JPS6233350A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS6233350A JPS6233350A JP17215885A JP17215885A JPS6233350A JP S6233350 A JPS6233350 A JP S6233350A JP 17215885 A JP17215885 A JP 17215885A JP 17215885 A JP17215885 A JP 17215885A JP S6233350 A JPS6233350 A JP S6233350A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光磁気ディスク、特に光磁気記録媒体層を
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
「従来の技術」
レーザ光を使用して情報の記録、再生及び消去を行う光
磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、且
つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く使
用されている。
磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、且
つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く使
用されている。
この種の光磁気ディスクの光磁気記録媒体としては、Ｔ
ｂ−Ｆｅ系Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ系Ｑ
ものなどが使用されているが、いずれのものも酸化など
の耐蝕性の面で充分ではない。このために光磁気ディス
クにおいて光磁気記録媒体層を保護するための各種の手
段が提案されている。
ｂ−Ｆｅ系Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ系Ｑ
ものなどが使用されているが、いずれのものも酸化など
の耐蝕性の面で充分ではない。このために光磁気ディス
クにおいて光磁気記録媒体層を保護するための各種の手
段が提案されている。
例えば光磁気記録媒体を不活性ガスを充填した膜間に挾
持させ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を
防止し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成
し、外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費
して酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開
昭５９−１１００５２号）。さらには、光磁気記録媒体
と基板間に酸素を取り込んで安定化する還元性の誘電体
膜を形成し、この誘電体膜の存在で、光磁気記録媒体の
酸化を防止しようとする方法も提案されている（特開昭
５９−１１００５６号）また光磁気記録媒体をＭ。
持させ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を
防止し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成
し、外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費
して酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開
昭５９−１１００５２号）。さらには、光磁気記録媒体
と基板間に酸素を取り込んで安定化する還元性の誘電体
膜を形成し、この誘電体膜の存在で、光磁気記録媒体の
酸化を防止しようとする方法も提案されている（特開昭
５９−１１００５６号）また光磁気記録媒体をＭ。
Ｂｉ、 Ｐｂなどの非通気性で防湿効果の高い保護膜で
保護する方式のものが提案されている（特開昭５８−８
０１４２号）。
保護する方式のものが提案されている（特開昭５８−８
０１４２号）。
しかし提案されているいずれの方法によっても、空気中
の湿気や油分及び水分の存在する雰囲気での、光磁気記
録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分である。このた
めに実用面では、このような雰囲気での光磁気記録媒体
の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒体が劣
化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップアウト
の問題やＣ／Ｎ比の低下などの問題が完全には解決され
ていなかった。
の湿気や油分及び水分の存在する雰囲気での、光磁気記
録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分である。このた
めに実用面では、このような雰囲気での光磁気記録媒体
の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒体が劣
化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップアウト
の問題やＣ／Ｎ比の低下などの問題が完全には解決され
ていなかった。
「発明の解決すべき問題点」
この発明は、従来提案されている光磁気ディスクにおけ
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が簡単で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が簡単で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
「発明の構成」
この発明においては、ガラスやポリカーボネート、アク
リル、エボキン、ポリメチルベンランなどの透明高分子
材で形成される透明基板上に構成される光磁気記録媒体
層に対して、組成がＭＯｘもしくはＤＯｙもしくはＭＺ
ＤＩ−ＺＯＷで表わされ、前記光磁気記録媒体層を保護
する保護膜が形成される。
リル、エボキン、ポリメチルベンランなどの透明高分子
材で形成される透明基板上に構成される光磁気記録媒体
層に対して、組成がＭＯｘもしくはＤＯｙもしくはＭＺ
ＤＩ−ＺＯＷで表わされ、前記光磁気記録媒体層を保護
する保護膜が形成される。
この保護膜は高周波スパッタリング或は反応性スパッタ
リングにより膜厚が１００ＯＡ乃至５０００Ａに形成さ
れ、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側の
面に積層形成される。
リングにより膜厚が１００ＯＡ乃至５０００Ａに形成さ
れ、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側の
面に積層形成される。
