JPH06215724A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH06215724A JPH06215724A JP5020709A JP2070993A JPH06215724A JP H06215724 A JPH06215724 A JP H06215724A JP 5020709 A JP5020709 A JP 5020709A JP 2070993 A JP2070993 A JP 2070993A JP H06215724 A JPH06215724 A JP H06215724A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電走査に伴うイオンビームのビームサイズ
の変化を小さくして、ターゲットに対する注入均一性を
向上させることができるようにしたイオン注入装置を提
供する。 【構成】 走査電源１４ａ内に、直流のオフセット電源
２４と、それからの正の電圧をインバータ１８からの出
力電圧および信号発生器１６からの出力電圧にそれぞれ
加算するアナログ加算器２６および２８を追加した。そ
して、両加算器２６および２８からの出力電圧を高電圧
アンプ２０および２２でそれぞれ増幅して走査電圧Ｖ3
およびＶ4 を作り、これを走査電極４および６に印加す
るようにした。この走査電圧Ｖ3 およびＶ4 は、三角波
形の走査電圧に同じ極性かつ同じ大きさのオフセット電
圧をそれぞれ加えたものとなる。
の変化を小さくして、ターゲットに対する注入均一性を
向上させることができるようにしたイオン注入装置を提
供する。 【構成】 走査電源１４ａ内に、直流のオフセット電源
２４と、それからの正の電圧をインバータ１８からの出
力電圧および信号発生器１６からの出力電圧にそれぞれ
加算するアナログ加算器２６および２８を追加した。そ
して、両加算器２６および２８からの出力電圧を高電圧
アンプ２０および２２でそれぞれ増幅して走査電圧Ｖ3
およびＶ4 を作り、これを走査電極４および６に印加す
るようにした。この走査電圧Ｖ3 およびＶ4 は、三角波
形の走査電圧に同じ極性かつ同じ大きさのオフセット電
圧をそれぞれ加えたものとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオンビームを静電
的に走査する方式のイオン注入装置に関し、より具体的
には、静電走査に伴うビームサイズの変化を小さくする
手段に関する。
的に走査する方式のイオン注入装置に関し、より具体的
には、静電走査に伴うビームサイズの変化を小さくする
手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオン注入装置の従来例を図４
に示す。このイオン注入装置は、いわゆるパラレルスキ
ャンかつハイブリッドスキャン方式のものであり、図示
しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量
分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム２
を、走査電源１４から互いに１８０度位相の異なる走査
電圧Ｖ1 、Ｖ2 が印加される２対の走査電極４および６
の協働によって、即ち一方の走査電極４で偏向させたイ
オンビーム２を他方の走査電極６で同じ角度だけ逆方向
に偏向させることにより、Ｘ方向（例えば水平方向。以
下同じ）に静電的に平行走査して幅広のイオンビーム
（パラレルビーム）２を作るようにしている。
に示す。このイオン注入装置は、いわゆるパラレルスキ
ャンかつハイブリッドスキャン方式のものであり、図示
しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量
分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム２
を、走査電源１４から互いに１８０度位相の異なる走査
電圧Ｖ1 、Ｖ2 が印加される２対の走査電極４および６
の協働によって、即ち一方の走査電極４で偏向させたイ
オンビーム２を他方の走査電極６で同じ角度だけ逆方向
に偏向させることにより、Ｘ方向（例えば水平方向。以
下同じ）に静電的に平行走査して幅広のイオンビーム
（パラレルビーム）２を作るようにしている。
【０００３】走査電源１４は、この例では、概ね三角波
状の信号を発生させる信号発生器１６と、その信号の位
相を１８０度反転させるインバータ１８と、このインバ
ータ１８および信号発生器１６からの信号をそれぞれ増
幅する高電圧アンプ２０および２２とを有しており、例
えば図５に示すような互いに１８０度位相の異なる走査
電圧Ｖ1 およびＶ2 を発生させる。なお、この図５およ
び後述する図２では、図示を簡略化するために三角波形
をした走査電圧を例示しているが、実際上は三角波形と
は若干異なる波形が使用されることが多い。
状の信号を発生させる信号発生器１６と、その信号の位
相を１８０度反転させるインバータ１８と、このインバ
ータ１８および信号発生器１６からの信号をそれぞれ増
幅する高電圧アンプ２０および２２とを有しており、例
えば図５に示すような互いに１８０度位相の異なる走査
電圧Ｖ1 およびＶ2 を発生させる。なお、この図５およ
び後述する図２では、図示を簡略化するために三角波形
をした走査電圧を例示しているが、実際上は三角波形と
