JPH02298090A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH02298090A JPH02298090A JP1118985A JP11898589A JPH02298090A JP H02298090 A JPH02298090 A JP H02298090A JP 1118985 A JP1118985 A JP 1118985A JP 11898589 A JP11898589 A JP 11898589A JP H02298090 A JPH02298090 A JP H02298090A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体発光素子と、その製造方法に関するも
のである。特に、ＡｌＧａ１ｎＰ系半導体を材料とした
可視光半導体発光素子とその製造方法に関するものであ
る。
のである。特に、ＡｌＧａ１ｎＰ系半導体を材料とした
可視光半導体発光素子とその製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、ＧａＡｓ基板上に有機金属を用いた化学気相成長
方法により形成された可視光半導体発光素子が、プラス
チックファイバーを用いた光通信システム、光ディスク
等の光源として注目されている。
方法により形成された可視光半導体発光素子が、プラス
チックファイバーを用いた光通信システム、光ディスク
等の光源として注目されている。
可視光半導体発光素子は、活性層にＧａ１ｎＰ１ 又
は、（ム１ｘＧａ＋−ｘ）＊、ｓｌｎ＠、５Ｐ（Ｏｃｘ
ｃｆ）を用いクラッド層として（ＡｌｖＧａ＋−ｙ）ｓ
、ｓ Ｉｎａ、５Ｐ（ｘ（ｙ：ａｔ）が用いられている
。Ｇａ１ｎＰを活性層として用いた素子構造及びその製
法について第３図に示す。 ［アプライドφフィジクス
会しターズ（Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ 、Ｌｅｔｔ 、
）Ｖｏ ｌ 、４３ 、ｐｐ 。
は、（ム１ｘＧａ＋−ｘ）＊、ｓｌｎ＠、５Ｐ（Ｏｃｘ
ｃｆ）を用いクラッド層として（ＡｌｖＧａ＋−ｙ）ｓ
、ｓ Ｉｎａ、５Ｐ（ｘ（ｙ：ａｔ）が用いられている
。Ｇａ１ｎＰを活性層として用いた素子構造及びその製
法について第３図に示す。 ［アプライドφフィジクス
会しターズ（Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ 、Ｌｅｔｔ 、
）Ｖｏ ｌ 、４３ 、ｐｐ 。
９８７〜９８９（１９８３）］このリッジ埋め込み型の
レーザは、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板上（１１）に、ｎ−
ｑＢＡ３ｂｕｒｒｅｒ’層（１２）、厚さｆμｎのｎ−
ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層（１３）、ＧａＩｎＰ活性層
（１４）、厚さ０．７μｍのＰ−ＡＩＧａｌｎＰクラッ
ド層（１５）を順次形成したのち、５ｔｏｌ（ｌｌｌｉ
）をマスクに選択エツチングにより、Ｐ−ＡＩＧａｌｎ
Ｐクラッド層（１５）の途中までエツチングし、凸状の
ストライプを形成し、次いで、Ｓ１０＊（１８）を選択
成長用マスクとして減圧ＭＯＶＰＥ法を用いた選択成長
により、５１０１ＩＣ１Ｂ）マスクのある領域を除きｎ
−ＧａＡｓ電流狭窄層（１７）で埋め込む。次に８１０
２マスク１Ｂを除去後、ｐ−ｃａＡｓコンタクト層（１
８）を減圧ＭＯＶＰＥ法により形成しＰ型電極（１９）
、ｎ型電極（２０）を形成して作製される。
レーザは、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板上（１１）に、ｎ−
ｑＢＡ３ｂｕｒｒｅｒ’層（１２）、厚さｆμｎのｎ−
ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層（１３）、ＧａＩｎＰ活性層
（１４）、厚さ０．７μｍのＰ−ＡＩＧａｌｎＰクラッ
ド層（１５）を順次形成したのち、５ｔｏｌ（ｌｌｌｉ
）をマスクに選択エツチングにより、Ｐ−ＡＩＧａｌｎ
Ｐクラッド層（１５）の途中までエツチングし、凸状の
ストライプを形成し、次いで、Ｓ１０＊（１８）を選択
成長用マスクとして減圧ＭＯＶＰＥ法を用いた選択成長
により、５１０１ＩＣ１Ｂ）マスクのある領域を除きｎ
−ＧａＡｓ電流狭窄層（１７）で埋め込む。次に８１０
２マスク１Ｂを除去後、ｐ−ｃａＡｓコンタクト層（１
８）を減圧ＭＯＶＰＥ法により形成しＰ型電極（１９）
、ｎ型電極（２０）を形成して作製される。
発明が解決しようとする課題
前記の従来の例によるＡ ＩＧａ ＩｎＰ系の半導体発
光素子の構造において、電流Ｉは、ｌμｓのｎ−ＡｌＧ
ａ１ｎＰクラッド層（１３）、０．７μｍのＰ−ＡＩＧ
ａｌｎＰクラッド層（ｔ５）を流れる。ＡｌＧａ［ｎＰ
四元混晶は材料特有の性質から比抵抗が高（、特にＰ−
ＡＩＧａｌｎＰ層を低抵抗化することはかなり困難であ
る。例えば、ＺをドープしたＰ−（ＡｌｘＧａ＋−ｘ
）１１．ｓ Ｉｎ１１．ｓＰにおいては、χ＝０．５の
ときに比抵抗が０．５Ω＊ｃｍ程度、χ＝０．７のとき
には比抵抗が数Ω拳Ｃｍはどになり、ＡＩの組成χを上
げると比抵抗が上昇するためにχを上げることができな
い。また、ＡｌＧａ１ｎＰの熱抵抗も高いため、Ｐ−Ａ
ＩＧａ！ｎＰクラッド層（１５）中での発熱に対し、十
分な放熱がされないために、良好な温度特性が得られず
、長寿命化が困難であるという問題点があった。本発明
は、前記の従来の問題点を解消するために成されたもの
であり、その目的とするところは、ＡｌＧａ１ｎＰ系の
可視光半導体発光素子において、ＡｌＧａ１ｎＰクラッ
ド層中での発熱を減少させ、良好な特性を何する半導体
発光素子、及びその製造方法を提供するものである。
光素子の構造において、電流Ｉは、ｌμｓのｎ−ＡｌＧ
ａ１ｎＰクラッド層（１３）、０．７μｍのＰ−ＡＩＧ
ａｌｎＰクラッド層（ｔ５）を流れる。ＡｌＧａ［ｎＰ
四元混晶は材料特有の性質から比抵抗が高（、特にＰ−
ＡＩＧａｌｎＰ層を低抵抗化することはかなり困難であ
る。例えば、ＺをドープしたＰ−（ＡｌｘＧａ＋−ｘ
）１１．ｓ Ｉｎ１１．ｓＰにおいては、χ＝０．５の
ときに比抵抗が０．５Ω＊ｃｍ程度、χ＝０．７のとき
には比抵抗が数Ω拳Ｃｍはどになり、ＡＩの組成χを上
げると比抵抗が上昇するためにχを上げることができな
い。また、ＡｌＧａ１ｎＰの熱抵抗も高いため、Ｐ−Ａ
ＩＧａ！ｎＰクラッド層（１５）中での発熱に対し、十
分な放熱がされないために、良好な温度特性が得られず
、長寿命化が困難であるという問題点があった。本発明
は、前記の従来の問題点を解消するために成されたもの
であり、その目的とするところは、ＡｌＧａ１ｎＰ系の
可視光半導体発光素子において、ＡｌＧａ１ｎＰクラッ
ド層中での発熱を減少させ、良好な特性を何する半導体
発光素子、及びその製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記課題を解決するために、半導体基板と第
１クラッド層、活性層、凸状のストライプ構造の第２ク
ラッド層からなるダブルヘテロ接合構造において、凸状
のストライプをはさんで、一方にＰ型部電性領域、他方
にｎ型導電性領域を有する構造を形成したものである。
１クラッド層、活性層、凸状のストライプ構造の第２ク
ラッド層からなるダブルヘテロ接合構造において、凸状
のストライプをはさんで、一方にＰ型部電性領域、他方
にｎ型導電性領域を有する構造を形成したものである。
また、本発明では、上記の構造を製造するための製造方
法も提供するものである。
法も提供するものである。
