JPH06216607A - 誘電体フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
誘電体フィルタ及びその製造方法Info
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- JPH06216607A JPH06216607A JP2164793A JP2164793A JPH06216607A JP H06216607 A JPH06216607 A JP H06216607A JP 2164793 A JP2164793 A JP 2164793A JP 2164793 A JP2164793 A JP 2164793A JP H06216607 A JPH06216607 A JP H06216607A
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- film pattern
- dielectric block
- conductor
- inner conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厳しい精度を要することなく容易に所望の良
好な周波数特性の誘電体フィルタを得る。 【構成】 誘電体ブロック２に貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃ
を形成し、各貫通孔の内面に内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃを
形成し、誘電体ブロック２の４つの側面に外導体８を形
成し、誘電体ブロック２の下面に導体膜１０を形成して
内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃと外導体８とを短絡させる。誘
電体ブロック２の上面には、各内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃ
と接続せる環状の内側導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，
１２Ｃ、外導体８と接続せる略環状の外側導体膜パター
ン１４及び中間導体膜パターン１６Ａ，１６Ｂを、共通
のマスクパターンを用い同時に印刷して形成する。
好な周波数特性の誘電体フィルタを得る。 【構成】 誘電体ブロック２に貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃ
を形成し、各貫通孔の内面に内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃを
形成し、誘電体ブロック２の４つの側面に外導体８を形
成し、誘電体ブロック２の下面に導体膜１０を形成して
内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃと外導体８とを短絡させる。誘
電体ブロック２の上面には、各内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃ
と接続せる環状の内側導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，
１２Ｃ、外導体８と接続せる略環状の外側導体膜パター
ン１４及び中間導体膜パターン１６Ａ，１６Ｂを、共通
のマスクパターンを用い同時に印刷して形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、λ／４同軸型誘電体共
振器を複数個組合わせてなる誘電体フィルタ及びその製
造方法に関し、特に安定した周波数特性をもつ高周波誘
電体フィルタ及びその製造方法に関する。
振器を複数個組合わせてなる誘電体フィルタ及びその製
造方法に関し、特に安定した周波数特性をもつ高周波誘
電体フィルタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】図８
は、λ／４同軸型誘電体共振器を用いて構成される従来
の高周波誘電体フィルタの一例を示す概略平面図であ
り、誘電体共振器の内導体と外導体とが短絡されていな
い開放面側を示すものである。図８において、２は誘電
体ブロックであり、４Ａ，４Ｂ，４Ｃは貫通孔であり、
該貫通孔には内導体が付されている。８は外導体であ
る。１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは上記開放面において上記
内導体と接続されている第１の導体膜パターンであり、
１６Ａ，１６Ｂはこれら第１の導体膜パターン間にあっ
て外導体８の対向部分を接続する様に配置されている第
２の導体膜パターンを示す。尚、両端の貫通孔４Ａ，４
Ｃに付された内導体には入出力のための電極が容量結合
されるが、図示は省略されている。
は、λ／４同軸型誘電体共振器を用いて構成される従来
の高周波誘電体フィルタの一例を示す概略平面図であ
り、誘電体共振器の内導体と外導体とが短絡されていな
い開放面側を示すものである。図８において、２は誘電
体ブロックであり、４Ａ，４Ｂ，４Ｃは貫通孔であり、