は若干異なる波形が使用されることが多い。
【０００４】イオンビーム２は、走査電極４、６におい
て、上記両走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 の差の電圧によって走査
される。図１、図２および図４ないし図６中の符号Ａ、
Ｂ、Ｃは、互いに対応した位置を表している。
て、上記両走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 の差の電圧によって走査
される。図１、図２および図４ないし図６中の符号Ａ、
Ｂ、Ｃは、互いに対応した位置を表している。
【０００５】また、両走査電極４、６の間には、この例
では一対の偏向電極８が設けられており、これによって
イオンビーム２を前記Ｘ方向と実質的に直交するＹ方向
（例えば垂直方向。以下同じ）に所定の角度（例えば７
度程度）偏向させ、直進する中性ビームを分離するよう
にしている。この偏向は、磁界によって行う場合もあ
る。
では一対の偏向電極８が設けられており、これによって
イオンビーム２を前記Ｘ方向と実質的に直交するＹ方向
（例えば垂直方向。以下同じ）に所定の角度（例えば７
度程度）偏向させ、直進する中性ビームを分離するよう
にしている。この偏向は、磁界によって行う場合もあ
る。
【０００６】更に、走査電極６の下流側にターゲット
（例えばウェーハ）１０を保持するホルダ１２を配置す
ると共に、それらを図示しないターゲット駆動装置によ
ってイオンビーム２の照射領域内において前記Ｙ方向に
機械的に走査し、これとイオンビーム２の前記Ｘ方向の
走査との協働によって、ターゲット１０の全面にできる
だけ均一にイオン注入を行うようにしている。
（例えばウェーハ）１０を保持するホルダ１２を配置す
ると共に、それらを図示しないターゲット駆動装置によ
ってイオンビーム２の照射領域内において前記Ｙ方向に
機械的に走査し、これとイオンビーム２の前記Ｘ方向の
走査との協働によって、ターゲット１０の全面にできる
だけ均一にイオン注入を行うようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように走査電極
４、６によってイオンビーム２を静電的に走査すると、
例えば図６に示すように、イオンビーム２が走査電極間
の端部ＡまたはＣにある時にはビームサイズが大きく、
走査電極間の中心部Ｂにある時にはビームサイズが小さ
くなるという問題が生じる。
４、６によってイオンビーム２を静電的に走査すると、
例えば図６に示すように、イオンビーム２が走査電極間
の端部ＡまたはＣにある時にはビームサイズが大きく、
走査電極間の中心部Ｂにある時にはビームサイズが小さ
くなるという問題が生じる。
【０００８】これは、イオンビーム２内に含まれている
イオンと電子の移動速度の差により（イオンは電子に比
べて数千倍重く従って動きにくい）、電界のかかった部
分（時）において、イオンと電子とが分離して、イオン
ビーム２内に含まれていた電子が少なくなってイオンビ
ーム２がそれ自身の電荷により発散してビームサイズが
大きくなるからである。即ち、イオンビーム２が走査電
極４（または６）間の端部Ａ、Ｃを通る時は、大きな電
界がかかるので、イオンビーム２の発散は大きくそのビ
ームサイズは大きくなる。一方、イオンビーム２が走査
電極４（または６）間の中心部Ｂを通る時は、一対の走
査電極は共にゼロ電位にあるため（図５参照）、イオン
ビーム２内に電子とイオンが分離せず、従ってイオンビ
ーム２は発散しにくいのでそのビームサイズは小さくな
る。
イオンと電子の移動速度の差により（イオンは電子に比
べて数千倍重く従って動きにくい）、電界のかかった部
分（時）において、イオンと電子とが分離して、イオン
ビーム２内に含まれていた電子が少なくなってイオンビ
ーム２がそれ自身の電荷により発散してビームサイズが
大きくなるからである。即ち、イオンビーム２が走査電
極４（または６）間の端部Ａ、Ｃを通る時は、大きな電
界がかかるので、イオンビーム２の発散は大きくそのビ
ームサイズは大きくなる。一方、イオンビーム２が走査
電極４（または６）間の中心部Ｂを通る時は、一対の走
査電極は共にゼロ電位にあるため（図５参照）、イオン
ビーム２内に電子とイオンが分離せず、従ってイオンビ
ーム２は発散しにくいのでそのビームサイズは小さくな
る。
【０００９】このようなイオンビーム２のビームサイズ
の変化は、イオンビーム２の電流密度が大きくなるほど
著しくなる。これは、イオンビーム２の電流密度が大き
くなるほどイオン同士の反発力が大きくなるからであ
る。
の変化は、イオンビーム２の電流密度が大きくなるほど
著しくなる。これは、イオンビーム２の電流密度が大き
くなるほどイオン同士の反発力が大きくなるからであ
る。
【００１０】そして、上記のようにイオンビーム２のビ
ームサイズが変化すると、イオンビーム２が走査電極間
の中心部Ｂを通る時にビーム密度が高くなって注入量が
多くなり、端部Ａ、Ｃを通る時にビーム密度が低くなっ
て注入量が少なくなるので、ターゲット１０に対する注
入均一性を悪化させるという問題が生じる。
ームサイズが変化すると、イオンビーム２が走査電極間
の中心部Ｂを通る時にビーム密度が高くなって注入量が
多くなり、端部Ａ、Ｃを通る時にビーム密度が低くなっ
て注入量が少なくなるので、ターゲット１０に対する注
入均一性を悪化させるという問題が生じる。
