JPH02286358A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JPH02286358A JPH02286358A JP1107761A JP10776189A JPH02286358A JP H02286358 A JPH02286358 A JP H02286358A JP 1107761 A JP1107761 A JP 1107761A JP 10776189 A JP10776189 A JP 10776189A JP H02286358 A JPH02286358 A JP H02286358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- nucleation
- array
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
- G09F13/22—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｍ東上の利用分野）
本発明は発光素子と光学系とを基板上に集積した発光装
置に関し、とくに、元プリンタのプリンタヘッド、情報
処理用光源−むして使用する発光装置に関するものであ
る。
置に関し、とくに、元プリンタのプリンタヘッド、情報
処理用光源−むして使用する発光装置に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、ＩＪＤプリンタなどの発光装置として用いられる
ＬＥＤアレイ２３は第６図に示されるようにロッドレン
ズアレイ２４と組合わされて使用されるので、組立てに
際しては光軸調整を行なう必要があり、このための機械
設備を必要とする。また、ＩＪＤアレイ２３と感光ドラ
ム２５の位置関係はロット０レンズアレイ２４を挾んで
いる関係で、ロッＰし／ズの共役長（２０〜４０闘）だ
け対称に離されている。
ＬＥＤアレイ２３は第６図に示されるようにロッドレン
ズアレイ２４と組合わされて使用されるので、組立てに
際しては光軸調整を行なう必要があり、このための機械
設備を必要とする。また、ＩＪＤアレイ２３と感光ドラ
ム２５の位置関係はロット０レンズアレイ２４を挾んで
いる関係で、ロッＰし／ズの共役長（２０〜４０闘）だ
け対称に離されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述の従来例ではＬＥＤアレイ２３とロ
ッドレンズアレイ２４との光軸調整に手間がかかり、ま
た、ロッドレンズアレイ２４のためにＬＥＤアレイ２３
と感光ドラム２５との間の距離は一定値以下には縮める
ことができない。
ッドレンズアレイ２４との光軸調整に手間がかかり、ま
た、ロッドレンズアレイ２４のためにＬＥＤアレイ２３
と感光ドラム２５との間の距離は一定値以下には縮める
ことができない。
（発明の目的）
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、マイク
ロレンズアレイを基板に対してモノリシックに形成する
と共に、反対面に発光素子アレイを集積化によってモノ
リシックに形成することで、機械的な光軸調整が不要で
光軸方向への所要距離を大幅にＩＥｉ縮できる発光装置
を提供しようとするものである。
ロレンズアレイを基板に対してモノリシックに形成する
と共に、反対面に発光素子アレイを集積化によってモノ
リシックに形成することで、機械的な光軸調整が不要で
光軸方向への所要距離を大幅にＩＥｉ縮できる発光装置
を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
このため１本発明では発光素子と光学系とを基板上に集
積した発光装置であって、上記基板には非晶質透明基板
を用い、該基板の一面にマイクロレンズアレイを、また
、上記マイクロレンズアレイの光軸に発光位置を合わせ
て発光素子アレイを上記マイクロレンズアレイとは反対
側に位置して上記基板の他面にそれぞれモノリシックに
形成している。
積した発光装置であって、上記基板には非晶質透明基板
