JPH06228745A - インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06228745A JPH06228745A JP1561893A JP1561893A JPH06228745A JP H06228745 A JPH06228745 A JP H06228745A JP 1561893 A JP1561893 A JP 1561893A JP 1561893 A JP1561893 A JP 1561893A JP H06228745 A JPH06228745 A JP H06228745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- crystal grain
- sputtering
- indium
- tin oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スッパタリング期間中の突起発生を抑制し、
安定して高い導電性を有するＩＴＯ膜が得られるターゲ
ット及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 実質的にインジウム・スズ及び酸素からなる
焼結体であって、平均結晶粒径が３０μｍ以上、相対密
度が８０％以上であるインジウム・スズ酸化物膜用スパ
ッタリングターゲット。
安定して高い導電性を有するＩＴＯ膜が得られるターゲ
ット及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 実質的にインジウム・スズ及び酸素からなる
焼結体であって、平均結晶粒径が３０μｍ以上、相対密
度が８０％以上であるインジウム・スズ酸化物膜用スパ
ッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子、薄膜エ
レクトロルミネッセンス表示素子等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜をスパッタリングに
よって形成するのに用いられるターゲットに関するもの
である。
レクトロルミネッセンス表示素子等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜をスパッタリングに
よって形成するのに用いられるターゲットに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウムＩｎ2Ｏ3の中へ酸化スズ
ＳｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物
膜（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性
を備えており、液晶表示素子、エレクトロルミネッセン
スなどの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷
結防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されて
いる。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電
子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものであ
る。この中で焼結体をターゲットとしてアルゴンイオン
を用いてスパッタリングすることによりＩＴＯ膜を形成
するスパッタリング法は、他の方法よりも装置の構成が
単純であり、今後主流になっていくものと考えられる。
しかしインジウム酸化物とスズ酸化物の焼結体のよう
に、複合焼結体をターゲットとして用いた場合は、スパ
ッタリング中の酸素の解離、インジウム酸化物とスズ酸
化物のスパッタリング速度の違いなどの原因により、タ
ーゲット組成からずれた組成を持った膜となり、抵抗率
の増加、透過率の低下を起こしたり、また長時間スパッ
タをすると、成膜速度が低下するため、膜厚の不安定な
膜となるという問題点があった。ＩＴＯ膜の必須の特徴
である導電性は、形成される膜中の酸素量に極めて敏感
に影響される。そこで、スパッタ中の酸素量の変動を抑
制するため、あらかじめ焼結体でなるターゲットから、
酸素を減少させておく方法が、特開平３−４４４６５号
公報に開示されている。また同様に、導電性の高い膜を
得るものとして、ターゲットの平均結晶粒径を７μｍ以
上とすることが特開平３−１２６６５５号公報に開示さ
れている。さらに、低温基板上へ高透明で低抵抗な膜を
形成するものとして、ターゲットの平均結晶粒径を５μ
ｍ以上３０μｍ以下とすることが、特開平４−２９３７
６９号公報に開示されている。
ＳｎＯ2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物
膜（以下ＩＴＯ膜と称する）は高い透光性と高い導電性
を備えており、液晶表示素子、エレクトロルミネッセン
スなどの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷
結防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されて
いる。このようなＩＴＯ膜は通常スパッタリング法、電
子ビーム蒸着、ＣＶＤ法等により形成されるものであ
る。この中で焼結体をターゲットとしてアルゴンイオン
を用いてスパッタリングすることによりＩＴＯ膜を形成
するスパッタリング法は、他の方法よりも装置の構成が
単純であり、今後主流になっていくものと考えられる。
しかしインジウム酸化物とスズ酸化物の焼結体のよう