該貫通孔には内導体が付されている。８は外導体であ
る。１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは上記開放面において上記
内導体と接続されている第１の導体膜パターンであり、
１６Ａ，１６Ｂはこれら第１の導体膜パターン間にあっ
て外導体８の対向部分を接続する様に配置されている第
２の導体膜パターンを示す。尚、両端の貫通孔４Ａ，４
Ｃに付された内導体には入出力のための電極が容量結合
されるが、図示は省略されている。
【０００３】この様な誘電体フィルタの等価回路を図９
に示す。上記第１の導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃの形状及び寸法ならびに上記第２の導体膜パターン
の形状及び寸法を変化させることにより、図９の等価回
路におけるＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3，Ｍ1 ，Ｍ2 の値を変化さ
せて、フィルタの周波数特性を調整することができる。
に示す。上記第１の導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃの形状及び寸法ならびに上記第２の導体膜パターン
の形状及び寸法を変化させることにより、図９の等価回
路におけるＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3，Ｍ1 ，Ｍ2 の値を変化さ
せて、フィルタの周波数特性を調整することができる。
【０００４】上記第１の導体膜パターン１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃ及び上記第２の導体膜パターン１６Ａ，１６
Ｂは、スクリーン印刷により導電性インクを付与し乾燥
させることにより形成される。その際に、第１の導体膜
パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの位置がずれると、こ
れらと外導体８との位置関係が変化して、Ｘ方向にずれ
た場合には上記Ｃ1 ，Ｃ3 の値が所定のものからずれ、
またＹ方向にずれた場合には上記Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の値
が所定のものからずれて、挿入損失が増大したり、所望
の通過周波数帯域が得られなかったり、所望の周波数に
減衰極が形成されなくなったりし、特性が劣化する。導
体膜パターンの位置決めは、外導体８の付された誘電体
ブロック２の外面を基準としてなされるので、誘電体ブ
ロック２の寸法誤差や外導体８の膜厚誤差や印刷時のマ
スク配置誤差により、上記導体膜パターンの位置ずれが
発生しやすい。
Ｂ，１２Ｃ及び上記第２の導体膜パターン１６Ａ，１６
Ｂは、スクリーン印刷により導電性インクを付与し乾燥
させることにより形成される。その際に、第１の導体膜
パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの位置がずれると、こ
れらと外導体８との位置関係が変化して、Ｘ方向にずれ
た場合には上記Ｃ1 ，Ｃ3 の値が所定のものからずれ、
またＹ方向にずれた場合には上記Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の値
が所定のものからずれて、挿入損失が増大したり、所望
の通過周波数帯域が得られなかったり、所望の周波数に
減衰極が形成されなくなったりし、特性が劣化する。導
体膜パターンの位置決めは、外導体８の付された誘電体
ブロック２の外面を基準としてなされるので、誘電体ブ
ロック２の寸法誤差や外導体８の膜厚誤差や印刷時のマ
スク配置誤差により、上記導体膜パターンの位置ずれが
発生しやすい。
【０００５】このため、従来のこの種の誘電体フィルタ
の製造では、所望の特性を得るために、誘電体ブロック
の寸法精度を厳しくしたり、外導体の膜厚精度を厳しく
したり、印刷時のマスク配置精度を厳しくしたりするこ
とが要求され、従って、歩留りが低く、製造コストが高
くなるという難点があった。
の製造では、所望の特性を得るために、誘電体ブロック
の寸法精度を厳しくしたり、外導体の膜厚精度を厳しく
したり、印刷時のマスク配置精度を厳しくしたりするこ
とが要求され、従って、歩留りが低く、製造コストが高
くなるという難点があった。
【０００６】本発明は、以上の様な問題点を解決し、厳
しい精度を要することなく容易に所望の良好な周波数特
性のフィルタを得ることを目的とするものである。
しい精度を要することなく容易に所望の良好な周波数特
性のフィルタを得ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するものとして、誘電体ブロックに複数の平行
な貫通孔を形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して
内導体とし、前記誘電体ブロックの内導体と交わらない
外面に導体膜を形成して外導体とし、前記貫通孔が開口
せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの一方に導
