JPH0622192B2 - 表示パネル製造方法 - Google Patents
表示パネル製造方法Info
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- JPH0622192B2 JPH0622192B2 JP60087551A JP8755185A JPH0622192B2 JP H0622192 B2 JPH0622192 B2 JP H0622192B2 JP 60087551 A JP60087551 A JP 60087551A JP 8755185 A JP8755185 A JP 8755185A JP H0622192 B2 JPH0622192 B2 JP H0622192B2
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- mask
- exposure
- pattern
- display panel
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、被露光体(基板)を分割露光する露光装置を
利用して被露光体上に表示パネルを製造する表示パネル
製造方法に関する。
利用して被露光体上に表示パネルを製造する表示パネル
製造方法に関する。
[従来の技術] 本件出願人は、先の昭和60年4月1日に出願した特願
昭60−68736号で、半導体チップの製造コスト低
減を目的としたウエハの大口径化や、液晶TV用等の大
型の液晶表示板の製造に対応可能な大画面露光用の露光
装置を提案している。
昭60−68736号で、半導体チップの製造コスト低
減を目的としたウエハの大口径化や、液晶TV用等の大
型の液晶表示板の製造に対応可能な大画面露光用の露光
装置を提案している。
第3図は、先の出願に示された露光装置の構成を示すも
ので、同図において、1(1a,1b,1c,1d)は
焼付パターンが形成されているフォトマスク、2はマス
ク1を搭載してX,Y,θ方向に移動可能なマスクステ
ージである。3は液晶表示板を製造するためにその表面
に多数の画素とこれらの画素のオン・オフを制御するた
めのスイッチングトランジスタが通常のフォトリソグラ
フィの手順で形成されるガラス基板で、対角線の長さが
14インチ程度の方形である。4は基板3を保持して
X,Y,θ方向に移動可能な基板ステージである。基板
ステージ4のステップ移動は不図示のレーザ干渉計を用
いた精密測長システムによって制御される。5は凹面鏡
と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラー投影系で、マ
スクステージ2によつて所定位置にアライメントされた
マスク1のパターン像を基板3上へ等倍投影する。6は
不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあるマ
スク1を照明する照明光学系で、マスク上のパターンを
介して基板3上の感光層を露光することにより、マスク
上のパターンを基板3に転写可能とするためのものであ
る。なお、投影系5の光軸は照明系6の光軸と一致させ
てある。
ので、同図において、1(1a,1b,1c,1d)は
焼付パターンが形成されているフォトマスク、2はマス
ク1を搭載してX,Y,θ方向に移動可能なマスクステ
ージである。3は液晶表示板を製造するためにその表面
に多数の画素とこれらの画素のオン・オフを制御するた
めのスイッチングトランジスタが通常のフォトリソグラ
フィの手順で形成されるガラス基板で、対角線の長さが
14インチ程度の方形である。4は基板3を保持して
X,Y,θ方向に移動可能な基板ステージである。基板
ステージ4のステップ移動は不図示のレーザ干渉計を用
いた精密測長システムによって制御される。5は凹面鏡
と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラー投影系で、マ
スクステージ2によつて所定位置にアライメントされた
マスク1のパターン像を基板3上へ等倍投影する。6は
不図示の光源からの特定の波長の光で露光位置にあるマ
スク1を照明する照明光学系で、マスク上のパターンを
介して基板3上の感光層を露光することにより、マスク
上のパターンを基板3に転写可能とするためのものであ
る。なお、投影系5の光軸は照明系6の光軸と一致させ
てある。
7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガ
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向),Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向),Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
11はホルダ9の移送によって基板3が分割露光される
ごとにマスク1a〜1dを順次マスクステージ2へ搬送
するためのマスク搬送装置、12は投影系5のピント面
と基板3の表面との間隔を検出するためのギャップセン
サで、例えばエアマイクロセンサや、基板3からの反射
光で間隔を検出する光電タイプのセンサである。13は
投影系5、照明系6およびガイドレール8を一定の関係
で取付けるための基台である。
ごとにマスク1a〜1dを順次マスクステージ2へ搬送
するためのマスク搬送装置、12は投影系5のピント面
と基板3の表面との間隔を検出するためのギャップセン
サで、例えばエアマイクロセンサや、基板3からの反射
