JPH0622000B2 - マイクロプロセツサ装置 - Google Patents

マイクロプロセツサ装置

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JPH0622000B2
JPH0622000B2 JP60189994A JP18999485A JPH0622000B2 JP H0622000 B2 JPH0622000 B2 JP H0622000B2 JP 60189994 A JP60189994 A JP 60189994A JP 18999485 A JP18999485 A JP 18999485A JP H0622000 B2 JPH0622000 B2 JP H0622000B2
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    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
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Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は、とくにマイクロプロセツサ装置において、メ
モリ管理のためのアドレス翻訳装置の分野に関するもの
である。
〔従来技術〕
メモリ管理のために周知のメカニズムが多くある。ある
装置においては、大きいアドレス(仮想アドレス)がよ
り小さい物理アドレスに翻訳される。他の装置において
は、たとえば、バンクスイツチングを用いることによ
り、大きいメモリ空間をアクセスするために小さいアド
レスが使用される。本発明は、前者の部類、すなわち、
限られた物理メモリをアクセスするために大きい仮想ア
ドレスが使用されるような部類に関するものである。
メモリ管理装置においては、種々の保護メカニズムを設
けることも知られている。たとえば、ユーザーがオペレ
ーテイングシステムを書込むこと、またはおそらくオペ
レーテイングシステムを外部ボートへ読出すことすらも
阻止できる。後でわかるように、本発明は、データに
「アトリビュート」を2つの異なるレベルで割当てる、
より広い制御スキームの一部として保護メカニズムを実
現するものである。
本発明に最も近いと本願発明者が考えている先行技術が
米国特許第4,442,484 号に開示されている。その米国特
許には、市販されているマイクロプロセツサ(インテル
(Intel) 286 ) において具体化されているメモリ管理お
よび保護メカニズムが開示されている。そのマイクロプ
ロセツサは、セグメントベースアドレス、リミツト情
報、およびアトリビユート(たとえば保護ビツト)を含
むセグメントテーシヨン記述子レジスタを含む。セグメ
ント記述子表およびセグメント記述子レジスタは、とも
に、優先度レベルや保護のタイプ等のような各種の制御
メカニズムを定めるビツトを含む。
インテル286 の1つの問題は、セグメントオフセツトが
64K バイトに限定されることである。インテル286 は、
セグメント用の物理メモリに連続する場所を必要とする
が、それを維持することは常に容易であるとは限らな
い。後でわかるように、本発明の装置の1つの利点は、
セグメントオフセツトが物理アドレスの空間と同じ大き
さであることである。また、本発明の装置は、インテル
286 において見られる従来のセグメンテーシヨンメカニ
ズムないし機能に対して互換性をもつことである。前記
米国特許に開示されている従来の装置およびそれの商業
的な実現(インテル286 マイクロプロセツサ)と、本発
明との差違、更に本発明のその他の利点は、以下の説明
から明らかであろう。
〔発明の概要〕
この明細書においては、マイクロプロセツサおよびデー
タメモリを含むマイクロプロセツサ装置の改良について
説明する。マイクロプロセツサは仮想メモリアドレスを
第2のメモリアドレス(線型アドレス)に翻訳するた
め、およびデータメモリセグメントのアトリビユートを
試験および制御するためのセグメンテーシヨンメカニズ
ムないし機能を含む。本発明の改良は、ヒツト(hit)状
態またはマツチ (match)状態に対する線型(リニア)ア
ドレスから第1のフイールドを翻訳するために、マイク
ロプロセツサにページキヤツシユメモリを含む。データ
メモリは、ベージマツピングデータとくにページダイレ
クトリおよびページ表をも格納する。ページキヤツシユ
メモリにおいてヒツトが生じなければ、第1のフイール
ドは、ページダイレクトリとページ表をアクセスする。
ページキヤツシユメモリまたはページ表からの出力は、
メモリ内のページのための物理ベースアドレスを与え
る。線型アドレスの別のフイールドはページ内にオフセ
ツトを与える。
ページキヤツシユメモリとデータメモリ内のページマツ
ピングデータは、特定のページ中のデータのアトリビユ
ートを表す信号を格納する。それらのアトリビユート
は、読出しおよび書込みの保護を含み、ページが以前に
書込まれたかどうかおよびその他の情報を示す。重要な
ことは、ページレベル保護は、ページ内のデータのうち