体膜を形成して前記内導体と前記外導体とを短絡させ、
前記貫通孔が開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面
のうちの他方には各内導体と接続せる略環状の内側導体
膜パターンを形成するとともに前記外導体と接続せる略
環状の外側導体膜パターンを形成してなることを特徴と
する、誘電体フィルタ、が提供される。
的を達成するものとして、誘電体ブロックに複数の平行
な貫通孔を形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して
内導体とし、前記誘電体ブロックの内導体と交わらない
外面に導体膜を形成して外導体とし、前記貫通孔が開口
せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの一方に導
体膜を形成して前記内導体と前記外導体とを短絡させ、
前記貫通孔が開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面
のうちの他方には各内導体と接続せる略環状の内側導体
膜パターンを形成するとともに前記外導体と接続せる略
環状の外側導体膜パターンを形成してなることを特徴と
する、誘電体フィルタ、が提供される。
【０００８】本発明の一態様においては、前記貫通孔が
開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの他方
には、隣接する２つの前記略環状の内側導体膜パターン
の間に、前記略環状の外側導体膜パターンの対向部分間
を接続せる中間導体膜パターンを形成してなる。
開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの他方
には、隣接する２つの前記略環状の内側導体膜パターン
の間に、前記略環状の外側導体膜パターンの対向部分間
を接続せる中間導体膜パターンを形成してなる。
【０００９】更に、本発明によれば、上記目的を達成す
るものとして、以上の様な誘電体フィルタを製造する方
法において、前記略環状の内側導体膜パターン及び前記
略環状の外側導体膜パターンを共通の版を用い同時に印
刷して形成することを特徴とする、誘電体フィルタの製
造方法、が提供される。
るものとして、以上の様な誘電体フィルタを製造する方
法において、前記略環状の内側導体膜パターン及び前記
略環状の外側導体膜パターンを共通の版を用い同時に印
刷して形成することを特徴とする、誘電体フィルタの製
造方法、が提供される。
【００１０】本発明の一態様においては、前記略環状の
内側導体膜パターン及び前記略環状の外側導体膜パター
ンを形成する際に、更に前記略環状の外側導体膜パター
ンの対向部分間を接続せる中間導体膜パターンを形成
し、前記内側導体膜パターン及び前記外側導体膜パター
ンならびに前記中間導体膜パターンを共通の版を用い同
時に印刷して形成する。
内側導体膜パターン及び前記略環状の外側導体膜パター
ンを形成する際に、更に前記略環状の外側導体膜パター
ンの対向部分間を接続せる中間導体膜パターンを形成
し、前記内側導体膜パターン及び前記外側導体膜パター
ンならびに前記中間導体膜パターンを共通の版を用い同
時に印刷して形成する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００１２】図１は本発明の誘電体フィルタの一実施例
を示す一部切欠斜視図である。図において、２は直方体
形状の誘電体ブロックであり、該ブロック２としては例
えばＢａＴｉＯ3 系の比誘電率９３の材料を使用するこ
とができる。該ブロック２には上下方向（Ｚ方向）の３
つの円形貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃが形成されている。こ
れら貫通孔はＸ方向に適宜の距離隔てられて配列されて
いる。該貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃの内面には導体膜が付
されており、該導体膜により内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃが
形成されている。また、誘電体ブロック２の４つの側面
（Ｘ−Ｚ面と平行な外面及びＹ−Ｚ面と平行な外面）に
は導体膜が付されており、該導体膜により外導体８が形
成されている。また、ブロック２の底面にも導体膜１０
が付されており、これにより内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃと
外導体８とが短絡されている。かくして、外導体を共通
化した３つの同軸型誘電体共振器の配列が形成されてい
る。
を示す一部切欠斜視図である。図において、２は直方体
形状の誘電体ブロックであり、該ブロック２としては例
えばＢａＴｉＯ3 系の比誘電率９３の材料を使用するこ
とができる。該ブロック２には上下方向（Ｚ方向）の３
つの円形貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃが形成されている。こ
