JPS624337A - 半導体ウェハ支持用ボートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の この発明は半導体ウェハ支持用のポートの改良に関する
ものである。

」１匹１Ｌ 従来、半導体ウェハ支持用のポートは数多くの形式が提
案されてきている。

たとえば、第５図に示すように、ポート本体１０を厚肉
に形成し、その内面側に一連のウェハ支持用の溝１１を
形成したものが提案され、使用されてきている。

また、第６図に示すように、ポート本体１２の断面形状
をキャップ状に形成し、ポート本体１２そのものに溝１
３を切り込み、そこにウェハを支持するようなものも知
られている。

し　　　　　と　　７ 第５図に示す従来のウェハ支持用ポートにあっては、溝
１１が円弧状に良くなっているため、ウェハとの接触面
積が大きい欠点があった。また、ポートが重くなりすぎ
るとともに、熱容量が大きいという欠点があった。

第６図に示す従来例のようにポート本体に溝１３を形成
する場合には、強度の面で問題が生じがらであった。

１１東ｌ乱 この発明は前述のような従来の半導体ウェハ支持用ポー
トの欠点を解消して、ウェハとの接触面積を小さくする
とともに、強度を大きくし、しかも軽量でかつ熱容量が
小さい半導体ウェハ支持用ボー１−を提供することを目
的としている。

３１目と１１− 前述の目的を達成するために、この発明はポート本体が
薄板状に形成されていて、そのポート本体の内面側に３
本以上の突条が平行にかつポート本体の長手方向に形成
され、しかもそれら３本以上の突条がウェハの外周に相
当する位置に配置されており、さらに、それら３本以上
の突条に多数のウェハ支持用の溝が形成されており、し
かも、前述のポート本体と３本以上の突条がＳ１Ｃを主
成分として一体に形成されていることを特徴とする半導
体ウェハ支持用ポートを要旨としている。

°するための 第２〜３図に示すように、ポート本体１を薄肉の板状に
形成し、そのポート本体１の内面側に４本の突条２を平
行にかつポート本体１の長手方向に形成する。しかも、
それら４本の突条２とポート本体１とをＳｉＣを主成分
として一体に形成する。ｓｔ　ｃ−ｓｔを主成分として
一体に形成してもよい。それらの４本の突条２に所望数
の溝３を形成し、それらの溝３にウェハ４を入れて支持
するようにするものである。

軽量化をはかるために、ポート本体１を薄肉にするのみ
でなく、ポート本体１の、一部を切り扱くとよい。たと
えば、第４図に示すように、突条２の周辺をわずかに残
して、ボー１へ本体１から矩形状に除去すると、全体的
に軽量になるばかりでなく、熱容量が小さくなり、熱分
布も良好となる。

支ＵＬ まず、シリコンカーバイド粗粉末４０〜６０重量％と、
シリコンカーバイド微粉末６０〜４０重量％と、カーボ
ン１０〜２０重量％と、メチルセルローズ５重量％と、
水１３重量％と、滑剤２重量％を配合して混練し、押出
成型又は鋳込み成型をし、硬化させてから焼成し、純化
をはかつて％Ｓｌを含浸させてから加工する。たとえば
、第１図に示すように、薄肉の円管Ｐの内側に９本の突
条２が等間隔に平行かつ長手方向に形成されるように、
押出成型又は鋳込み成型により前述の混線物を成形する
。このような形状の成形物を硬化させて焼成する。純化
や３ｉの含浸を必要に応じて行なってから、３分割をし
て、第２図に示すように縦断面が円弧状をしたポート本
体１をつくる。そのポート本体１の内面に４本の突条２
が一体′に形成されるようにする。

そして、これら４本の突条２に所定間隔ごとに溝３を形
成し、それらの溝３にウェハ４を支持できるようにする
。

突条２の形状は所望のものでよいが、通常は半・円形に
する。

また、円管Ｐを３分割するばかりでなく、必要に応じて
２分割や４分割にすることもできる。

また、円管Ｐの代わりに、多角形の管状体を形成し、そ
れらを複数に分割してもよい。

ポート本体および／又は突条の表面にＳｉＣのＣｖＤコ
ートを形成することもできる。

、几１目と旌１− 表１と表２に示すように、この発明による半導体ウェハ
支持用ポートは、突条２により支持するためウェハ４と
の接触面積が小さく、熱的あるいは純度的なウェハのダ
メッジが減少し、ポート本体１に溝３を形成せずに突条
２にのみ溝３を形成しポート本体に直接的な切欠きを設
けないので、製品強度が大で、しかもポート本体１が薄
板状であるので軽量であり、熱容量も小さく、実用上顕
著な効宋が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による半導体ウェハ支持用ポートを形
成するための分割加工前の円管状成型体を示す断面図、
第２図は第１図の円管状成型体を３分割した本発明の半
導体ウェハ支持用ポートを示す概略斜視図、第３図と第
４図はこの発明による半導体ウェハ支持用ポートを示す
概略断面図と斜視図、第５図と第６図は従来の半導体ウ
ェハ支持用ポートを示す図である。 １、、、、、、、ポート本体 ２、、、、、、、突条 表１ ＊３インチ用ポート外径４３−内径３６ｍ長さ２００１
１１１（従来）＊３インチ用ポート外径４３ｍ内径４１
■長さ２００ＩＩＩ１１（本発明）第５図の例　　　　
　　　第４図の例 ［従来］　　　　　　　　［本発明］ 容積（素材）　　　　　１０５１０５９４６ａ　　　　
　４８５００ｓＩ３重ｆｆ１（素材）　　　　　　３１
８ｏ　　　　　　　　　　１４６゜ミゾ切面１　　　　
　　１７１順　　　　　　　　　７１ｍミゾ切容量＜重
ｆｆ１）　　４２７５ｎｎｅ（１２，ｓｏ　）　　　１
７７３ｍ（５，３ｏ　）製品量１　　　　　　　３０５
（１１４０ｇ表２ 第６図の例　　　第５図の例　　　第４図の例肉厚　　
　　　　３〜５ｍｓ　　　　　７ｍ　　　　　　　３〜
５ＩＩｍ重量　　　　　　軽　　　　　　　重　　　　
　　　軽加工能率　　　良　　　　　　否　　　　　　
良嗣熱衝撃性　　　悪　　　　　　　良　　　　　　　
良タイプ　　　　　多品種中量産　　多品種少愚産　　
中品種中吊産第１図 第２！！Ｉ 第３ｆｆｌ 第４図 第５図 第６！

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポート本体が薄板状に形成されていて、そのポー
   ト本体の内面側に３本以上の突条が平行にかつポート本
   体の長手方向に形成され、しかもそれらの突条がウェハ
   の外周に相当する位置に配置されており、さらに、それ
   らの突条に多数のウェハ支持用の溝が形成されており、
   しかも、前述のポート本体との突条がＳｉＣを主成分と
   して一体に形成されていることを特徴とする半導体ウェ
   ハ支持用ポート。
2. （２）ＳｉＣ−Ｓｉを主成分として一体に形成されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の半導体ウェハ支持用ポ
   ート。
3. （３）ポート本体と突条の表面にＳｉＣのＣＶＤコート
   が形成されている特許請求の範囲第１項又は第２項に記
   載の半導体ウェハ支持用ポート。