と光導波路とを集積した光集積デバイスを提供できる。
【０００８】
【作用】本発明によると光導波路材料に直接、多結晶半
導体発光素子を製造するため、光導波路材料が半導体発
光素子の基板として作用する。
導体発光素子を製造するため、光導波路材料が半導体発
光素子の基板として作用する。
【０００９】
【実施例】以下に図面を参照して本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。図１は本発明の実施
例１に係る、埋め込み型光導波路と多結晶半導体発光素
子を集積した光集積デバイスの製造工程を説明するため
の斜視図である。図２は図１の光集積デバイスの多結晶
半導体発光素子部分の詳細図を表す。図３は本発明の実
施例１に係る、埋め込み型光導波路アレイと多結晶半導
体発光素子アレイを集積した光集積デバイスの斜視模式
図である。図４は本発明の実施例２に係る、埋め込み型
光導波路と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバ
イスの製造工程を示す模式図である。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。図１は本発明の実施
例１に係る、埋め込み型光導波路と多結晶半導体発光素
子を集積した光集積デバイスの製造工程を説明するため
の斜視図である。図２は図１の光集積デバイスの多結晶
半導体発光素子部分の詳細図を表す。図３は本発明の実
施例１に係る、埋め込み型光導波路アレイと多結晶半導
体発光素子アレイを集積した光集積デバイスの斜視模式
図である。図４は本発明の実施例２に係る、埋め込み型
光導波路と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバ
イスの製造工程を示す模式図である。
【００１０】実施例１ 本発明の１実施例である埋め込み型光導波路と集積した
多結晶半導体発光素子について図１および図２を用いて
以下に説明する。図１（ａ）に示すように、石英ガラス
基板１にＡｌをイオン注入して幅３μｍの光導波路２を
作製した。イオンを注入した部分である光導波路２は、
基板よりも屈折率が上昇し、基板との屈折率差は約０．
３％である。図１（ｂ）に示すように、この基板の導波
路端面を有する端面３を光学研磨し、有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）によりＡｌＧａＡｓ発光素子４を作
製した。この基板をＭＯＣＶＤチャンバ内に導入して８
５０℃まで昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第１回目の成長
を行った。ここで３族原料としてトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3）3）およびトリメチルアルミニウム（Ａ
ｌ（ＣＨ3）3）、５族原料としてアルシン（ＡｓＨ3）
を用い、またキャリアガスとして水素を用いた。成長時
の３族原料に対する５族原料のモル比（５／３比）４０
で１時間原料を供給した。この結果、図２（ａ）に示す
ように、基板端面３上には直径３０μｍ程度のＡｌＧａ
Ａｓ（ｘ＝０．４）から成る結晶５が成長した。続いて
第２回目の成長として、圧力を常圧として８００℃でｐ
型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）６、８５０℃でｎ
型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）７を成長した。こ
の２段階の成長は、第１の成長でサイズの大きなＡｌＧ
ａＡｓグレインを生成し、第２の成長では良好な特性を
有するｐおよびｎ型の多結晶ＡｌＧａＡｓを得るために
行った。図２（ｂ）に示すように、成長した多結晶Ａｌ
ＧａＡｓの一部に、ｐ型電極を取り出すためのステップ
８を硫酸系エッチング液を用いて形成した。この領域に
ｐ型電極９を、また光導波路の延長線上に３μｍ□のｎ
型電極１０を蒸着により作製した。ｎ型電極を作製する
ためのマスク合わせは、フォトリソグラフィにより導波
路の出射端面１１から７８０ｎｍの光を入射して導波路
を伝搬させ、ＡｌＧａＡｓ側から出射する位置をもとに
行った。電極間に順方向に電圧を印加したところ、素子
はＬＥＤ発光し、その光は光導波路の出射端面１１から
出射した。すなわち光導波路への光の結合（発光スポッ
トを光導波路と一致させること）を、従来必要であった
光学部品のアライメントを行うことなく、ｎ型電極のマ
スク合わせで実現できた。
多結晶半導体発光素子について図１および図２を用いて
以下に説明する。図１（ａ）に示すように、石英ガラス
基板１にＡｌをイオン注入して幅３μｍの光導波路２を
作製した。イオンを注入した部分である光導波路２は、
基板よりも屈折率が上昇し、基板との屈折率差は約０．
３％である。図１（ｂ）に示すように、この基板の導波
路端面を有する端面３を光学研磨し、有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）によりＡｌＧａＡｓ発光素子４を作