光で間隔を検出する光電タイプのセンサである。13は
投影系5、照明系6およびガイドレール8を一定の関係
で取付けるための基台である。
ところで、同図の装置においては、基板3上を例えば4
つの被露光領域に分割し、これらの被露光領域をマスク
1および投影光学系5下の露光領域に順番に位置させな
がらマスクパターンの焼付けを行なうが、この際、上記
基板3上の各被露光領域に対応して第4図に示すような
4種類のマスク1a〜1dを用意し、基板3の移動と連
動してこれらのマスク1a〜1dを順番に交換してい
た。従って、1枚の基板に1つの画面を焼付けるために
は分割数に応じた回数例えば4回のマスク交換が必要で
あり、このマスク交換およびそれに伴うマスクの位置合
せが時間を要し、スループット低下の原因になるという
不都合があった。
つの被露光領域に分割し、これらの被露光領域をマスク
1および投影光学系5下の露光領域に順番に位置させな
がらマスクパターンの焼付けを行なうが、この際、上記
基板3上の各被露光領域に対応して第4図に示すような
4種類のマスク1a〜1dを用意し、基板3の移動と連
動してこれらのマスク1a〜1dを順番に交換してい
た。従って、1枚の基板に1つの画面を焼付けるために
は分割数に応じた回数例えば4回のマスク交換が必要で
あり、このマスク交換およびそれに伴うマスクの位置合
せが時間を要し、スループット低下の原因になるという
不都合があった。
[発明の目的] 本発明は、前述の問題点に鑑みてなされたもので、その
目的は、被露光体(基板)を分割露光する露光装置を利
用して被露光体上に表示パネルを少ないマスクで効率良
く製造することのできる表示パネル製造方法を提供する
ことにある。
目的は、被露光体(基板)を分割露光する露光装置を利
用して被露光体上に表示パネルを少ないマスクで効率良
く製造することのできる表示パネル製造方法を提供する
ことにある。
[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。なお、
前述した第3図の装置と共通または対応する部分につい
ては同一の符号で表わす。
前述した第3図の装置と共通または対応する部分につい
ては同一の符号で表わす。
第1図は、本発明の一実施例に系るミラープロジェクシ
ョン露光装置の構成を示す。同図の装置は、第2図のも
のに対し、マスク1の露光範囲を変更可能とするブレー
ド15(15a〜15d)および各ブレード15の位置
を調節するためのパルスモータ16(16a〜16d)
を付加したものである。また、第1図の露光装置は、後
述するように、1レイヤ分の転写を1つのマスクで行な
うようにしているため、第3図に示されているマスクス
テージ2および搬送装置11はホルダ9上から除去され
ている。なお、第1図にブレード15a,15cおよび
パルスモータ16a,16cしか現われていないが、紙
面に対して手前と奥に各ブレード15b,15dおよび
パルスモータ16b,16dが設けられているものとす
る。
ョン露光装置の構成を示す。同図の装置は、第2図のも
のに対し、マスク1の露光範囲を変更可能とするブレー
ド15(15a〜15d)および各ブレード15の位置
を調節するためのパルスモータ16(16a〜16d)
を付加したものである。また、第1図の露光装置は、後
述するように、1レイヤ分の転写を1つのマスクで行な
うようにしているため、第3図に示されているマスクス
テージ2および搬送装置11はホルダ9上から除去され
ている。なお、第1図にブレード15a,15cおよび
パルスモータ16a,16cしか現われていないが、紙
面に対して手前と奥に各ブレード15b,15dおよび
パルスモータ16b,16dが設けられているものとす
る。
液晶表示板用のマスクは、通常、第4図のアライメント
マークや液晶駆動用配線パターンが形成される領域31
を除けば、画素や実素子部分については同一パターン多
数の繰返しである。そこで、第2図のマスクにおいて
は、基板1を4分割した分に相当する画素パターン群を
中央部32に形成し、周辺部31には配線パターンおよ
びアライメントマークのパターンを形成してある。従っ
て、焼付け時は、基板3上の各被露光領域に対応して不
要部分をブレード15a〜15bで遮蔽することによ
り、第4図のマスク1a〜1dと等価なパターンを順次
基板3上に露光することができる。
マークや液晶駆動用配線パターンが形成される領域31
を除けば、画素や実素子部分については同一パターン多
数の繰返しである。そこで、第2図のマスクにおいて
は、基板1を4分割した分に相当する画素パターン群を
中央部32に形成し、周辺部31には配線パターンおよ
びアライメントマークのパターンを形成してある。従っ
て、焼付け時は、基板3上の各被露光領域に対応して不
要部分をブレード15a〜15bで遮蔽することによ
り、第4図のマスク1a〜1dと等価なパターンを順次
基板3上に露光することができる。
第5図は、第1図の装置で第2図のマスクを用いて基板
3上に転写したパターンの様子を示す。なお、第5図か
らも分るように、マスク1の各周辺領域31a〜31d
は2度ずつ使用されるが、このようにアライメントマー
クや液晶表示板の配線パターン等が上下および左右に対
称となるように設計することは可能であり、容易であ
る。
3上に転写したパターンの様子を示す。なお、第5図か
らも分るように、マスク1の各周辺領域31a〜31d
は2度ずつ使用されるが、このようにアライメントマー
クや液晶表示板の配線パターン等が上下および左右に対
称となるように設計することは可能であり、容易であ