に、複合焼結体をターゲットとして用いた場合は、スパ
ッタリング中の酸素の解離、インジウム酸化物とスズ酸
化物のスパッタリング速度の違いなどの原因により、タ
ーゲット組成からずれた組成を持った膜となり、抵抗率
の増加、透過率の低下を起こしたり、また長時間スパッ
タをすると、成膜速度が低下するため、膜厚の不安定な
膜となるという問題点があった。ＩＴＯ膜の必須の特徴
である導電性は、形成される膜中の酸素量に極めて敏感
に影響される。そこで、スパッタ中の酸素量の変動を抑
制するため、あらかじめ焼結体でなるターゲットから、
酸素を減少させておく方法が、特開平３−４４４６５号
公報に開示されている。また同様に、導電性の高い膜を
得るものとして、ターゲットの平均結晶粒径を７μｍ以
上とすることが特開平３−１２６６５５号公報に開示さ
れている。さらに、低温基板上へ高透明で低抵抗な膜を
形成するものとして、ターゲットの平均結晶粒径を５μ
ｍ以上３０μｍ以下とすることが、特開平４−２９３７
６９号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の特開平
３−４４４６５号に記載される方法では、スパッタリン
グ進行中の酸素量の変動は抑えることができるが、過剰
な酸素欠陥が生じ、透過率が低下するという問題点があ
った。また、特開平３−１２６６２５号では７μｍ以上
の平均結晶粒径とすることによって導電性の高い膜が得
られるが、大きい結晶粒径のターゲットはもろく、密度
の高いものが得られないという問題があった。さらに、
特開平４−２９３７６９号では、平均結晶粒径を５μｍ
以上３０μｍ以下にすることで、低基板温度で成膜して
も高透明で低抵抗な膜が得られるが、この範囲の平均結
晶粒径では、密度の高いものが得られないという問題が
あった。 さらに、本発明者がスパッタリング進行中の
ターゲットのスパッタリング面の組織と得られる薄膜の
特性の関係を検討したところ、スパッタリングによるエ
ロージョンが進行するとスパッタリング面に黒色の突起
が発生しこれに伴って形成する膜の抵抗が増大していく
という結果になることがわかった。また、ＩＴＯ膜の抵
抗値の増大はターゲット密度が低い場合にも発生する。
これはターゲット密度が低いとターゲット自体の熱伝導
率が低くなるため、十分に冷却できない部分が生じる。
このような部分的に高温な部分には、スズの蒸発に伴う
酸素の欠乏や、酸素自体の解離が起こる。このような酸
素欠乏も、膜の組成ずれを起こす原因となり、膜の導電
性を劣化させる。本発明の目的は、スパッタリング期間
中の突起発生を抑制し、安定して高い導電性を有するＩ
ＴＯ膜が得られるターゲット及びその製造方法を提供す
ることである。
３−４４４６５号に記載される方法では、スパッタリン
グ進行中の酸素量の変動は抑えることができるが、過剰
な酸素欠陥が生じ、透過率が低下するという問題点があ
った。また、特開平３−１２６６２５号では７μｍ以上
の平均結晶粒径とすることによって導電性の高い膜が得
られるが、大きい結晶粒径のターゲットはもろく、密度
の高いものが得られないという問題があった。さらに、
特開平４−２９３７６９号では、平均結晶粒径を５μｍ
以上３０μｍ以下にすることで、低基板温度で成膜して
も高透明で低抵抗な膜が得られるが、この範囲の平均結
晶粒径では、密度の高いものが得られないという問題が
あった。 さらに、本発明者がスパッタリング進行中の
ターゲットのスパッタリング面の組織と得られる薄膜の
特性の関係を検討したところ、スパッタリングによるエ
ロージョンが進行するとスパッタリング面に黒色の突起
が発生しこれに伴って形成する膜の抵抗が増大していく
という結果になることがわかった。また、ＩＴＯ膜の抵
抗値の増大はターゲット密度が低い場合にも発生する。
これはターゲット密度が低いとターゲット自体の熱伝導
率が低くなるため、十分に冷却できない部分が生じる。
このような部分的に高温な部分には、スズの蒸発に伴う
酸素の欠乏や、酸素自体の解離が起こる。このような酸
素欠乏も、膜の組成ずれを起こす原因となり、膜の導電
性を劣化させる。本発明の目的は、スパッタリング期間
中の突起発生を抑制し、安定して高い導電性を有するＩ
ＴＯ膜が得られるターゲット及びその製造方法を提供す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等はターゲット
表面の突起にはスズ原子がマトリックスよりも濃縮され
ていること、さらに突起が発生したままでスパッタリン
グをつづけるとスパッタリングが進行するにつれてＩＴ
Ｏ膜の抵抗値が増大することを突きとめ、薄膜中の導電
性が低下する原因となる突起発生を防止するためには、
ターゲットの結晶粒径を平均で３０μｍ以上に成長させ
てやれば良いことを見出し、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、実質的にインジウム・スズ及び酸素から
なる焼結体であって、平均結晶粒径が３０μｍ以上、相
対密度が８０％以上であることを特徴とするインジウム
・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットである。
本発明において、結晶粒径を３０μｍ以上としたのは結
晶粒径を成長させていくことによってターゲット密度が
高くなるとともにターゲット中のＩｎ、Ｓｎが均一に拡
散してスパッタリングした時に抵抗値の変動を抑えるこ
とが可能となったからである。また、本発明において、
相対密度を８０％以上としたのは、８０％未満である
と、低密度に起因してスパッタリング進行中の薄膜抵抗
の増加が避けられず、結晶粒径を大きくしたことによる
薄膜抵抗の安定化の効果が明瞭に現れないためである。