作用
従来の半導体発光素子では電流は、１μｍのｎ−ＡｌＧ
ａ ［ｎＰクラッド層、０．７μｍのＰ−ＡＩＧａｌｎ
Ｐクラッド層を流れるため、低抵抗化が困難でありＰ−
ＡＩＧａｌｎＰクラッド層での発熱が問題となるが、本
発明では、第２クラッド層をＰ−ＡＩＧａｌｎＰ等で形
成しても、第２クラッド層の電流通路となる部分を不純
物の導入により低抵抗化しているとともに、第２クラッ
ド層の電流通路部分として厚みの薄い部分を使用できる
ため、発熱が生じる、良好な性能の発揮が可能となる。
ａ ［ｎＰクラッド層、０．７μｍのＰ−ＡＩＧａｌｎ
Ｐクラッド層を流れるため、低抵抗化が困難でありＰ−
ＡＩＧａｌｎＰクラッド層での発熱が問題となるが、本
発明では、第２クラッド層をＰ−ＡＩＧａｌｎＰ等で形
成しても、第２クラッド層の電流通路となる部分を不純
物の導入により低抵抗化しているとともに、第２クラッ
ド層の電流通路部分として厚みの薄い部分を使用できる
ため、発熱が生じる、良好な性能の発揮が可能となる。
また、本発明の製造方法により、本発明の製造を有する
半導体発光素子を容易に作製でき墨。
半導体発光素子を容易に作製でき墨。
実施例
本発明の実施例の１つである半導体発光素子とその製造
方法を図に基づいて説明する。第１図は、本発明の一実
施例の半導体発光素子の製造の概略断面図であり、第２
図（ａ）〜（ｃ）は、実施例の半導体発光素子の製造工
程を示す断面図である。まず、減圧肋−ＶＰＥ法により
第２図（ａ）に示すようにＳ、１．（半絶縁性）−Ｇａ
Ａｓ基板１上に厚さ！、ＯμＩのアンドープ（ｕｎｄｏ
ｐｅｄ）（ＡＩ＠、ｔＧａ＠、＊）ｉ、ｓ Ｉｎ１．ｓ
Ｐクラッド層２、厚さ０．１μｓのＧａ１ｎＰ活性層３
、厚さ１．０μｍのアンドープ（Ａｌｍ、ｖ（ｉａ＠、
３）＠、ａｌｎ＠、ｓＰクラッド層４を順次エピタキシ
ャル成長を行う。なお、層２としてはＡ Ｉ Ｉ ｎＰ
、 層４としてはＧａ１ｎＰを用いてもよい。次に、
Ｓ＋０２Ｅｌをマスクに、熱硫酸を用いた選択エツチン
グにより、（Ａｌａ、ｖＧａ＊、ａ）１．ｓｌｎ＋＋、
５Ｐｉｉ４を深さ０．７μ厘選択エツチングして、凸の
ストライプ状に層４を残す。ストライプ中は７μｍで行
っている。次いで、ＳＩＯ！９を選択成長用マスクとし
て減圧ＭＯｖＰＥ法を用いた選択成長により、５１０２
９マスクのある領域を除き、アンドープＧａＡｓ層５．
θをエピタキシャル成長する。ＧａＡｓ層５，６の選択
成長は、成長温度７００℃で行い、第２図（ｂ）の構造
を形成する。次に、熱拡散もしくはイ。オン注入法によ
り、アンドープＧａＡｓ、ｌ！！１５．６にそれぞれ、
Ｐ＋ｎ領域を形成するためのドーピングを行う。Ｐ型ド
ーピングとしてはＺｎを用い、ｎ型ドーピングは、Ｓｅ
を用いた。熱拡散でドーピングを行うには、３０分間７
００℃で熱処理を行いＺｎ１Ｓｅをそれぞれ（Ａｌｍ、
ｖＧａ＠、＊ ）ｓ、ｓ Ｉｎ＠、ｓＰ層２まで拡散さ
せる。こうして、Ｐ空領域７ ＋ ｎ型領域８を形成し
、第２図（ｃ）の構造を得る。また、イオン注入法でも
同様に、（ＡＩ＠、ｒＧａ＠、ｓ ）ｓ、ｓ Ｉｎ＠、
ｓＰ層２に到達するように注入を行い、７００℃でアニ
ールを行い、低抵抗の領域７，８を形成できる。最後に
Ｐ−ＧａＡｓ層５上にＰ型電極９、ｎ−ＧａＡｓ層６上
にｎ型電極ＩＯを形成し第１図の構造を形成する。上記
の構造方法を用いることにより、クラッド２，４層がノ
ンドープであるために、高品質の結晶成長が可能であり
、また、活性ｌＩ３の発光領域近傍の（Ａ Ｉ＠、７Ｇ
ａｉ、ｓ）ｉ、５ｌｎｓ、ｓＰクラッド層２，４は、熱
拡散、イオン注入法のいずれにおいても、ドーピングに
よる結晶性の劣化が起こらないので、半導体発光素子の
長寿命、高性能化が可能となる。本発明の素子構造によ
り、電子ｅはｎ−ＧａＡｓ層日からｎ型になった厚さ０
．３μＩのｎ−（Ａｌｅ、ｔＧａ＠、ｓ）ｓ、５ｌｎｓ