る。
[発明の適用例] なお、上述においては、本発明をミラープロジェクショ
ン方式の露光装置に適用した例について説明したが、本
発明は、一括または分割露光方式の他の装置例えばプロ
キシミティまたはコンタクト方式の露光装置に適用する
ことも可能である。
ン方式の露光装置に適用した例について説明したが、本
発明は、一括または分割露光方式の他の装置例えばプロ
キシミティまたはコンタクト方式の露光装置に適用する
ことも可能である。
また、上述の実施例においてブレードはマスク近傍に配
置しているが、マスクと露光用光源との間にマスクと光
学的に共役な面を形成し、この共役面にブレードを配置
するようにしてもよい。さらに、上述においては、L型
のブレードを用い、露光領域には各ブレードを1つずつ
出し入れしてマスクの不要部分を遮蔽するようにしてい
るが、複数個の所望形状のブレード(例えば露光領域周
囲に矩形に配置した4個の直線ブレード)を所定の組み
合せで出し入れしてマスクの不要部分を遮蔽するように
してもよい。
置しているが、マスクと露光用光源との間にマスクと光
学的に共役な面を形成し、この共役面にブレードを配置
するようにしてもよい。さらに、上述においては、L型
のブレードを用い、露光領域には各ブレードを1つずつ
出し入れしてマスクの不要部分を遮蔽するようにしてい
るが、複数個の所望形状のブレード(例えば露光領域周
囲に矩形に配置した4個の直線ブレード)を所定の組み
合せで出し入れしてマスクの不要部分を遮蔽するように
してもよい。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、1つのマスクでも複数
種のパターンの焼付けが可能となるので、表示パネルを
製造するために必要なマスクの数が減少して管理が容易
になる。また、本発明によれば、表示パネルを製造する
ために基板を分割露光する際に、基板等の被露光体上で
分割された各被露光領域ごとにマスクを交換する必要が
なくなるので、マスクの位置合せ時間を省略してスルー
プットを向上させることができ、表示パネルの製造を効
率よく行うことができる。
種のパターンの焼付けが可能となるので、表示パネルを
製造するために必要なマスクの数が減少して管理が容易
になる。また、本発明によれば、表示パネルを製造する
ために基板を分割露光する際に、基板等の被露光体上で
分割された各被露光領域ごとにマスクを交換する必要が
なくなるので、マスクの位置合せ時間を省略してスルー
プットを向上させることができ、表示パネルの製造を効
率よく行うことができる。
第1図は本発明に係る露光装置の概略構成図、 第2図は第1図の装置におけるブレードとマスクの各露
光領域ごとの位置関係を示す図、 第3図は本件出願人の先願に係る露光装置の概略構成
図、 第4図は第3図の装置で各露光領域ごとに用いられるマ
スクの説明図、 第5図は基板上への転写パターンの状態を示す説明図で
ある。 1:フオトマスク、3:基板、4:基板ステージ、5:
ミラー投影系、9:ホルダ(キャリッジ)、13:基
台、15(15a〜15d):ブレード、16(16a
〜16d):パルスモータ。
光領域ごとの位置関係を示す図、 第3図は本件出願人の先願に係る露光装置の概略構成
図、 第4図は第3図の装置で各露光領域ごとに用いられるマ
スクの説明図、 第5図は基板上への転写パターンの状態を示す説明図で
ある。 1:フオトマスク、3:基板、4:基板ステージ、5:
ミラー投影系、9:ホルダ(キャリッジ)、13:基
台、15(15a〜15d):ブレード、16(16a
〜16d):パルスモータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 真 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 小沢 邦貴 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 吉成 秀樹 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内
Claims (1)
- 【請求項1】基板上に表示エレメントと駆動エレメント
を形成するためのパターンを準備するステップと、前記
基板を所定平面に沿ってステップ移動する基板ステージ
に前記基板を載置するステップと、前記表示エレメント
用のパターンと前記駆動エレメント用のパターンを前記
基板に焼付けるための露光光をマスキングブレードによ
って規定される露光範囲に照射するステップと、前記基
板を前記露光範囲を通過した露光光で分割露光する際、
前記基板上に前記表示エレメント用のパターンが複数焼
付けられ、前記基板上で前記表示エレメント用のパター
ンが焼付けられる領域の範囲に前記駆動エレメント用の
パターンが焼付けられるように前記基板ステージによる
前記基板のステップ移動と前記マスキングブレードによ
る前記露光範囲の変更を関連付けて行うステップを有す
ることを特徴とする表示パネル製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087551A JPH0622192B2 (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表示パネル製造方法 |
| US07/183,317 US4864360A (en) | 1985-04-25 | 1988-04-05 | Exposure apparatus |