本発明のターゲットは平均粒径０．１μｍ以下の酸化イ
ンジウム−酸化スズ複合粉末を成形し、焼結するにあた
り、酸素分圧１気圧以上の雰囲気中で加熱保持して平均
結晶粒径３０μｍ以上まで結晶成長させることにより得
ることができる。 本発明において、平均粒径０．１μ
ｍ以下とするのは、相対密度が８０％以上の焼結体を得
るのが困難だからである。平均粒径０．１μｍ以下の酸
化インジウム−酸化スズ複合粉末は、例えばインジウム
−スズ合金を加熱溶解したものを１３００℃程度に加熱
されたチャンバ−内に噴霧することにより製造すること
ができる。本発明において、この酸化インジウム−酸化
スズ複合粉末のスズ量は単一組織を得るため２〜５重量
％であるのが望ましい。本発明において、酸化インジウ
ム−酸化スズ複合粉末とは共沈粉や固溶体粉をいい、均
一性に優れるので原料粉末として望ましい。しかし、こ
の複合粉末を主成分とし、平均粒径０．１μｍ以下の酸
化インジウム及び平均粒径０．１μｍ以下の酸化スズの
１種または２種を混合した混合粉末を用いることもでき
る。また本発明において、焼結雰囲気を酸素分圧１気圧
以上とするのは高密度化のために必要だからである。平
均結晶粒径を３０μｍ以上まで結晶成長させるためには
１４００〜１６００℃で４〜６時間焼結すればよい。
表面の突起にはスズ原子がマトリックスよりも濃縮され
ていること、さらに突起が発生したままでスパッタリン
グをつづけるとスパッタリングが進行するにつれてＩＴ
Ｏ膜の抵抗値が増大することを突きとめ、薄膜中の導電
性が低下する原因となる突起発生を防止するためには、
ターゲットの結晶粒径を平均で３０μｍ以上に成長させ
てやれば良いことを見出し、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、実質的にインジウム・スズ及び酸素から
なる焼結体であって、平均結晶粒径が３０μｍ以上、相
対密度が８０％以上であることを特徴とするインジウム
・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットである。
本発明において、結晶粒径を３０μｍ以上としたのは結
晶粒径を成長させていくことによってターゲット密度が
高くなるとともにターゲット中のＩｎ、Ｓｎが均一に拡
散してスパッタリングした時に抵抗値の変動を抑えるこ
とが可能となったからである。また、本発明において、
相対密度を８０％以上としたのは、８０％未満である
と、低密度に起因してスパッタリング進行中の薄膜抵抗
の増加が避けられず、結晶粒径を大きくしたことによる
薄膜抵抗の安定化の効果が明瞭に現れないためである。
本発明のターゲットは平均粒径０．１μｍ以下の酸化イ
ンジウム−酸化スズ複合粉末を成形し、焼結するにあた
り、酸素分圧１気圧以上の雰囲気中で加熱保持して平均
結晶粒径３０μｍ以上まで結晶成長させることにより得
ることができる。 本発明において、平均粒径０．１μ
ｍ以下とするのは、相対密度が８０％以上の焼結体を得
るのが困難だからである。平均粒径０．１μｍ以下の酸
化インジウム−酸化スズ複合粉末は、例えばインジウム
−スズ合金を加熱溶解したものを１３００℃程度に加熱
されたチャンバ−内に噴霧することにより製造すること
ができる。本発明において、この酸化インジウム−酸化
スズ複合粉末のスズ量は単一組織を得るため２〜５重量
％であるのが望ましい。本発明において、酸化インジウ
ム−酸化スズ複合粉末とは共沈粉や固溶体粉をいい、均
一性に優れるので原料粉末として望ましい。しかし、こ
の複合粉末を主成分とし、平均粒径０．１μｍ以下の酸
化インジウム及び平均粒径０．１μｍ以下の酸化スズの
１種または２種を混合した混合粉末を用いることもでき
る。また本発明において、焼結雰囲気を酸素分圧１気圧
以上とするのは高密度化のために必要だからである。平
均結晶粒径を３０μｍ以上まで結晶成長させるためには
１４００〜１６００℃で４〜６時間焼結すればよい。
【０００５】
【作用】本発明の最大の特徴は、ターゲット組織中の結
晶粒を酸素分圧１気圧以上の雰囲気中の加熱処理によ
り、大きく成長させたことにある。これにより、密度も
高く形成された膜の導電性も高いターゲットとなる。
晶粒を酸素分圧１気圧以上の雰囲気中の加熱処理によ
り、大きく成長させたことにある。これにより、密度も
高く形成された膜の導電性も高いターゲットとなる。
【０００６】
【実施例】インジウム・スズ合金を加熱溶融後、１３０
０℃に加熱されたチャンバ−内へ噴霧して酸化粉末を作
る乾式法による酸化インジウム−酸化スズ固溶体粉を分
級し、表１に示す平均粒子径のものを得た。さらに酸化
インジウム、酸化スズは夫々インジウム、スズを同様の
乾式法で表１に示す平均粒子径のものを得た。これらの
粉末を混合する場合は、所定の比率となるようにボール
ミルによって２４時間混合した。得られた粉末はスズを
１０重量％含有する組成となっている。その粉末にポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）１％を添加し、スプレード
ライヤーで造粒した。得られた造料粉を冷間プレスで３
０００Ｋｇ／ｃｍ2 で成形し、成形体を酸素分圧１０気
圧、１５００℃で６時間保持し焼結を行った。得られた
焼結体は研削により直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍのター
ゲットに加工した。表１に示すように、原料の酸化イン
ジウム−酸化スズ複合粉末の平均粒径が０．５μｍ以上
となるＮｏ．５では、焼結体密度が、８０％未満とな
り、原料の酸化インジウム−酸化スズ複合粉末の平均粒
径が０．２μｍ以上となるＮｏ．４では、焼結体の結晶