れら貫通孔はＸ方向に適宜の距離隔てられて配列されて
いる。該貫通孔４Ａ，４Ｂ，４Ｃの内面には導体膜が付
されており、該導体膜により内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃが
形成されている。また、誘電体ブロック２の４つの側面
（Ｘ−Ｚ面と平行な外面及びＹ−Ｚ面と平行な外面）に
は導体膜が付されており、該導体膜により外導体８が形
成されている。また、ブロック２の底面にも導体膜１０
が付されており、これにより内導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃと
外導体８とが短絡されている。かくして、外導体を共通
化した３つの同軸型誘電体共振器の配列が形成されてい
る。
【００１３】ブロック２の上面には、各貫通孔の周囲
に、内導体６Ａに接続せる環状の導体膜パターン（内側
導体膜パターン）１２Ａ、内導体６Ｂに接続せる環状の
内側導体膜パターン１２Ｂ、及び内導体６Ｃに接続せる
環状の内側導体膜パターン１２Ｃが形成されている。ま
た、ブロック２の上面には、外周に沿ってほぼ環状に、
外側を外導体８に接続せる外側導体膜パターン１４が形
成されている。更に、ブロック２の上面には、内側導体
膜パターン１２Ａと１２Ｂとの間に中間導体膜パターン
１６Ａが形成されており、内側導体膜パターン１２Ｂと
１２Ｃとの間に中間導体膜パターン１６Ｂが形成されて
いる。これら中間導体膜パターンは直線状であり、その
両端が外導体８に接続されている。上記各内側導体膜パ
ターンと外側導体膜パターンとの間で容量結合が形成さ
れており、また、上記中間導体膜パターンにより共振器
間が誘導結合されている。
に、内導体６Ａに接続せる環状の導体膜パターン（内側
導体膜パターン）１２Ａ、内導体６Ｂに接続せる環状の
内側導体膜パターン１２Ｂ、及び内導体６Ｃに接続せる
環状の内側導体膜パターン１２Ｃが形成されている。ま
た、ブロック２の上面には、外周に沿ってほぼ環状に、
外側を外導体８に接続せる外側導体膜パターン１４が形
成されている。更に、ブロック２の上面には、内側導体
膜パターン１２Ａと１２Ｂとの間に中間導体膜パターン
１６Ａが形成されており、内側導体膜パターン１２Ｂと
１２Ｃとの間に中間導体膜パターン１６Ｂが形成されて
いる。これら中間導体膜パターンは直線状であり、その
両端が外導体８に接続されている。上記各内側導体膜パ
ターンと外側導体膜パターンとの間で容量結合が形成さ
れており、また、上記中間導体膜パターンにより共振器
間が誘導結合されている。
【００１４】尚、誘電体ブロック２の１つの側面（図に
おける手前側の面）には、上記内側導体膜パターン１２
Ａに近接せる位置に外導体８から分離された入力用電極
１８Ａが形成されており、上記内側導体膜パターン１２
Ｃに近接せる位置に外導体８から分離された出力用電極
１８Ｂが形成されている。図示されている様に、これら
入力用電極及び出力用電極の部分では上記外側導体膜パ
ターンは存在しない。かくして、入力用電極１８Ａと内
側導体膜パターン１２Ａとの間で入力側の容量結合が形
成され、出力用電極１８Ｂと内側導体膜パターン１２Ｃ
との間で出力側の容量結合が形成されている。
おける手前側の面）には、上記内側導体膜パターン１２
Ａに近接せる位置に外導体８から分離された入力用電極
１８Ａが形成されており、上記内側導体膜パターン１２
Ｃに近接せる位置に外導体８から分離された出力用電極
１８Ｂが形成されている。図示されている様に、これら
入力用電極及び出力用電極の部分では上記外側導体膜パ
ターンは存在しない。かくして、入力用電極１８Ａと内
側導体膜パターン１２Ａとの間で入力側の容量結合が形
成され、出力用電極１８Ｂと内側導体膜パターン１２Ｃ
との間で出力側の容量結合が形成されている。
【００１５】本実施例の等価回路は、上記図９と同様で
ある。
ある。
【００１６】次に、以上の様な本実施例の誘電体フィル
タの製造方法について説明する。図２は、上記内側導体
膜パターン、上記外側導体膜パターン及び上記中間導体
膜パターンを形成する前の状態を示す一部切欠斜視図で
ある。この状態までは、従来法と同様にして形成する。
タの製造方法について説明する。図２は、上記内側導体
膜パターン、上記外側導体膜パターン及び上記中間導体
膜パターンを形成する前の状態を示す一部切欠斜視図で
ある。この状態までは、従来法と同様にして形成する。
【００１７】そして、図３に示されている様なマスクパ
ターン（版）２０を用いて、誘電体ブロック２の上面に
導電性インクを所望パターンに付与して、上記内側導体
膜パターン、上記外側導体膜パターン及び上記中間導体
膜パターンを形成する。図３において、１２Ａ’，１２
Ｂ’，１２Ｃ’，１４’，１６Ａ’，１６Ｂ’は、それ
ぞれ上記内側導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、
上記外側導体膜パターン１４及び上記中間導体膜パター
ン１６Ａ，１６Ｂを形成するための、マスクパターン開
口部である。図３に示されている様に、マスクパターン
は、外側導体膜パターン形成のための部分１４’の外形
が誘電体ブロック２の外形に対しＸ方向及びＹ方向にい