| US07/383,086 US4998134A (en) | 1985-04-25 | 1989-07-21 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087551A JPH0622192B2 (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表示パネル製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247025A JPS61247025A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0622192B2 true JPH0622192B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13918121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087551A Expired - Lifetime JPH0622192B2 (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表示パネル製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4864360A (ja) |
| JP (1) | JPH0622192B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2799575B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-09-17 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| EP0412756B1 (en) * | 1989-08-07 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| DE69123610T2 (de) * | 1990-02-02 | 1997-04-24 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsverfahren |
| JPH04122013A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP2862385B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5298939A (en) * | 1991-11-04 | 1994-03-29 | Swanson Paul A | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
| US5281996A (en) * | 1992-09-04 | 1994-01-25 | General Signal Corporation | Photolithographic reduction imaging of extended field |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| KR100296778B1 (ko) | 1993-06-11 | 2001-10-24 | 오노 시게오 | 노광장치및그장치를사용하는소자제조방법 |
| US5573877A (en) * | 1994-03-15 | 1996-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure method and exposure apparatus |
| JP3600869B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2004-12-15 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び該光学系を備えた投影露光装置 |
| JP3506158B2 (ja) | 1995-04-14 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法 |
| JP3391940B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2003-03-31 | キヤノン株式会社 | 照明装置及び露光装置 |
| JPH09129550A (ja) | 1995-08-30 | 1997-05-16 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US5883701A (en) * | 1995-09-21 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning projection exposure method and apparatus |
| US5883703A (en) * | 1996-02-08 | 1999-03-16 | Megapanel Corporation | Methods and apparatus for detecting and compensating for focus errors in a photolithography tool |
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