製した。この基板をＭＯＣＶＤチャンバ内に導入して８
５０℃まで昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第１回目の成長
を行った。ここで３族原料としてトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3）3）およびトリメチルアルミニウム（Ａ
ｌ（ＣＨ3）3）、５族原料としてアルシン（ＡｓＨ3）
を用い、またキャリアガスとして水素を用いた。成長時
の３族原料に対する５族原料のモル比（５／３比）４０
で１時間原料を供給した。この結果、図２（ａ）に示す
ように、基板端面３上には直径３０μｍ程度のＡｌＧａ
Ａｓ（ｘ＝０．４）から成る結晶５が成長した。続いて
第２回目の成長として、圧力を常圧として８００℃でｐ
型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）６、８５０℃でｎ
型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）７を成長した。こ
の２段階の成長は、第１の成長でサイズの大きなＡｌＧ
ａＡｓグレインを生成し、第２の成長では良好な特性を
有するｐおよびｎ型の多結晶ＡｌＧａＡｓを得るために
行った。図２（ｂ）に示すように、成長した多結晶Ａｌ
ＧａＡｓの一部に、ｐ型電極を取り出すためのステップ
８を硫酸系エッチング液を用いて形成した。この領域に
ｐ型電極９を、また光導波路の延長線上に３μｍ□のｎ
型電極１０を蒸着により作製した。ｎ型電極を作製する
ためのマスク合わせは、フォトリソグラフィにより導波
路の出射端面１１から７８０ｎｍの光を入射して導波路
を伝搬させ、ＡｌＧａＡｓ側から出射する位置をもとに
行った。電極間に順方向に電圧を印加したところ、素子
はＬＥＤ発光し、その光は光導波路の出射端面１１から
出射した。すなわち光導波路への光の結合（発光スポッ
トを光導波路と一致させること）を、従来必要であった
光学部品のアライメントを行うことなく、ｎ型電極のマ
スク合わせで実現できた。
【００１１】上記実施例の説明では、簡単化のために基
板上に一本の光導波路と１つの多結晶半導体発光素子を
集積した光集積デバイスについて述べたが、複数本の光
導波路を作製した基板を用いても同様に本発明を応用で
きる。図３は複数の光導波路を有する基板の端面に多結
晶半導体発光素子アレイを作製した例を示す。この製造
工程は上記のものと同一である。図３（ａ）に示すよう
に、石英ガラス基板１にＡｌをイオン注入して光導波路
２、…、２を２５０μｍ間隔で作製した。図３（ｂ）に
示すように、この基板の導波路端面を有する端面３を光
学研磨し、ＭＯＣＶＤ法により多結晶半導体発光素子ア
レイ１２を作製した。この基板をＭＯＣＶＤチャンバ内
に導入して８５０℃まで昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第
１回目の成長を１時間を行った。この結果、基板端面３
上には直径３０μｍ程度のＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）
から成る結晶が成長した。続いて圧力を常圧として８０
０℃でｐ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）６、８５
０℃でｎ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）７を成長
した。成長した多結晶ＡｌＧａＡｓの一部に、ｐ型電極
を取り出すためのステップ８を硫酸系エッチング液を用
いて形成した。このステップの領域にｐ型電極９を、ま
た光導波路２、…、２の延長線上に３μｍ□で２５０μ
ｍ間隔のｎ型電極１０、…、１０を蒸着により作製し
た。ｎ型電極を作製するためのマスク合わせは、導波路
の出射端面１１、…、１１から多結晶ＡｌＧａＡｓを透
過する７８０ｎｍの光を入射して導波路を伝搬させ、Ａ
ｌＧａＡｓ側から出射する位置をもとに行った。この光
集積デバイスでは、多結晶ＡｌＧａＡｓ発光素子アレイ
１２のｐ型電極９は共通となる。ｎ型電極１０、…、１
０への電圧のｏｎ−ｏｆｆで、任意の導波路に光を導波
させることが可能である。
板上に一本の光導波路と１つの多結晶半導体発光素子を
集積した光集積デバイスについて述べたが、複数本の光
導波路を作製した基板を用いても同様に本発明を応用で
きる。図３は複数の光導波路を有する基板の端面に多結
晶半導体発光素子アレイを作製した例を示す。この製造
工程は上記のものと同一である。図３（ａ）に示すよう
に、石英ガラス基板１にＡｌをイオン注入して光導波路
２、…、２を２５０μｍ間隔で作製した。図３（ｂ）に
示すように、この基板の導波路端面を有する端面３を光
学研磨し、ＭＯＣＶＤ法により多結晶半導体発光素子ア
レイ１２を作製した。この基板をＭＯＣＶＤチャンバ内
