JPH0622069B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPH0622069B2 JPH0622069B2 JP895187A JP895187A JPH0622069B2 JP H0622069 B2 JPH0622069 B2 JP H0622069B2 JP 895187 A JP895187 A JP 895187A JP 895187 A JP895187 A JP 895187A JP H0622069 B2 JPH0622069 B2 JP H0622069B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有す
る光磁気ディスクに関するものである。
る光磁気ディスクに関するものである。
光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の記録，再
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。
この種の光磁気ディスクの構造として、従来、ガラスや
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護すると共に、
情報の読み出し光の内の光磁気記録媒体膜で反射した光
を内部で多重反射（干渉）させ読み出し用反射光の見か
けのカー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比を向上させる
（エンハンスメント効果）、SiO2，SiO，CeO2などの誘
電体膜、第２層としてTb-Fe系、Tb-Fe-Co系、Gd-Tb-Fe
系などの膜厚を３００Åより厚くした光磁気記録媒体膜
および第３層として前期光磁気記録媒体を保護する、Si
O2,SiO， CeO2などの誘電体膜、もしくはAl,Bi,Pbなど
の金属膜が形成されてなるもの(特開昭59−110056号，
同59−121368号)や透明基板上に、第１層として、後記
光磁気記録媒体を保護する誘電体膜、第２層として膜厚
を３００Å以下とした光磁気記録媒体膜、第３層として
前記光磁気記録媒体膜を保護すると共にこの膜を透過し
た情報の読み出し光をこの膜と後記金属膜との間で多重
反射（干渉）させ読み出し用反射光の見かけのファラデ
ー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比を向上させる（エンハ
ンスメント効果）誘電体膜、および第４層として金属膜
が形成されてなるもの（特開昭60−129951号、同60−20
9947号）などが、充分実用化に値する光磁気ディスクを
提供するという観点から最も有望なものとして知られて
いる。
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護すると共に、
情報の読み出し光の内の光磁気記録媒体膜で反射した光
を内部で多重反射（干渉）させ読み出し用反射光の見か
けのカー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比を向上させる
（エンハンスメント効果）、SiO2，SiO，CeO2などの誘
電体膜、第２層としてTb-Fe系、Tb-Fe-Co系、Gd-Tb-Fe
系などの膜厚を３００Åより厚くした光磁気記録媒体膜
および第３層として前期光磁気記録媒体を保護する、Si
O2,SiO， CeO2などの誘電体膜、もしくはAl,Bi,Pbなど
の金属膜が形成されてなるもの(特開昭59−110056号，
同59−121368号)や透明基板上に、第１層として、後記
光磁気記録媒体を保護する誘電体膜、第２層として膜厚
を３００Å以下とした光磁気記録媒体膜、第３層として
前記光磁気記録媒体膜を保護すると共にこの膜を透過し
た情報の読み出し光をこの膜と後記金属膜との間で多重
反射（干渉）させ読み出し用反射光の見かけのファラデ
ー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比を向上させる（エンハ
ンスメント効果）誘電体膜、および第４層として金属膜
が形成されてなるもの（特開昭60−129951号、同60−20
9947号）などが、充分実用化に値する光磁気ディスクを
提供するという観点から最も有望なものとして知られて
いる。
しかしながら、前記構造の光磁気ディスクにおいては、
前記光磁気記録情報のドロップアウトの防止および再生
Ｃ／Ｎ比の向上が完全には達成されていなかった。
前記光磁気記録情報のドロップアウトの防止および再生
Ｃ／Ｎ比の向上が完全には達成されていなかった。
本発明の目的は、これらの問題点を解消し、長期の耐久
性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値す
る光磁気ディスクを提供することにある。
性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値す
る光磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知の
光磁気ディスクの構造において、干渉膜としての誘電体
膜の組成がLiNbOx,LiTaOx，またはLiNb1-yTayOx（但
し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜１）で表わされることを
特徴とする光磁気ディスクである。また、本発明は、前
記公知の光磁気ディスクの構成において、干渉膜として
の誘電体膜の組成がLiNbOx,LiTaOx，またはLiNb1-yTayO
x（但し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜１）で表わされ、
かつ該干渉膜以外の誘電体膜の組成がLiNbOz,LiTaOz，
またはLiNb1-wTawOz（但し、１．５≦ｚ＜３、０＜ｗ＜
１）で表わされることを特徴とする光磁気ディスクであ
る。
光磁気ディスクの構造において、干渉膜としての誘電体
膜の組成がLiNbOx,LiTaOx，またはLiNb1-yTayOx（但
し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜１）で表わされることを
特徴とする光磁気ディスクである。また、本発明は、前
記公知の光磁気ディスクの構成において、干渉膜として
の誘電体膜の組成がLiNbOx,LiTaOx，またはLiNb1-yTayO