この発明では保護膜の組成を示すＭはＺｒもしくはＣｒ
でＤはＨｆもしくはＺｎであり、ｘ、 ｙ、 ｚ及びＷ
にはそれぞれ、０．６イｘｆ１．９． Ｑ、４＆ｙｆｌ
、９． Ｏ＜ ｚ〈１及びＱ、４ｆＷｆ１．９なる条件
が設定される。
でＤはＨｆもしくはＺｎであり、ｘ、 ｙ、 ｚ及びＷ
にはそれぞれ、０．６イｘｆ１．９． Ｑ、４＆ｙｆｌ
、９． Ｏ＜ ｚ〈１及びＱ、４ｆＷｆ１．９なる条件
が設定される。
光磁気記録媒体層としては、ＴｂＦｅ 、 ＧｄＣｏ
、 ＴｂＣｏ。
、 ＴｂＣｏ。
ＤｙＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＱｄＦｅＣｏ、 ＴｂＤ
ｙＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦｅ。
ｙＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦｅ。
ＴｂＤｙＦｅＣｏ なとの希土類遷移金属合金薄膜や
、これらにＳｎ、 Ｚｎ、 Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、
Ｂｉ、 Ｂ、 Ｃｒなどを添加含有させた希土類遷移金
属合金薄膜が用いられ、これらの薄膜が例えば１０００
Ａの膜厚に真空蒸着やスパッタリングの手段により形
成される。
、これらにＳｎ、 Ｚｎ、 Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、
Ｂｉ、 Ｂ、 Ｃｒなどを添加含有させた希土類遷移金
属合金薄膜が用いられ、これらの薄膜が例えば１０００
Ａの膜厚に真空蒸着やスパッタリングの手段により形
成される。
この発明の保護膜はＸが０．６以下でｙ及びＷが０、４
以下であると均質で透明な保護膜が得られず、Ｘ、ｙ及
びＷが１．９よりも大きな値をとると、酸素が過剰とな
り、この過剰な酸素が光磁気記録媒体層の形成時に、光
磁気記録媒体層内に混入して得られる光磁気ディスクの
光磁気記録再生特性を劣化させる。
以下であると均質で透明な保護膜が得られず、Ｘ、ｙ及
びＷが１．９よりも大きな値をとると、酸素が過剰とな
り、この過剰な酸素が光磁気記録媒体層の形成時に、光
磁気記録媒体層内に混入して得られる光磁気ディスクの
光磁気記録再生特性を劣化させる。
またこの過剰な酸素の存在によって、光磁気記録媒体層
の成膜工程において所望の真空度への到達時間が延長し
、光磁気ディスクの生産性が低下する。
の成膜工程において所望の真空度への到達時間が延長し
、光磁気ディスクの生産性が低下する。
保護膜の膜厚が１０００ Ａ以下であると、長時間使用
状態での非通気性及び非透湿性を維持することが出来ず
、得られる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が長時
間の使用状態で劣下する。
状態での非通気性及び非透湿性を維持することが出来ず
、得られる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が長時
間の使用状態で劣下する。
一方、保護膜の膜厚が５０００ Ａ以上になると、保護
膜内における熱拡散が増大し、光磁気記録時におけるレ
ーザ光の出力を増大させる必要が生じる。
膜内における熱拡散が増大し、光磁気記録時におけるレ
ーザ光の出力を増大させる必要が生じる。
この発明では基本的には第１図に示すように、透明基板
１上に光磁気記録媒体層２が形成され、この光磁気記録
媒体層２上に保護膜３が形成された構成とされる。しか
し第２図に示すように、透明基板１上に第１の保護膜３
−１が形成され、この第１の保護膜３−１上に光磁気記
録媒体層２が形成され、この光磁気記録媒体層２上に第
２の保護膜３−２が形成された構成のものとすることも
出来る。この第２図に示す構成のものでは、第１の保護
膜３−１は情報の読み出し光の内光磁気記録媒体層２を
通過した光を反射し、この光を光磁気記録媒体層２内で
多重反射させ、ファラデー効果によって読み出し用反射
光のカー回転角を増大し、再生Ｃ／Ｎ比を向上させる効
果も得られる。
１上に光磁気記録媒体層２が形成され、この光磁気記録
媒体層２上に保護膜３が形成された構成とされる。しか
し第２図に示すように、透明基板１上に第１の保護膜３
−１が形成され、この第１の保護膜３−１上に光磁気記
録媒体層２が形成され、この光磁気記録媒体層２上に第
２の保護膜３−２が形成された構成のものとすることも
出来る。この第２図に示す構成のものでは、第１の保護
膜３−１は情報の読み出し光の内光磁気記録媒体層２を
通過した光を反射し、この光を光磁気記録媒体層２内で
多重反射させ、ファラデー効果によって読み出し用反射
光のカー回転角を増大し、再生Ｃ／Ｎ比を向上させる効
果も得られる。
「実施例」
以下、この発明の光磁気ディスクを、その実施例に基づ
き製作法に沿って詳細に説明する。
き製作法に沿って詳細に説明する。
第１表に実施例１乃至６及びそれぞれの実施例に対応す
る比較例１乃至２０として、それぞれに対して初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比を示したのは、ＭをＺｒ 、 Ｄ
をＨｆとした組成の保護膜を用いた光磁気ディスクであ
る。ｘｒ ｙ、 ｚ及びＷと保護膜の膜厚がこの発明の
条件を満足する実施例としての光磁気ディスクと、ｘ、
ｙ、ｚ及びＷもしくは保護膜の膜厚がこの発明の条件を
満足しない比較例としての光磁気ディスクとがそれぞれ
示されている。
る比較例１乃至２０として、それぞれに対して初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比を示したのは、ＭをＺｒ 、 Ｄ
をＨｆとした組成の保護膜を用いた光磁気ディスクであ
る。ｘｒ ｙ、 ｚ及びＷと保護膜の膜厚がこの発明の
条件を満足する実施例としての光磁気ディスクと、ｘ、
ｙ、ｚ及びＷもしくは保護膜の膜厚がこの発明の条件を
満足しない比較例としての光磁気ディスクとがそれぞれ
示されている。
各実施例及び比較例では、第１図または第２図に示スよ
うに厚さ１．２７１ｍのンーダガラスの透明基板１上に
、高周波スパッタリングの手段により直接或は保護膜を
介してＴｂ Ｏ，２１Ｆｅ ａｓ５Ｃｏ Ｏ，２４なる
組成の光磁気記録媒体層２を膜厚１０００ Ａに形成し
、この光磁気記録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入し
ながら高周波スパッタリングの手段により、保護膜を形
成した。
うに厚さ１．２７１ｍのンーダガラスの透明基板１上に
、高周波スパッタリングの手段により直接或は保護膜を
介してＴｂ Ｏ，２１Ｆｅ ａｓ５Ｃｏ Ｏ，２４なる
組成の光磁気記録媒体層２を膜厚１０００ Ａに形成し
、この光磁気記録媒体層２上に高純度酸素ガスを導入し
ながら高周波スパッタリングの手段により、保護膜を形
成した。
いずれの実施例もしくは比較例の光磁気デ・イスクにお
いても、記録周波数２ ＭＨｚ （ＲＢＷ ３０ Ｉ（
Ｈｚ ）レーザパワー５ ｍｗで記録が行われ、再生レ