に導入して８５０℃まで昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第
１回目の成長を１時間を行った。この結果、基板端面３
上には直径３０μｍ程度のＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）
から成る結晶が成長した。続いて圧力を常圧として８０
０℃でｐ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）６、８５
０℃でｎ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ＝０．４）７を成長
した。成長した多結晶ＡｌＧａＡｓの一部に、ｐ型電極
を取り出すためのステップ８を硫酸系エッチング液を用
いて形成した。このステップの領域にｐ型電極９を、ま
た光導波路２、…、２の延長線上に３μｍ□で２５０μ
ｍ間隔のｎ型電極１０、…、１０を蒸着により作製し
た。ｎ型電極を作製するためのマスク合わせは、導波路
の出射端面１１、…、１１から多結晶ＡｌＧａＡｓを透
過する７８０ｎｍの光を入射して導波路を伝搬させ、Ａ
ｌＧａＡｓ側から出射する位置をもとに行った。この光
集積デバイスでは、多結晶ＡｌＧａＡｓ発光素子アレイ
１２のｐ型電極９は共通となる。ｎ型電極１０、…、１
０への電圧のｏｎ−ｏｆｆで、任意の導波路に光を導波
させることが可能である。
【００１２】実施例２ 本発明の他の実施例を図４を用いて説明する。図４
（ａ）に示すように、基板として実施例１で説明したイ
オン注入により作製した埋め込み型光導波路２を有する
石英ガラス基板１を用いた。基板端面にＣｒ膜１３をス
パッタ法で成膜し、導波路に相当する開口部１４の１０
μｍ□をエッチングで除去した。図４（ｂ）に示すよう
に、基板をＭＯＣＶＤチャンバ内に導入して８５０℃ま
で昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第１回目の成長を行っ
た。ここで３族原料としてトリメチルガリウムとトリメ
チルアルミニウム、５族原料としてアルシンを用い、ま
たキャリアガスとして水素を用いた。（５／３比）４０
で１時間原料を供給した。続いて第２の成長として、圧
力を常圧として８００℃でｐ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ
＝０．４）６、８５０℃でｎ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ
＝０．４）７を成長した。この２段階の成長は、第１の
成長でサイズの大きなＡｌＧａＡｓグレインを生成し、
第２の成長では良好な特性を有するｐおよびｎ型の多結
晶ＡｌＧａＡｓを得るために行った。図４（ｃ）に示す
ように、成長した多結晶ＡｌＧａＡｓの一部をエッチン
グ除去した。ここで露出したＣｒ膜１３はｐ型電極とし
て作用する。最後に光導波路の延長線上に３μｍ□のｎ
型電極１０を蒸着により作製した。電極間に順方向に電
圧を印加したところ、素子はＬＥＤ発光し、その光は光
導波路の出射端面１１から出射した。すなわち光導波路
への光の結合（発光スポットを光導波路と一致させるこ
と）を、従来必要であった光学部品のアライメントを行
うことなく、ｎ型電極のマスク合わせで実現できた。複
数の光導波路を作製した基板を用いても同様に本実施例
を応用できる。
（ａ）に示すように、基板として実施例１で説明したイ
オン注入により作製した埋め込み型光導波路２を有する
石英ガラス基板１を用いた。基板端面にＣｒ膜１３をス
パッタ法で成膜し、導波路に相当する開口部１４の１０
μｍ□をエッチングで除去した。図４（ｂ）に示すよう
に、基板をＭＯＣＶＤチャンバ内に導入して８５０℃ま
で昇温し、圧力１０Ｔｏｒｒで第１回目の成長を行っ
た。ここで３族原料としてトリメチルガリウムとトリメ
チルアルミニウム、５族原料としてアルシンを用い、ま
たキャリアガスとして水素を用いた。（５／３比）４０
で１時間原料を供給した。続いて第２の成長として、圧
力を常圧として８００℃でｐ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ
＝０．４）６、８５０℃でｎ型多結晶ＡｌＧａＡｓ（ｘ
＝０．４）７を成長した。この２段階の成長は、第１の
成長でサイズの大きなＡｌＧａＡｓグレインを生成し、
第２の成長では良好な特性を有するｐおよびｎ型の多結
晶ＡｌＧａＡｓを得るために行った。図４（ｃ）に示す
ように、成長した多結晶ＡｌＧａＡｓの一部をエッチン
グ除去した。ここで露出したＣｒ膜１３はｐ型電極とし
て作用する。最後に光導波路の延長線上に３μｍ□のｎ
型電極１０を蒸着により作製した。電極間に順方向に電
圧を印加したところ、素子はＬＥＤ発光し、その光は光
導波路の出射端面１１から出射した。すなわち光導波路
への光の結合（発光スポットを光導波路と一致させるこ
と）を、従来必要であった光学部品のアライメントを行
うことなく、ｎ型電極のマスク合わせで実現できた。複
数の光導波路を作製した基板を用いても同様に本実施例