を用い、該基板の一面にマイクロレンズアレイを、また
、上記マイクロレンズアレイの光軸に発光位置を合わせ
て発光素子アレイを上記マイクロレンズアレイとは反対
側に位置して上記基板の他面にそれぞれモノリシックに
形成している。
そして、要すれば、上記発光素子プレイは、マイクロレ
ンズアレイを形成した非晶質透明基板の他面を非核形成
面とするか、あるいは非晶質透明基板の他面に反射膜を
形成し、その反射膜表面を非核形成面として、非核形成
面に核形成密度が十分大きくかつ単一の核だけが成長す
る程度に十分微細な核形成面を形成し、結晶成長処理に
よシ核形成面上の単一核から単結晶を成長させ、その単
結晶に発光素子を形成している。
ンズアレイを形成した非晶質透明基板の他面を非核形成
面とするか、あるいは非晶質透明基板の他面に反射膜を
形成し、その反射膜表面を非核形成面として、非核形成
面に核形成密度が十分大きくかつ単一の核だけが成長す
る程度に十分微細な核形成面を形成し、結晶成長処理に
よシ核形成面上の単一核から単結晶を成長させ、その単
結晶に発光素子を形成している。
（作用）
したがりて、発光索子アレイとマイクロレンズアレイと
の相対的な元軸整合は集積時に行なわれるのみで、安定
したものとなる。このため、上記発光装置を用いて光プ
リンタを構成した場合、機械的な光軸調整を組立てに際
して行なう必要がなく、また、感光ドラムに対する距離
も短縮でき、装置の小形化にも有利となる。また、情報
処理用光源として用いるために、基板に対して２次元的
に発光素子アレイおよびこれに対応するマイクロレンズ
プレイを配設する構成では、全体の小型化が充分に達成
できる。
の相対的な元軸整合は集積時に行なわれるのみで、安定
したものとなる。このため、上記発光装置を用いて光プ
リンタを構成した場合、機械的な光軸調整を組立てに際
して行なう必要がなく、また、感光ドラムに対する距離
も短縮でき、装置の小形化にも有利となる。また、情報
処理用光源として用いるために、基板に対して２次元的
に発光素子アレイおよびこれに対応するマイクロレンズ
プレイを配設する構成では、全体の小型化が充分に達成
できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。
る。
第１図は非晶質透明基板１上にマイクロレンズアレイ２
を形成すると共に、上記マイクロレンズアレイ２のある
側とは反対側の面において、上記基板１上に発光素子ア
レイ３を集積化した発光装置を示している。ここでは非
晶質透明基板１の一面は非核形成面になっており、非核
形成面上に核形成密度が十分大きくかつ単一の核だけが
成長する程度に十分微細な核形成面を形成し、結晶成長
処理により核形成面上の単一核から単結晶を成長させ、
その単結晶上に発光素子を形成するのである。このよう
に基板ｌ上にモノリシックにマイクロレンズアレイ２お
よび発光素子アレイ３を集積化する点が本発明の特徴で
ある。
を形成すると共に、上記マイクロレンズアレイ２のある
側とは反対側の面において、上記基板１上に発光素子ア
レイ３を集積化した発光装置を示している。ここでは非
晶質透明基板１の一面は非核形成面になっており、非核
形成面上に核形成密度が十分大きくかつ単一の核だけが
成長する程度に十分微細な核形成面を形成し、結晶成長
処理により核形成面上の単一核から単結晶を成長させ、
その単結晶上に発光素子を形成するのである。このよう
に基板ｌ上にモノリシックにマイクロレンズアレイ２お
よび発光素子アレイ３を集積化する点が本発明の特徴で
ある。
なお、非晶質透明基板１としては石英ガラスなど、後工
程の結晶成長処理のグロセス温度に耐えられる耐熱性の
材料を用いる。
程の結晶成長処理のグロセス温度に耐えられる耐熱性の
材料を用いる。
マイクロレンズアレイの材料としては、たとえば、石英
ガラス基板（屈折率１．４６）に対して、より屈折率の
大きいＳｌ、Ｎ４（屈折率２．０）ｆｔレンズ材料とし
て用いることができる。また、マイクロレンズアレイの
材料も結晶成長処理のグロセス温度に耐えられることが
望ましい。このようなマイクロレンズアレイは、レンズ
