JPH06220632A - 陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置 - Google Patents
陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置Info
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極スパッタリングとマイクロ波照射によっ
てプラズマを発生させるための装置を提供することであ
る。 【構成】 本装置は、マグネトロン陰極を具備し、その
大気圧側には空洞共振器が配置されている。装置の真空
側には横方向の境界を画している１対の遮蔽用シートが
配置され、これらの遮蔽用シートの内側にはマグネトロ
ン陰極のターゲットの表面に直角な磁界を発生させる磁
石が設けられている。
てプラズマを発生させるための装置を提供することであ
る。 【構成】 本装置は、マグネトロン陰極を具備し、その
大気圧側には空洞共振器が配置されている。装置の真空
側には横方向の境界を画している１対の遮蔽用シートが
配置され、これらの遮蔽用シートの内側にはマグネトロ
ン陰極のターゲットの表面に直角な磁界を発生させる磁
石が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極スパッタリングとび
マイクロ波照射とによってプラズマを発生させる装置に
関する。
マイクロ波照射とによってプラズマを発生させる装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】多くの技術分野においては薄い層を下地
（もしくはサブストレート）に付着させることが要求さ
れる。例えば特別な特性を与えるためにガラス板を被膜
したり、それ程貴ではない材料製の時計のケースを貴材
料の層で被膜したりする。
（もしくはサブストレート）に付着させることが要求さ
れる。例えば特別な特性を与えるためにガラス板を被膜
したり、それ程貴ではない材料製の時計のケースを貴材
料の層で被膜したりする。
【０００３】薄い層を下地に付着させるための種々のプ
ロセスは既に示唆されているが、これらのプロセスの中
のプラズマによる電気めっき及び被膜だけを説明するこ
とにする。プラズマによる被膜は、様々な材料が被膜材
料として使用できるために近年益々重要になってきてい
る。
ロセスは既に示唆されているが、これらのプロセスの中
のプラズマによる電気めっき及び被膜だけを説明するこ
とにする。プラズマによる被膜は、様々な材料が被膜材
料として使用できるために近年益々重要になってきてい
る。
【０００４】被膜に適するプラズマを発生させるための
種々のプロセスも示唆されている。これらのプロセスの
中で陰極スパッタリングプロセスは、その高い被膜速度
の故に極めて興味深いものである。もしスパッタされる
陰極の前の領域にマイクロ波を放射すれば、被膜速度を
更に増加させることができる。
種々のプロセスも示唆されている。これらのプロセスの
中で陰極スパッタリングプロセスは、その高い被膜速度
の故に極めて興味深いものである。もしスパッタされる
陰極の前の領域にマイクロ波を放射すれば、被膜速度を
更に増加させることができる。
【０００５】マイクロ波強化スパッタリングのための幾
つかの装置が公知である（例えば、US-A-4,610,770、US
-A-4,721,553、DE-A-3,920,834）。これらの装置では、
マイクロ波は下地表面に平行に、または直角か任意の角
度でプラズマ領域に導かれる。マグネトロンの磁界とマ
イクロ波との協働によって電子サイクロトロン共振（Ｅ
ＣＲ）が確立され、これがプラズマ粒子の電離を増倍さ
せる。
つかの装置が公知である（例えば、US-A-4,610,770、US
-A-4,721,553、DE-A-3,920,834）。これらの装置では、
マイクロ波は下地表面に平行に、または直角か任意の角
度でプラズマ領域に導かれる。マグネトロンの磁界とマ
イクロ波との協働によって電子サイクロトロン共振（Ｅ
ＣＲ）が確立され、これがプラズマ粒子の電離を増倍さ
せる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら公知の殆
どの装置の欠点は、下地の領域程には粒子の励振を必要
としないスパッタ陰極の付近にＥＣＲ状態が発生するこ
とである。この欠点を解消するために、DE-A-3,920,834
による装置ではマイクロ波を下地上に放射し、下地自体
を永久磁石の磁力線が通過するようにしてある。このよ
うにすると下地の直上にＥＣＲ状態が実現される。しか
しながらこの公知の装置では、所与の最低電圧以上で且
つ所与最低の圧力以上でなければプラズマ放電は発生し
得ない。ターゲット表面に極めて強い磁界を印加したと
しても、プラズマ点弧電圧をそれ以上低下させることは
できない。しかしながらこのような高い放電電圧は、例
えば不活性ガスを下地構造内に含浸させるような望まし
くない効果、または放射破壊をもたらす。
どの装置の欠点は、下地の領域程には粒子の励振を必要
としないスパッタ陰極の付近にＥＣＲ状態が発生するこ