ずれもｄだけ大きく設定されている。
ターン（版）２０を用いて、誘電体ブロック２の上面に
導電性インクを所望パターンに付与して、上記内側導体
膜パターン、上記外側導体膜パターン及び上記中間導体
膜パターンを形成する。図３において、１２Ａ’，１２
Ｂ’，１２Ｃ’，１４’，１６Ａ’，１６Ｂ’は、それ
ぞれ上記内側導体膜パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、
上記外側導体膜パターン１４及び上記中間導体膜パター
ン１６Ａ，１６Ｂを形成するための、マスクパターン開
口部である。図３に示されている様に、マスクパターン
は、外側導体膜パターン形成のための部分１４’の外形
が誘電体ブロック２の外形に対しＸ方向及びＹ方向にい
ずれもｄだけ大きく設定されている。
【００１８】従って、本実施例では、内側導体膜パター
ン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、外側導体膜パターン１４及
び中間導体膜パターン１６Ａ，１６Ｂを形成するスクリ
ーン印刷の際に、マスクパターンと誘電体ブロック２と
の位置決めには、Ｘ方向及びＹ方向にいずれもｄだけ余
裕がある。なぜならば、マスクパターンと誘電体ブロッ
ク２との位置決めでｄ以下のずれが発生したとしても、
外側導体膜パターン１４と外導体８との接続は確保さ
れ、且つ外側導体膜パターン１４及び中間導体膜パター
ン１６Ａ，１６Ｂと内側導体膜パターン１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃとの間の間隔は確実に所定値に維持されるの
で、図９の等価回路におけるＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｍ1 ，
Ｍ2 の値はいずれも所望値に維持されるからである。
ン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、外側導体膜パターン１４及
び中間導体膜パターン１６Ａ，１６Ｂを形成するスクリ
ーン印刷の際に、マスクパターンと誘電体ブロック２と
の位置決めには、Ｘ方向及びＹ方向にいずれもｄだけ余
裕がある。なぜならば、マスクパターンと誘電体ブロッ
ク２との位置決めでｄ以下のずれが発生したとしても、
外側導体膜パターン１４と外導体８との接続は確保さ
れ、且つ外側導体膜パターン１４及び中間導体膜パター
ン１６Ａ，１６Ｂと内側導体膜パターン１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃとの間の間隔は確実に所定値に維持されるの
で、図９の等価回路におけるＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｍ1 ，
Ｍ2 の値はいずれも所望値に維持されるからである。
【００１９】図４は、以上の様な本発明実施例の誘電体
フィルタの周波数特性（透過特性）を示すものである。
比較のために、本発明実施例と同一のマスクパターン配
置誤差発生条件（即ち同一のずれ量）下で製造した図８
に示す従来の誘電体フィルタの周波数特性（透過特性）
を、図５に示す。これらの比較から分かる様に、本発明
実施例のものは、従来のものに比べて挿入損失が小さ
く、通過周波数帯域全体の均一性がよい。
フィルタの周波数特性（透過特性）を示すものである。
比較のために、本発明実施例と同一のマスクパターン配
置誤差発生条件（即ち同一のずれ量）下で製造した図８
に示す従来の誘電体フィルタの周波数特性（透過特性）
を、図５に示す。これらの比較から分かる様に、本発明
実施例のものは、従来のものに比べて挿入損失が小さ
く、通過周波数帯域全体の均一性がよい。
【００２０】図６は上記本発明実施例の変形例を示す一
部切欠斜視図である。図６において、上記図１における
と同様の部材には同一の符号が付されている。本変形例
では、入力用電極１８Ａ及び出力用電極１８Ｂがブロッ
ク２の上面にまで延びており、これらがそれぞれ内側導
体膜パターン１２Ａ及び内側導体膜パターン１２Ｃと一
層接近して一層大きな容量結合を形成している。
部切欠斜視図である。図６において、上記図１における
と同様の部材には同一の符号が付されている。本変形例
では、入力用電極１８Ａ及び出力用電極１８Ｂがブロッ
ク２の上面にまで延びており、これらがそれぞれ内側導
体膜パターン１２Ａ及び内側導体膜パターン１２Ｃと一
層接近して一層大きな容量結合を形成している。
【００２１】図７は、本変形例の製造に際し使用される
マスクパターンと誘電体ブロックとの位置関係を示す図
である。図７において、上記図３におけると同様の部材
には同一の符号が付されている。このマスクパターン
は、図３のマスクパターンの開口部に加えて、入力用電
極１８Ａ及び出力用電極１８Ｂを形成するためのマスク
パターン開口部１８Ａ’，１８Ｂ’を有する。
マスクパターンと誘電体ブロックとの位置関係を示す図
である。図７において、上記図３におけると同様の部材
には同一の符号が付されている。このマスクパターン
は、図３のマスクパターンの開口部に加えて、入力用電
極１８Ａ及び出力用電極１８Ｂを形成するためのマスク
