JPH06228754A - 金属基材へのカーボン被膜形成法 - Google Patents
金属基材へのカーボン被膜形成法Info
- Publication number
- JPH06228754A JPH06228754A JP3425093A JP3425093A JPH06228754A JP H06228754 A JPH06228754 A JP H06228754A JP 3425093 A JP3425093 A JP 3425093A JP 3425093 A JP3425093 A JP 3425093A JP H06228754 A JPH06228754 A JP H06228754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon coating
- carbon
- base material
- nickel
- cvd
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属基材の表面に４００℃程度の低温ＣＶＤ
法により密着性に優れるカーボン被膜を効率よく形成す
ることができる金属基材へのカーボン被膜形成法を提供
する。 【構成】 金属基材の表面にニッケルめっきを施したの
ち、該ニッケルめっき面の表面温度が２００〜６００℃
に上昇する範囲で放射線を照射する。ついで、放射線照
射面に炭化水素ガスを熱分解するＣＶＤ法によりカーボ
ン被覆層を気相析出させる。放射線としては、赤外線、
可視光線または紫外線が好ましく用いられる。
法により密着性に優れるカーボン被膜を効率よく形成す
ることができる金属基材へのカーボン被膜形成法を提供
する。 【構成】 金属基材の表面にニッケルめっきを施したの
ち、該ニッケルめっき面の表面温度が２００〜６００℃
に上昇する範囲で放射線を照射する。ついで、放射線照
射面に炭化水素ガスを熱分解するＣＶＤ法によりカーボ
ン被覆層を気相析出させる。放射線としては、赤外線、
可視光線または紫外線が好ましく用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属基材の表面に比較
的低温度のＣＶＤ操作により密着性に優れるカーボン被
膜を均一に被覆することができる金属基材へのカーボン
被膜形成法に関する。
的低温度のＣＶＤ操作により密着性に優れるカーボン被
膜を均一に被覆することができる金属基材へのカーボン
被膜形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カーボンは固有の性状特性として優れた
自己潤滑性を有しているため、古くから固体潤滑材とし
て広く利用されている。潤滑材として用いられるカーボ
ンの形状は、一般に微粒子状の粉体であることが多い
が、各種の部材に潤滑性を付与しようとする場合には対
象部材の表面にカーボンの被覆層を形成する手段が有効
である。このため、機械部材の大部分を占める金属材料
の表面に密着性よくカーボンを被覆させる技術が必要と
なる。
自己潤滑性を有しているため、古くから固体潤滑材とし
て広く利用されている。潤滑材として用いられるカーボ
ンの形状は、一般に微粒子状の粉体であることが多い
が、各種の部材に潤滑性を付与しようとする場合には対
象部材の表面にカーボンの被覆層を形成する手段が有効
である。このため、機械部材の大部分を占める金属材料
の表面に密着性よくカーボンを被覆させる技術が必要と
なる。
【０００３】従来、カーボン被膜を形成するための最も
代表的なコーティング技術として、炭化水素ガスを熱分
解させて基材面にカーボン層を気相析出させるＣＶＤ法
（化学的気相析出法）が知られている。ところが、ＣＶ
Ｄ法によりカーボン被膜を効率よく析出させるためには
基材温度を少なくとも８００〜１１００℃付近に保持す
る必要があり、このため例えば金属のようにカーボンと
極端に熱膨張係数が異なる材料を基材とした場合には、
冷却時に材質間の熱膨張差（熱応力）に起因して形成し