とである。この欠点を解消するために、DE-A-3,920,834
による装置ではマイクロ波を下地上に放射し、下地自体
を永久磁石の磁力線が通過するようにしてある。このよ
うにすると下地の直上にＥＣＲ状態が実現される。しか
しながらこの公知の装置では、所与の最低電圧以上で且
つ所与最低の圧力以上でなければプラズマ放電は発生し
得ない。ターゲット表面に極めて強い磁界を印加したと
しても、プラズマ点弧電圧をそれ以上低下させることは
できない。しかしながらこのような高い放電電圧は、例
えば不活性ガスを下地構造内に含浸させるような望まし
くない効果、または放射破壊をもたらす。
【０００７】
【課題を解決するための手段】プラズマ点弧電圧をさら
に低下させるために、ターゲット表面にマイクロ波エネ
ルギを案内する導波管が真空室内のターゲットの横縁に
担持されている。これによりプラズマの電離は大幅に増
加し、低い放電と大電流とでスパッタさせることができ
るようになる。100 Ｖ以下の放電電圧を実現することが
できる。
に低下させるために、ターゲット表面にマイクロ波エネ
ルギを案内する導波管が真空室内のターゲットの横縁に
担持されている。これによりプラズマの電離は大幅に増
加し、低い放電と大電流とでスパッタさせることができ
るようになる。100 Ｖ以下の放電電圧を実現することが
できる。
【０００８】本発明は、スパッタ陰極の周囲のプラズマ
の電離をより一層増加させようとするものである。
の電離をより一層増加させようとするものである。
【０００９】上記課題を解決する陰極スパッタリング及
びマイクロ波照射によるプラズマ発生装置は、ａ）プラ
ズマ領域と、ｂ）このプラズマ領域内にあって、電源に
接続されている電極に接続されているターゲットと、
ｃ）磁界がターゲットから出て再びその中へ入るように
するマグネトロンと、ｄ）平行な遮蔽用シートをターゲ
ットの表面に対して直角に設け、導波管を介してターゲ
ットの前面のこれらの遮蔽用シート間の領域内にマイク
ロ波を送信するマイクロ波送信機とを具備し、遮蔽用シ
ートに実質的に平行に伸びる磁界を発生する磁石を遮蔽
用シート上に設けたことを特徴とする。
びマイクロ波照射によるプラズマ発生装置は、ａ）プラ
ズマ領域と、ｂ）このプラズマ領域内にあって、電源に
接続されている電極に接続されているターゲットと、
ｃ）磁界がターゲットから出て再びその中へ入るように
するマグネトロンと、ｄ）平行な遮蔽用シートをターゲ
ットの表面に対して直角に設け、導波管を介してターゲ
ットの前面のこれらの遮蔽用シート間の領域内にマイク
ロ波を送信するマイクロ波送信機とを具備し、遮蔽用シ
ートに実質的に平行に伸びる磁界を発生する磁石を遮蔽
用シート上に設けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明がもたらす利点は、特に、スパッタ装置
に極めて低い放電電圧を使用できることである。さら
に、スパッタ陰極の前面の付加的な磁界を選択すること
によって、広い範囲でプラズマの分布に影響を与えるこ
とができる。例えば異なる強度の通常のマグネトロン磁
界と協働させ、電子ガス相互作用に関してＥＣＲ状態を
発生させることが可能であり、またはＥＣＲ状態が存在
しない場合には弱い磁界と共に働かせることが可能であ
る。
に極めて低い放電電圧を使用できることである。さら
に、スパッタ陰極の前面の付加的な磁界を選択すること
によって、広い範囲でプラズマの分布に影響を与えるこ
とができる。例えば異なる強度の通常のマグネトロン磁
界と協働させ、電子ガス相互作用に関してＥＣＲ状態を
発生させることが可能であり、またはＥＣＲ状態が存在
しない場合には弱い磁界と共に働かせることが可能であ
る。
【００１１】
【実施例】以下に添付図面を参照して本発明の実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１は、プラズマ室１を示し、そのハウジ
ング２は真空ポンプ（図示してない）に接続されている
ガス出口３を備えている。特殊鋼性のハウジング２内に
被膜またはエッチングされる下地５が配置される。下地
５は、ハウジング２の底７上に配置されている回転卓６
上に載っている。スパッタ電極８は下地５に対向し、且
つハウジング２の上壁４に一体化されており、このスパ
ッタ電極８は陰極タブ９に接続されている。陰極タブ９
は、好ましくは直流電源である電源１０に接続されてい
る。陰極タブ９は電気絶縁体１１、１２上に座してお
り、絶縁体１１、１２はハウジング２の上壁４の凹みの
中に埋込まれている。各絶縁体１１、１２はそれぞれ封
止用リング３５、３６を有している。
ング２は真空ポンプ（図示してない）に接続されている
ガス出口３を備えている。特殊鋼性のハウジング２内に
被膜またはエッチングされる下地５が配置される。下地
５は、ハウジング２の底７上に配置されている回転卓６
上に載っている。スパッタ電極８は下地５に対向し、且
つハウジング２の上壁４に一体化されており、このスパ
ッタ電極８は陰極タブ９に接続されている。陰極タブ９
は、好ましくは直流電源である電源１０に接続されてい
る。陰極タブ９は電気絶縁体１１、１２上に座してお