ーザパワーｌ ｍｗで再生を行った。記録直後に再生し
た場合のＣ／Ｎ比が第１表中の初期Ｃ／Ｎ比（ｄＢ ）
であり、光磁気ディスクを温度６０℃、９０％ＲＴ（雰
囲気中に１０００時間放置した後に再生を行って得られ
たＣ／Ｎ比が経時Ｃ／Ｎ比である。
いても、記録周波数２ ＭＨｚ （ＲＢＷ ３０ Ｉ（
Ｈｚ ）レーザパワー５ ｍｗで記録が行われ、再生レ
ーザパワーｌ ｍｗで再生を行った。記録直後に再生し
た場合のＣ／Ｎ比が第１表中の初期Ｃ／Ｎ比（ｄＢ ）
であり、光磁気ディスクを温度６０℃、９０％ＲＴ（雰
囲気中に１０００時間放置した後に再生を行って得られ
たＣ／Ｎ比が経時Ｃ／Ｎ比である。
実施例１は、組成がＺｒ０ｔｓで膜厚２００ＯＡの保護
膜３を第１図に示すように透過基板１上に直接形成した
場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ
４．９（ｄＢ）及び４８（ｄＢ）であり、保護膜３の存
在により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクが得られていることが確認
される。
膜３を第１図に示すように透過基板１上に直接形成した
場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ
４．９（ｄＢ）及び４８（ｄＢ）であり、保護膜３の存
在により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクが得られていることが確認
される。
比較例１は、実施例１と同一条件で、保護膜３の組成を
Ｚｒ０ｒ）３として膜厚２００ＯＡに第１図のように保
護膜を形成した場合であり、酸素がこの発明の条件に対
して不足しているために均質で透明な保護膜３が得られ
ない。このために保護膜３が非通気性及び非透湿性の条
件を満足しなくなり、経時Ｃ／Ｎ比が３６（ｄＢ）と大
幅に劣化する。
Ｚｒ０ｒ）３として膜厚２００ＯＡに第１図のように保
護膜を形成した場合であり、酸素がこの発明の条件に対
して不足しているために均質で透明な保護膜３が得られ
ない。このために保護膜３が非通気性及び非透湿性の条
件を満足しなくなり、経時Ｃ／Ｎ比が３６（ｄＢ）と大
幅に劣化する。
第 １ 表
比較例２は実施例１と同一条件で、保護膜３の組成をＺ
ｒ０２．０として膜厚２０００ Ａに第１図に示すよう
に保護膜を形成した場合であり、この発明の条件に対し
て酸素が過剰に存在している。この過剰な酸素が光磁気
記録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に混入するた
めに、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４３（
ｄＢ）及び３２（ｄＢ）となり、光磁気記録再生特性が
劣化している。
ｒ０２．０として膜厚２０００ Ａに第１図に示すよう
に保護膜を形成した場合であり、この発明の条件に対し
て酸素が過剰に存在している。この過剰な酸素が光磁気
記録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に混入するた
めに、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４３（
ｄＢ）及び３２（ｄＢ）となり、光磁気記録再生特性が
劣化している。
比較例３は、実施例１と同一条件で、保護膜３の組成を
Ｚｒ０１．ｓとして膜厚５００Ａに第１図に示すよ５に
保護膜を形成１−だ場合であり、この発明の膜厚の条件
よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ
／Ｎ比がそれぞれ４８（ｄＢ）及び３５（ｄＢ）で、膜
厚が薄いために長時間使用状態での非通気性及び非透湿
性の維持が出来ないことが確認される。
Ｚｒ０１．ｓとして膜厚５００Ａに第１図に示すよ５に
保護膜を形成１−だ場合であり、この発明の膜厚の条件
よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ
／Ｎ比がそれぞれ４８（ｄＢ）及び３５（ｄＢ）で、膜
厚が薄いために長時間使用状態での非通気性及び非透湿
性の維持が出来ないことが確認される。
比較例４は、実施例１と同一条件で、保護膜３の組成を
ＺｒＯ＋、ｓとして膜厚７０００ Ａに第１図に示すよ
うに保護膜を形成した場合であり、この発明の膜厚の条
件よりも膜厚が厚い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経時
Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４２（ｄＢ）及び４１（ｄＢ）であ
って、膜が厚過ぎるためにＣ／Ｎ比が全般に低く、また
保護膜３内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大
させる必要がある。
ＺｒＯ＋、ｓとして膜厚７０００ Ａに第１図に示すよ
うに保護膜を形成した場合であり、この発明の膜厚の条
件よりも膜厚が厚い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経時
Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４２（ｄＢ）及び４１（ｄＢ）であ
って、膜が厚過ぎるためにＣ／Ｎ比が全般に低く、また
保護膜３内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大
させる必要がある。
実施例２は組成がＨｆＯユ、５で膜厚２０００λの保護
膜３を第１図に示すように形成した場合であり、初期Ｃ
／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５Ｑ（ｄＢ）及び４
９（ｄＢ）となり、保護膜３の存在により長期の耐久性
に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デ
ィスクが得られている。
膜３を第１図に示すように形成した場合であり、初期Ｃ
／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５Ｑ（ｄＢ）及び４
９（ｄＢ）となり、保護膜３の存在により長期の耐久性
に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デ
ィスクが得られている。
比較例５は実施例２と同一条件で、保護膜３の組成をＨ
ｆ０ｏ、ｓ として膜厚２０００ Ａに第１図に示す
ように保護膜を形成した場合であり、この発明の条件に
対して酸素が不足している。従って均質で透明な保護膜
３が得られず、保護膜３が非通気性及び非透湿性の条件
を満足しなくなり、初期Ｃハ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれ
ぞれ４８（ｄＢ）及び３５（ｄＢ ）で、光磁気記録再
生特性が劣化している。
ｆ０ｏ、ｓ として膜厚２０００ Ａに第１図に示す