形状に適する膜厚分布を持つ九薄膜の堆積法を用いて形
成するとよく、それには基板加熱型のレーデＣＶＤ法（
レーデ気相成長法）が適当である。また、ウニｙトエッ
チングによって、形状を整えてもよい。
ガラス基板（屈折率１．４６）に対して、より屈折率の
大きいＳｌ、Ｎ４（屈折率２．０）ｆｔレンズ材料とし
て用いることができる。また、マイクロレンズアレイの
材料も結晶成長処理のグロセス温度に耐えられることが
望ましい。このようなマイクロレンズアレイは、レンズ
形状に適する膜厚分布を持つ九薄膜の堆積法を用いて形
成するとよく、それには基板加熱型のレーデＣＶＤ法（
レーデ気相成長法）が適当である。また、ウニｙトエッ
チングによって、形状を整えてもよい。
非晶質基板１上に■、■族化合物半導体の単結晶を成長
させるには選択核形成法（特開昭６３−１０７０１６）
を用いるとよい。これは結晶成長させる材料の核形成密
度が小さい非核形成面４上に、核形成密度が大きい非核
形成面５を微細に形成した基板ｌを用意する（第２図（
ａ）参照）。
させるには選択核形成法（特開昭６３−１０７０１６）
を用いるとよい。これは結晶成長させる材料の核形成密
度が小さい非核形成面４上に、核形成密度が大きい非核
形成面５を微細に形成した基板ｌを用意する（第２図（
ａ）参照）。
次にＭＯＣＶＤ法（Ｍ＠ｔａｌ Ｏｒｇａｈｉｃ Ｃｈ
＠ｍ１ｅａｌＶａｐｏｕｒＤａｐｏｓｌ ｔｌｏｎ ：
有機金属気相成長法）、クロライドＶＰＥ法（Ｃｈｌｏ
ｒｉｄ＠Ｖａｐｏｕｒ Ｐｈｒａａｅ Ｅｐｉｔａｘｙ
：クロライド気相エピタキシー） 、 ＬＰＥ法（Ｌｌ
ｑｕｌｄＰｈｒａｓ＠Ｅｐｌｔａｘｙ ：液相エピタキ
シー） ％ＭＢＥ法（Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｔｔａｘｙ ：分子線エピタキシー）、ＭＯＭＢＥ
法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ
ＢａａｍＥｐｉｔａｘｙ：有機金属分子線エピタキシ
ー）などの結晶成長法を用いて、非核形成面４上には核
が成長せず、核形成面５上にのみ選択的に核が成長する
条件で結晶成長させると、単一核６が核形成面５上に形
成される（第２図（ｂ）参照）ことを指すのであって、
更に結晶を成長させると、単結晶は非核形成面４上まで
拡大され、大きな単結晶７が生成できる（第２図（ａ）
参照）。
＠ｍ１ｅａｌＶａｐｏｕｒＤａｐｏｓｌ ｔｌｏｎ ：
有機金属気相成長法）、クロライドＶＰＥ法（Ｃｈｌｏ
ｒｉｄ＠Ｖａｐｏｕｒ Ｐｈｒａａｅ Ｅｐｉｔａｘｙ
：クロライド気相エピタキシー） 、 ＬＰＥ法（Ｌｌ
ｑｕｌｄＰｈｒａｓ＠Ｅｐｌｔａｘｙ ：液相エピタキ
シー） ％ＭＢＥ法（Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｔｔａｘｙ ：分子線エピタキシー）、ＭＯＭＢＥ
法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ
ＢａａｍＥｐｉｔａｘｙ：有機金属分子線エピタキシ
ー）などの結晶成長法を用いて、非核形成面４上には核
が成長せず、核形成面５上にのみ選択的に核が成長する
条件で結晶成長させると、単一核６が核形成面５上に形
成される（第２図（ｂ）参照）ことを指すのであって、
更に結晶を成長させると、単結晶は非核形成面４上まで
拡大され、大きな単結晶７が生成できる（第２図（ａ）
参照）。
なお、単結晶７上に形成する発光素子としては透明基板
１にほぼ垂直に基板側へ発光する面発光ＬＥＤ 、面発
光レーデであればどのような構造のものにしてもよい。
１にほぼ垂直に基板側へ発光する面発光ＬＥＤ 、面発
光レーデであればどのような構造のものにしてもよい。
このような構成では、第１図のように、発光素子アレイ
３から基板側へ発光した光は透明基板１を経由してマイ
クロレンズアレイ２で集光される。
３から基板側へ発光した光は透明基板１を経由してマイ
クロレンズアレイ２で集光される。
上述の発光素子アレイ３における単結晶材料としては、