【００１１】このような問題は、パラレルスキャンやハ
イブリッドスキャンとは関係なく、静電走査を採用する
イオン注入装置に共通して存在する。
イブリッドスキャンとは関係なく、静電走査を採用する
イオン注入装置に共通して存在する。
【００１２】そこでこの発明は、静電走査に伴うイオン
ビームのビームサイズの変化を小さくして、ターゲット
に対する注入均一性を向上させることができるようにし
たイオン注入装置を提供することを主たる目的とする。
ビームのビームサイズの変化を小さくして、ターゲット
に対する注入均一性を向上させることができるようにし
たイオン注入装置を提供することを主たる目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、直流のオフセット電
源を設けて、一対の走査電極に印加される走査電圧に、
互いに同じ極性のオフセット電圧をそれぞれ加えるよう
にしたことを特徴とする。
め、この発明のイオン注入装置は、直流のオフセット電
源を設けて、一対の走査電極に印加される走査電圧に、
互いに同じ極性のオフセット電圧をそれぞれ加えるよう
にしたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、イオンビームが走査電極間
の端部を通る時に少なくとも一方の走査電極に電圧が印
加されているのは勿論のこと、イオンビームが走査電極
間の中心部を通る時にも両走査電極にはオフセット電圧
分の電圧が印加されることになる。
の端部を通る時に少なくとも一方の走査電極に電圧が印
加されているのは勿論のこと、イオンビームが走査電極
間の中心部を通る時にも両走査電極にはオフセット電圧
分の電圧が印加されることになる。
【００１５】このように、イオンビームが走査電極間の
端部を通る時も中心部を通る時も、一対の走査電極の少
なくとも一方には必ず電圧が印加されることになり、従
ってイオンビーム内から電子を分離させてイオンビーム
を発散させる作用が中心部を通る時と端部を通る時とで
ほぼ同じように起こるので、静電走査に伴うイオンビー
ムのビームサイズの変化が小さくなる。その結果、ター
ゲットに対する注入均一性が向上する。
端部を通る時も中心部を通る時も、一対の走査電極の少
なくとも一方には必ず電圧が印加されることになり、従
ってイオンビーム内から電子を分離させてイオンビーム
を発散させる作用が中心部を通る時と端部を通る時とで
ほぼ同じように起こるので、静電走査に伴うイオンビー
ムのビームサイズの変化が小さくなる。その結果、ター
ゲットに対する注入均一性が向上する。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１７】この実施例においては、従来の走査電源１
４の構成を次のように変更した走査電源１４ａを設けて
いる。即ち、直流のオフセット電源２４と、それからの
電圧（この実施例では正の電圧であるが、負の電圧でも
良い）をインバータ１８からの出力電圧および信号発生
器１６からの出力電圧にそれぞれ加算するアナログ加算
器２６および２８を追加している。そして、このアナロ
グ加算器２６および２８からの出力電圧を高電圧アンプ
２０および２２でそれぞれ増幅して走査電圧Ｖ3 および
Ｖ4 を作り、これを走査電極４および６に印加するよう
にしている。
４の構成を次のように変更した走査電源１４ａを設けて
いる。即ち、直流のオフセット電源２４と、それからの
電圧（この実施例では正の電圧であるが、負の電圧でも
良い）をインバータ１８からの出力電圧および信号発生
器１６からの出力電圧にそれぞれ加算するアナログ加算
器２６および２８を追加している。そして、このアナロ
グ加算器２６および２８からの出力電圧を高電圧アンプ
２０および２２でそれぞれ増幅して走査電圧Ｖ3 および
Ｖ4 を作り、これを走査電極４および６に印加するよう
にしている。
【００１８】この走査電圧Ｖ3 およびＶ4 の波形の一例
を図２に示す。この例では、両走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 は、
図５で示したような三角波形の走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 に、
互いに同じ極性かつ同じ大きさのオフセット電圧Ｖ0 を
それぞれ加えたものである。
を図２に示す。この例では、両走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 は、
図５で示したような三角波形の走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 に、
互いに同じ極性かつ同じ大きさのオフセット電圧Ｖ0 を
それぞれ加えたものである。
【００１９】このオフセット電圧Ｖ0 の大きさは、例え
ば数十〜数百Ｖ程度で良い。
ば数十〜数百Ｖ程度で良い。
【００２０】このような走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 を走査電極
４、６に印加すると、図２からも分かるように、イオン
ビーム２が走査電極４（または６）間の端部ＡまたはＣ
を通る時に、一対の走査電極の内の少なくとも一方の走
査電極に電圧が印加されているのは勿論のこと、イオン
ビーム２が走査電極４（または６）間の中心部Ｂを通る
時にも、一対の走査電極の両方の走査電極にはオフセッ