、ｓＰ層の４層部分に流れ、活性層３に注入される。一
方、正孔のは、Ｐ−ＧａＡｓ層７からＰ型になった０、
３μｍの？−（Ａｌｍ、〒Ｇａｓ、ｓ ）＠、ｓ Ｉｎ
ａ、ｓＰ層部分４ｂに流れて活性層３に注入され、すな
わち、電流は、活性領域両側の低抵抗化された領域から
注入され、層４０．４８も薄くかつ低抵抗化されている
ため、発熱も生じない。
方法を図に基づいて説明する。第１図は、本発明の一実
施例の半導体発光素子の製造の概略断面図であり、第２
図（ａ）〜（ｃ）は、実施例の半導体発光素子の製造工
程を示す断面図である。まず、減圧肋−ＶＰＥ法により
第２図（ａ）に示すようにＳ、１．（半絶縁性）−Ｇａ
Ａｓ基板１上に厚さ！、ＯμＩのアンドープ（ｕｎｄｏ
ｐｅｄ）（ＡＩ＠、ｔＧａ＠、＊）ｉ、ｓ Ｉｎ１．ｓ
Ｐクラッド層２、厚さ０．１μｓのＧａ１ｎＰ活性層３
、厚さ１．０μｍのアンドープ（Ａｌｍ、ｖ（ｉａ＠、
３）＠、ａｌｎ＠、ｓＰクラッド層４を順次エピタキシ
ャル成長を行う。なお、層２としてはＡ Ｉ Ｉ ｎＰ
、 層４としてはＧａ１ｎＰを用いてもよい。次に、
Ｓ＋０２Ｅｌをマスクに、熱硫酸を用いた選択エツチン
グにより、（Ａｌａ、ｖＧａ＊、ａ）１．ｓｌｎ＋＋、
５Ｐｉｉ４を深さ０．７μ厘選択エツチングして、凸の
ストライプ状に層４を残す。ストライプ中は７μｍで行
っている。次いで、ＳＩＯ！９を選択成長用マスクとし
て減圧ＭＯｖＰＥ法を用いた選択成長により、５１０２
９マスクのある領域を除き、アンドープＧａＡｓ層５．
θをエピタキシャル成長する。ＧａＡｓ層５，６の選択
成長は、成長温度７００℃で行い、第２図（ｂ）の構造
を形成する。次に、熱拡散もしくはイ。オン注入法によ
り、アンドープＧａＡｓ、ｌ！！１５．６にそれぞれ、
Ｐ＋ｎ領域を形成するためのドーピングを行う。Ｐ型ド
ーピングとしてはＺｎを用い、ｎ型ドーピングは、Ｓｅ
を用いた。熱拡散でドーピングを行うには、３０分間７
００℃で熱処理を行いＺｎ１Ｓｅをそれぞれ（Ａｌｍ、
ｖＧａ＠、＊ ）ｓ、ｓ Ｉｎ＠、ｓＰ層２まで拡散さ
せる。こうして、Ｐ空領域７ ＋ ｎ型領域８を形成し
、第２図（ｃ）の構造を得る。また、イオン注入法でも
同様に、（ＡＩ＠、ｒＧａ＠、ｓ ）ｓ、ｓ Ｉｎ＠、
ｓＰ層２に到達するように注入を行い、７００℃でアニ
ールを行い、低抵抗の領域７，８を形成できる。最後に
Ｐ−ＧａＡｓ層５上にＰ型電極９、ｎ−ＧａＡｓ層６上
にｎ型電極ＩＯを形成し第１図の構造を形成する。上記
の構造方法を用いることにより、クラッド２，４層がノ
ンドープであるために、高品質の結晶成長が可能であり
、また、活性ｌＩ３の発光領域近傍の（Ａ Ｉ＠、７Ｇ
ａｉ、ｓ）ｉ、５ｌｎｓ、ｓＰクラッド層２，４は、熱
拡散、イオン注入法のいずれにおいても、ドーピングに
よる結晶性の劣化が起こらないので、半導体発光素子の
長寿命、高性能化が可能となる。本発明の素子構造によ
り、電子ｅはｎ−ＧａＡｓ層日からｎ型になった厚さ０
．３μＩのｎ−（Ａｌｅ、ｔＧａ＠、ｓ）ｓ、５ｌｎｓ
、ｓＰ層の４層部分に流れ、活性層３に注入される。一
方、正孔のは、Ｐ−ＧａＡｓ層７からＰ型になった０、
３μｍの？−（Ａｌｍ、〒Ｇａｓ、ｓ ）＠、ｓ Ｉｎ
ａ、ｓＰ層部分４ｂに流れて活性層３に注入され、すな
わち、電流は、活性領域両側の低抵抗化された領域から
注入され、層４０．４８も薄くかつ低抵抗化されている
ため、発熱も生じない。
電子と再結合する。活性層３の発光領域でのクラッド層
の厚さは１μ閣であり、光の閉じ込めに良好となる。ま
た、発光領域も活性層３内のＰ−ｎ接合領域であるため
に、微少スポットに絞り込むことができ、活性層３に平
行方向の光の閉じ込めができ、横モードの制御が可能と
なる。本発明者は、本発明の素子構造により、基本横モ
ード発振することを確認し、出力３腸ｗ、１０００時間
の寿命を確認した。なお、本発明による構造は上記した