セグメントアトリビュートとは別で、区別されるデータ
の第2段の制御を行うことである。
〔実施例〕
以下、図面参照して本発明を詳しく説明する。
本発明のマイクロプロセツサ装置の好適な実施例は、マ
イクロプロセツサ10(第1図)を含む。このマイクロ
プロセツサは、相補の金属一酸化物−半導体(CMOS)処
理を用いて1枚のシリコン基板上に作られる。多くの周
知のCMOS法のうちのいずれも採用できる。本発明はnチ
ヤネル、バイポーラ、 SOS等のような他の技術で実現す
ることもできる。
ある条件に対するメモリ管理メカニズムは、主記憶装置
に格納されている表をアクセスすることを必要とする。
マイクロプロセツサ装置のための主記憶装置として機能
するランダムアクセスメモリ(RAM )13が、第1図に
示されている。ダイナミツクメモリを用いるRAMのよう
な通常のRAMを使用できる。
第1図に示すように、マイクロプロセツサ10は32ビ
ツトの物理アドレスを有し、マイクロプロセツサ自体は
32ビツトのマイクロプロセツサである。ドライバ、数
学的プロセツサ等のような、マイクロプロセツサにおい
て一般的に使用されている他の部品は、第1図には示し
ていない。
要 点 本発明のメモリ管理はセグメンテーシヨンとページング
を使用する。セグメントというのは、ページ翻訳を記述
するために使用されるページ表とは異なる1組のセグメ
ント記述子表により定義される。2つのメカニズムは完
全に異なり、独立している。2種類のマツピングメカニ
ズムを用いて、仮想アドレスが2段階で分離アドレスに
翻訳される。第1の段階に対してセグメンテーシヨン技
術が使用され、第2の翻訳段階のためにページング技術
が使用される。セグメンテーシヨン技術のみで1段階翻
訳を行うために、ページング技術を使用しないこともで
きる。この1段階翻訳はインテル286 に適合する。
セグメンテーシヨン(第1の翻訳段階)は、48ビツト仮
想アドレスを32ビツト線型(中間)アドレスに翻訳す
る。48ビツト仮想アドレスは、16ビツトのセグメン
トセレクタと、このセグメント内の32ビツトのオフセ
ツトとで構成される。16ビツトセグメントセレクタ
は、セグメントを識別し、セグメント記述子表からのエ
ントリイをアクセスするために用いられる。このセグメ
ント記述子エントリイは、セグメントのベースアドレス
と、セグメントのサイズ(リミツト)と、セグメントの
種々のアトリビユートとを含む。この翻訳段階は、32
ビツト線型アドレスを得るために、仮想アドレス内の3
2ビツトオフセツトにセグメントベースを加える。それ
と同時に、仮想アドレス内の32ビツトオフセツトはセ
グメントリミツトを比較され、アクセスの種類がセグメ
ントアトリビユートに対して調べられる。32ビツトオ
フセツトがセグメントリミツトの外側であるか、アクセ
スの種類がセグメントアトリビユートにより許されない
とすると、誤り(フオールト)が発生されて、アドレス
指定処理過程が打切られる。
ページング(第2の翻訳段階)が以下に説明する処理過
程において2レベルページング表を用いて32ビツト線型
アドレスを32ビツトの物理アドレスに翻訳する。
2つの段階は全く独立している。これにより(大きい)
セグメントをいくつかのページで構成でき、またはペー
ジをいくつかの(小さい)セグメントで構成できる。
セグメントは任意の境界(バウンダリ)でスタートさせ
ることができ、そのセグメントは任意の大きさにでき、
かつページ境界でスタートすることに限定されず、また
はページの正確な倍数である長さを有することに限定さ
れない。これにより、セグメントで任意のアドレスでス
タートするメモリの別々に保護される領域を記述できる
ようにされ、かつ任意の大きさにできる。
それぞれ独特の保護アトリビユートと大きさを有するい
くつかの小さいセグメントを1つのページにまとめるた
めにセグメンテーシヨンを使用できる。この場合には、
セグメンテーシヨンは保護アトリビユートを与え、ペー
ジは別々に保護せねばならない関連するユニツトの群を
物理メモリがマツピングする便利な方法を与える。
物理メモリの管理のために、非常に大きいセグメントを
小さいユニツトに分解するのにページングを使用でき
る。これにより、名数のページ記述子の使用を要求する
のではなくて、メモリの別々に保護されるユニツトのた
めの単一の識別子(セグメントセレクタ)および単一の
記述子(セグメント記述子)が与えられる。セグメント
内において、ページングにより、物理メモリ内での隣接
を要しない別々のページへと大きいセグメントをマツピ
ングできるようにするマツピングの付加的レベルが得ら
れる。実際には、一時に小数のページだけが物理メモリ
内に存在し、セグメントの残りの部分がデイスクにマツ
プされるようにして、ページングにより大きいセグメン
トをマツピングできる。ページングは大きいセグメント
内の下位構造の定義の支持も行う、たとえば、大きいセ
グメントのいくつかのページに保護を書込む支持をする
が他のページは書込み可能にしておける。
セグメンテーシヨンにより、プログラムにより使用され
る「自然(ナチユラル)」ユニツト、すなわち、直線的