ＧａＡｓ、 ＡｂｍＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＧａＡｓＰ
、 ＩｎＧａＡｔＰ。
ＧａＡｓ、 ＡｂｍＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＧａＡｓＰ
、 ＩｎＧａＡｔＰ。
ＧａＡｍＰ、 ＧａＰ、 ＧａＮなどのｍ−ｖ族化合物
半導体や、ＺｎＳθ、 ＺｎＳなどの１−Ｖｌ族化合物
半導体を用いることができる。
半導体や、ＺｎＳθ、 ＺｎＳなどの１−Ｖｌ族化合物
半導体を用いることができる。
次に１本発明に係る発光装置の具体的な実例を述べる。
（実施例１）
先う、石英ガラス基板１上に耐熱性マイクロレンズアレ
イ２を形成する（第３図（ａ）参照）。ここでは石英ガ
ラス基板１は厚さｌ闘であり、この上に、レーデＣＶＤ
法によってスポット状にＳＩＮ Ｍ膜を、１００．ａｍ
間隔でライン状に１００個並べて形成することでマイク
ロレンズアレイ２を得る。使用レーザは波長１０，６μ
ｍの炭酸ガスレーザ（出力１０Ｗ）であり、Ｚｎ５ｓレ
ンズによりて絞ってからＺｎ５ｅ九学窓を通して光ＣＶ
Ｄ装置に導入してｂる。
イ２を形成する（第３図（ａ）参照）。ここでは石英ガ
ラス基板１は厚さｌ闘であり、この上に、レーデＣＶＤ
法によってスポット状にＳＩＮ Ｍ膜を、１００．ａｍ
間隔でライン状に１００個並べて形成することでマイク
ロレンズアレイ２を得る。使用レーザは波長１０，６μ
ｍの炭酸ガスレーザ（出力１０Ｗ）であり、Ｚｎ５ｓレ
ンズによりて絞ってからＺｎ５ｅ九学窓を通して光ＣＶ
Ｄ装置に導入してｂる。
ソースガスとしてＦｉ、５ＩＨ２Ｃｔ２を１０ ＳＣＣ
Ｍ 、 ＮＨ，を５０ＳＣＣＭ流し、圧力５ Ｔｏｒｒ
で、１スポツトにつき２ｍ１ｎ間、照射し、薄膜を形成
する。中心膜厚はは約２μｍで、なだらかな膜厚分布を
持ち、レンズ機能を持つ。
Ｍ 、 ＮＨ，を５０ＳＣＣＭ流し、圧力５ Ｔｏｒｒ
で、１スポツトにつき２ｍ１ｎ間、照射し、薄膜を形成
する。中心膜厚はは約２μｍで、なだらかな膜厚分布を
持ち、レンズ機能を持つ。
このようにして、マイクロレンズアレイ２を形成した石
英ガラス基板ｌを裏返して、集束イオンビーム装置によ
りてＧ息イオンを４０ ＫａＶ、 ２ＸＩＯ／ｃｌｆＬ
”のドーズで、１βｍ角の微細領域に打込む。このＧａ
イオンの打込み領域５は上記マイクロレンズアレイ２の
光軸に対応して１１００ａ間隔でライン状に１００個並
べて形成される（第３図（ｂ）参照）。
英ガラス基板ｌを裏返して、集束イオンビーム装置によ
りてＧ息イオンを４０ ＫａＶ、 ２ＸＩＯ／ｃｌｆＬ
”のドーズで、１βｍ角の微細領域に打込む。このＧａ
イオンの打込み領域５は上記マイクロレンズアレイ２の
光軸に対応して１１００ａ間隔でライン状に１００個並
べて形成される（第３図（ｂ）参照）。
次に、Ｇａイオンの打込み領域５を表にしてＭＯＣＶＤ
装置に基板ｌｆｔセットし、ソースガスとしてトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシン、ドー
パントガスとしてシラン、キャリヤガスとして水素を流
し、基板温度７５０℃、圧力５ Ｑ Ｔｏｒｒ 、 Ｖ
／Ｉｎ比＝８０の条件でｎ型ＡＬｘＧａ１−、Ａｍ（Ｘ
＝０．６５）の成長を行なう。この場合、石英ガラス５
ｔＯ２基板ｌの表面４は非核形成面として動き、Ｇ＆イ
オンの打込領域の表面が核形成面として働くので、その
微細な打込み領域５から直径的５μｍのＡｂｍＡｓの単
結晶粒子８が成長する（第３図（０）参照）。
装置に基板ｌｆｔセットし、ソースガスとしてトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシン、ドー
パントガスとしてシラン、キャリヤガスとして水素を流
し、基板温度７５０℃、圧力５ Ｑ Ｔｏｒｒ 、 Ｖ
／Ｉｎ比＝８０の条件でｎ型ＡＬｘＧａ１−、Ａｍ（Ｘ
＝０．６５）の成長を行なう。この場合、石英ガラス５
ｔＯ２基板ｌの表面４は非核形成面として動き、Ｇ＆イ
オンの打込領域の表面が核形成面として働くので、その
微細な打込み領域５から直径的５μｍのＡｂｍＡｓの単
結晶粒子８が成長する（第３図（０）参照）。