ように保護膜を形成した場合であり、この発明の条件に
対して酸素が不足している。従って均質で透明な保護膜
３が得られず、保護膜３が非通気性及び非透湿性の条件
を満足しなくなり、初期Ｃハ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれ
ぞれ４８（ｄＢ）及び３５（ｄＢ ）で、光磁気記録再
生特性が劣化している。
比較例６は一実施例２と同一条件で、保護膜３の組成を
ＨｆＯ□０として膜厚２０００λに第１図に示すように
保護膜を形成した場合でおり、この発明の条件に対して
酸素が過剰に存在している。この過剰な酸素が光磁気記
録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に混入するため
に、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４２（ｄ
Ｂ）及び２９（ｄＢ）となり、光磁気記録再生特性が劣
化している。
ＨｆＯ□０として膜厚２０００λに第１図に示すように
保護膜を形成した場合でおり、この発明の条件に対して
酸素が過剰に存在している。この過剰な酸素が光磁気記
録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に混入するため
に、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４２（ｄ
Ｂ）及び２９（ｄＢ）となり、光磁気記録再生特性が劣
化している。
比較例７は、実施例２と同一条件で、保護膜３の組成な
Ｈｆ０ｔ、ｓとして膜厚５００Ａに形成した場合であり
、この発明の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。
Ｈｆ０ｔ、ｓとして膜厚５００Ａに形成した場合であり
、この発明の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。
初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４８（ｄＢ）
及び３３（ｄＢンであり、膜厚が薄いために長時間使用
状態でのり１通気性及び非透湿性の維持が出来ないこと
が確認される。
及び３３（ｄＢンであり、膜厚が薄いために長時間使用
状態でのり１通気性及び非透湿性の維持が出来ないこと
が確認される。
比較例８は、実施例２と同一条件で、保護膜３の組成を
Ｈｆ０１，５として膜厚７０００ Ａ Ｋ第１図に示す
ように保護膜を形成した場合であり、この発明の膜厚の
条件よりも膜厚が厚い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経
時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４１（ｄＢ）及び４０（ｄＢ）で
あり、膜が厚過ぎるためにＣハ比が全般に低く、また保
護膜３内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大さ
せる必要がある。
Ｈｆ０１，５として膜厚７０００ Ａ Ｋ第１図に示す
ように保護膜を形成した場合であり、この発明の膜厚の
条件よりも膜厚が厚い場合である。初期Ｃ／Ｎ比及び経
時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４１（ｄＢ）及び４０（ｄＢ）で
あり、膜が厚過ぎるためにＣハ比が全般に低く、また保
護膜３内での熱拡散が増大し、レーザ光の出力を増大さ
せる必要がある。
実施例３は組成がＺｒ０１．ｓで膜厚２０００ Ａの保
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層２を両面から挾むようにして透明基板１上に形成し
た場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がいずれ
も５２（ｄＢ）で、長期の耐久性に優れ、安定した光磁
気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られている
。
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層２を両面から挾むようにして透明基板１上に形成し
た場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がいずれ
も５２（ｄＢ）で、長期の耐久性に優れ、安定した光磁
気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られている
。
比較例９は、実施例３と同一条件で、保護膜３−１．３
−２の組成をＺｒ０ｏ３として膜厚２０００ Ａに第２
図に示すように保護膜を形成した場合であり、酸素がこ
の発明の条件に対して不足しているために、均質で透明
な保護膜３が得られない。このために保護膜３が非通気
性及び非透湿性の条件を満足しなくなり、初期Ｃ／Ｎ比
及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５１（ｄＢ）及び４２（ｄ
Ｂ）で、特に経時Ｃ／Ｎ比が低下している。
−２の組成をＺｒ０ｏ３として膜厚２０００ Ａに第２
図に示すように保護膜を形成した場合であり、酸素がこ
の発明の条件に対して不足しているために、均質で透明
な保護膜３が得られない。このために保護膜３が非通気
性及び非透湿性の条件を満足しなくなり、初期Ｃ／Ｎ比
及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５１（ｄＢ）及び４２（ｄ
Ｂ）で、特に経時Ｃ／Ｎ比が低下している。
比較例１０は、実施例３と同一条件で、保護膜３−１．
３−２の組成をＺｒＯ２，ｏとして膜厚２０００Ａに第
２図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発
明の条件に対して酸素が過剰釦存在する。この過剰な酸
素が光磁気記録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に
混入するために、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比が４２
（ｄＢ）及び３０（ｄＢ）で光磁気記録再生特性が劣化
している。
３−２の組成をＺｒＯ２，ｏとして膜厚２０００Ａに第
２図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発
明の条件に対して酸素が過剰釦存在する。この過剰な酸
素が光磁気記録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に
混入するために、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比が４２
（ｄＢ）及び３０（ｄＢ）で光磁気記録再生特性が劣化
している。
比較例１１は、実施例３と同一条件で、保護膜３−１．
３−２の組成をＺｒＯ＋、ｓとして膜厚５００ Ａに第