実施例に限定されるものではなく、例えば、活性層に（
ＡＩ。
の厚さは１μ閣であり、光の閉じ込めに良好となる。ま
た、発光領域も活性層３内のＰ−ｎ接合領域であるため
に、微少スポットに絞り込むことができ、活性層３に平
行方向の光の閉じ込めができ、横モードの制御が可能と
なる。本発明者は、本発明の素子構造により、基本横モ
ード発振することを確認し、出力３腸ｗ、１０００時間
の寿命を確認した。なお、本発明による構造は上記した
実施例に限定されるものではなく、例えば、活性層に（
ＡＩ。
（ｉａｌ−ｘ）ｓ、＠Ｉｎ＠、６Ｐを用いても可能であ
る。マタ、他の半導体材料、例えばＡ ｌＧａＡｓＧａ
５ｂ 、 ＩｎＧａＡｓＰ等、さらにはＺｎＳなどのＩ
Ｉ［−Ｖｌ化合物半導体を用いても可能であることは言
うまでもない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形しても実施することができる。また、本発明
の製造方法では、ドーピング材料としてｎ型でＳｅ、ｐ
型でＺｎを用いたが、他のドーピング材料、例えば、Ｓ
１＋Ｍｇ＋Ｂｅを用いても可能であることは言うまでも
ない。
る。マタ、他の半導体材料、例えばＡ ｌＧａＡｓＧａ
５ｂ 、 ＩｎＧａＡｓＰ等、さらにはＺｎＳなどのＩ
Ｉ［−Ｖｌ化合物半導体を用いても可能であることは言
うまでもない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形しても実施することができる。また、本発明
の製造方法では、ドーピング材料としてｎ型でＳｅ、ｐ
型でＺｎを用いたが、他のドーピング材料、例えば、Ｓ
１＋Ｍｇ＋Ｂｅを用いても可能であることは言うまでも
ない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、活性層内の発光領域で
の結晶性の向上がみられ、また、素子としての低抵抗化
、発熱の減少化が図られ、半導体発光素子の高性能化、
長寿命化、さらに、横モードの制御が実現される。本発
明は、半導体発光素子構造及び製造方法として、実用的
効果は非常に大きく、高性能半導体レーザの実現に太き
（寄与するものである。
の結晶性の向上がみられ、また、素子としての低抵抗化
、発熱の減少化が図られ、半導体発光素子の高性能化、
長寿命化、さらに、横モードの制御が実現される。本発
明は、半導体発光素子構造及び製造方法として、実用的
効果は非常に大きく、高性能半導体レーザの実現に太き
（寄与するものである。
第１図は、本発明の一実施例である半導体発光素子の概
略構造の断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は同実施例の半
導体発光素子の製造工程を示す断面図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来のレーザの製°造工程を示す断面図である
。 １・・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・・ＡｌＧａ１ｎＰ
クラッド層、３・・・・Ｇａ１ｎＰ活性層、 ４・・・
・ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層、５・・・・ＧａＡｓ層、
８・・・・ＧａＡｓ層、 ７・・・・Ｐ型領域、８・
・・・ｎ型領域、９・・・・Ｐ型電極、ＩＯ・・・・ｎ
型電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｓ 区−ロ 叢 ゛第２図
略構造の断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は同実施例の半
導体発光素子の製造工程を示す断面図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来のレーザの製°造工程を示す断面図である
