JPH0621567A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0621567A JPH0621567A JP17243292A JP17243292A JPH0621567A JP H0621567 A JPH0621567 A JP H0621567A JP 17243292 A JP17243292 A JP 17243292A JP 17243292 A JP17243292 A JP 17243292A JP H0621567 A JPH0621567 A JP H0621567A
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- JP
- Japan
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- laser
- layer
- active layer
- vicinity
- substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ４元ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の活性
層近傍に正確に、かつ再現性良く、高抵抗層を発現せし
め、これによる電流狭搾作用により、レーザ光を高効率
に生成することができる半導体レーザを提供する。 【構成】 ４元ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造基板に
窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行
うことにより、電流狭搾用の高抵抗層をレーザ活性層近
傍に形成する。
層近傍に正確に、かつ再現性良く、高抵抗層を発現せし
め、これによる電流狭搾作用により、レーザ光を高効率
に生成することができる半導体レーザを提供する。 【構成】 ４元ＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造基板に
窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行
うことにより、電流狭搾用の高抵抗層をレーザ活性層近
傍に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や情報処理に利
用される半導体レーザに関する。
用される半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化合物半導体レーザは、レーザ光
の発生が可能な量子井戸構造、例えばレーザ光を発生す
る活性層を含むダブルヘテロ構造を、ＭＢＥ（分子線エ
ピタキシー）装置などにより形成した後、該構造中のレ
ーザ活性層にポンピング電流を狭搾・集中させるための
高抵抗層を表面近傍に作製し、さらに、ポンピング電流
を基板に導入させるための電極を配設することで製造さ
れる。
の発生が可能な量子井戸構造、例えばレーザ光を発生す
る活性層を含むダブルヘテロ構造を、ＭＢＥ（分子線エ
ピタキシー）装置などにより形成した後、該構造中のレ
ーザ活性層にポンピング電流を狭搾・集中させるための
高抵抗層を表面近傍に作製し、さらに、ポンピング電流
を基板に導入させるための電極を配設することで製造さ
れる。
【０００３】以下に、ＡｌＧａＩｎＰレーザを具体的な
例として説明する。ダブルヘテロ構造は、例えば図３に
示すように、基板として用いる化合物半導体基板（ｎ−
ＧａＡｓ）７上に、バッファ層（ｎ−ＧａＡｓ 〜１μ
ｍ）６を最初の積層構造として形成し、次にクラッド層
（ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ 〜１μｍ）５、レーザ活性層
（ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ 〜０. １５μｍ）４、
クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 〜１μｍ）３の順に
サンドイッチ構造を形成し、バンドギャップ緩和層（ｐ
−ＧａＩｎＰ〜０. ２μｍ）２を形成後、さらに最上部
にキャップ層（ｐ−ＧａＡｓ 〜０. ３５μｍ）１を形
成したものである。よって活性層は、最上部のクラッド
層から１μｍ以上の深さに存在することになる。
例として説明する。ダブルヘテロ構造は、例えば図３に
示すように、基板として用いる化合物半導体基板（ｎ−
ＧａＡｓ）７上に、バッファ層（ｎ−ＧａＡｓ 〜１μ