２図に示すよ５に保護膜を形成した場合であり、この発
明の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４９（ｄＢ）及び３７
（ｄＢ）であり、膜厚が薄いために長時間使用状態での
非通気性及び非透湿性の維持が出来ないことが確認され
る。
３−２の組成をＺｒＯ＋、ｓとして膜厚５００ Ａに第
２図に示すよ５に保護膜を形成した場合であり、この発
明の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４９（ｄＢ）及び３７
（ｄＢ）であり、膜厚が薄いために長時間使用状態での
非通気性及び非透湿性の維持が出来ないことが確認され
る。
比較例１２は、実施例３と同一条件で、保護膜３−１．
３−２の組成をＺｒＯ＋、ｓ として膜厚７０００’Ａ
に第２図に示すように保護膜を形成した場合であり、こ
の発明の膜厚の条件よりも膜厚が厚い場合である。初期
Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４３（ｄＢ）及び
４２（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎるためにＣ／Ｎ比が全
般に低く、また保護膜３−１．３−２内での熱拡散が増
大し、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
３−２の組成をＺｒＯ＋、ｓ として膜厚７０００’Ａ
に第２図に示すように保護膜を形成した場合であり、こ
の発明の膜厚の条件よりも膜厚が厚い場合である。初期
Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４３（ｄＢ）及び
４２（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎるためにＣ／Ｎ比が全
般に低く、また保護膜３−１．３−２内での熱拡散が増
大し、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
実施例４は組成がＨｆＯ＋、ｓで膜厚２０００ Ａの保
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層を挾んで形成した場合であり、初期Ｃハ比及び経時
Ｃ／Ｎ比がいずれも５２（ｄＢ）であり、長期の耐久性
に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デ
ィスクが得られる。
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層を挾んで形成した場合であり、初期Ｃハ比及び経時
Ｃ／Ｎ比がいずれも５２（ｄＢ）であり、長期の耐久性
に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気デ
ィスクが得られる。
比較例１３は、実施例４と同一条件で、保護膜３−１．
３−２の組成をＨｆ０ｏ３ として膜厚２０００Ａに
第２図に示すように保護膜を形成した場合であり、酸素
がこの発明の条件に対して不足しているために、均質で
透明な保護膜３が得られない。このために保護膜３が非
通気性及び非透湿性の条件を満足しなくなり、初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５１（ｄＢ）及び４１
（ｄＢ）で特に経時Ｃ／Ｎ比が低下している。
３−２の組成をＨｆ０ｏ３ として膜厚２０００Ａに
第２図に示すように保護膜を形成した場合であり、酸素
がこの発明の条件に対して不足しているために、均質で
透明な保護膜３が得られない。このために保護膜３が非
通気性及び非透湿性の条件を満足しなくなり、初期Ｃ／
Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ５１（ｄＢ）及び４１
（ｄＢ）で特に経時Ｃ／Ｎ比が低下している。
比較例１４は、実施例４と同一条件で保護膜３−１．３
−２の組成をＨｆＯ２，Ｏとして膜厚を２０００Ａに第
２図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発
明の条件に対して酸素が過剰に存在する。この過剰な酸
素が光磁気記録媒体層の形成時に、光磁気記録媒体層内
に混入するために、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそ
れぞれ４３（ｄＢ）及び２９（ｄＢ）で、光磁気記録再
生特性が劣化している。
−２の組成をＨｆＯ２，Ｏとして膜厚を２０００Ａに第
２図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発
明の条件に対して酸素が過剰に存在する。この過剰な酸
素が光磁気記録媒体層の形成時に、光磁気記録媒体層内
に混入するために、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそ
れぞれ４３（ｄＢ）及び２９（ｄＢ）で、光磁気記録再
生特性が劣化している。
比較例１５は、実施例４と同一条件で、保護膜３−１．
３−２の組成をＨｆＯ，５として膜厚を５０ＯＡに第２
図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発明
の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／Ｎ
比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４９（ｄＢ）及び３３（
ｄＢ）であり、膜厚が薄いために長時間使用状態での非
通気性及び非透湿性の維持が出来ないことが確認される
。
３−２の組成をＨｆＯ，５として膜厚を５０ＯＡに第２
図に示すように保護膜を形成した場合であり、この発明
の膜厚の条件よりも膜厚が薄い場合である。初期Ｃ／Ｎ
比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４９（ｄＢ）及び３３（
ｄＢ）であり、膜厚が薄いために長時間使用状態での非
通気性及び非透湿性の維持が出来ないことが確認される
。
比較例゛１６は、実施例４と同一条件で、保護膜３−１
．３−２の組成をＨｆＯ，，５として膜厚を７００ＯＡ
に第２図に示すように形成した場合であり、この発明の
膜厚の条件よりも膜厚が厚い場合である。
．３−２の組成をＨｆＯ，，５として膜厚を７００ＯＡ
に第２図に示すように形成した場合であり、この発明の
膜厚の条件よりも膜厚が厚い場合である。
初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がそれぞれ４３ （ｄＢ
）及び４２（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎるために、Ｃ／
Ｎ比が全般に低く、また保護膜３内での熱拡散が増大し
、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