たカーボン被膜が剥離する現象が生じる。そのうえ、金
属基材自体が熱劣化を生じて材質特性の低下を招くこと
がある。
代表的なコーティング技術として、炭化水素ガスを熱分
解させて基材面にカーボン層を気相析出させるＣＶＤ法
（化学的気相析出法）が知られている。ところが、ＣＶ
Ｄ法によりカーボン被膜を効率よく析出させるためには
基材温度を少なくとも８００〜１１００℃付近に保持す
る必要があり、このため例えば金属のようにカーボンと
極端に熱膨張係数が異なる材料を基材とした場合には、
冷却時に材質間の熱膨張差（熱応力）に起因して形成し
たカーボン被膜が剥離する現象が生じる。そのうえ、金
属基材自体が熱劣化を生じて材質特性の低下を招くこと
がある。
【０００４】このようなＣＶＤ法の問題を解消するた
め、基材温度が殆ど上昇することのないプラズマＣＶＤ
法を用いて金属面にカーボン被膜を形成する方法（特開
平２−30755 号公報) が提案されている。しかし、プラ
ズマＣＶＤには被膜形成するための堆積速度が極めて遅
いという欠点がある。この堆積速度は電力密度を高める
ことにより増大させることは可能であるが、電力密度の
高度化はプロセスのエネルギー消費を高めるうえに金属
基材に損傷を与える原因となる。
め、基材温度が殆ど上昇することのないプラズマＣＶＤ
法を用いて金属面にカーボン被膜を形成する方法（特開
平２−30755 号公報) が提案されている。しかし、プラ
ズマＣＶＤには被膜形成するための堆積速度が極めて遅
いという欠点がある。この堆積速度は電力密度を高める
ことにより増大させることは可能であるが、電力密度の
高度化はプロセスのエネルギー消費を高めるうえに金属
基材に損傷を与える原因となる。
【０００５】このほか、金属基材とカーボン被膜の密着
性を改善するために、両者の間に熱応力の緩和を目的と
する金属粒子とカーボンによる複合中間層を設ける方法
（特開昭59−143498号公報、特開平３−191065号公報）
も提案されているが、製造工程が煩雑となって生産コス
トの高騰を招く問題点がある。また、ＣＶＤ法以外のカ
ーボン被覆化手段として、金属基材面にフェノール系や
フラン系のような炭化収率の高い熱硬化性樹脂液を塗布
し、塗布層を焼成炭化してカーボン層に転化させる方法
もあるが、塗布した樹脂層は炭素化に際して大きな収縮
を伴うため剥離現象の発生が避けられない。
性を改善するために、両者の間に熱応力の緩和を目的と
する金属粒子とカーボンによる複合中間層を設ける方法
（特開昭59−143498号公報、特開平３−191065号公報）
も提案されているが、製造工程が煩雑となって生産コス
トの高騰を招く問題点がある。また、ＣＶＤ法以外のカ
ーボン被覆化手段として、金属基材面にフェノール系や
フラン系のような炭化収率の高い熱硬化性樹脂液を塗布
し、塗布層を焼成炭化してカーボン層に転化させる方法
もあるが、塗布した樹脂層は炭素化に際して大きな収縮
を伴うため剥離現象の発生が避けられない。
【０００６】本発明者はＣＶＤを適用して金属基材面に
密着性よくカーボン被膜を形成するための効果的な手段
として、金属基材の表面に酸化ニッケルを被覆担持させ
たのち該酸化ニッケルの被覆面に炭化水素ガスの熱分解
によりカーボン被膜を析出させる方法を開発し、すでに
特願平４−２７１１８０号として提案した。このカーボ
ン被覆法によれば、金属基材面に予め担持させた酸化ニ
ッケルが触媒的な機能を営み、この作用で金属基材の保
持温度が４００℃以下の低温ＣＶＤ操作においても密着
性のよいカーボン被覆層を形成することが可能となる。
密着性よくカーボン被膜を形成するための効果的な手段
として、金属基材の表面に酸化ニッケルを被覆担持させ
たのち該酸化ニッケルの被覆面に炭化水素ガスの熱分解
によりカーボン被膜を析出させる方法を開発し、すでに
特願平４−２７１１８０号として提案した。このカーボ
ン被覆法によれば、金属基材面に予め担持させた酸化ニ
ッケルが触媒的な機能を営み、この作用で金属基材の保