ｍ）６を最初の積層構造として形成し、次にクラッド層
（ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ 〜１μｍ）５、レーザ活性層
（ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ 〜０. １５μｍ）４、
クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 〜１μｍ）３の順に
サンドイッチ構造を形成し、バンドギャップ緩和層（ｐ
−ＧａＩｎＰ〜０. ２μｍ）２を形成後、さらに最上部
にキャップ層（ｐ−ＧａＡｓ 〜０. ３５μｍ）１を形
成したものである。よって活性層は、最上部のクラッド
層から１μｍ以上の深さに存在することになる。
【０００４】このようにしてダブルヘテロ構造を作り込
まれた半導体基板に対して、レーザ光の効率的な発生を
目的として、ポンピング電流を狭搾するため、従来か
ら、 （ａ）基板表面に形成された酸化シリコン膜等により、
ポンピング電流の流路を制限する方法（図４） （ｂ）基板表面からの亜鉛等を拡散して、Ｐ形の無秩序
化層を形成して、ＰＮＰの逆バイアス構造とし、ポンピ
ング電流を狭搾する方法（図５） などが用いられている。
まれた半導体基板に対して、レーザ光の効率的な発生を
目的として、ポンピング電流を狭搾するため、従来か
ら、 （ａ）基板表面に形成された酸化シリコン膜等により、
ポンピング電流の流路を制限する方法（図４） （ｂ）基板表面からの亜鉛等を拡散して、Ｐ形の無秩序
化層を形成して、ＰＮＰの逆バイアス構造とし、ポンピ
ング電流を狭搾する方法（図５） などが用いられている。
【０００５】しかしながら、（ａ）（ｂ）の両方法と
も、基板表面から電流狭搾を行うものであるため、１μ
ｍ以上の基板深部に形成された、レーザ光を発生する活
性層付近では、ポンピング電流が図４、図５のように広
がってしまい、効率的なレーザ光の発生（レーザ発振の
低しきい値化および量子化効率の向上）には、改良の余
地が存在していた。
も、基板表面から電流狭搾を行うものであるため、１μ
ｍ以上の基板深部に形成された、レーザ光を発生する活
性層付近では、ポンピング電流が図４、図５のように広
がってしまい、効率的なレーザ光の発生（レーザ発振の
低しきい値化および量子化効率の向上）には、改良の余
地が存在していた。
【０００６】そこで近年、ＡｌＧａＡｓなどの化合物半
導体基板において高抵抗な絶縁層を形成するイオンを、
基板深部に打ち込むことにより、ポンピング電流の狭搾
層を活性層近傍に形成する試みがなされてきた。例え
ば、Applied Physics Letters,Vol.54, PP730 (1989)
に見られるように、ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造に酸
素イオンを注入することで、高抵抗層を基板深部に形成
し、レーザ発振の低しきい値化および量子化効率の向上
を実現するなど、顕著な成果があげられている。
導体基板において高抵抗な絶縁層を形成するイオンを、
基板深部に打ち込むことにより、ポンピング電流の狭搾
層を活性層近傍に形成する試みがなされてきた。例え
ば、Applied Physics Letters,Vol.54, PP730 (1989)
に見られるように、ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造に酸
素イオンを注入することで、高抵抗層を基板深部に形成
し、レーザ発振の低しきい値化および量子化効率の向上
を実現するなど、顕著な成果があげられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、３元
化合物半導体のＡｌＧａＡｓについては、イオン注入に
より、電流狭搾のための高抵抗層形成が可能となってい
る。しかし、ＡｌＧａＡｓはそのバンドギャップ構造か
ら、レーザ発振の最短波長は０. ８μｍ程度までに制限
されており、可視光レーザではない。したがって、近
年、コンパクトディスク装置などにおいて、情報記憶量
が飛躍的に向上する可視光領域でのレーザ発振が可能
な、４元化合物半導体ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの開
発が、進められている。この４元化合物半導体ＡｌＧａ
ＩｎＰを用いた可視光半導体レーザを実現するために
は、ＡｌＧａＡｓを用いた半導体レーザと同様にポンピ
ング電流を狭搾する必要があり、従来、上述したポンピ