り、絶縁体１１、１２はハウジング２の上壁４の凹みの
中に埋込まれている。各絶縁体１１、１２はそれぞれ封
止用リング３５、３６を有している。
【００１３】陰極タブ９内には、１つのＮ極と１つのＳ
極とを各々が有する３つの永久磁石１５、１６、１７が
配置されている。これらの永久磁石１５、１６、１７は
１つのヨーク１４によって互いに結合されている。永久
磁石１５〜１７の磁力線１８、１９は陰極タブ９及びタ
ーゲット（スパッタ電極）８を貫通し、プラズマ領域２
０内に２つの弧を形成している。
極とを各々が有する３つの永久磁石１５、１６、１７が
配置されている。これらの永久磁石１５、１６、１７は
１つのヨーク１４によって互いに結合されている。永久
磁石１５〜１７の磁力線１８、１９は陰極タブ９及びタ
ーゲット（スパッタ電極）８を貫通し、プラズマ領域２
０内に２つの弧を形成している。
【００１４】このプラズマ領域２０の横方向は２つのア
ングル即ち遮蔽用シート２１、２２によって境界が定め
られている。遮蔽用シート２１、２２は銅製であり、上
壁４の内側に支えられている。プラズマ領域２０内の上
壁４と遮蔽用シート２１、２２との間に、ターゲット８
に直角な磁界を発生するコイルが配置されている。この
コイルは２つの半分のコイル２４、２５に示されている
が、図示してない手法で互いに接続されているのであ
る。コイル２４、２５の十分に均一な磁界によって実質
的に３つの効果が達成される。第１は、電子とマイクロ
波との効果的な相互作用によって付加的なプラズマ付勢
が達成されることである。第２は、ターゲット即ちスパ
ッタ陰極８の前面のプラズマを磁界によって均一にする
ことができるので、ターゲットの利用率が向上すること
である。最後に、磁界によって下地に向かう方向にプラ
ズマがより強く拡張され、層の成長に好ましい影響を与
えることである。
ングル即ち遮蔽用シート２１、２２によって境界が定め
られている。遮蔽用シート２１、２２は銅製であり、上
壁４の内側に支えられている。プラズマ領域２０内の上
壁４と遮蔽用シート２１、２２との間に、ターゲット８
に直角な磁界を発生するコイルが配置されている。この
コイルは２つの半分のコイル２４、２５に示されている
が、図示してない手法で互いに接続されているのであ
る。コイル２４、２５の十分に均一な磁界によって実質
的に３つの効果が達成される。第１は、電子とマイクロ
波との効果的な相互作用によって付加的なプラズマ付勢
が達成されることである。第２は、ターゲット即ちスパ
ッタ陰極８の前面のプラズマを磁界によって均一にする
ことができるので、ターゲットの利用率が向上すること
である。最後に、磁界によって下地に向かう方向にプラ
ズマがより強く拡張され、層の成長に好ましい影響を与
えることである。
【００１５】ハウジング２の外側には導波管２６が設け
られている。導波管２６は、磁石１５〜１７、ヨーク１
４、及び陰極タブ９からなるマグネトロンを取囲んでい
る。この導波管２６は矩形管の形状であり、共振するよ
うに同調されている。この導波管２６内に、紙面に直角
にマイクロ波が導入される。マイクロ波の導入の詳細に
関しては図２を参照すると理解し易い。
られている。導波管２６は、磁石１５〜１７、ヨーク１
４、及び陰極タブ９からなるマグネトロンを取囲んでい
る。この導波管２６は矩形管の形状であり、共振するよ
うに同調されている。この導波管２６内に、紙面に直角
にマイクロ波が導入される。マイクロ波の導入の詳細に
関しては図２を参照すると理解し易い。
【００１６】マイクロ波は、例えばテフロン製の絶縁体
１１、１２、及び間隙２７、２８を通してプラズマ領域
２０内へ導かれる。プラズマ領域２０内において、マイ
クロ波は永久磁石１５〜１７の磁界及び付加的な磁石２
４、２５の磁界と共に、ガス供給管２９、３０からのガ
スの流れに電子サイクロトロン共振を発生させる。プラ
ズマ領域２０内の正に帯電した粒子は高速でターゲット
８に衝突してターゲット８から粒子を放出させ、これら
の粒子を下地５上に沈積させる。時間の経過と共にガス
供給管２９、３０がスパッタによって詰まることがない
ように、保護アングル３１、３２が設けられている。
１１、１２、及び間隙２７、２８を通してプラズマ領域
２０内へ導かれる。プラズマ領域２０内において、マイ
クロ波は永久磁石１５〜１７の磁界及び付加的な磁石２
４、２５の磁界と共に、ガス供給管２９、３０からのガ
スの流れに電子サイクロトロン共振を発生させる。プラ
ズマ領域２０内の正に帯電した粒子は高速でターゲット
８に衝突してターゲット８から粒子を放出させ、これら
の粒子を下地５上に沈積させる。時間の経過と共にガス
供給管２９、３０がスパッタによって詰まることがない
ように、保護アングル３１、３２が設けられている。
【００１７】プラズマ領域２０内に入るマイクロ波は波
形矢印３３、３４で記号的に示されている。間隙または
スリット、またはダークスペース２７、２８を通してマ
イクロ波をプラズマ領域２０へ結合するためには複雑な
装置は必要としない。標準スパッタリング電極構造で全
く十分である。陰極タブ９の大気側上にマイクロ波共振
器箱が配置され、そこからマイクロ波はダークスペース