持温度が４００℃以下の低温ＣＶＤ操作においても密着
性のよいカーボン被覆層を形成することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】発明者は、引き続き低
温ＣＶＤ操作が可能な金属基材へのカーボン被覆手段に
ついて研究を重ねた結果、金属基材面に予め放射線を照
射したニッケルめっき層を形成してからＣＶＤ操作を適
用すると、４００℃程度の基材保持温度域において密着
性よくカーボン被膜を被覆し得ることを確認した。
温ＣＶＤ操作が可能な金属基材へのカーボン被覆手段に
ついて研究を重ねた結果、金属基材面に予め放射線を照
射したニッケルめっき層を形成してからＣＶＤ操作を適
用すると、４００℃程度の基材保持温度域において密着
性よくカーボン被膜を被覆し得ることを確認した。
【０００８】本発明は前記の知見に基づいて開発された
もので、その目的は、金属基材の表面に低温ＣＶＤ法に
より密着性に優れたカーボン被膜を効率よく形成するこ
とができる金属基材へのカーボン被膜形成法を提供する
ことにある。
もので、その目的は、金属基材の表面に低温ＣＶＤ法に
より密着性に優れたカーボン被膜を効率よく形成するこ
とができる金属基材へのカーボン被膜形成法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による金属基材へのカーボン被膜形成法は、
金属基材の表面にニッケルめっきを施したのち、該ニッ
ケルめっき面の表面温度が２００〜６００℃に上昇する
エネルギー範囲で放射線を照射し、ついで放射線被覆面
に炭化水素ガスの熱分解によるＣＶＤを介してカーボン
被覆層を気相析出させることを構成上の特徴とする。
めの本発明による金属基材へのカーボン被膜形成法は、
金属基材の表面にニッケルめっきを施したのち、該ニッ
ケルめっき面の表面温度が２００〜６００℃に上昇する
エネルギー範囲で放射線を照射し、ついで放射線被覆面
に炭化水素ガスの熱分解によるＣＶＤを介してカーボン
被覆層を気相析出させることを構成上の特徴とする。
【００１０】本発明の基材となる金属材料には、６００
℃以上の融点を有する金属類が用いられ、典型的には
鉄、銅またはそれらの合金が対象基材となる。金属基材
の表面ニッケル被膜を形成するためのめっき方法には特
に制約はない。したがって、通常の電気めっき法を用い
ることもできるが、本発明の目的には一般に常用されて
いる建浴方式による無電解めっき法が好ましく適用され
る。
℃以上の融点を有する金属類が用いられ、典型的には
鉄、銅またはそれらの合金が対象基材となる。金属基材
の表面ニッケル被膜を形成するためのめっき方法には特
に制約はない。したがって、通常の電気めっき法を用い
ることもできるが、本発明の目的には一般に常用されて
いる建浴方式による無電解めっき法が好ましく適用され
る。
【００１１】形成されたニッケルめっき面には、ＣＶＤ
によるカーボン被覆を効率化させる触媒活性を高めるた
めに放射線が照射される。使用可能な放射線としては、
マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、γ線な
どを挙げることができるが、作業性や安全性の面から赤
外線、可視光線もしくは紫外線を用いることが好適であ
る。放射線の照射は、ニッケルめっき面の表面温度が２
００〜６００℃に上昇するエネルギー範囲でおこなう必
要がある。表面温度の上昇が２００℃未満の放射線照射
ではニッケルめっき層の触媒活性を十分に高めることが
できず、他方、６００℃を越える放射線照射ではその後
のＣＶＤ工程で形成したカーボン被膜が剥離したり、放
射エネルギーが強すぎて金属基材に損傷を与える等の現
象を招く。このほか、放射線照射時の雰囲気には規制は
なく、大気、真空、不活性ガス雰囲気のいずれでもよ
く、また照射時間は適用する放射線のエネルギー密度や
表面温度の上昇度合を考慮して適宜に設定される。
によるカーボン被覆を効率化させる触媒活性を高めるた