粒径が４μｍとなった。
０℃に加熱されたチャンバ−内へ噴霧して酸化粉末を作
る乾式法による酸化インジウム−酸化スズ固溶体粉を分
級し、表１に示す平均粒子径のものを得た。さらに酸化
インジウム、酸化スズは夫々インジウム、スズを同様の
乾式法で表１に示す平均粒子径のものを得た。これらの
粉末を混合する場合は、所定の比率となるようにボール
ミルによって２４時間混合した。得られた粉末はスズを
１０重量％含有する組成となっている。その粉末にポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）１％を添加し、スプレード
ライヤーで造粒した。得られた造料粉を冷間プレスで３
０００Ｋｇ／ｃｍ2 で成形し、成形体を酸素分圧１０気
圧、１５００℃で６時間保持し焼結を行った。得られた
焼結体は研削により直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍのター
ゲットに加工した。表１に示すように、原料の酸化イン
ジウム−酸化スズ複合粉末の平均粒径が０．５μｍ以上
となるＮｏ．５では、焼結体密度が、８０％未満とな
り、原料の酸化インジウム−酸化スズ複合粉末の平均粒
径が０．２μｍ以上となるＮｏ．４では、焼結体の結晶
粒径が４μｍとなった。
【０００７】
【表１】
【０００８】これらのターゲットを用いて、次の条件で
スパッタリングを行った。 スパッタ電力 １．０ｗ／ｃｍ2 スパッタガス組成 ９９％アルゴン＋１％酸素混
合ガス スパッタガス圧 １Ｐａ 基板温度 ２５℃ 未使用状態のターゲットで１２分間成膜した膜の抵抗値
を（ａ）とし、１５時間連続スパッタした後、同じく１
２分間成膜した膜の抵抗値を（ｂ）として、抵抗値の変
化率を求め表２に示す。抵抗値は四探針法で求めた。ま
た表２に示した突起面積率は１５時間連続スパッタ後、
ＳＥＭ（×５０）で観察し、視野の面積に対する黒色の
突起の面積の割合を表したものである。
スパッタリングを行った。 スパッタ電力 １．０ｗ／ｃｍ2 スパッタガス組成 ９９％アルゴン＋１％酸素混
合ガス スパッタガス圧 １Ｐａ 基板温度 ２５℃ 未使用状態のターゲットで１２分間成膜した膜の抵抗値
を（ａ）とし、１５時間連続スパッタした後、同じく１
２分間成膜した膜の抵抗値を（ｂ）として、抵抗値の変
化率を求め表２に示す。抵抗値は四探針法で求めた。ま
た表２に示した突起面積率は１５時間連続スパッタ後、
ＳＥＭ（×５０）で観察し、視野の面積に対する黒色の
突起の面積の割合を表したものである。
【０００９】
【表２】
【００１０】表２に示すように、本発明のターゲットの
試料Ｎｏ．１ないしＮｏ．３は、突起面積率が１５％以
下であり、１５時間スパッタリング後の抵抗値が、初期
値に対して、２％以下しか変化せず、極めて安定して低
抵抗のＩＴＯ膜が得られた。これに対して、比較例のタ
ーゲットである試料Ｎｏ．４、Ｎｏ．５では、突起面積
率が３０％以上であり、Ｎｏ．４では初期値の抵抗が高
く、Ｎｏ．５では、初期値に対して１０％も抵抗が変化
しており、長時間スパッタには、耐えられないものであ
った。以上のことより、本発明のタ−ゲットは突起の発
生が少ないためスパッタリングを続けても安定して低抵
抗のＩＴＯ膜を得ることができたことがわかる。
試料Ｎｏ．１ないしＮｏ．３は、突起面積率が１５％以
下であり、１５時間スパッタリング後の抵抗値が、初期
値に対して、２％以下しか変化せず、極めて安定して低
抵抗のＩＴＯ膜が得られた。これに対して、比較例のタ
ーゲットである試料Ｎｏ．４、Ｎｏ．５では、突起面積
率が３０％以上であり、Ｎｏ．４では初期値の抵抗が高
く、Ｎｏ．５では、初期値に対して１０％も抵抗が変化
しており、長時間スパッタには、耐えられないものであ
った。以上のことより、本発明のタ−ゲットは突起の発
生が少ないためスパッタリングを続けても安定して低抵
抗のＩＴＯ膜を得ることができたことがわかる。
【００１１】
【発明の効果】本発明の８０％以上の密度を有し、焼結
体の結晶粒径が３０μｍ以上のターゲットによればスパ
ッタリング面に突起の発生が少ないため、安定して低い
抵抗値のＩＴＯ膜が得られる。
体の結晶粒径が３０μｍ以上のターゲットによればスパ
ッタリング面に突起の発生が少ないため、安定して低い
抵抗値のＩＴＯ膜が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 実質的にインジウム・スズ及び酸素から
なる焼結体であって、平均結晶粒径が３０μｍ以上、相
対密度が８０％以上であることを特徴とするインジウム
・スズ酸化物膜用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 平均粒径０．１μｍ以下の酸化インジウ
ム−酸化スズ複合粉末を成形し、焼結するにあたり、酸
素分圧１気圧以上の雰囲気中で加熱保持して平均結晶粒
径３０μｍ以上まで結晶成長させることを特徴とするイ