。 １・・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・・ＡｌＧａ１ｎＰ
クラッド層、３・・・・Ｇａ１ｎＰ活性層、 ４・・・
・ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層、５・・・・ＧａＡｓ層、
８・・・・ＧａＡｓ層、 ７・・・・Ｐ型領域、８・
・・・ｎ型領域、９・・・・Ｐ型電極、ＩＯ・・・・ｎ
型電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｓ 区−ロ 叢 ゛第２図
Claims (2)
- （１）半導体基板と第１クラッド層、活性層、凸状のス
トライプ構造の第２クラッド層からなるダブルヘテロ接
合構造において、前記凸状のストライプを挟んで一方に
Ｐ型導電型領域他方にｎ型導電型領域を有し、前記領域
から活性層に電流を注入することを特徴とする半導体発
光素子。 - （２）半導体基板上に、第１クラッド層、活性層、第２
クラッド層を順次形成後、第２クラッド層の途中までエ
ッチングを行い、凸状のストライプを形成し、次いで選
択成長により前記第２クラッド層よりも低抵抗であり屈
折率の小さな材料の半導体層を凸状のストライプの両側
に形成する工程と、前記凸状のストライプの両側に形成
された半導体層から第１クラッド層の途中まで一方にＰ
型の不純物、他方にｎ型の不純物を拡散もしくはイオン
注入法によりドーピングする工程とを備えてなることを
特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118985A JPH02298090A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118985A JPH02298090A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298090A true JPH02298090A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14750153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118985A Pending JPH02298090A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956358A (en) * | 1995-02-23 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Semiconductor laser having an improved lateral carrier injection structure to multiple quantum well layers |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1118985A patent/JPH02298090A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956358A (en) * | 1995-02-23 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Semiconductor laser having an improved lateral carrier injection structure to multiple quantum well layers |
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