めに放射線が照射される。使用可能な放射線としては、
マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、γ線な
どを挙げることができるが、作業性や安全性の面から赤
外線、可視光線もしくは紫外線を用いることが好適であ
る。放射線の照射は、ニッケルめっき面の表面温度が２
００〜６００℃に上昇するエネルギー範囲でおこなう必
要がある。表面温度の上昇が２００℃未満の放射線照射
ではニッケルめっき層の触媒活性を十分に高めることが
できず、他方、６００℃を越える放射線照射ではその後
のＣＶＤ工程で形成したカーボン被膜が剥離したり、放
射エネルギーが強すぎて金属基材に損傷を与える等の現
象を招く。このほか、放射線照射時の雰囲気には規制は
なく、大気、真空、不活性ガス雰囲気のいずれでもよ
く、また照射時間は適用する放射線のエネルギー密度や
表面温度の上昇度合を考慮して適宜に設定される。
【００１２】表面に放射線照射を施したニッケルめっき
層を有する金属基材は、ついでＣＶＤ炉にセットして加
熱し、炉内に炭化水素ガスを導入して熱分解させる。カ
ーボン源となる炭化水素ガスとしては、例えばメタン、
エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等を挙げるこ
とができ、いずれも本発明の目的に対して有効的に使用
される。このＣＶＤ工程において、金属基材の加熱温度
は３００〜４００℃の範囲に保持すれば十分であり、こ
の低温度域においてニッケルめっき層の放射線照射面に
均質なカーボン被膜が密着性よく形成される。
層を有する金属基材は、ついでＣＶＤ炉にセットして加
熱し、炉内に炭化水素ガスを導入して熱分解させる。カ
ーボン源となる炭化水素ガスとしては、例えばメタン、
エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等を挙げるこ
とができ、いずれも本発明の目的に対して有効的に使用
される。このＣＶＤ工程において、金属基材の加熱温度
は３００〜４００℃の範囲に保持すれば十分であり、こ
の低温度域においてニッケルめっき層の放射線照射面に
均質なカーボン被膜が密着性よく形成される。
【００１３】
【作用】従来、炭化水素ガスを熱分解してＣＶＤ法によ
り金属基材面に効率よくカーボン被膜を形成するために
は、処理条件として金属基材の温度を８００℃以上に保
持することが必要条件とされている。この場合、基材面
にニッケルやコバルトのような遷移金属が介在すると、
触媒作用によってカーボンの析出温度が下がることが知
られているが、本発明においては予め金属基材面に形成
したニッケルめっき層の表面に特定エネルギー量の放射
線を照射することによって触媒活性能を一層高めたもの
である。
り金属基材面に効率よくカーボン被膜を形成するために
は、処理条件として金属基材の温度を８００℃以上に保
持することが必要条件とされている。この場合、基材面
にニッケルやコバルトのような遷移金属が介在すると、
触媒作用によってカーボンの析出温度が下がることが知
られているが、本発明においては予め金属基材面に形成
したニッケルめっき層の表面に特定エネルギー量の放射
線を照射することによって触媒活性能を一層高めたもの
である。
【００１４】すなわち、ＣＶＤによるカーボン被膜の析
出は炭化水素ガスが基材上で熱分解することによって進
行するが、この析出を円滑化して密着性のよいカーボン
被膜を形成させるためには炭化水素ガスを効率よく基材
面に吸着させる必要がある。本発明によればニッケルめ
っき面に放射線照射を施すことにより無数の微細な格子
欠陥が形成され、この格子欠陥面が炭化水素ガスの吸着
を促進する作用を営んでニッケルめっき層の触媒活性能
を飛躍的に向上させるために機能する。
出は炭化水素ガスが基材上で熱分解することによって進
行するが、この析出を円滑化して密着性のよいカーボン
被膜を形成させるためには炭化水素ガスを効率よく基材