２７、２８を通してプラズマ領域２０内へ案内される。
テフロン製の絶縁体１１、１２は真空密封機能をも有し
ており、この理由から絶縁体１１、１２の両側にはＯリ
ング３５、３６が封止用リングとして設けられている。
形矢印３３、３４で記号的に示されている。間隙または
スリット、またはダークスペース２７、２８を通してマ
イクロ波をプラズマ領域２０へ結合するためには複雑な
装置は必要としない。標準スパッタリング電極構造で全
く十分である。陰極タブ９の大気側上にマイクロ波共振
器箱が配置され、そこからマイクロ波はダークスペース
２７、２８を通してプラズマ領域２０内へ案内される。
テフロン製の絶縁体１１、１２は真空密封機能をも有し
ており、この理由から絶縁体１１、１２の両側にはＯリ
ング３５、３６が封止用リングとして設けられている。
【００１８】図２は、図１の装置の部分斜視図である。
図２から、マイクロ波が延長部４０を通して空洞共振器
２６（マグネトロン内を詳細に図示するために分解して
示してある）内に導入されることが理解されよう。ガス
供給管２９、３０はプラズマ領域２０に向けられた多く
の孔を有しているが、図２にはそれらの中の３つに番号
４１、４２、４３を付してあるに過ぎない。これらの孔
４１〜４３の前には保護アングル３１、３２が設けられ
ている。これらの保護アングル３１、３２は孔がスパッ
タリングによって閉じてしまうのを防いでいる。もしコ
イル２４、２５を通して交流電流を流せば、陰極タブ９
の前面のプラズマを脈動させることができる。さらに、
ターゲット８の前面のプラズマが前後にわずかに振動す
るのでターゲットの利用率がより高められる。
図２から、マイクロ波が延長部４０を通して空洞共振器
２６（マグネトロン内を詳細に図示するために分解して
示してある）内に導入されることが理解されよう。ガス
供給管２９、３０はプラズマ領域２０に向けられた多く
の孔を有しているが、図２にはそれらの中の３つに番号
４１、４２、４３を付してあるに過ぎない。これらの孔
４１〜４３の前には保護アングル３１、３２が設けられ
ている。これらの保護アングル３１、３２は孔がスパッ
タリングによって閉じてしまうのを防いでいる。もしコ
イル２４、２５を通して交流電流を流せば、陰極タブ９
の前面のプラズマを脈動させることができる。さらに、
ターゲット８の前面のプラズマが前後にわずかに振動す
るのでターゲットの利用率がより高められる。
【００１９】遮蔽用シート２１、２２によって空洞共振
器は上側空洞共振器と下側空洞共振器とに分割される。
下側共振器はテフロン絶縁体１１、１２に沿う環状共振
器であり、マイクロ波入口とは反対の側で上側共振器に
接続されている。下側共振器から、マイクロ波はダーク
スペース２７、２８を通してプラズマ領域２０内へ入
る。上側共振器はバッファ共振器として機能する。この
ような共振器の構造のために、陰極側に沿うダークスペ
ース内の磁界は顕著に均一になる。
器は上側空洞共振器と下側空洞共振器とに分割される。
下側共振器はテフロン絶縁体１１、１２に沿う環状共振
器であり、マイクロ波入口とは反対の側で上側共振器に
接続されている。下側共振器から、マイクロ波はダーク
スペース２７、２８を通してプラズマ領域２０内へ入
る。上側共振器はバッファ共振器として機能する。この
ような共振器の構造のために、陰極側に沿うダークスペ
ース内の磁界は顕著に均一になる。
【００２０】図１及び２は、幾つかの考え得る実施例の
１つを示したに過ぎないことを理解されたい。例えば回
転卓６は、普通のインライン装置において好ましく使用
されているような線形可動下地保持具としても差し支え
ない。
１つを示したに過ぎないことを理解されたい。例えば回
転卓６は、普通のインライン装置において好ましく使用
されているような線形可動下地保持具としても差し支え
ない。
【図１】プラズマ室、マグネトロン陰極及びマイクロ波
照射の概要断面図である。
照射の概要断面図である。
【図２】マグネトロン陰極直前のマイクロ波照射とプラ
ズマ領域の部分斜視図である。
ズマ領域の部分斜視図である。
１ プラズマ室 ２ ハウジング ３ ガス出口 ４ ハウジング上壁 ５ 下地 ６ 回転卓 ７ ハウジングの底 ８ スパッタ陰極（ターゲット） ９ 陰極タブ １０ 電源 １１、１２ 電気絶縁体 １４ ヨーク １５、１６、１７ 永久磁石 １８、１９ 磁力線 ２０ プラズマ領域 ２１、２２ 遮蔽用シート ２４、２５ コイル ２６ 導波管（空洞共振器） ２７、２８ 間隙（スリットまたはダークスペース） ２９、３０ ガス供給管 ３１、３２ 保護アングル ３５、３６ 封止用（Ｏ）リング ４０ 延長部 ４１、４２、４３ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルドルフ ラッツ ドイツ連邦共和国 Ｄ−63110 ロドガウ シュペスサルトリング 15
Claims (9)
- 【請求項１】 プラズマ領域と、このプラズマ領域内に
あって、電源に接続されている電極に接続されているタ
ーゲットと、磁界が前記ターゲットから出て再びその中
へ入るようにするマグネトロンと、平行な遮蔽用シート
