JPH0622262B2 - 半導体ウェハ支持用ボートの製造方法 - Google Patents
半導体ウェハ支持用ボートの製造方法Info
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- JPH0622262B2 JPH0622262B2 JP60142497A JP14249785A JPH0622262B2 JP H0622262 B2 JPH0622262 B2 JP H0622262B2 JP 60142497 A JP60142497 A JP 60142497A JP 14249785 A JP14249785 A JP 14249785A JP H0622262 B2 JPH0622262 B2 JP H0622262B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は半導体ウエハ支持用のボートの製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術 従来、半導体ウエハ支持用のボートは数多くの形式が提
案されてきている。
案されてきている。
例えば、第5図に示すように、ボートはほぼウエハの直
径と同程度の内径で、肉厚の管状の成形体を2分割ある
いは3分割などに分解してボート本体10を形成し、そ
の内面側に一連のウエハ支持用の溝11を形成する形状
・製造方法が提案され、製造・使用されてきている。
径と同程度の内径で、肉厚の管状の成形体を2分割ある
いは3分割などに分解してボート本体10を形成し、そ
の内面側に一連のウエハ支持用の溝11を形成する形状
・製造方法が提案され、製造・使用されてきている。
また、第6図に示すように、断面がキャップ形状のボー
ト本体12をあらかじめ形成し、ボート本体12そのも
のにウエハ支持用の溝13を切り込んでボートを製造す
る方法も知られている。
ト本体12をあらかじめ形成し、ボート本体12そのも
のにウエハ支持用の溝13を切り込んでボートを製造す
る方法も知られている。
発明が解決しようとする課題 第5図に示す従来のウエハ支持用ボートにあっては、溝
11が円弧状に長くなっているため、溝切り作業に時間
がかかり、溝切りにともなうボートの欠けなどの不良の
発生が多くなる。また、製造されたボートは溝11が円
弧状になっているため、ウエハとの接触面積が大きい欠
点があった。さらに、ボート本体が重くなりすぎるとと
もに、熱容量が大きいという欠点があった。
11が円弧状に長くなっているため、溝切り作業に時間
がかかり、溝切りにともなうボートの欠けなどの不良の
発生が多くなる。また、製造されたボートは溝11が円
弧状になっているため、ウエハとの接触面積が大きい欠
点があった。さらに、ボート本体が重くなりすぎるとと
もに、熱容量が大きいという欠点があった。
第6図に示す従来例の場合には、ボート本体の形状が比
較的複雑となるとともに、ボート本体に溝13を形成し
ているため、強度が問題となりがちであった。
較的複雑となるとともに、ボート本体に溝13を形成し
ているため、強度が問題となりがちであった。
この発明は前述のような従来の半導体ウエハ支持用ボー
トの製造方法の欠点を解消して、ウエハとの接触面積を
小さくするとともに、強度を大きくし、しかも軽量でか
つ熱容量が小さい半導体ウエハ支持用ボートの製造方法
を提供することを目的としている。
トの製造方法の欠点を解消して、ウエハとの接触面積を
小さくするとともに、強度を大きくし、しかも軽量でか
つ熱容量が小さい半導体ウエハ支持用ボートの製造方法
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 前述の目的を達成するために、この発明は内面に4本以
上の突条が平行にかつ長手方向に形成されたSiC質の
管状体を一体に成形した後、少なくとも2カ所で該管状
体を突条を2分割する面に沿って切断して、得られた分
割体に両分割端の分割された突条を含んで少なくとも3
本以上の突条が含まれるように分割した後に、前記3本
以上の突条の各々にウエハ支持用の溝を形成することを
特徴とする半導体ウエハ支持用ボートの製造方法を要旨
としている。
上の突条が平行にかつ長手方向に形成されたSiC質の
管状体を一体に成形した後、少なくとも2カ所で該管状
体を突条を2分割する面に沿って切断して、得られた分
割体に両分割端の分割された突条を含んで少なくとも3
本以上の突条が含まれるように分割した後に、前記3本
以上の突条の各々にウエハ支持用の溝を形成することを
特徴とする半導体ウエハ支持用ボートの製造方法を要旨
としている。
実施例 第1図に示すように、まず内面に長手方向に沿った突条
2を4本以上有する管状体1を一体に成形する。このよ
うな管状体は形状が単純形状であるため製造が容易であ
り、成形にあたっては公知の方法、例えば、押し出し成
形あるいは鋳込み成形などを好適に用いることができ
る。
2を4本以上有する管状体1を一体に成形する。このよ
うな管状体は形状が単純形状であるため製造が容易であ
り、成形にあたっては公知の方法、例えば、押し出し成
形あるいは鋳込み成形などを好適に用いることができ
る。
これらの突条2は各々が平行に形成されており、かつ管
状体本体とSiCを主成分として一体に形成されてい
る。Si−SiCとして一体に形成しても良い。これら
の形成に当たっては公知のSiC材料の製造方法が用い
られる。