トＶ0 分の電圧が印加されることになる。
４、６に印加すると、図２からも分かるように、イオン
ビーム２が走査電極４（または６）間の端部ＡまたはＣ
を通る時に、一対の走査電極の内の少なくとも一方の走
査電極に電圧が印加されているのは勿論のこと、イオン
ビーム２が走査電極４（または６）間の中心部Ｂを通る
時にも、一対の走査電極の両方の走査電極にはオフセッ
トＶ0 分の電圧が印加されることになる。
【００２１】このように、イオンビーム２が走査電極間
の端部Ａ、Ｃを通る時も中心部Ｂを通る時も、一対の走
査電極の少なくとも一方には必ず電圧が印加されること
になり、従ってイオンビーム２内から電子を分離させて
イオンビーム２を発散させる作用が中心部Ｂを通る時と
端部Ａ、Ｃを通る時とでほぼ同じように起こるので、静
電走査に伴うイオンビーム２のビームサイズの変化が小
さくなる。その結果、ターゲット１０に対する注入均一
性が向上する。
の端部Ａ、Ｃを通る時も中心部Ｂを通る時も、一対の走
査電極の少なくとも一方には必ず電圧が印加されること
になり、従ってイオンビーム２内から電子を分離させて
イオンビーム２を発散させる作用が中心部Ｂを通る時と
端部Ａ、Ｃを通る時とでほぼ同じように起こるので、静
電走査に伴うイオンビーム２のビームサイズの変化が小
さくなる。その結果、ターゲット１０に対する注入均一
性が向上する。
【００２２】なお、上記のように走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 に
同じオフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加えても、イオンビ
ーム２は両走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 の差によって走査される
から、イオンビーム２の走査自体については従来例と変
わらない。
同じオフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加えても、イオンビ
ーム２は両走査電圧Ｖ3 、Ｖ4 の差によって走査される
から、イオンビーム２の走査自体については従来例と変
わらない。
【００２３】また、元の走査電圧Ｖ1 およびＶ2 にオフ
セット電圧Ｖ0 を加える回路構成は、図１の例以外のも
のも採り得る。例えば、上記オフセット電源２４および
アナログ加算器２６、２８に相当するものを高電圧アン
プ２０および２２にそれぞれ内蔵させても良いし、ある
いは図３に示す走査電源１４ｂのように、オフセット電
圧Ｖ0 をそれぞれ出力するオフセット電源３０および３
２を高電圧アンプ２０および２２にそれぞれ直列に挿入
しても良い。
セット電圧Ｖ0 を加える回路構成は、図１の例以外のも
のも採り得る。例えば、上記オフセット電源２４および
アナログ加算器２６、２８に相当するものを高電圧アン
プ２０および２２にそれぞれ内蔵させても良いし、ある
いは図３に示す走査電源１４ｂのように、オフセット電
圧Ｖ0 をそれぞれ出力するオフセット電源３０および３
２を高電圧アンプ２０および２２にそれぞれ直列に挿入
しても良い。
【００２４】また、元の走査電圧Ｖ1 およびＶ2 に負の
オフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加えても良い。
オフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加えても良い。
【００２５】また、元の走査電圧Ｖ1 およびＶ2 にそれ
ぞれ加えるオフセット電圧は、互いに同じ大きさの方が
イオンビーム２の走査の中心がずれないので好ましい
が、異なる大きさでも良い。
ぞれ加えるオフセット電圧は、互いに同じ大きさの方が
イオンビーム２の走査の中心がずれないので好ましい
が、異なる大きさでも良い。
【００２６】また、この発明は、上記例のようなパラレ
ルスキャン方式やハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に限定されるものではなく、少なくとも一対の走
査電極を有していてイオンビームを静電的に走査するイ
オン注入装置に広く適用することができる。
ルスキャン方式やハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に限定されるものではなく、少なくとも一対の走
査電極を有していてイオンビームを静電的に走査するイ
オン注入装置に広く適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームが走査電極間の端部を通る時も中心部を通る時
も、一対の走査電極の少なくとも一方には必ず電圧が印
加されることになり、従ってイオンビーム内から電子を
分離させてイオンビームを発散させる作用が中心部を通
る時と端部を通る時とでほぼ同じように起こるので、静
電走査に伴うイオンビームのビームサイズの変化を小さ
くすることができる。その結果、ターゲットに対する注
入均一性が向上する。
ビームが走査電極間の端部を通る時も中心部を通る時
も、一対の走査電極の少なくとも一方には必ず電圧が印
加されることになり、従ってイオンビーム内から電子を
分離させてイオンビームを発散させる作用が中心部を通
る時と端部を通る時とでほぼ同じように起こるので、静
電走査に伴うイオンビームのビームサイズの変化を小さ