を応用できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によると、通常のフォトリソグラ
フィのマスク合わせにより、発光スポットを光導波路と
一致させることが可能で、従来必要であった複雑な半導
体発光素子あるいは光学部品等のアライメントは不要と
なる。また半導体発光素子のサイズを必要最小限にする
ことができ、従来のものに比べてモジュールとしてのサ
イズを縮小できる。本発明によるとアレイ化した光導波
路に対しても容易に対応できる。
フィのマスク合わせにより、発光スポットを光導波路と
一致させることが可能で、従来必要であった複雑な半導
体発光素子あるいは光学部品等のアライメントは不要と
なる。また半導体発光素子のサイズを必要最小限にする
ことができ、従来のものに比べてモジュールとしてのサ
イズを縮小できる。本発明によるとアレイ化した光導波
路に対しても容易に対応できる。
【図１】本発明の実施例１に係る、埋め込み型光導波路
と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバイスの製
造工程を説明するための斜視図である。
と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバイスの製
造工程を説明するための斜視図である。
【図２】図１の光集積デバイスの多結晶半導体発光素子
部分の詳細図を表す。
部分の詳細図を表す。
【図３】本発明の実施例１に係る、埋め込み型光導波路
アレイと多結晶半導体発光素子アレイを集積した光集積
デバイスの斜視模式図である。
アレイと多結晶半導体発光素子アレイを集積した光集積
デバイスの斜視模式図である。
【図４】本発明の実施例２に係る、埋め込み型光導波路
と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバイスの製
造工程を示す模式図である。
と多結晶半導体発光素子を集積した光集積デバイスの製
造工程を示す模式図である。
【図５】従来の半導体発光素子から発せられた光をレン
ズを用いて光導波路に結合するための構成を表す説明図
である。
ズを用いて光導波路に結合するための構成を表す説明図
である。
【図６】従来の半導体発光素子から発せられた光を直接
光導波路に結合するための構成を表す説明図である。
光導波路に結合するための構成を表す説明図である。
１ 石英ガラス基板 ２ 光導波路 ３ 端面 ４ ＡｌＧａＡｓ発光素子 ５ ＡｌＧａＡｓ結晶 ６ ｐ型多結晶ＡｌＧａＡｓ ７ ｎ型多結晶ＡｌＧａＡｓ ８ ステップ ９ ｐ型電極 １０ ｎ型電極 １１ 出射端面 １２ 多結晶半導体発光素子アレイ １３ Ｃｒ膜 １４ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板がアモルファス、セラミック、多結
晶あるいは単結晶の材料であって、またはその表面が前
記材料で覆われたものであって、その基板が光導波路を
有し、基板端面に多結晶半導体発光素子が形成され、該
多結晶半導体発光素子の発光スポットの一部が少なくと
も導波路の延長線上と一致しており、多結晶半導体発光
素子から発せられる光が光導波路と結合していることを
特徴とする光集積デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668592A JPH0621515A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 光集積デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668592A JPH0621515A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 光集積デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621515A true JPH0621515A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16017941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17668592A Pending JPH0621515A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 光集積デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621515A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7201526B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-04-10 | Tokiwa Corporation | Extruding container of applying filler |