パターン開口部１８Ａ’，１８Ｂ’を有する。
【００２２】尚、本発明における「略環状」とは、完全
に環形状であるものの外に、例えば上記実施例の外側導
体膜パターンの様に部分的に途切れているものをも含む
ものである。この途切れは、本発明の効果が達成される
程度のものであれば許容できるが、完全な環形状の５０
％以上、より好ましくは７５％以上、更に好ましくは８
５％以上の部分が存在することが望ましい。
に環形状であるものの外に、例えば上記実施例の外側導
体膜パターンの様に部分的に途切れているものをも含む
ものである。この途切れは、本発明の効果が達成される
程度のものであれば許容できるが、完全な環形状の５０
％以上、より好ましくは７５％以上、更に好ましくは８
５％以上の部分が存在することが望ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、誘
電体ブロックの開放面にて略環状の外側導体膜パターン
を内側導体膜パターンとともに共通の版を用い同時に印
刷して形成することにより、印刷時の版と誘電体ブロッ
クとの位置ずれの許容量が大きくなり、厳しい精度を要
することなく容易に所望の良好な周波数特性のフィルタ
を得ることができる。
電体ブロックの開放面にて略環状の外側導体膜パターン
を内側導体膜パターンとともに共通の版を用い同時に印
刷して形成することにより、印刷時の版と誘電体ブロッ
クとの位置ずれの許容量が大きくなり、厳しい精度を要
することなく容易に所望の良好な周波数特性のフィルタ
を得ることができる。
【図１】本発明の誘電体フィルタの一実施例を示す一部
切欠斜視図である。
切欠斜視図である。
【図２】図１の誘電体フィルタの製造過程における状態
を示す一部切欠斜視図である。
を示す一部切欠斜視図である。
【図３】マスクパターンと誘電体ブロックとの位置関係
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図１の誘電体フィルタの周波数特性図である。
【図５】従来の誘電体フィルタの周波数特性図である。
【図６】図１の誘電体フィルタの変形例を示す一部切欠
斜視図である。
斜視図である。
【図７】マスクパターンと誘電体ブロックとの位置関係
を示す図である。
を示す図である。
【図８】従来の誘電体フィルタの一例を示す概略平面図
である。
である。
【図９】従来の誘電体フィルタの等価回路図である。
２ 誘電体ブロック ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 貫通孔 ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ 内導体 ８ 外導体 １０ 導体膜 １２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 内側導体膜パターン １４ 外側導体膜パターン １６Ａ，１６Ｂ 中間導体膜パターン １８Ａ 入力用電極 １８Ｂ 出力用電極 ２０ マスクパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 克史 山口県宇部市大宇小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社無機材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体ブロックに複数の平行な貫通孔を
形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して内導体と
し、前記誘電体ブロックの内導体と交わらない外面に導
体膜を形成して外導体とし、前記貫通孔が開口せる前記
誘電体ブロックの２つの外面のうちの一方に導体膜を形
成して前記内導体と前記外導体とを短絡させ、前記貫通
孔が開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの
他方には各内導体と接続せる略環状の内側導体膜パター
ンを形成するとともに前記外導体と接続せる略環状の外
側導体膜パターンを形成してなることを特徴とする、誘
電体フィルタ。 - 【請求項２】 前記貫通孔が開口せる前記誘電体ブロッ
クの２つの外面のうちの他方には、隣接する２つの前記
略環状の内側導体膜パターンの間に、前記略環状の外側
導体膜パターンの対向部分間を接続せる中間導体膜パタ
ーンを形成してなることを特徴とする、請求項１に記載
の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 誘電体ブロックに複数の平行な貫通孔を
形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して内導体と
し、前記誘電体ブロックの内導体と交わらない外面に導
体膜を形成して外導体とし、前記貫通孔が開口せる前記
誘電体ブロックの２つの外面のうちの一方に導体膜を形
成して前記内導体と前記外導体とを短絡させ、前記貫通
孔が開口せる前記誘電体ブロックの２つの外面のうちの
他方には各内導体と接続せる略環状の内側導体膜パター
ンを形成するとともに前記外導体と接続せる略環状の外
側導体膜パターンを形成してなる誘電体フィルタを製造