次いで、ガスの流量、ドーパントガス（ｐ釜のときはノ
エチル亜鉛）を切換えて、ｎ型ＡｔｘＧａ１−ｘＡｍ（
ｘ＝０．８）層９を、ノンドープのＡ７ｘＧ畠１−、Ａ
Ｍ（Ｘ＝０．３５）活性層１０を、ｐｉＪ ＡｔｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ （ｘ＝０．８）層１１を、ｐ型Ａ４Ｇａ１
−ｘＡｓ （ｘ＝ ０．６５ ）層１２を順次成長させ
、直径約２０μｍの粒子７にする（第３図（ｄ）および
（６）参照）。
エチル亜鉛）を切換えて、ｎ型ＡｔｘＧａ１−ｘＡｍ（
ｘ＝０．８）層９を、ノンドープのＡ７ｘＧ畠１−、Ａ
Ｍ（Ｘ＝０．３５）活性層１０を、ｐｉＪ ＡｔｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ （ｘ＝０．８）層１１を、ｐ型Ａ４Ｇａ１
−ｘＡｓ （ｘ＝ ０．６５ ）層１２を順次成長させ
、直径約２０μｍの粒子７にする（第３図（ｄ）および
（６）参照）。
次に、この粒子７の表面をラッピングおよびポリッシン
グによシ平坦化しく第３図（ｆ）および−）参照）、反
射ＥＸ （Ａｕ／ＳＩＯ□） １３、正電極（ＡｕＺｎ
）１４、負電極（ＡｕＧ・）１５などを集積して、ダ
ブルへテロ構造のＬＥＤとする（第３図（ｈ）および（
１）参照）。
グによシ平坦化しく第３図（ｆ）および−）参照）、反
射ＥＸ （Ａｕ／ＳＩＯ□） １３、正電極（ＡｕＺｎ
）１４、負電極（ＡｕＧ・）１５などを集積して、ダ
ブルへテロ構造のＬＥＤとする（第３図（ｈ）および（
１）参照）。
このような構成ではＬＥＤの活性層１０から放出された
光は石英ガラス１を透過してマイクロレンズアレイ２で
集光される。
光は石英ガラス１を透過してマイクロレンズアレイ２で
集光される。
（実施例２）
別の実施例としては第４図および第５図に示すような構
造の集積化が基板１上になされるが、ここでは、２次元
面発光レーデアレイと２次元マイクロレンズアレイとが
形成される。
造の集積化が基板１上になされるが、ここでは、２次元
面発光レーデアレイと２次元マイクロレンズアレイとが
形成される。
先づ、厚さ１ｊＩｍの石英ガラス基板１上に実施例１と
同様にしてレーザＣＶＤ法で５ＩＮＲ［のマイクロレン
ズアレイ２を１００μｍピッチで８×８個の２次元配列
で６４個形成する。
同様にしてレーザＣＶＤ法で５ＩＮＲ［のマイクロレン
ズアレイ２を１００μｍピッチで８×８個の２次元配列
で６４個形成する。
次に、マイクロレンズアレイが形成され次層板１を裏返
して、上面にＡｕ膜１６を電子線加熱によって蒸着し、
次いで５ＩＮ４膜１７を減圧ＣＶＤ法で全面に堆積し、
基板側反射膜とする。
して、上面にＡｕ膜１６を電子線加熱によって蒸着し、
次いで５ＩＮ４膜１７を減圧ＣＶＤ法で全面に堆積し、
基板側反射膜とする。
次に８１ 、Ｎ４膜１７上に、実施例１と同様にして集
束イオンビーム装置でＧ１イオンを１ ｘＡｍ角で打込
み、更に基板をＭＯＣＶＤ装置にセットして、選択核形
成法（先述）で、単結晶を成長する。ここではＳｌ、Ｎ
４膜１７が非核形成面となり、Ｃａイオン打込み領域の
表面が核形成面となる。しかして、実施例１と同様に、
ソースガス ）”−ノ４ントガスの流量を変え、最初に
ｎ ｍＧａＡｓ層１８１次いでｎ型、＾、ｔｘＧ畠１−
ｘＡｓ （ｘ＝０．３５ ）層１９、ノンドープのＡｔ
ｘＧａｌ−ＸＡｓ （ｘ ＝ ０．０５ ）活性４２０
．ｐ型ＡｔｘＧａ１−ｘＡｓ （ｘ ＝ ０．３５ ）
層２” ％ｐ型ＧａＡａ層２２を順次成長する。
束イオンビーム装置でＧ１イオンを１ ｘＡｍ角で打込
み、更に基板をＭＯＣＶＤ装置にセットして、選択核形
成法（先述）で、単結晶を成長する。ここではＳｌ、Ｎ
４膜１７が非核形成面となり、Ｃａイオン打込み領域の
表面が核形成面となる。しかして、実施例１と同様に、
ソースガス ）”−ノ４ントガスの流量を変え、最初に
ｎ ｍＧａＡｓ層１８１次いでｎ型、＾、ｔｘＧ畠１−
ｘＡｓ （ｘ＝０．３５ ）層１９、ノンドープのＡｔ
ｘＧａｌ−ＸＡｓ （ｘ ＝ ０．０５ ）活性４２０
．ｐ型ＡｔｘＧａ１−ｘＡｓ （ｘ ＝ ０．３５ ）