状体本体とSiCを主成分として一体に形成されてい
る。Si−SiCとして一体に形成しても良い。これら
の形成に当たっては公知のSiC材料の製造方法が用い
られる。
この管状体1を第1図に示すように、突条のほぼ中央部
を通り、かつ管状体の中心線を通る面で複数に分割す
る。第1図のように管状体を3分割する場合には管状体
の内面に少なくとも6本の突状を形成すれば、分割され
たボート本体は3本の突条を有することになる。第1図
の実施例の場合には、突条を9本形成し、3分割された
1つのボート本体は4本の突条を有することとなる。
を通り、かつ管状体の中心線を通る面で複数に分割す
る。第1図のように管状体を3分割する場合には管状体
の内面に少なくとも6本の突状を形成すれば、分割され
たボート本体は3本の突条を有することになる。第1図
の実施例の場合には、突条を9本形成し、3分割された
1つのボート本体は4本の突条を有することとなる。
突条は所望の間隔を持って形成する事ができるが、等間
隔に形成すると製造上容易である。
隔に形成すると製造上容易である。
第2図及び第3図に示すように、分割されたボート本体
1の4本の突条に所望数の溝3を形成し、それらの溝3
にウエハ4を入れて支持するようにするものである。
1の4本の突条に所望数の溝3を形成し、それらの溝3
にウエハ4を入れて支持するようにするものである。
軽量化をはかるために、ボート本体1を薄肉にするのみ
でなく、ボート本体1の一部を切り抜くとよい。たとえ
ば、第4図に示すように、突条2の周辺をわずかに残し
て、ボート本体1から矩形状に除去すると、全体的に軽
量になるばかりでなく、熱容量が小さくなり、熱分布も
良好となる。
でなく、ボート本体1の一部を切り抜くとよい。たとえ
ば、第4図に示すように、突条2の周辺をわずかに残し
て、ボート本体1から矩形状に除去すると、全体的に軽
量になるばかりでなく、熱容量が小さくなり、熱分布も
良好となる。
実施例1 まず、シリコンカーバイド粗粉末40〜60重量%と、
シリコンカーバイド微粉末60〜40重量%と、カーボ
ン10〜20重量%と、メチルセルローズ5重量%と、
水13重量%と、滑剤2重量%を配合して混練し、押出
成型又は鋳込み成型をし、硬化させてから焼成し、純化
をはかって、Siを含浸させてから加工する。たとえ
ば、第1図に示すように、薄肉の円管の内側に9本の突
条2が等間隔に平行かつ長手方向に形成されるように、
押出成型又は鋳込み成型により前述の混練物を成形す
る。このような形状の成形物を硬化させて焼成する。純
化やSiの含浸を必要に応じて行なってから、突条を2
分割するように円管を3分割して、第2図に示すように
縦断面が円弧状をしたボート本体1をつくる。そのボー
ト本体1の内面に4本の突条2が一体に形成されるよう
にする。そして、これら4本の突条2に所定間隔ごとに
溝3を形成し、それらの溝3にウエハ4を支持できるよ
うにする。
シリコンカーバイド微粉末60〜40重量%と、カーボ
ン10〜20重量%と、メチルセルローズ5重量%と、
水13重量%と、滑剤2重量%を配合して混練し、押出
成型又は鋳込み成型をし、硬化させてから焼成し、純化
をはかって、Siを含浸させてから加工する。たとえ
ば、第1図に示すように、薄肉の円管の内側に9本の突
条2が等間隔に平行かつ長手方向に形成されるように、
押出成型又は鋳込み成型により前述の混練物を成形す
る。このような形状の成形物を硬化させて焼成する。純
化やSiの含浸を必要に応じて行なってから、突条を2
分割するように円管を3分割して、第2図に示すように
縦断面が円弧状をしたボート本体1をつくる。そのボー
ト本体1の内面に4本の突条2が一体に形成されるよう
にする。そして、これら4本の突条2に所定間隔ごとに
溝3を形成し、それらの溝3にウエハ4を支持できるよ
うにする。
突条2の形状は所望のものでよいが、通常は半円形にす
る。
る。
また、円管Pを3分割するばかりでなく、必要に応じて
2分割や4分割にすることもできる。
2分割や4分割にすることもできる。
また、円管Pの代わりに、多角形の管状体を形成し、そ
れらを複数に分割してもよい。
れらを複数に分割してもよい。
ボート本体および/又は突条の表面にSiCのCVDコ
ートを形成することもできる。
ートを形成することもできる。
発明の効果 本発明による半導体ウエハ支持用ボートの製造方法にお
いては、高い強度を有するウエハ支持用ボートを簡単に
製造できるとともに、突条を2分割する位置で管状体を
分割するために形成される突条の数を減らすことができ
るとともに、1つの管状体から効率良く複数のボートを
製造することができる。
いては、高い強度を有するウエハ支持用ボートを簡単に
製造できるとともに、突条を2分割する位置で管状体を
分割するために形成される突条の数を減らすことができ
るとともに、1つの管状体から効率良く複数のボートを
製造することができる。
表1と表2に示すように、この発明によって製造された
半導体ウエハ支持用ボートは、突条2によりウエハを支
持するため、ウエハ4との接触面積が小さく、熱的ある
いは純度的なウエハのダメッジが減少し、ボート本体1
に溝3を形成せずに突条2にのみ溝3を形成しボート本
体に直接的な切欠きを設けないので、製品強度が大で、
しかもボート本体1が薄板状であるので、軽量であり、
熱容量も小さく、実用上顕著な効果が得られる。
半導体ウエハ支持用ボートは、突条2によりウエハを支