する方法において、 前記略環状の内側導体膜パターン及び前記略環状の外側
導体膜パターンを共通の版を用い同時に印刷して形成す
ることを特徴とする、誘電体フィルタの製造方法。 - 【請求項４】 前記略環状の内側導体膜パターン及び前
記略環状の外側導体膜パターンを形成する際に、更に前
記略環状の外側導体膜パターンの対向部分間を接続せる
中間導体膜パターンを形成し、前記内側導体膜パターン
及び前記外側導体膜パターンならびに前記中間導体膜パ
ターンを共通の版を用い同時に印刷して形成することを
特徴とする、請求項３に記載の誘電体フィルタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164793A JPH06216607A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 誘電体フィルタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164793A JPH06216607A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 誘電体フィルタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216607A true JPH06216607A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12060851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164793A Pending JPH06216607A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 誘電体フィルタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216607A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597263B2 (en) * | 2000-01-19 | 2003-07-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Dielectric filter having notch pattern |
| US8261714B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-09-11 | Cts Corporation | RF monoblock filter with outwardly extending wall to define a cavity surrounding a top surface of the filter |
| US8269579B2 (en) | 2008-09-18 | 2012-09-18 | Cts Corporation | RF monoblock filter having an outwardly extending wall for mounting a lid filter thereon |
| US8294532B2 (en) | 2008-12-09 | 2012-10-23 | Cts Corporation | Duplex filter comprised of dielectric cores having at least one wall extending above a top surface thereof for isolating through hole resonators |
| US9030275B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166802A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-06-27 | Motorola Inc | 積分型移相回路網を具備するセラミックフィルタ及び該セラミックフィルタを使用するデェプレクス回路網及び無線機 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP2164793A patent/JPH06216607A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166802A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-06-27 | Motorola Inc | 積分型移相回路網を具備するセラミックフィルタ及び該セラミックフィルタを使用するデェプレクス回路網及び無線機 |
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| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
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