）及び４２（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎるために、Ｃ／
Ｎ比が全般に低く、また保護膜３内での熱拡散が増大し
、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
実施例５は組成がＺｒ ｏ、ｓ Ｈｆ Ｏ，５０１，５
で膜厚２０００ Ｍの保護膜３を第１図に示すよ５に形
成した場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がい
ずれも４ｃｔ（ｄｍ）で、保護膜３の存在により長期の
耐久性に優れ安定した光磁気記録再生特性を有する光磁
気ディスクが得られている。
で膜厚２０００ Ｍの保護膜３を第１図に示すよ５に形
成した場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比がい
ずれも４ｃｔ（ｄｍ）で、保護膜３の存在により長期の
耐久性に優れ安定した光磁気記録再生特性を有する光磁
気ディスクが得られている。
また実施例６は組成がＺｒ Ｏ，５Ｈｆ６，５０．５で
膜厚２０００人の保護膜３−１．３−２を第２図に示す
ように形成した場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／
Ｎ比がいずれも５１（ｄＢ）で、保護膜３の存在により
長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有
する光磁気ディスクが得られる。
膜厚２０００人の保護膜３−１．３−２を第２図に示す
ように形成した場合であり、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／
Ｎ比がいずれも５１（ｄＢ）で、保護膜３の存在により
長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有
する光磁気ディスクが得られる。
比較例１７は、実施例１と同一条件で、保護膜３の組成
をＳｉＯとして膜厚２０００ Ａに第１図に示すように
保護膜を形成した場合、比較例１８は実施例３と同一条
件で、保護膜３−１．３−２の組成をＳｉＯとして膜厚
２０００人に第２図に示すように保護膜を形成した場合
である。いずれの場合も初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比
がそれぞれ４９（ｄＢ）。
をＳｉＯとして膜厚２０００ Ａに第１図に示すように
保護膜を形成した場合、比較例１８は実施例３と同一条
件で、保護膜３−１．３−２の組成をＳｉＯとして膜厚
２０００人に第２図に示すように保護膜を形成した場合
である。いずれの場合も初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比
がそれぞれ４９（ｄＢ）。
５２（ｄＢ）及び２２ （ｄＢ）、 ２６ （ｄＢ）で
あり、この材質の保護膜が非通気性及び非透湿性の条件
を満足せず、この発明の組成の保護膜が優れていること
が示される。
あり、この材質の保護膜が非通気性及び非透湿性の条件
を満足せず、この発明の組成の保護膜が優れていること
が示される。
比較例１９は、実施例１と同一条件で、保護膜３の組成
をＳｉ３Ｎ４として膜厚２０００ Ａに第１図に示すよ
うに保護膜を形成した場合、比較例２０は実施例３と同
一条件で、保護膜３−１．３−２の組成な５ｉ３Ｎ４と
して膜厚２０００ ＆に第２図に示すように保護膜を形
成した場合である。
をＳｉ３Ｎ４として膜厚２０００ Ａに第１図に示すよ
うに保護膜を形成した場合、比較例２０は実施例３と同
一条件で、保護膜３−１．３−２の組成な５ｉ３Ｎ４と
して膜厚２０００ ＆に第２図に示すように保護膜を形
成した場合である。
初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比が、それぞれ４９（ｄＢ
） 、 ５３ （ｄＢ）及び２１ （ａＢ）、 ２６
（ｄＢ）であり、この材質の保護膜が非通気性及び非透
湿性の条件を満足せず、この発明の組成の保護膜の優れ
ていることが確認される。
） 、 ５３ （ｄＢ）及び２１ （ａＢ）、 ２６
（ｄＢ）であり、この材質の保護膜が非通気性及び非透
湿性の条件を満足せず、この発明の組成の保護膜の優れ
ていることが確認される。
第２表に同様に、実施例６乃至１１とそれぞれの実施例
に対応する比較例２１乃至３Ｇを取り上第
２ 表 げ、これらに対する初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／・Ｎ比を
示す。
に対応する比較例２１乃至３Ｇを取り上第
２ 表 げ、これらに対する初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／・Ｎ比を
示す。
実施例６は組成がＣｒｙ、。で膜厚２０００ Ａの保護
膜３を第１図に示すように形成した場合であり、実施例
７は組成がＺｎ０ｏ７で膜厚２０００λの保護膜３を第
１図に示すように形成した場合である。
膜３を第１図に示すように形成した場合であり、実施例
７は組成がＺｎ０ｏ７で膜厚２０００λの保護膜３を第
１図に示すように形成した場合である。
それぞれの実施例において、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／
Ｎ比は、４８ （ｄＢ）、 ５０ （ｄＢ）及び４８（
ｄＢ） 、 ５０ （ｄＢ）であり、保護膜３の存在
により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特
性を有する光磁気ディスクが得られている。
Ｎ比は、４８ （ｄＢ）、 ５０ （ｄＢ）及び４８（
ｄＢ） 、 ５０ （ｄＢ）であり、保護膜３の存在
により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特
性を有する光磁気ディスクが得られている。
実施例８は組成がＣｒＯｘ、ｏで膜厚２０００ Ａの保
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層２を挾んで形成した場合であり、実施例９は組成が
Ｚｎ０ｏフ で膜厚２０００ Ａの保護膜３−１゜３−
２を第２図に示すように光磁気記録媒体層２を挾んで形
成した場合である。
護膜３−１．３−２を第２図に示すように光磁気記録媒
体層２を挾んで形成した場合であり、実施例９は組成が
Ｚｎ０ｏフ で膜厚２０００ Ａの保護膜３−１゜３−
２を第２図に示すように光磁気記録媒体層２を挾んで形
成した場合である。
これらの実施例８及び９の初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ
比は、それぞれ５１ （ａｎ）、 ５０ （ｄＢ）及び
５０（ｄＢ）であり、保護膜３の存在により長期の耐久
性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクが得られている・実施例１０は組成がＣｒｏ５