にアドレスされるメモリの任意に大きさを定められた部
分に働きかける非常に包括的なモデルが与えられる。ペ
ージングにより物理メモリ、すなわち、システムの主記
憶装置と補助記憶装置、を管理するための非常に便利な
方法が与えられる。本発明においてそれら2つの方法を
組合せることにより、非常に融通性に富み、かつ強力な
保護モデルが得られる。
マイクロプロセツサ全体のアーキテクチヤ 第1図において、マイクロプロセツサは、バスインター
フエイス装置14を含む。このバスインターフエイス装
置14は、32ビツトアドレス信号の伝送を許すため、
およびデータの32ビツトの送受信を行うためのバツフ
アを含む。マイクロプロセツサの内部においては、バス
インターフエイス装置14は内部バス19を介して交信
する。バスインターフエイス装置14は、RAM13 からの
命令をフエツチするためのプリフエツチ装置と、命令複
号器16の命令装置と交信するプリフエツチ行列とを含
む。行列にされた命令は、3ビツトレジスタフアイルを
含む実行装置(算術論理装置)18内で処理される。こ
の実行装置18と複号器16は内部バス19と交信す
る。
本発明はアドレス翻訳装置20を中心として構成され
る。この翻訳装置は2つの機能、すなわち、セグメント
記述子レジスタに関連する機能と、ページ記述子キヤツ
シユメモリに関連する機能とを実行する。このセグメン
トレジスタの大部分は従来知られているものであるが、
第2図を参照して詳しく説明する。ページキヤツシユメ
モリについて、および主記憶装置13に格納されている
ページ表およびページダイレクトリとページキヤツシユ
メモリとの相互作用については、第3図〜第7図を参照
して説明する。それらは本発明の基礎を成すものであ
る。
セグメンテーシヨンメカニズム 第1図に示すセグメンテーシヨン装置21は実行装置1
8から仮想アドレスを受け、レジスタから適切なセグメ
ンテーシヨン情報をアクセスする。レジスタはセグメン
トベースアドレスを含む。このセグメントベースアドレ
スは仮想アドレスからのオフセツトとともに線23を介
してページ装置22に結合される。
第2図は、セグメンテーシヨンレジスタに新しいセグメ
ントに対するマツピング情報がロードされた時の主記憶
装置内の表のアクセス動作を示す。セグメントフイール
ドは主記憶装置13内のセグメント記述子表にインデッ
クス(索引)となる。その表の内容は、ベースアドレス
と、セグメント内のデータに関連するアトリビユートと
を含む。ベースアドレスとオフセツトは、比較器27に
おいてセグメントリミツトと比較される。リミツトを越
えていれば、その比較器の出力は誤り(フオールト)信
号を与える。マイクロプロセツサーの一部である加算器
26は、ベースとオフセツトとを組合せて「物理」アド
レスを線31へ与える。そのアドレスはマイクロプロセ
ツサにより物理アドレスとして使用でき、またはページ
ング装置22により使用される。これは、従来のマイク
ロプロセツサ(インテル286 )のために書かれたある種
のプログラムに対して互換性を与えるために行われる。
インテル286 の場合には物理アドレスの空間は24ビツ
トである。
種々の優先度レベルのような、採用される記述子につい
ての詳細を含むセグメントアトリビユートが米国特許第
4,442,484 号に記述されている。
セグメンテーシヨンメカニズムが先行技術において知ら
れるということを第2図の破線28の左側に示してい
る。
第1図のページ装置を含むページフイールドマツピング
のブロツク30、および主記憶装置に格納されているペ
ージダイレクトリおよびページ表とページフイールドマ
ツピングとの相互作用が、第3図〜第7図に示されてい
る。
ここで説明している実施例においては、セグメンテーシ
ヨンメカニズムは影レジスタ(shadowレジスタ)を使用
するが、ページングメカニズムで行われるように、キヤ
ツシユメモリによりセグメンテーシヨンメカニズムを構
成することもできる。
ページ記述子キヤツシユメモリ 第3図において、第1図のページ装置22のページ記述
子キヤツシユメモリが、破線22a の中に示されている。
このキヤツシユメモリは2つのアレイ、すなわち連想記
憶メモリ(コンテント・アドレサブル・メモリ、すなわ
ち、 CAM)34と、ページデータ(ベース)メモリ35
とを備える。両方のメモリは静的メモリセルにより構成
される。メモリ34,35の構成については、第6図を
参照して説明する。CAM 34に使用される特定の回路
と、それの独自のマスキング特徴を第7図および第8図
を参照して説明する。
セグメント装置21からの線型アドレスが第1図のペー
ジ装置22に結合される。第3図に示すように、この線
型アドレスは、2つのフイールド、すなわち、ページ情
報フイールド(20ビツト)と変位(デイスプレースメ
ント)フイールド(12ビツト)とを備える。また、マイ
クロコードにより構成された4ビツトのページアトリビ
ユートフイールドもある。20ビツトページ情報フイー
ルドが、CAM3 4のタグ(内容)と比較される。更に、
4つのアトリビユートビツト(「ダーテイ(dirty)」、
「バリツド(valid)」、「U/S」および「W/R」)も、ヒ