ング電流の狭搾法が取られてきた。しかし、従来法を用
いたポンピング電流の狭搾法では、一般的には、電流狭
搾部と発光領域とが深さ方向に離れているために発光領
域でポンピング電流が拡がり、横方向の発光モードの制
御が困難なこと、あるいは、発振しきい電流値が大きく
なるなどの問題があった。また、前述の（ａ）における
ポンピング電流狭搾法では、酸化シリコン等の絶縁層が
レーザを構成する半導体材料に比べて熱伝導が悪いた
め、レーザ素子の動作温度が高くなり高出力動作には適
さない等の問題があった。また、前述の（ｂ）における
ポンピング電流狭搾法では、亜鉛等の拡散の深さ方向の
制御が困難であるという問題があり、発光領域近傍での
精密かつ再現性のよいポンピング電流の狭搾法およびプ
ロセス工程の簡素化が望まれてきた。 本発明は、この
ような課題を解決するために、３元ＡｌＧａＡｓのイオ
ン注入法の知見に基づいて発明されたものであり、その
目的とするところは、イオン注入法によって、４元Ａｌ
ＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の活性層近傍に正確に、か
つ再現性良く、高抵抗層を発現せしめ、これによる電流
狭搾作用により、レーザ光を高効率に生成することがで
きる半導体レーザを提供することにある。
化合物半導体のＡｌＧａＡｓについては、イオン注入に
より、電流狭搾のための高抵抗層形成が可能となってい
る。しかし、ＡｌＧａＡｓはそのバンドギャップ構造か
ら、レーザ発振の最短波長は０. ８μｍ程度までに制限
されており、可視光レーザではない。したがって、近
年、コンパクトディスク装置などにおいて、情報記憶量
が飛躍的に向上する可視光領域でのレーザ発振が可能
な、４元化合物半導体ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの開
発が、進められている。この４元化合物半導体ＡｌＧａ
ＩｎＰを用いた可視光半導体レーザを実現するために
は、ＡｌＧａＡｓを用いた半導体レーザと同様にポンピ
ング電流を狭搾する必要があり、従来、上述したポンピ
ング電流の狭搾法が取られてきた。しかし、従来法を用
いたポンピング電流の狭搾法では、一般的には、電流狭
搾部と発光領域とが深さ方向に離れているために発光領
域でポンピング電流が拡がり、横方向の発光モードの制
御が困難なこと、あるいは、発振しきい電流値が大きく
なるなどの問題があった。また、前述の（ａ）における
ポンピング電流狭搾法では、酸化シリコン等の絶縁層が
レーザを構成する半導体材料に比べて熱伝導が悪いた
め、レーザ素子の動作温度が高くなり高出力動作には適
さない等の問題があった。また、前述の（ｂ）における
ポンピング電流狭搾法では、亜鉛等の拡散の深さ方向の
制御が困難であるという問題があり、発光領域近傍での
精密かつ再現性のよいポンピング電流の狭搾法およびプ
ロセス工程の簡素化が望まれてきた。 本発明は、この
ような課題を解決するために、３元ＡｌＧａＡｓのイオ
ン注入法の知見に基づいて発明されたものであり、その
目的とするところは、イオン注入法によって、４元Ａｌ
ＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の活性層近傍に正確に、か
つ再現性良く、高抵抗層を発現せしめ、これによる電流
狭搾作用により、レーザ光を高効率に生成することがで
きる半導体レーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体レーザは、レーザ光の発生が可能な量
子井戸構造を有する、アルミニウム(Al)、ガリウム(G
a)、インジウム(In)、リン(P) の４元素から成る半導体
基板に対し、レーザ光の効率的発生のため、ポンピング
電流を狭搾する高抵抗層を、窒素および酸素を注入元素
として、イオン打ち込みを行うことにより、レーザ活性
層近傍に形成することを特徴としている。
に本発明の半導体レーザは、レーザ光の発生が可能な量
子井戸構造を有する、アルミニウム(Al)、ガリウム(G
a)、インジウム(In)、リン(P) の４元素から成る半導体
基板に対し、レーザ光の効率的発生のため、ポンピング
電流を狭搾する高抵抗層を、窒素および酸素を注入元素
として、イオン打ち込みを行うことにより、レーザ活性
層近傍に形成することを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明によれば、４元ＡｌＧａＩｎＰダブルヘ
テロ構造基板において、その４種の構成元素に着目し、 （１）２元ＩｎＰ基板で高抵抗層の形成が可能な窒素イ
