JPH03248338A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光情報記録媒体に関する。

［従来の技術〕 光情報記録媒体の記録層は非常に酸化され易く、酸化を
防止すべく保護膜により保護することが行われる。その
保護膜として、従来、５ｉＯ５ｉ０２．Ｓｉ３　Ｎ、な
どの誂電体が用いられてきた。これらの保護膜は、記録
層を保護すると同時に、基板に比べて高屈折率のものが
用いられることによって、カー・エンハンスメント効果
を起こし再生信号特性の向上に寄与する。また、吸収係
数の小さいものが用いられることによって再生効率を改
善することも期待される。

上記保護膜以外にも、Ｓｉ−Ｎ−Ｚｒよりなる保護膜が
用いられるが、保護特性が比較的良いとされる５ｉ−Ｎ
−Ｚｒにおいてもその信頼性はいまだ充分とはいえない
。

［発明が解決しようとする課Ｂ］ 本発明の目的は、信頼性が高く、再生信号特性及び再生
効率に優れた光情報記録媒体を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光情報記録媒体は、基体上に、保護膜で保護さ
れた記録層が形成されてなる光情報記録媒体において、
該保護膜として５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜を使用
することを特徴とする。

なお、保護膜の組成は下記の組成とすることが吸収係数
をより小さくし、再生効率をより一層高める上で好まし
い。

記 （（Ｓ　　ｉ　＋−ｘ　　Ｚｒｘ　　）　　＋−ｙ　　
Ｇｅｙ　　）　　ｌ−２Ｎｘ０、　１＜Ｘ＜０．　５ ０．０５＜Ｙ＜０．３ ０．３＜Ｚ＜０．６ （基体） 本発明においては、基体の形状、材質等には特に限定さ
ず、光記録媒体の透明基体として使用されるものならば
いかなるものでもよい。例えば、ガラス基板、樹脂基板
を用いればよい。また、樹脂としては、例えば、ポリカ
ーボネイト（ｐｃ）等を用いればよい。

（記録層） 記録層としては、光情報記録媒体の記録層としての作用
を有するものであればすべて使用可能である。光磁気型
、層変化型、追記型のいずれでもよい。例えば光磁気型
の場合は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ
、Ｇａ−Ｔｂ−Ｃｏ等の非晶質膜も使用できる。

［作用］ Ｓ　１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜は、高温高湿下での
加速劣化試験を行フても剥離やクラックか生じにくく、
光情報記録媒体の信頼性を向上させることができる。

また、Ｓ　１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜は、屈折率が
大きいのでカー・エンハンスメント効果によってＣ／Ｎ
比が高まり、また、吸収係数か小さいので再生効率が上
がる。

［実施例］ 以下に実施例を比較例とともに説明する。

本例では基体としてＰＣ基板を用い、次の様にして保護
膜、記録層を基体上に形成し、光情報記録媒体を作製し
た。

Ｚｒａ。Ｓｉ６゜合金上に必要に応じてＺｒおよびＧｅ
チップをのせたものをターゲットとし、（Ａｒ＋Ｎｚ）
ガス雰囲気下で反応スパッタを行い、ＰＣ基板上にＳ　
１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜（保護膜）を作製した。Ｎ２分圧
は４０％、膜厚は７００人とした。

次に、ＴｂＦｅＣｏ焼結体をターゲットとしテＡ　ｒ＄
囲気下でスパッタを行い、５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜上に
ＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）を８００人形成した。

最後に、初めの要領で５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜（保護膜
）を形成した。

一方、比較例として以下の様にして光情報記録媒体を作
製した。

まず、Ｚｒ４ｏＳｉａ。ターゲット上にＺｒチップを適
宜のせたものを用い、（Ａｒ＋Ｎ２）ガス雰囲気下（Ｎ
２分圧２０％ンで反応スパッタを行い、５ｉ−Ｎ−Ｚｒ
膜（保護＠）を９００人、次にＴｂＦｅＣｏターゲット
を用いＡｒ雰囲気下でＴｂＦｅＣｏ１！（記録層）を８
００人、更に前述の条件でＳｉ−Ｎ−Ｚｒ膜（保護膜）
を９００人、順次成膜した。

実施例、比較例ともに各成膜はＲＦスパッタで行い、導
入ガス（Ａｒ、Ａｒ＋Ｎ２）圧は０．　７Ｐａとした。

実施例、比較例における保護膜の組成を分析したところ
表１に示す組成を有していた。

表１ （（Ｓ　　ｉ＋−ｘ　　Ｚｒｘ　　）　　＋−ｙ　　Ｇ
ｅｙ　）　　ｌ−ｚ　　Ｎｚ以上のようにして作製した
２種類の光情報記録媒体を、温度８０℃、相対湿度９０
％の高温高湿の雰囲気中に放置後、ビット・エラー・レ
ート（ＢＥＲ）の経時変化を測定した。その結果を第１
図に示す。

第１図から、５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ＠を保ｉｉａとして
使用した場合のＢＥＲの増加、すなわち、（ＢＥＲ（ｔ
）／ＢＥＲ（０））　　（ＢＥＲ（ｔ）はｔ時間経過後
のＢＥＲを、ＢＥＲ（０）は初期のＢＥＲをそれぞれ示
す。）は、Ｓｉ−Ｎ−Ｚｒ膜を保護膜として使用した場
合のＢＥＲの増加に比べて大幅に少ないことがわかる。

また、Ｓ　１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を保護膜として使用し
た場合は、剥離・クランクについても発生率が減ってい
ることから、Ｓ　１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を保護膜として
用いることによって密着力が上がり保護特性が改善され
ていることがわかる。

５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎをスライド・ガラス上にスパッタ
成膜し、エリプソ・メータで屈折率（ｎ）と吸収係数（
ｋ）を測定したところ、それぞれｎ＝２．４．に＝ｏで
あった。

この様に、Ｓ　１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜は屈折率が高く吸
収係数が小さいことから、カー・エンハンスメント効果
が大きく、信号特性の向上に寄与する。

［発明の効果］ 本発明によれば、保護膜として密着力にすぐれたＳ　１
−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を用いることにより、高温高湿下で
の加速劣化試験を行っても剥離やクラックが生しにくく
なり、光情報記録媒体の信頼性を向上させることができ
た。

また、屈折率が大きいので、カー・エンハンスメント効
果によってＣ／Ｎ比がより高まり、吸収係数が小さいの
で再生効率が上がる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ビット・エラー・レートの経時変化を示すグ
ラフである。 積水化学工業株式会社 代表者　廣　１）　馨

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基体上に、保護膜で保護された記録層が形成され
   てなる光情報記録媒体において、該保護膜としてＳｉ−
   Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜を使用することを特徴とする
   光情報記録媒体。 （２）保護膜は下記の組成を有することを特徴とする請
   求項１記載の光情報記録媒体。 ｛（Ｓｉ＿１＿−＿ＸＺｒ＿Ｘ）＿１＿−＿ＹＧｅ＿Ｙ
   ｝＿１＿−＿ＺＮ＿Ｚ０．１＜Ｘ＜０．５ ０．０５＜Ｙ＜０．３ ０．３＜Ｚ＜０．６