ツトが起る前にCAM内のアトリビユートビツトにマツチ
せねばならない。(後で説明するように、「マスキン
グ」が使用される時には、これに対する例外がある。) ヒツト状態に対しては、メモリ35は20ビツトベース
語を与える。そのベース語は、第3図の加算器36によ
り表されるように、線型アドレスの12ビツト変位フイ
ールドに組合される。その結果得られた物理アドレスに
よつて、主記憶装置13内の4K バイトページフイール
ドからの選択が行われる。
ノーヒツト状態のためのページアドレス指定 ページダイレクトリ13a とページ表13b とが主記憶装置
13に格納されている(第4図参照)。ページダイレク
トリのためのベースアドレスがマイクロプロセツサから
与えられる。そのベースアドレスが第4図にページダイ
レクトリベース38として示されている。ページ情報フ
イールドの10ビツトが、第4図の加算器40により示
されているように、ページダイレクトリにおいて索引と
して(4倍にされた後で)用いられる。ページダイレク
トリは32ビツト語を与える。この語の20ビツトが、
ページ表のためのベースとして使用される。ページ情報
フイールドの他の10ビツトが、第4図の加算器41に
より示されているように、ページ表において索引として
(4倍にされた後で)同様に用いられる。ページ表も3
2ビツト語を与える。その語の20ビツトは、物理アド
レスのページベースである。このページベースアドレス
は、加算器42において12ビツト変位フイールドに組
合されて32ビツト物理アドレスを構成する。
ページダイレクトリおよびページ表の12ビツトフイー
ルドからの5ビツトが、アトリビユート、とくに「ダー
テイ」、「アクセス受」、「U/S」、「R/W」および「プ
レゼント」のために用いられる。それらについつては後
で第5図を参照して詳しく説明する。このフイードの残
りのビツトは割当てられていない。
ページダイレクトリとページ表からの格納されているア
トリビユートは、線型アドレスに関連するアトリビユー
ト情報の4ビツトとともに、制御論理回路75に結合さ
れる。この論理回路の部分が後の図に示されている。そ
れについてはそれらの図を参照して説明する。
ページダイレクトリ・アトリビユート 第5図には、ページダイレクトリ語と、ページ表語と、
CAM語とが再び示されている。ページダイレクト語の4
ビツトに割当てられた保護/制御アトリビユートが、括
弧43の中に示されている。1つの付加アトリエビユー
トを有する同じ4つのアトリエビユートがページ表語の
ために用いられ、それらは括弧44の中に示されてい
る。 CAM語のために使用された4つのアトリビユートが
括弧45の中に示されている。
アトリビユートは次の目的のために使用される。
1. 「ダーテイ(DIRTY)」・・・このビツトは、ペー
ジが書込みを受けたかどうかを示す。あるページが書込
まれた時にそのビツトは変えられる。このビツトは、た
とえば、ページ全体が「クリーン」でないことをオペレ
ーテイングシステムに知らせるために用いられる。この
ビツトは、ページ表とCAM(ページダイレクトリではな
く)に格納される。あるページが書込まれる時にプロセ
ツサはそのビツトをページ表内にセツトする。
2. 「アクセス受(ACCESSED)」・・・このビツトは
ページダイレクトリとページ表のみ(CAMでなく)に格
納され、ページがアクセスされたことを示すために用い
られる。ページがアクセスされると、そのビツトはメモ
リ内でプロセツサにより変えられる。ダーテイビツトと
は異つて、そのビツトは、あるページが書込みまたは読
出しのためにアクセスされたかどうかを示す。
3. 「U/S」・・・このビツトの状態は、ページの内
容がユーザーおよび監督者がアクセス可能である(2進
「1」 )か、または監督者のみがアクセス可能である(2
進「0」 )かを示す。
4. 「R/W」・・・この書込み/読出し保護ビツト
は、ページにユーザーレベルのプログラムにより書込め
るためには、2進「1」でなければならない。
5. 「プレゼント(PRESENT) 」・・・ページ表中のこ
のビツトは、関連するページが物理メモリ内に存在する
かどうかを示す。ページダイレクトリ内のこのビツト
は、関連するページ表が物理メモリ内に存在するかどう
かを示す。
6. 「バリツド(VALID)」・・・ CAM内のみに格納さ
れているこのビツトは、 CAMの内容が妥当であるかどう
かを示すために用いられる。このビツトは初期設定時に
第1の状態にセツトされ、それから妥当なCAM語がロー
ドされる時に変えられる。
ページダイレクトリおよびページ表からの5ビツトが制
御論理回路75に結合されて、マイクロプロセツサ内で
適切な誤り信号を与える。
ページダイレクトリおよびページ表からのユーザー/監
督者(U/S)ビツトがゲート46により示されるように
論理積操作をされて、第3図のCAM 34に格納されるR/
Wビツトを与える。同様に、ページダイレクトリおよび
ページ表からの読出し/書込み保護(R/W)ビツトがゲ
ート47により論理積操作をされて、CAMに格納されるW