x（但し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜１）で表わされ、
かつ該干渉膜以外の誘電体膜の組成がLiNbOz,LiTaOz，
またはLiNb1-wTawOz（但し、１．５≦ｚ＜３、０＜ｗ＜
１）で表わされることを特徴とする光磁気ディスクであ
る。
本発明において、干渉膜としての誘電体膜の組成はLiNb
Ox，LiTaOx，LiNb1-yTayOx(但し、１．５≦ｘ＜３、０
＜ｙ＜１)で表わされる必要がある。それは、(1)この成
分が化学量論的組成比（LiNbO3，LiTaO3，LiNb1-yTa
yO3，但し０＜ｙ＜１）よりも酸素含有量の少ない幅広
い範囲において安定であるため、外部からの酸素を吸収
する作用が生じ光磁気記録媒体の酸化を防ぐ効果が公知
の干渉膜としての誘電体に比べて大きい、(2)この誘電
体膜は６００〜８３０nmの波長を持つ光において屈折率
が２．２〜２．４であり、かつ透明であるため、エンハ
ンスメント効果を利用してカー回転角を上げることがで
きると共に、反射率を下げすぎることなく再生信号を間
違いなく読み取ることができる、からである。そして、
この誘電体の組成を示すｘおよびｙには、夫々１．５≦
ｘ＜３、０＜ｙ＜１なる条件が設定される。ｘが１．５
未満では酸素が欠乏することにより膜が透明性を失い、
エンハンスメント効果を有効に利用できなくなり、一
方、３以上では酸素過剰となり生じた結合の弱い酸素が
光磁気記録媒体の酸化に寄与することによりこの媒体の
光磁気特性を大幅に劣化させる。
Ox，LiTaOx，LiNb1-yTayOx(但し、１．５≦ｘ＜３、０
＜ｙ＜１)で表わされる必要がある。それは、(1)この成
分が化学量論的組成比（LiNbO3，LiTaO3，LiNb1-yTa
yO3，但し０＜ｙ＜１）よりも酸素含有量の少ない幅広
い範囲において安定であるため、外部からの酸素を吸収
する作用が生じ光磁気記録媒体の酸化を防ぐ効果が公知
の干渉膜としての誘電体に比べて大きい、(2)この誘電
体膜は６００〜８３０nmの波長を持つ光において屈折率
が２．２〜２．４であり、かつ透明であるため、エンハ
ンスメント効果を利用してカー回転角を上げることがで
きると共に、反射率を下げすぎることなく再生信号を間
違いなく読み取ることができる、からである。そして、
この誘電体の組成を示すｘおよびｙには、夫々１．５≦
ｘ＜３、０＜ｙ＜１なる条件が設定される。ｘが１．５
未満では酸素が欠乏することにより膜が透明性を失い、
エンハンスメント効果を有効に利用できなくなり、一
方、３以上では酸素過剰となり生じた結合の弱い酸素が
光磁気記録媒体の酸化に寄与することによりこの媒体の
光磁気特性を大幅に劣化させる。
更に、この誘電体膜は、膜厚が200〜1200Åに形成され
るのが望ましい。膜厚が２００Å未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層の酸化
による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層を保護
する効果が不充分であると共に、エンハンスメント効果
が充分に発揮されない。一方、膜厚が1200Åを超える
と、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメント効果を
有効に利用できなくなる。
るのが望ましい。膜厚が２００Å未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層の酸化
による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層を保護
する効果が不充分であると共に、エンハンスメント効果
が充分に発揮されない。一方、膜厚が1200Åを超える
と、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメント効果を
有効に利用できなくなる。
干渉膜以外の誘電体膜もしくは金属膜は、公知の膜およ
び前記干渉膜の組成のもののいずれをも使用することが
できる。そして、前記干渉膜の組成のものを使用した場
合、干渉膜の組成と干渉膜以外の組成は、同じでも相違
していてもよい。そして、この層の膜厚は２００Å以上
に形成されるのが望ましい。膜厚が２００Å未満では、
ピンホール等による膜の不均一性が増し光磁気記録媒体
膜を保護する効果が充分得られない。
び前記干渉膜の組成のもののいずれをも使用することが
できる。そして、前記干渉膜の組成のものを使用した場
合、干渉膜の組成と干渉膜以外の組成は、同じでも相違
していてもよい。そして、この層の膜厚は２００Å以上
に形成されるのが望ましい。膜厚が２００Å未満では、
ピンホール等による膜の不均一性が増し光磁気記録媒体
膜を保護する効果が充分得られない。
本発明の各層の膜は、高周波スパッタリング、直流スパ
ッタリング、真空蒸着などにより形成することができ
る。
ッタリング、真空蒸着などにより形成することができ
る。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明す
る。
る。
厚さ１．２mmのポリカーボネートの溝付透明基板上に高
周波スパッタリング法により、第１層を、次に第２層の
Tb0.27Fe0.60Co0.13なる組成の光磁気記録媒体膜を、更
に第３層を形成した。この際の第１層および第３層の成
分、組成および膜厚を第１表に示す。
周波スパッタリング法により、第１層を、次に第２層の
Tb0.27Fe0.60Co0.13なる組成の光磁気記録媒体膜を、更
に第３層を形成した。この際の第１層および第３層の成
分、組成および膜厚を第１表に示す。
このようにして得られた光磁気ディスクに対して、記録
周波数２MHz、レーザーパワー４mwで記録し、再生レー
ザーパワー１mwで再生した。再生した初期Ｃ／Ｎ比を、
第１層としてSiOを用いた場合（試験No.１、従来例）に
対する相対値Ａで、および光磁気ディスクを温度６０
℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間暴露した
後に再生した経時Ｃ／Ｎ比を、夫々の試験における再生
した初期Ｃ／Ｎ比に対する相対値Ｂで第１表に示す。
周波数２MHz、レーザーパワー４mwで記録し、再生レー
ザーパワー１mwで再生した。再生した初期Ｃ／Ｎ比を、
第１層としてSiOを用いた場合（試験No.１、従来例）に