を前記ターゲットの表面に対して直角に設け、導波管を
介して前記ターゲットの前面のこれらの遮蔽用シートの
間の領域内にマイクロ波を送信するマイクロ波送信機と
を具備し、前記遮蔽用シートに実質的に平行に伸びる磁
界を発生する磁石を前記遮蔽用シート上に設けたことを
特徴とする陰極スパッタリング及びマイクロ波照射によ
るプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 前記磁石が、前記遮蔽用シート上に巻か
れた電磁石であることを特徴とする請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】 磁界が直流磁界であることを特徴とする
請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】 磁界が交流磁界であることを特徴とする
請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 前記プラズマ領域がハウジング内に配置
され、マイクロ波を透過させる封止及び間隙を通して前
記プラズマ領域に結合されている導波管がハウジングの
外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載
の装置。 - 【請求項６】 前記遮蔽用シートにはガス供給管が一体
的に取付けられ、これらのガス供給管にはプラズマ領域
に向けられた複数の孔が設けられていることを特徴とす
る請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 前記遮蔽用シートには保護アングルによ
って取囲まれている前記ガス供給管が取付けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項８】 前記封止が、封止用リングを有するテフ
ロン要素からなることを特徴とする請求項５に記載の装
置。 - 【請求項９】 テフロン要素が下側共振器として機能す
ることを特徴とする請求項８に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4230290.0 | 1992-09-10 | ||
| DE4230290A DE4230290A1 (de) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06220632A true JPH06220632A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=6467677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5237344A Pending JPH06220632A (ja) | 1992-09-10 | 1993-08-30 | 陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5397448A (ja) |
| JP (1) | JPH06220632A (ja) |
| KR (1) | KR940007214A (ja) |
| DE (1) | DE4230290A1 (ja) |
| NL (1) | NL9301480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012131231A (ja) * | 2005-03-17 | 2012-07-12 | Dupont Teijin Films Us Lp | 光電子および電子デバイスにおける使用に適した複合フィルム |
| KR101674615B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2016-11-09 | 주식회사 아바코 | 증착장치 |
| JP2021520310A (ja) * | 2018-04-06 | 2021-08-19 | アッドアップ | 選択的付加製造装置のための磁気閉じ込め加熱デバイス |
| KR20210123646A (ko) * | 2020-04-03 | 2021-10-14 | 인제대학교 산학협력단 | 대기압 중주파 플라즈마 처리장치 |
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| DE4336830A1 (de) * | 1993-10-28 | 1995-05-04 | Leybold Ag | Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung |
| JP2592217B2 (ja) * | 1993-11-11 | 1997-03-19 | 株式会社フロンテック | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
| JP3100837B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2000-10-23 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング装置 |