オンを、該４元ＡｌＧａＩｎＰ基板中の活性層近傍にま
で注入できる高エネルギー（１ＭｅＶ以上）に加速し、
該４元基板に打ち込む。この窒素注入により、該４元Ａ
ｌＧａＩｎＰのうち、ＩｎとＰの２種の構成元素に対し
て、高抵抗性を発現せしめる領域を形成することが可能
となる。
テロ構造基板において、その４種の構成元素に着目し、 （１）２元ＩｎＰ基板で高抵抗層の形成が可能な窒素イ
オンを、該４元ＡｌＧａＩｎＰ基板中の活性層近傍にま
で注入できる高エネルギー（１ＭｅＶ以上）に加速し、
該４元基板に打ち込む。この窒素注入により、該４元Ａ
ｌＧａＩｎＰのうち、ＩｎとＰの２種の構成元素に対し
て、高抵抗性を発現せしめる領域を形成することが可能
となる。
【００１０】（２）３元ＡｌＧａＡｓ基板で、高抵抗層
の形成が可能な酸素イオンも、同様に高エネルギーに加
速し、活性層近傍まで注入する。これにより、該４元Ａ
ｌＧａＩｎＰのうち、ＡｌとＧａの２種の構成元素に対
する高抵抗性を発現せしめる領域を形成することが可能
となる。
の形成が可能な酸素イオンも、同様に高エネルギーに加
速し、活性層近傍まで注入する。これにより、該４元Ａ
ｌＧａＩｎＰのうち、ＡｌとＧａの２種の構成元素に対
する高抵抗性を発現せしめる領域を形成することが可能
となる。
【００１１】（３）（１）、（２）の工程およびその後
のアニール処理により、注入イオンの活性化と、注入に
ともなう該基板の結晶欠陥回復をおこなうことで、Ｉｎ
とＰおよびＡｌとＧａの全構成元素に対して、活性層近
傍において高抵抗層を形成することが可能となる。
のアニール処理により、注入イオンの活性化と、注入に
ともなう該基板の結晶欠陥回復をおこなうことで、Ｉｎ
とＰおよびＡｌとＧａの全構成元素に対して、活性層近
傍において高抵抗層を形成することが可能となる。
【００１２】加えて、イオン注入方法の特徴として、そ
のプロセスパラメータ（注入量、注入深さ）が電気的な
物理量（電流、加速電圧）として制御できるため、ダブ
ルヘテロ構造を形成した基板中の活性層近傍に、正確に
かつ再現性良く、電流狭搾層を形成することができる。
のプロセスパラメータ（注入量、注入深さ）が電気的な
物理量（電流、加速電圧）として制御できるため、ダブ
ルヘテロ構造を形成した基板中の活性層近傍に、正確に
かつ再現性良く、電流狭搾層を形成することができる。
【００１３】
【実施例】本発明による半導体レーザの電流狭搾層の形
成方法の一例を、以下に説明する。まず、ＡｌＧａＩｎ
Ｐダブルヘテロ構造として、図３の構造を考える。活性
層は表面から約１. ７μｍに存在する。
成方法の一例を、以下に説明する。まず、ＡｌＧａＩｎ
Ｐダブルヘテロ構造として、図３の構造を考える。活性
層は表面から約１. ７μｍに存在する。
【００１４】まず、シミュレーション計算により、活性
層４の近傍に到達できる窒素イオンのエネルギーを算出
すると、約１. ４ＭｅＶとなる。（図２−（ａ）） また、同様に、活性層４の近傍に到達できる酸素イオン
のエネルギーを算出すると、約１. ５ＭｅＶとなる。
（図２−（ｂ）） 図２は、図３のＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の半導
体基板に上記エネルギーの窒素イオン及び酸素イオンを
注入したときの各々の濃度分布のシミュレーション計算
による結果を表示したものである。横軸はキャップ層１
の表面からの深さ方向の距離を示し、縦軸は窒素イオン
または酸素イオンの濃度を示している。左側の縦軸は、
１立方ｃｍ当たりに存在する各イオンの個数を示し、右
側の縦軸は、この半導体基板の原子数に対する各イオン
の個数の割合を百分率であらわしたものである。Ｎは窒
素イオンをあらわし、Ｏは酸素イオンをあらわす。そし
て斜線部分は、活性層４（ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎ
Ｐ）の位置に相当することを示している。
層４の近傍に到達できる窒素イオンのエネルギーを算出
すると、約１. ４ＭｅＶとなる。（図２−（ａ）） また、同様に、活性層４の近傍に到達できる酸素イオン
のエネルギーを算出すると、約１. ５ＭｅＶとなる。
（図２−（ｂ）） 図２は、図３のＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の半導
体基板に上記エネルギーの窒素イオン及び酸素イオンを
注入したときの各々の濃度分布のシミュレーション計算
による結果を表示したものである。横軸はキャップ層１
の表面からの深さ方向の距離を示し、縦軸は窒素イオン
または酸素イオンの濃度を示している。左側の縦軸は、