ンジウム・スズ酸化物膜用スパッタリングターゲットの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1561893A JPH06228745A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1561893A JPH06228745A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228745A true JPH06228745A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=11893702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1561893A Pending JPH06228745A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011052160A1 (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | Ｉｔｏ焼結体の製造方法及びｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP1561893A patent/JPH06228745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
| WO2011052160A1 (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | Ｉｔｏ焼結体の製造方法及びｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06158308A (ja) | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
| TWI476159B (zh) | Composite oxide sintered body, amorphous composite oxide film manufacturing method, amorphous composite oxide film, crystal composite oxide film manufacturing method and crystalline composite oxide film | |
| JP6125689B1 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット | |
| EP1734150B1 (en) | Oxide sintered body, oxide transparent conductive film and manufacturing method thereof | |
| JP4926977B2 (ja) | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット | |
| WO2013042423A1 (ja) | Ｚｎ－Ｓｉ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜 | |
| JPWO2009001693A1 (ja) | アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜、アモルファス複合酸化膜の製造方法、結晶質複合酸化膜の製造方法および複合酸化物焼結体 | |
| KR100957733B1 (ko) | 산화갈륨-산화아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막 | |
| CN102906050B (zh) | 氧化锌烧结体料片及其制造方法 | |
| JPH02181304A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜およびその製膜方法 | |
| JP2002275623A (ja) | 透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜 | |
| JP3780932B2 (ja) | 透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法 | |
| WO2014156234A1 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2011074479A (ja) | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 | |
| WO2017158928A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
| JP3591602B2 (ja) | インジウム・スズ酸化物膜用ターゲット | |
| JPH11256321A (ja) | ＺｎＯ系焼結体 | |
| JPH06228745A (ja) | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2002275624A (ja) | 透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜 | |
| JP2003239063A (ja) | 透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット | |
| JPH06247765A (ja) | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 | |
| JP2904358B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JP2602390B2 (ja) | 高密度ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 | |
| JP6343695B2 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2000001772A (ja) | 低抵抗膜用ｉｔｏターゲット |