| US5616224A (en) * | 1995-05-09 | 1997-04-01 | Deposition Sciences, Inc. | Apparatus for reducing the intensity and frequency of arcs which occur during a sputtering process |
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| WO2002084702A2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-10-24 | Lampkin Curtis M | Sputtering deposition apparatus and method for depositing surface films |
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| GB201316366D0 (en) * | 2013-09-13 | 2013-10-30 | Teer Coatings Ltd | Improvements to coating apparatus |
| US12159768B2 (en) * | 2019-03-25 | 2024-12-03 | Recarbon, Inc. | Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability |
| DE102020201829A1 (de) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Schichten mit verbesserter Uniformität bei Beschichtungsanlagen mit horizontal rotierender Substratführung mit zusätzlichen Plasmaquellen |
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| EP0173164B1 (en) * | 1984-08-31 | 1988-11-09 | Hitachi, Ltd. | Microwave assisting sputtering |
| DE3500328A1 (de) * | 1985-01-07 | 1986-07-10 | Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa | Zerstaeubungsaetzvorrichtung |
| JPH0621352B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | スパツタリング装置 |
| DE3920834A1 (de) * | 1989-06-24 | 1991-02-21 | Leybold Ag | Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung |
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| JPH0436465A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置 |
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1992
- 1992-09-10 DE DE4230290A patent/DE4230290A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-08-17 US US08/108,081 patent/US5397448A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-26 NL NL9301480A patent/NL9301480A/nl not_active Application Discontinuation
- 1993-08-30 JP JP5237344A patent/JPH06220632A/ja active Pending
- 1993-08-31 KR KR1019930017227A patent/KR940007214A/ko not_active Ceased
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5397448A (en) | 1995-03-14 |
| DE4230290A1 (de) | 1994-03-17 |
| KR940007214A (ko) | 1994-04-26 |
| NL9301480A (nl) | 1994-04-05 |
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