/Rビツトを与える。ページ表からのダーテイビツトがCA
Mに格納される。それらのゲートは、第4図に示されて
いる制御論理回路75の一部である。
CAMい格納されているアトリビユートは、「自動的」に
試験される。その理由は、それらのアトリビユートがア
ドレスの一部として取扱われ、マイクロコードからの4
ビツトにマツチさせられるからである。たとえば、「ユ
ーザー」書込みサイクルをR/W=0 でページ内に起こさせ
ることを線形アドレスが示すものとすると、妥当なペー
ジベースがCAMに格納されるとしても誤り状態を生ず
る。
ページダイレクトリおよびページ表からのU/S ビツトの
論理積操作により、キヤツシユメモリに「最悪のケー
ス」が格納されるようにする。同様にR/Wの論理積操作
によりキヤツシユメモリへ最悪のケースが与えられる。
ページ記述子キヤツシユメモリの構成 CAM 34は、第6図に示すように、各セツトが4語を含
む8セツトで構成される。このアレイにおけるマツチを
見つけるために、21ビツト(アドレス17、アトリビ
ユート4)が用いられる。各セツトに格納されている4
語からの4本の比較器線が検出器に接続される。たとえ
ば、セツト1の4語のための比較器線が、検出器53に
接続されている。同様に、セツト2〜8それぞれの4語
のための比較器線が検出器に接続されている。セツト内
のどの語がCAMアレイの入力(21ビツト)にマツチす
るかを判定するために、検出器により比較器線が検査さ
れる。各検出器は、「ハードワイヤード」ロジツクを含
む。そのロジツクにより、検出器に結合されている20
ビツト情報フイールドからの3ビツトの状態に応じて、
検出器の1つを選択できるようにする。(このビツトペ
ージ情報フイールドの他の17ビツトは、 CAMアレイに
結合されていることに注意されたい。)説明のために、
第6図には8つの検出器が用いられるものとする。ここ
で説明している実施例においては、ただ1つの検出器が
用いられ、検出器に結合するための1組4本の線を選択
する3ビツトにただ1つの検出器が用いられる。検出器
自体は第8図に示されている。
キヤツシユメモリのデータ格納部分は、アレイ35a 〜35
d として示されている4つのアレイに構成される。 CAM
の各セツトに対応するデータ語に分配されて、1語が4
つのアレイの各アレイに格納される。たとえば、セツト
1の語1とのヒツトにより選択されるデータ語(ベース
アドレス)は、アレイ35a 内にあり、セツト1の語2と
のヒツトにより選択されるデータ語(ベースアドレス)
は、アレイ35b 内にある等である。検出器を選択するた
めに使用される3ビツトも各アレイ内の語を選択するた
めに使用される。したがつて、同時に、語は、4つの各
アレイから選択される。アレイからの語の最後の選択は
マルチブレクサを介して行われる。このマルチプレクサ
は検出器内の4本の比較器線により制御される。
キヤツシユメモリがアクセスされると、比較的遅い処理
過程であるマツチング処理過程が、21ビツトを用いて
開始される。他の3ビツトは4本の線のセツトを直ちに
選択でき、検出器は比較器線における電位低下を検出す
るように作られる。(後で説明するように、全ての比較
器(行)線は予め充電され、選択された(ヒツト)線は
充電されたままであるが、選択されない線は放電され
る。)同時に、選択されたセツトからの4語がアレイ35
a 〜35d 内でアクセスされる。マツチが起ると、そのセ
ツト内の語を検出器は識別でき、その情報フイールドは
マルチプレクサ55へ送られて、データ語の選択を行え
るようにする。この構成により、キヤツシユメモリのア
クセス時間が短縮される。
連想記憶メモリ(CAM) CAMアレイに結合される21ビツトが第7図に再び示さ
れている。21ビツトのうちの17ビツトが相補ゼネレ
ータ兼オーバーライド回路56に結合され、残りの4ビ
ツトすなわちアトリビユートビツトがVUDW論理回路57
に結合される。第6図を参照して説明した検出器の選択
に関連する3ビツトは第7図は示していない。
回路56は、各アドレス信号についての、真信号と、そ
の真信号に対する相補信号とを発生して、それらの信号
をCAMアレイ中の線59,60のような並列線に結合さ
せる。同様に、 VUDW論理回路57は、アトリビユート
ビツトについての、真信号と、その真信号に対する相補
信号とを発生して、それらの信号をCAMアレイ中の並列
線に結合させる。線59,60は、各真ビツト線と各相
補ビツト線に対してふた通りに作られる(すなわち、2
1対のビツトおよび CAMアレイ中の32行中の各行は、線68,70のよう
な一対の並列な行線を有する。セル67のような通常の
静的メモリセルが各ビツトおよび各 (列)の間に結合され、かつ行線対に関連させられる。
ここで説明している実施例では、メモリセルは、pチヤ
ネルトランジスタを用いる通常のフリツプフロツプ静的
メモリセルを備える。データがアレイに書込まれる時
に、各行線対のうちの1本(線70)が、メモリセルを
ビツト線および この結合できるようにする。書込みでない場合、メモリ
セルの内容が列線上のデータと比較され、その比較結果