１立方ｃｍ当たりに存在する各イオンの個数を示し、右
側の縦軸は、この半導体基板の原子数に対する各イオン
の個数の割合を百分率であらわしたものである。Ｎは窒
素イオンをあらわし、Ｏは酸素イオンをあらわす。そし
て斜線部分は、活性層４（ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎ
Ｐ）の位置に相当することを示している。
【００１５】したがって、以下の手順で、電流狭搾用の
高抵抗層の精密形成プロセスを行う。まず、図１
（ａ）に示すように、レーザ光の発生が可能な量子井戸
構造、例えば、レーザ光を発生する活性層を含むダブル
ヘテロ構造を、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）装置など
により、化合物半導体基板上に形成する。
高抵抗層の精密形成プロセスを行う。まず、図１
（ａ）に示すように、レーザ光の発生が可能な量子井戸
構造、例えば、レーザ光を発生する活性層を含むダブル
ヘテロ構造を、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）装置など
により、化合物半導体基板上に形成する。
【００１６】その後、図１（ｂ）に示すように、その
表面に金属もしくは有機レジストによるストライプパタ
ーンニングを、通常のリソグラフィ法を用いて形成す
る。このストライプ領域が、レーザ発振領域の幅に相当
することになる。
表面に金属もしくは有機レジストによるストライプパタ
ーンニングを、通常のリソグラフィ法を用いて形成す
る。このストライプ領域が、レーザ発振領域の幅に相当
することになる。
【００１７】このようにして形成されたストライプパ
ターンの上から窒素イオンを約１．４ＭｅＶに加速し、
注入を行う。この打ち込みにより、図１（ｃ）に示すよ
うに活性層近傍に、ＩｎおよびＰに対して、高抵抗性を
発現せしめる領域９を形成することが可能となる。
ターンの上から窒素イオンを約１．４ＭｅＶに加速し、
注入を行う。この打ち込みにより、図１（ｃ）に示すよ
うに活性層近傍に、ＩｎおよびＰに対して、高抵抗性を
発現せしめる領域９を形成することが可能となる。
【００１８】さらに、この基板に対して、酸素イオン
を約１. ５ＭｅＶで注入することで、活性層近傍に、Ａ
ｌおよびＧａに対して、高抵抗性を発現せしめる領域１
０を、前記領域９に重畳させて形成することが図１
（ｄ）のように可能となる。
を約１. ５ＭｅＶで注入することで、活性層近傍に、Ａ
ｌおよびＧａに対して、高抵抗性を発現せしめる領域１
０を、前記領域９に重畳させて形成することが図１
（ｄ）のように可能となる。
【００１９】該４元化合物基板に対して、アニール処
理を施すことにより、注入イオンの活性化と、注入にと
もなう該基板の結晶欠陥回復をおこない、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｐすべての構成元素に対して、有効な高抵抗層を
形成することが可能となる。
理を施すことにより、注入イオンの活性化と、注入にと
もなう該基板の結晶欠陥回復をおこない、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｐすべての構成元素に対して、有効な高抵抗層を
形成することが可能となる。
【００２０】以上のように、窒素および酸素の２種のイ
オン注入を活性層近傍に行えば、レーザ発光のストライ
プ領域内では、ポンピング電流が集中し、それ以外の部
分では、電流狭搾の高抵抗層を形成することができる。
これによって、活性層にポンピング電流が集中して狭搾
されることになり、レーザ発光の低しきい値化および量
子化効率の向上が可能となる。
オン注入を活性層近傍に行えば、レーザ発光のストライ
プ領域内では、ポンピング電流が集中し、それ以外の部
分では、電流狭搾の高抵抗層を形成することができる。
これによって、活性層にポンピング電流が集中して狭搾
されることになり、レーザ発光の低しきい値化および量
子化効率の向上が可能となる。
【００２１】言うまでもなく、注入イオンの順序は上記
に限るものではなく、逆でも差し支えない。ただし、窒
素イオンおよび酸素イオンの注入エネルギー・注入量、
アニール処理温度等を最適に制御する必要性がある。
に限るものではなく、逆でも差し支えない。ただし、窒
素イオンおよび酸素イオンの注入エネルギー・注入量、
アニール処理温度等を最適に制御する必要性がある。
【００２２】
【発明の効果】本発明では、４元ＡｌＧａＩｎＰ基板に
対し、窒素注入によって構成元素ＩｎおよびＰに対し