持するため、ウエハ4との接触面積が小さく、熱的ある
いは純度的なウエハのダメッジが減少し、ボート本体1
に溝3を形成せずに突条2にのみ溝3を形成しボート本
体に直接的な切欠きを設けないので、製品強度が大で、
しかもボート本体1が薄板状であるので、軽量であり、
熱容量も小さく、実用上顕著な効果が得られる。
第1図は本発明の方法により半導体ウエハ支持用ボート
を形成するための分割加工前の円管状成型体を示す断面
図、第2図は第1図の円管状成型体を3分割した本発明
方法により製造された半導体ウエハ支持用ボートを示す
概略斜視図、第3図と第4図は、それぞれ、この発明の
発明により製造された半導体ウエハ支持用ボートを示す
概略断面図と斜視図、第5図と第6図は従来の半導体ウ
エハ支持用ボートを示す図である。 1……ボート本体 2……突条
を形成するための分割加工前の円管状成型体を示す断面
図、第2図は第1図の円管状成型体を3分割した本発明
方法により製造された半導体ウエハ支持用ボートを示す
概略斜視図、第3図と第4図は、それぞれ、この発明の
発明により製造された半導体ウエハ支持用ボートを示す
概略断面図と斜視図、第5図と第6図は従来の半導体ウ
エハ支持用ボートを示す図である。 1……ボート本体 2……突条
Claims (3)
- 【請求項1】内面に4本以上の突条が平行にかつ長手方
向に形成されたSiC質の管状体を一体に成形した後、
少なくとも2カ所で該管状体を突条を2分割する面に沿
って切断して、得られた分割体に両分割端の分割された
突条を含んで少なくとも3本以上の突条が含まれるよう
に分割した後に、前記3本以上の突条の各々にウエハ支
持用の溝を形成することを特徴とする半導体ウエハ支持
用ボートの製造方法。 - 【請求項2】SiC−Siを主成分としてなる特許請求
の範囲第1項に記載の半導体ウエハ支持用ボートの製造
方法。 - 【請求項3】溝を形成した後にSiCのCVDコートを
形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項に記載の半導体ウエハ支持用ボートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142497A JPH0622262B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体ウェハ支持用ボートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142497A JPH0622262B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体ウェハ支持用ボートの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624337A JPS624337A (ja) | 1987-01-10 |
| JPH0622262B2 true JPH0622262B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=15316705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142497A Expired - Lifetime JPH0622262B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体ウェハ支持用ボートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622262B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169453A (en) * | 1989-03-20 | 1992-12-08 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
| US5169684A (en) * | 1989-03-20 | 1992-12-08 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
| US20040188319A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Wafer carrier having improved processing characteristics |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995624U (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-28 | 松下電工株式会社 | 石英ボ−ト |
| JPS59191327A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | 熱処理用治具 |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142497A patent/JPH0622262B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS624337A (ja) | 1987-01-10 |
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