がヒツト線68へ結合される。その比較は各セルにそれ
ぞれ組合されている比較器により行われる。比較器は、
nチヤネルトランジスタ61〜64で構成される。比較
器の各トランジスタ対、たとえばトランジスタ61,6
2は、メモリセルの一方の側と、反対側のビツト線との
間に結合される。
データがメモリセル67に格納され、ビツト線59に最
も近いセルの結合点が高レベルであると仮定する。 CAM
の内容が調べられると、最初にヒツト線68がトランジ
スタ69を通じて予充電される。それから、 CAMに結合
されている信号が列線へ与えられる。まず、線59が高
レベルであると仮定する。線60が低レベルであるか
ら、トランジスタ62は導通状態にならない。セルのト
ランジスタ63が接続されている側が低レベルであるか
らトランジスタ63は導通状態にならない。そのような
状態においては、線68は放電されず、セルにおいてマ
ツチが生じたことを示す。ヒツト線は、行に沿つて起る
比較の論理積操作を行う。もしマツチが生じなければ、
1つまたはそれ以上の比較器がヒツト線を放電させる。
予充電中は回路56,57はオーバライド信号を発生し
て、全ての列線(ビツトおよび の双方)のレベルを低くする。これにより、比較が開始
される前に比較器によるヒツト線からの放電が阻止され
る。
比較器は、「2進1」状態を調べ、実際に「2進0」状
態を無視することに、注意すべきである。すなわち、た
とえば、トランジスタ64のゲートが高レベル(線59
が高レベル)であると、トランジスタ63および64が
比較を制御する。同様に、 60が高レベルであると、トランジスタ61および62
が比較を制御する。比較器のこの特徴によりセルを無視
できる。したがつて、ある語がCAMに結合されたとする
と、ビツトおよび を低レベルにすることによりあるビツトをマツチング処
理からマスクできる。これにより、セルの内容が列線上
の状態をマツチさせるように見えるようにされる。この
特徴は、VUDW論理回路57により用いられる。
論理回路57に結合されているマイクロコード信号は、
アトリビユートビツトの選択されたビツトのためのビツ
トおよび をマイクロコードビツトの関数として低レベルにする。
その結果として、そのビツトに関連するアトリビユート
は無視される。この動作は、たとえば、監督モードにお
いてU/Sビツトを無視するために使用される。すなわ
ち、監督モードはユーザーデータをアクセスできる。同
様に、読出しの時または監督モードの実行中に、読出し
/書込みビツトを無視できる。読出しの時にはデーテイ
ビツトも無視できる。(この特徴はバリツドピツトに対
しては使用されない。) アトリピユートビツトが主記憶装置に格納されている時
は、それらのアトリビユートビツトをアクセスおよび調
べることができ、アクセス動作をたとえばU/Sビツトの
1状態または0状態を基にして制御するために論理回路
が使用される。しかし、キヤツシユメモリには別々のロ
ジツクは使用されない。実際に、ビツトおよび を低レベルにすることにより、アトリビユートビツトの
ビツトパターンがマツチさせられないとしても、マツチ
を許す(または誤りを阻止する)ことによつて余分のロ
ジツクが与えらえる。
第8図に示すように、第6図からの検出器は、ゲート8
1,82,83,84のような複数のNORゲートを含む。CAM線の選
択されたセツトからの3本のヒツト線が、ゲート81に
結合される。それらの線が、線A,B,Cとして示され
ている。それらの線の種々の組合せが他の各NORゲート
に接続される。たとえば、NORゲート84は、ヒツト線
D,A,Bを受ける。各NORゲートの出力端子が、NAND
ゲート86のようなNANDゲートへの入力である。ある1
つのヒツト数が各NANDゲートの1つの入力となる。その
ヒツト線は、NORゲートへの入力ではない(4本のヒツ
ト線A,B,C,Dのうちの)1本の線である。その線は選択
すべきセツトエントリイからのビツト線でもある。たと
えば、ゲート86は、ヒツト線Dに関連するセツトを選
択せねばならない。たとえば、NORゲート81の場合に
は、ヒツト線DがNANDゲート86に結合される、同様
に、NANDゲート90に対しては、ヒツト線Cは、ゲート
84の出力に加えて、このゲートへの入力である。この
ロジツクの出力が書込みのためにイネーブルにされるこ
とを阻止するために、イネーブル読出し信号もそのNAND
ゲートに結合される。NANDゲートの線87のような出力
は、第6図のマルチプレクサ55を制御するために使用
される。実際に、線87上の信号のようなNANDからの信
号が、pチヤネルトランジスタを介してマルチプレクサ
を制御する。説明のために、出力線89が接続されてい
る付加インバータ88が示されている。
この検出器の利点は、マルチプレクサ55に予充電線の
使用を可能にすることである。あるいは、静的な装置を
使用できるが、そのためにはかなり多くの電力を必要と
する。第8図に示す構成により、インバータからの出力
は、1本のヒツト線の電位が低下するまで、同じ状態を
保つ。電位の低下が起ると、ただ1本の出力線の電位が
低下して、マルチプレクサが正しい語を選択できるよう
にする。