| USRE41300E1 (en) | 2002-07-09 | 2010-05-04 | Tokiwa Corporation | Movable body dispensing device |
| CN108873184A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-11-23 | 武汉恩达通科技有限公司 | 一种具有侧向v形槽的激光刻写光纤连接器 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17668592A patent/JPH0621515A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41300E1 (en) | 2002-07-09 | 2010-05-04 | Tokiwa Corporation | Movable body dispensing device |
| US7201526B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-04-10 | Tokiwa Corporation | Extruding container of applying filler |
| CN108873184A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-11-23 | 武汉恩达通科技有限公司 | 一种具有侧向v形槽的激光刻写光纤连接器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5358880A (en) | Method of manufacturing closed cavity LED | |
| JPH0774396A (ja) | 半導体光デバイス | |
| JPH0864906A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS63131104A (ja) | ハイブリツド光集積回路 | |
| US6503769B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JPS61108187A (ja) | 半導体光電子装置 | |
| US4220960A (en) | Light emitting diode structure | |
| US7184640B2 (en) | Buried heterostructure device fabricated by single step MOCVD | |
| KR100337704B1 (ko) | 전계흡수형 변조기가 집적된 레이저 다이오드의 제조 방법 | |
| JPH1131863A (ja) | 回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム | |
| JPH02286358A (ja) | 発光装置 | |
| US4280131A (en) | Pleochroic light emitting diode and method of fabricating the same | |
| JPH06204452A (ja) | 発光デバイスおよび光集積デバイス | |
| JPH06326348A (ja) | 光カプラ | |
| JPH08264901A (ja) | エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法 | |
| CA2338065A1 (en) | Electro-optic semiconductor devices and method for making the same | |
| JPH0621516A (ja) | 光集積デバイス | |
| US6503768B2 (en) | Method for monolithic integration of multiple devices on an optoelectronic substrate | |
| JP3456118B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 | |
| JPH06204453A (ja) | 発光デバイスおよび光集積デバイス | |
| JPS62141507A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JP4221969B2 (ja) | 集積化素子の製造方法 | |
| JPS5879791A (ja) | ２波長埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JP2815114B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法 | |
| CN116417905B (zh) | 一种具有pn结非注入层的激光器的结构及其制备方法 |