ｚｎｏ、、 ｏｏ８で膜厚２０００Ａの保護膜３を第１
図に示すように一層のみ形成した場合で、実施例１１は
組成がＣｒｏ、５ Ｚｎ ６，５００．Ｂで膜厚２００
０ Ａの保護膜３−１．３−２を、第２図に示すように
、光磁気記録媒体層２を挾んで形成した場合である。
比は、それぞれ５１ （ａｎ）、 ５０ （ｄＢ）及び
５０（ｄＢ）であり、保護膜３の存在により長期の耐久
性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクが得られている・実施例１０は組成がＣｒｏ５
ｚｎｏ、、 ｏｏ８で膜厚２０００Ａの保護膜３を第１
図に示すように一層のみ形成した場合で、実施例１１は
組成がＣｒｏ、５ Ｚｎ ６，５００．Ｂで膜厚２００
０ Ａの保護膜３−１．３−２を、第２図に示すように
、光磁気記録媒体層２を挾んで形成した場合である。
これらの実施例９及び１０の初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／
Ｎ比はそれぞれ５０ （ｄＢ）、 ４８ （ｄＢ）及
び５０ （ｄＢ） 、 ４７ （ｄＢ）であり、保護
膜３の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気
記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られている。
Ｎ比はそれぞれ５０ （ｄＢ）、 ４８ （ｄＢ）及
び５０ （ｄＢ） 、 ４７ （ｄＢ）であり、保護
膜３の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光磁気
記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られている。
比較例２１．２４．２７及び３０は、いずれも発明の条
件に対してそれぞれ酸素が不足している場合である。比
較例２１．２４．２７及び３０は、それぞれ実施例６に
対して保護膜３をＣｒ０ｏ、ａとした場合、実施例７に
対して保護膜３をＺｎ０ｏ２とした場合、実施例８に対
して保護膜３−１．３−２をＣｒ０６３とした場合及び
実施例９に対して保護膜３−１゜３−２をＺｎ０．２に
した場合である。
件に対してそれぞれ酸素が不足している場合である。比
較例２１．２４．２７及び３０は、それぞれ実施例６に
対して保護膜３をＣｒ０ｏ、ａとした場合、実施例７に
対して保護膜３をＺｎ０ｏ２とした場合、実施例８に対
して保護膜３−１．３−２をＣｒ０６３とした場合及び
実施例９に対して保護膜３−１゜３−２をＺｎ０．２に
した場合である。
それぞれ初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比が４９（ｄＢ）
、 ３４ （ｄＢ）、 ４９ （ｄＢ）、 ３３
（ｄＢ ）。
、 ３４ （ｄＢ）、 ４９ （ｄＢ）、 ３３
（ｄＢ ）。
５１ （ｄＢ）、 ４１ （ｄＢ）及び５０ （ｄｎ
） 、 ４０（ｄＢ）であり、酸素の不足のために均
質で透明な保護膜が得られず、また保護膜の非通気性及
び非透湿性の条件が満足されず、光磁気記録再生特性が
劣化している。
） 、 ４０（ｄＢ）であり、酸素の不足のために均
質で透明な保護膜が得られず、また保護膜の非通気性及
び非透湿性の条件が満足されず、光磁気記録再生特性が
劣化している。
比較例２２，２５．２８及び３１は、いずれも発明の条
件に対してそれぞれ保護膜の膜厚が薄い場合である。
件に対してそれぞれ保護膜の膜厚が薄い場合である。
比較例２２，２５．２８及び３１はそれぞれ実施例６．
実施例７．実施例８及び実施例９に対して保護膜の膜厚
な５０ＯＡにした場合である。
実施例７．実施例８及び実施例９に対して保護膜の膜厚
な５０ＯＡにした場合である。
これらの比較例では、初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ／Ｎ比が
それぞれ、４８ （ｄＢ）、 ３５ （ａｎ）。
それぞれ、４８ （ｄＢ）、 ３５ （ａｎ）。
４９ （ｄＢ）、 ３２ （ｄＢ）、 ４８ （ｄ
Ｂ）、 ３５（ｄＢ）。
Ｂ）、 ３５（ｄＢ）。
及び４９ （ｄＢ）、 ３４ （ｄｎ）であり、膜厚
が薄いために長時間使用状態での非通気性及び非透湿性
の維持が出来ず、光磁気記録再生特性が充分でな〜１゜ 比較例２３，２６．２９及び３２は、いずれも発明の条
件に対してそれぞれ保護膜の膜厚が厚い場合である。
が薄いために長時間使用状態での非通気性及び非透湿性
の維持が出来ず、光磁気記録再生特性が充分でな〜１゜ 比較例２３，２６．２９及び３２は、いずれも発明の条
件に対してそれぞれ保護膜の膜厚が厚い場合である。
比較例２３，２６．２９及び３２は、それぞれ実施例６
．実施例７．実施例８及び実施例９に対して保護膜の膜
厚を７００ＯＡとした場合である。
．実施例７．実施例８及び実施例９に対して保護膜の膜
厚を７００ＯＡとした場合である。
これらの比較例では、それぞれ初期Ｃ／Ｎ比及び経時Ｃ
／Ｎ比が、４１ （ｄＢ）、 ３９ （ｄＢ） 、
４２（ａＢ）、 ４１ （ａｎ）、 ４２ （ａＢ）、
４０ （ｄＢ）及び４１（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎ
るためにＣ／Ｎ比が全般に低く、また保護膜内での熱拡
散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
／Ｎ比が、４１ （ｄＢ）、 ３９ （ｄＢ） 、
４２（ａＢ）、 ４１ （ａｎ）、 ４２ （ａＢ）、
４０ （ｄＢ）及び４１（ｄＢ）であり、膜が厚過ぎ
るためにＣ／Ｎ比が全般に低く、また保護膜内での熱拡
散が増大し、レーザ光の出力を増大させる必要がある。
比較例３３及び３４は、それぞれ実施例６及び実施例８
で保護膜を膜厚２０００ ＡのＳｉＯで形成した場合で
ある。これらの比較例３３．３４における初期Ｃ／Ｎ比
及び経時Ｃ／Ｎ比は、それぞれ４９（ｄＢ）、 ２２
（ｄＢ）及び５２ （ｄＢ） 、 ２６ （ｄＢ）
であり、この発明の組成の保護膜の特性が優れているこ
とが確認される。
で保護膜を膜厚２０００ ＡのＳｉＯで形成した場合で
ある。これらの比較例３３．３４における初期Ｃ／Ｎ比
及び経時Ｃ／Ｎ比は、それぞれ４９（ｄＢ）、 ２２
（ｄＢ）及び５２ （ｄＢ） 、 ２６ （ｄＢ）
であり、この発明の組成の保護膜の特性が優れているこ
とが確認される。
各実施例においては、組成がＴｂｏ２ｔ Ｆｅｏ５５Ｃ
Ｏｏ、ｚ４゜なる光磁気記録媒体層を用いているが、必
ずしもこの組成に限らずＱｄＦｅＣｏ系の光磁気記録媒
体層など他の光磁気記録媒体層を用いることも出来る。
Ｏｏ、ｚ４゜なる光磁気記録媒体層を用いているが、必
ずしもこの組成に限らずＱｄＦｅＣｏ系の光磁気記録媒
体層など他の光磁気記録媒体層を用いることも出来る。
また各実施例においては、透明基板１上に直接光磁気記
録媒体層２を形成し、この光磁気記録媒体層２上に保護
膜３を設けたものと、透明基板１上に保護膜３−１．３
−２で挾まれるようにして、光磁気記録媒体層２が形成