くすることができる。その結果、ターゲットに対する注
入均一性が向上する。
【図１】この発明の一実施例に係るイオン注入装置を部
分的に示す図である。
分的に示す図である。
【図２】図１の装置における走査電圧の波形の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】走査電源の他の例を示す回路図である。
【図４】従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す図
である。
である。
【図５】図４の装置における走査電圧の波形の一例を示
す図である。
す図である。
【図６】図４の装置におけるイオンビームのビームサイ
ズの変化を模式的に示す図である。
ズの変化を模式的に示す図である。
２ イオンビーム ４，６ 走査電極 １０ ターゲット １４ａ，１４ｂ 走査電源 １６ 信号発生器 １８ インバータ ２０，２２ 高電圧アンプ ２４ オフセット電源 ２６，２８ アナログ加算器 ３０，３２ オフセット電源
Claims (1)
- 【請求項１】 相対向する一対の走査電極を有し、この
両走査電極に１８０度位相の異なる走査電圧をそれぞれ
印加してイオンビームを静電的に走査するようにしたイ
オン注入装置において、直流のオフセット電源を設け
て、前記両走査電極に印加される走査電圧に、互いに同
じ極性のオフセット電圧をそれぞれ加えるようにしたこ
とを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02070993A JP3379128B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02070993A JP3379128B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215724A true JPH06215724A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3379128B2 JP3379128B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=12034678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02070993A Expired - Fee Related JP3379128B2 (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379128B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066528A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
| JP2005332776A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置の静電偏向器 |
| EP1863065A3 (en) * | 2006-05-30 | 2008-12-17 | SEN Corporation, an SHI and Axcelis Company | Electrostatic beam deflection scanner and beam deflection scanning method |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP02070993A patent/JP3379128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999066528A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
| US6075249A (en) * | 1998-06-19 | 2000-06-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
| JP2005332776A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置の静電偏向器 |
| EP1863065A3 (en) * | 2006-05-30 | 2008-12-17 | SEN Corporation, an SHI and Axcelis Company | Electrostatic beam deflection scanner and beam deflection scanning method |
| US7687782B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-03-30 | Sen Corporation, An Shi And Axcelis Company | Electrostatic beam deflection scanner and beam deflection scanning method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3379128B2 (ja) | 2003-02-17 |
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