対する相対値Ａで、および光磁気ディスクを温度６０
℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間暴露した
後に再生した経時Ｃ／Ｎ比を、夫々の試験における再生
した初期Ｃ／Ｎ比に対する相対値Ｂで第１表に示す。
いずれの実施例においても、初期Ｃ／Ｎ比相対値が１．
２５以上で、かつ、経時Ｃ／Ｎ比相対値が０．９５より
大きい、即ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、
長期の耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。
しかし、従来例および比較例では、いずれも、光磁気記
録再生特性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは
得られていない。
２５以上で、かつ、経時Ｃ／Ｎ比相対値が０．９５より
大きい、即ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、
長期の耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。
しかし、従来例および比較例では、いずれも、光磁気記
録再生特性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは
得られていない。
本発明は、以上説明した各実施例の構成に限るものでな
く、例えば、第３層または第４層としての誘電体もしく
は金属膜の上に更に紫外線硬化樹脂を塗布した構成のも
の、前記実施例の構成の光磁気ディスクを対向させスペ
ーサにより対向空間を形成し、この空間内に不活性ガス
を充填した構成のものなどが実現可能である。
く、例えば、第３層または第４層としての誘電体もしく
は金属膜の上に更に紫外線硬化樹脂を塗布した構成のも
の、前記実施例の構成の光磁気ディスクを対向させスペ
ーサにより対向空間を形成し、この空間内に不活性ガス
を充填した構成のものなどが実現可能である。
以上詳細に説明したように、本発明によると、非常に高
い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた光
磁気ディスクを提供することができる。
い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた光
磁気ディスクを提供することができる。
更に、本発明の光磁気ディスクは製造する際に、次の利
点も有している。即ち、従来の光磁気ディスクを公知の
誘電体を成膜して製造する時に比較して、本発明の新規
な誘電体の成膜速度は約３倍以上である。従って、光磁
気ディスク製造中に透明基板が受けるターゲツトもしく
は蒸着源からの輻射熱の影響を大幅に軽減することがで
きると共に、生産性も大幅に向上することができる。
点も有している。即ち、従来の光磁気ディスクを公知の
誘電体を成膜して製造する時に比較して、本発明の新規
な誘電体の成膜速度は約３倍以上である。従って、光磁
気ディスク製造中に透明基板が受けるターゲツトもしく
は蒸着源からの輻射熱の影響を大幅に軽減することがで
きると共に、生産性も大幅に向上することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】干渉膜としての誘電体膜を有する光磁気デ
ィスクにおいて、該誘電体の組成がLiNbOx,LiTaOx，ま
たはLiNb1-yTayOx（但し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜
１）で表わされることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】干渉膜としての誘電体膜を有する光磁気デ
ィスクにおいて、該誘電体の組成がLiNbOx,LiTaOx，ま
たはLiNb1-yTayOx（但し、１．５≦ｘ＜３、０＜ｙ＜
１）で表わされ、かつ該干渉膜以外の誘電体膜の組成が
LiNbOz,LiTaOz，またはLiNb1-wTawOz（但し、１．５≦
ｘ＜３、０＜ｙ＜１）で表わされることを特徴とする光
磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP895187A JPH0622069B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 光磁気デイスク |
| EP87903436A EP0324853B1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
| DE8787903436T DE3778905D1 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magnetooptische platte. |
| PCT/JP1987/000347 WO1987007422A1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP895187A JPH0622069B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179433A JPS63179433A (ja) | 1988-07-23 |
| JPH0622069B2 true JPH0622069B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=11706977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP895187A Expired - Lifetime JPH0622069B2 (ja) | 1986-05-30 | 1987-01-20 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622069B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP895187A patent/JPH0622069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63179433A (ja) | 1988-07-23 |
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