されたものを説明した。
録媒体層２を形成し、この光磁気記録媒体層２上に保護
膜３を設けたものと、透明基板１上に保護膜３−１．３
−２で挾まれるようにして、光磁気記録媒体層２が形成
されたものを説明した。
しかし、この発明は各実施例の構成に限るものでなく、
例えば光磁気記録媒体層２の透明基板１と反対側の面に
形成される保護膜上にさらに紫外線硬化樹脂を塗布した
構成のものも実現可能である。或は、この発明で構成さ
れる光磁気ディスクを対向させ、スペーサにより対向空
間を形成し２、この対向空間内に不活性ガスを充填した
構成のものも実現可能である。
例えば光磁気記録媒体層２の透明基板１と反対側の面に
形成される保護膜上にさらに紫外線硬化樹脂を塗布した
構成のものも実現可能である。或は、この発明で構成さ
れる光磁気ディスクを対向させ、スペーサにより対向空
間を形成し２、この対向空間内に不活性ガスを充填した
構成のものも実現可能である。
「発明の効果」
以上詳細に説明したように、この発明によると透明基板
上に光磁気記録媒体層が形成される光磁気ディスクにお
いて、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に組成ＭＯｘもしくはＤＯｙもしくはＭｚＤｌ−２
ｏｗ（ＭはＺｒもしくはＣｒ、ＤはＨｆもしくはＺｎ
）で表わされる保護膜を膜厚が１０００１．９．０（Ｚ
（１及び０．４ ｆｗ−ｆ １．９なる条件を設定する
ことにより、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性
を維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、成膜工程
が簡単で優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気ディ
スクを提供することが出来る。
上に光磁気記録媒体層が形成される光磁気ディスクにお
いて、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に組成ＭＯｘもしくはＤＯｙもしくはＭｚＤｌ−２
ｏｗ（ＭはＺｒもしくはＣｒ、ＤはＨｆもしくはＺｎ
）で表わされる保護膜を膜厚が１０００１．９．０（Ｚ
（１及び０．４ ｆｗ−ｆ １．９なる条件を設定する
ことにより、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性
を維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、成膜工程
が簡単で優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気ディ
スクを提供することが出来る。
第１図及び第２図は、それぞれこの発明の光磁気ディス
クの実施例の構成を示す断面図である。 １：透明基板、２：光磁気記録媒体層、３，３−１．３
−２：保護膜。
クの実施例の構成を示す断面図である。 １：透明基板、２：光磁気記録媒体層、３，３−１．３
−２：保護膜。
Claims (1)
- （１）透明基板上に光磁気記録媒体層が形成され、この
光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の書込み及
び読み出しを行う光磁気ディスクにおいて、少なくとも
前記光磁気記録媒体層の前記透明基板と反対側の面に組
成がＭＯ＿ｘもしくはＤＯ＿ｙもしくはＭ＿ｚＤ＿１＿
−＿ｚＯ＿ｗ（ＭはＺｒもしくはＣｒ、ＤはＨｆもしく
はＺｎ）で表わされ、前記光磁気記録媒体層を保護する
膜厚が１０００Å乃至５０００Åの保護膜が形成され、
前記ｘ、ｙ、ｚ及びｗがそれぞれ０．６≦ｘ≦１．９、
０．４≦ｙ≦１．９、０＜ｚ＜１及び０．４≦ｗ≦１．
９に選定されてなることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172158A JPH0731832B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172158A JPH0731832B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233350A true JPS6233350A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0731832B2 JPH0731832B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15936644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172158A Expired - Lifetime JPH0731832B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731832B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285041A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Toshiba Corp | 光メモリ媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146463A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体の製法 |
| JPS6055537A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 非対称カ−効果を利用する磁気光学再生方法並びにそれに使用する記録媒体及び再生装置 |
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP60172158A patent/JPH0731832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146463A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体の製法 |
| JPS6055537A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 非対称カ−効果を利用する磁気光学再生方法並びにそれに使用する記録媒体及び再生装置 |
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285041A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Toshiba Corp | 光メモリ媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731832B2 (ja) | 1995-04-10 |
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