セグメンテーシヨンのため、およびページングのため
に、キヤツシユメモリの2つのレベルを使用する独特な
アドレス翻訳装置を説明した。各レベルに独立したデー
タアトリビユート制御(たとえば保護)が行われる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を現在実現しているマイクロプロセツサ
の全体のアーキテクチヤを示すブロツク図、第2図は第
1図のマイクロプロセツサにおいて実施されるセグメン
テーシヨンメカニズムを示すブロツク図、第3図はペー
ジキヤツシユメモリにおけるヒツトまたはマツチのため
のページフイールドマツピングを示すブロツク図、第4
図は主記憶装置内のページダイレクトリとページ表が使
用されるような、第3図のページキヤツシユメモリ内の
ヒツト無しまたはマツチ無しに対するページフイールド
マツピングを示すブロツク図、第5図はページキヤツシ
ユメモリのページダイレクトリとページ表に格納されて
いるアトリビユートを示すために使用される線図、第6
図はページキヤツシユメモリに含まれている連想記載メ
モリとデータストレージの構成を示すブロツク図、第7
図は第6図の連想記憶メモリの一部の電気回路図、第8
図は第6図の検出器に関連する論理回路の電気回路図で
ある。 13……主記憶装置、14……バスインターフエイス装
置、16……復号器、18……実行装置、20……アド
レス翻訳装置、21……セグメント装置、22……ペー
ジ装置、27……比較器、30……ページフイールドマ
ツピングブロツク、34……連想記憶メモリ(CAM)、
35……ページデータメモリ、38……ページダイレク
トリベース、53……検出器、55……マルチプレク
サ、57……VUDW論理回路、67……メモリセル、75…
…制御論理回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−84755(JP,A) 特公 昭55−40950(JP,B2)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロプロセッサ装置であって、 (a) 仮想メモリアドレスを与えるためのアドレスレジス
    タ手段と、 (b) 前記マイクロプロセッサ装置のアドレス端子および
    データ端子のインターフェイスを与えるバスインターフ
    ェイス装置と、 (c) 前記アドレスレジスタ手段から仮想メモリアドレス
    を受けるアドレス翻訳装置にして、 (i) セグメント・ベースアドレスおよび可変長のリミッ
    トを格納する、少なくとも1つのセグメント記述子レジ
    スタと、前記仮想メモリアドレスの少なくとも一部が、
    前記リミットとの比較により、前記リミットを越えてい
    るときに誤り信号を発生する比較器とを有し、前記セグ
    メント・ベースアドレスを前記仮想アドレスの一部に加
    えて、ページ情報フィールドおよびオフセットを有する
    線型アドレスを生成するセグメント装置を有し; (ii)固定サイズのページのメモリアドレスを表す、複数
    のページエントリと、それらのページエントリのための
    タグとを格納するページ・キャッシュと、タグを前記線
    型アドレスの前記ページ情報フィールドと比較してマッ
    チ状態の合図をする手段とを有し、それによりマッチ状
    態の時には、前記ページエントリの1つに対応したペー
    ジエントリ出力が生成され; (iii)マッチ状態にないことが示されると、ページ・ベ
    ースアドレスと前記ページ情報フィールドの少なくとも
    一部とからページテーブルアドレスを発生して前記バス
    インターフェイス装置へ送り、そして、当該ページテー
    ブルアドレスに応じている、前記ページエントリの1つ
    に対応したページテーブルエントリを前記バスインター
    フェイス装置から受ける、ページテーブルアドレス手段
    を有するアドレス翻訳装置と、 (d) (i)前記セグメント装置からの前記線型アドレス、
    または、 (ii)前記ページキャッシュからのページエントリ出力若
    しくわ前記ページテーブルアドレス手段からのページテ
    ーブルエントリと、前記線型アドレスのオフセットとを
    組み合わせたもの を受けるよう結合され、前記バスインターフェイス装置
    に与える物理アドレスを生成するアドレス発生装置と を備えた、マイクロプロセッサ装置。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の装置におい
    て、前記ページテーブルエントリを格納し、前記アドレ
    ス端子を介して受ける物理アドレスによりアクセスされ
    る外部のメモリが、組み合わされている ことを特徴とするマイクロプロセッサ装置。
  3. 【請求項3】メモリ管理装置であって: (a) 任意長さのセグメントに分けられる仮想アドレス空
    間を有する仮想メモリ装置において相互に独立なセグメ
    ンテーションおよびページングを使用してメモリ管理を