て、また酸素注入によって構成元素ＡｌおよびＧａに対
して、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層を容易に、か
つ高精度に形成できる。
対し、窒素注入によって構成元素ＩｎおよびＰに対し
て、また酸素注入によって構成元素ＡｌおよびＧａに対
して、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層を容易に、か
つ高精度に形成できる。
【００２３】また電流狭搾層の形成方法は、シリコン半
導体製造において十分な実績のあるイオン注入法を原理
的に利用するので制御性に優れ、加えてポンピング電流
を活性層近傍で挟搾することができるので、半導体レー
ザのレーザ発振の諸特性（レーザ発振しきい値、量子化
効率）を向上させることができる。
導体製造において十分な実績のあるイオン注入法を原理
的に利用するので制御性に優れ、加えてポンピング電流
を活性層近傍で挟搾することができるので、半導体レー
ザのレーザ発振の諸特性（レーザ発振しきい値、量子化
効率）を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例のＡｌＧａＩｎＰ半導体レー
ザの電流狭搾方法。
ザの電流狭搾方法。
【図２】本発明のＡｌＧａＩｎＰへの窒素及び酸素の注
入シミュレーション。
入シミュレーション。
【図３】従来のＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の半導
体レーザ。
体レーザ。
【図４】従来法によるＡｌＧａＡｓ半導体レーザの電流
狭搾方法（その１）。
狭搾方法（その１）。
【図５】従来法によるＡｌＧａＡｓ半導体レーザの電流
狭搾方法（その２）。
狭搾方法（その２）。
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ光の発生が可能な量子井戸構造を
有する、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム
(In)、リン(P) の４元素から成る半導体基板に対し、窒
素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行う
ことにより、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層をレー
ザ活性層近傍に形成したことを特徴とした半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17243292A JPH0621567A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17243292A JPH0621567A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621567A true JPH0621567A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15941872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17243292A Pending JPH0621567A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19605501C1 (de) * | 1996-02-14 | 1997-04-03 | Linde Ag | Flurförderzeug mit einer Fahrerkabine |
| EP0918384A3 (en) * | 1995-01-20 | 2000-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17243292A patent/JPH0621567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918384A3 (en) * | 1995-01-20 | 2000-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| DE19605501C1 (de) * | 1996-02-14 | 1997-04-03 | Linde Ag | Flurförderzeug mit einer Fahrerkabine |
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