層２” ％ｐ型ＧａＡａ層２２を順次成長する。
次に、実施例１と同様に成長した結晶を平坦化し、反射
膜（Ａｕ ／８１０□） 、正電極（ＡｕＺｎ）１４、
負電極（ＡｕＧｅ ） １５などを形成してダブルへテ
ロ構造の面発光レーザとする。
膜（Ａｕ ／８１０□） 、正電極（ＡｕＺｎ）１４、
負電極（ＡｕＧｅ ） １５などを形成してダブルへテ
ロ構造の面発光レーザとする。
（発明の効果）
本発明は以上詳述したようになり、非晶質透明基板上に
発光素子アレイ、マイクロレンズアレイを集積化してい
るので、発光素子アレ・イとマイクロレンズアレイの機
構的な元軸調整が不要となり、より安定した光プリンタ
や情報処理装置が構成できる。また、各別の発光素子プ
レイおよびマイクロレンズアレイを組合わせ使用する場
合よりも全体の小型化が実現できる。更に、非晶質基板
を用いるから、長尺の１次元集積化発光索子アレイや、
大面積の２次元集積化発元素子プレイの製造が可能であ
る。
発光素子アレイ、マイクロレンズアレイを集積化してい
るので、発光素子アレ・イとマイクロレンズアレイの機
構的な元軸調整が不要となり、より安定した光プリンタ
や情報処理装置が構成できる。また、各別の発光素子プ
レイおよびマイクロレンズアレイを組合わせ使用する場
合よりも全体の小型化が実現できる。更に、非晶質基板
を用いるから、長尺の１次元集積化発光索子アレイや、
大面積の２次元集積化発元素子プレイの製造が可能であ
る。
ｇｔ図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は選択核形成法を説明するための図、第３図（
ａ）〜（１）は本発明の一具体例全示す１次元集積化Ｌ
ＥＤアレイの製作工程を示す図、第４図および第５図は
本発明の別の具体例を示す２次元集積化レーデアレイの
断面図および平面図、第６図は従来例のＬＥＤ ｆリン
クの構成図でおる。 １・・・非晶質透明基板、２・・・マイクロレンズアレ
イ、３・・・発光素子アレイ、４・・・非核形成面、５
・・・基体、６・・・単一核、７・・・単結晶。
〜（ｃ）は選択核形成法を説明するための図、第３図（
ａ）〜（１）は本発明の一具体例全示す１次元集積化Ｌ
ＥＤアレイの製作工程を示す図、第４図および第５図は
本発明の別の具体例を示す２次元集積化レーデアレイの
断面図および平面図、第６図は従来例のＬＥＤ ｆリン
クの構成図でおる。 １・・・非晶質透明基板、２・・・マイクロレンズアレ
イ、３・・・発光素子アレイ、４・・・非核形成面、５
・・・基体、６・・・単一核、７・・・単結晶。
Claims (3)
- （１）発光素子と光学系とを基板上に集積した発光装置
であって、上記基板には非晶質透明基板を用い、該基板
の一面にマイクロレンズアレイを、また、この面とは反
対側の面に上記マイクロレンズアレイの光軸に発光位置
を合わせて発光素子アレイをそれぞれモノリシックに形
成していることを特徴とする発光装置。 - （２）上記発光素子アレイはマイクロレンズアレイを形
成した非晶質透明基板の他面を非核形成面として、ここ
に核形成密度が十分大きく、且つ、単一の核だけが成長
する程度の微細な核形成面を形成し、この核形成面から
単結晶を成長させて発光素子を構成している請求項１の
発光装置。 - （３）上記発光素子アレイは、マイクロレンズアレイを
形成した非晶質透明基板の他面に反射膜を形成し、該反
射膜の表面を非核形成面として、ここに核形成密度が十
分大きく、且つ、単一の核だけが成長する程度の微細な
核形成面を形成し、この核形成面から単結晶を成長させ
て発光素子を構成している請求項１の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107761A JPH02286358A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107761A JPH02286358A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02286358A true JPH02286358A (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=14467324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107761A Pending JPH02286358A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02286358A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05169721A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-09 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
| JPH05238059A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Kyocera Corp | 画像装置 |
| JPH0699612A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| US5475417A (en) * | 1991-10-25 | 1995-12-12 | Rohm Co., Ltd. | LED array printhead and method of adjusting light luminance of same |
| JP2002196571A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| WO2014109158A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 光インターコネクション装置 |
| CN110361947A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光学写入装置以及图像形成装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1107761A patent/JPH02286358A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475417A (en) * | 1991-10-25 | 1995-12-12 | Rohm Co., Ltd. | LED array printhead and method of adjusting light luminance of same |
| JPH05169721A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-09 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
| JPH05238059A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Kyocera Corp | 画像装置 |
| JPH0699612A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JP2002196571A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| WO2014109158A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 光インターコネクション装置 |
| CN104919731A (zh) * | 2013-01-11 | 2015-09-16 | 株式会社V技术 | 光互联装置 |
| CN110361947A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光学写入装置以及图像形成装置 |
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