    行うマイクロプロセッサ装置にして、内部メモリを含む
    複数の機能部を有し、アドレスおよびデータのための複
    数の端子を有しているマイクロプロセッサ装置と、 (b) アドレスおよびデータのための前記複数の端子によ
    りアドレスできる外部メモリとを備えており; 前記マイクロプロセッサ装置が、 (i) 前記複数の機能部間において情報を送る内部バス
    と、 (ii)この内部バスと、アドレスおよびデータのための前
    記複数の端子との間において情報を送るためのバスイン
    ターフェイス装置と、 (iii)仮想アドレス空間の或るロケーションに対応して
    いる仮想メモリアドレスにして、メモリ管理装置におけ
    るページング機能に関係をもたない情報のみをそれぞれ
    有している仮想メモリアドレスを与えるためのアドレス
    レジスタと、 (iv)前記アドレスレジスタから前記仮想メモリアドレス
    を受けるアドレス翻訳装置にして、 (iv-A)セグメント記述子を格納する少なくとも1つのセ
    グメント記述子レジスタにして、そのセグメント記述子
    が、セグメントについてのページング操作をされるかさ
    れないかについての参照なしに、セグメントを記述する
    情報を与え、少なくともセグメント・ベースアドレスお
    よびセグメント長を含むものである、少なくとも1つの
    セグメント記述子レジスタと、 仮想アドレスの少なくとも一部をセグメント長と比較し
    て、仮想アドレスの前記一部が、前記セグメント長を越
    えているとき、誤り信号を発生し、前記セグメント・ベ
    ースアドレスと仮想アドレスの前記一部とを組合せて、
    ページ情報フィールドおよびページ変位フィールドを有
    する線型アドレスを生成する、第1の回路と を有するセグメント装置と、 (iv-B)このセグメント装置とは独立に動作し、前記線型
    アドレスを受けるページ装置にして、 (1)固定長のページのメモリアドレスを表わす、複数の
    ページエントリ及びこれらのページエントリのためのタ
    グを格納するページキャッシュと、 (2)前記線型アドレスの前記ページ情報フィールドを前
    記タグと比較し、前記ページ情報フィールドが前記タグ
    の1つにマッチしていれば、前記ページエントリの1つ
    に対応したページエントリ出力を生成する第2の回路
    と、 (3)前記第2の回路に応じて、もし、前記ページ情報フ
    ィールドが前記タグの何れともマッチしていなければ、
    固定長のページの1つのベースアドレスと、前記線型ア
    ドレスの前記ページ情報フィールドの少なくとも一部と
    から、ページテーブルアドレスを生成し、そのページテ
    ーブルアドレスを前記内部バスへ送り、このようにして
    前記内部バスへ送ったページテーブルアドレスに応じて
    前記内部バスからページテーブルエントリを受ける、 ページテーブルアドレス回路と を有するページ装置と、 (iv-C) (i)前記線型アドレスを受けて、受けた線型アド
    レスと同じ物理アドレスを生成するか、(ii)前記ページ
    変位フィールドと、前記ページキャッシュからのページ
    エントリ出力若しくはページテーブルアドレス回路から
    のページテーブルエントリとを受けて、ページエントリ
    出力,ページテーブルエントリのうちの受けたものと、
    前記ページ変位フィールドとを組み合わせて物理アドレ
    スを生成し、その物理アドレスをアドレスおよびデータ
    のための前記複数の端子へ前記内部バスを介して送る、
    アドレス発生回路と を有するアドレス翻訳装置と を備えており; 前記外部メモリは、前記セグメント記述子レジスタへ送
    るために複数のセグメント記述子を格納している、 メモリ管理装置。
  4. 【請求項4】コンピュータ装置において、セグメンテー
    ションおよびページングの双方を実行するメモリ管理を
    行う方法であって、 (a) セグメンテーション処理のための入力として、セグ
    メント記述子テーブルへのアドレス情報およびオフセッ
    トを含む仮想アドレスと、前記セグメント記述子テーブ
    ルへの前記アドレス情報によりアドレスできるセグメン
    ト記述子テーブルとを与える過程と、 (b) 前記セグメンテーションの出力として線型アドレス
    を与える過程と、 (c) 前記線型アドレスを、 (i) 主記憶装置へのアドレス用の物理アドレスとして使
    用するか、または、 (ii)前記線型アドレスを含む入力のセットと、前記セグ
    メンテーション処理のための前記入力以外の入力のセッ
    トとに基づいて、物理アドレスを発生する、ページング
    処理への入力として使用する 過程と、 (d) 前記物理アドレスを、システムバスを介して前記主
    記憶装置へのアクセスをするために用いる過程と を備えたメモリ管理を行う方法。
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