面に吸着させる必要がある。本発明によればニッケルめ
っき面に放射線照射を施すことにより無数の微細な格子
欠陥が形成され、この格子欠陥面が炭化水素ガスの吸着
を促進する作用を営んでニッケルめっき層の触媒活性能
を飛躍的に向上させるために機能する。
【００１５】かかる機能を介して、金属基材を４００℃
程度に保持したＣＶＤ条件においても均質で密着性に優
れるカーボン被膜を効率的に析出させることが可能とな
る。したがって、金属基材面に亀裂や剥離現象を発生さ
せることなしに薄膜のカーボン被膜を形成することがで
きる。
程度に保持したＣＶＤ条件においても均質で密着性に優
れるカーボン被膜を効率的に析出させることが可能とな
る。したがって、金属基材面に亀裂や剥離現象を発生さ
せることなしに薄膜のカーボン被膜を形成することがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１７】実施例１〜３ 鉄鋼材〔新日本製鉄（株）製、Ｓ４５Ｃ〕を、塩化パラ
ジウムを溶解した塩酸水溶液に浸漬して活性化処理を施
したのち、硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム（還元
剤）、クエン酸ナトリウム（醋化剤）および酢酸ナトリ
ウム（ｐＨ緩衝剤）からなる組成の建浴されためっき浴
（温度６０℃、ｐＨ５）に浸漬して無電解めっき反応を
おこなった。このようにして無電解めっき法によりニッ
ケルめっきを施した金属基材に、ニッケルめっき面の表
面温度が２００℃、４００℃および６００℃に上昇する
エネルギー量で赤外線を照射した。
ジウムを溶解した塩酸水溶液に浸漬して活性化処理を施
したのち、硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム（還元
剤）、クエン酸ナトリウム（醋化剤）および酢酸ナトリ
ウム（ｐＨ緩衝剤）からなる組成の建浴されためっき浴
（温度６０℃、ｐＨ５）に浸漬して無電解めっき反応を
おこなった。このようにして無電解めっき法によりニッ
ケルめっきを施した金属基材に、ニッケルめっき面の表
面温度が２００℃、４００℃および６００℃に上昇する
エネルギー量で赤外線を照射した。
【００１８】ついで、赤外線照射後の金属基材をＣＶＤ
炉にセットし、基材を４００℃の温度に加熱保持しなが
ら炉内にエチレンガスを導入して１時間に亘りＣＶＤ操
作を継続した。この操作により金属基材面に析出した各
カーボン被膜は、極めて均質で優れた密着性を有してい
ることが確認された。得られた各カーボン被膜の膜厚と
被膜性状を、適用した変動条件と対比させて表１に示し
た。
炉にセットし、基材を４００℃の温度に加熱保持しなが
ら炉内にエチレンガスを導入して１時間に亘りＣＶＤ操
作を継続した。この操作により金属基材面に析出した各
カーボン被膜は、極めて均質で優れた密着性を有してい
ることが確認された。得られた各カーボン被膜の膜厚と
被膜性状を、適用した変動条件と対比させて表１に示し
た。
【００１９】実施例４ 放射線を可視光線に代え、ニッケルめっき面の表面温度
が４００℃に上昇するエネルギー量で照射した以外は全
て実施例１と同一の条件により金属基材面にカーボン被
膜を形成した。得られたカーボン被膜は、極めて均質で
優れた密着性を備えるものであった。表１に、その膜厚
および被膜性状を併載した。
が４００℃に上昇するエネルギー量で照射した以外は全
て実施例１と同一の条件により金属基材面にカーボン被
膜を形成した。得られたカーボン被膜は、極めて均質で
優れた密着性を備えるものであった。表１に、その膜厚
および被膜性状を併載した。
【００２０】実施例５ 放射線を紫外線に代え、ニッケルめっき面の表面温度が
４００℃に上昇するエネルギー量で照射した以外は全て
実施例１と同一の条件により金属基材面にカーボン被膜
を形成した。得られたカーボン被膜は、極めて均質で密
着性に優れる被覆層であった。表１に、その膜厚および
被膜性状を併載した。
４００℃に上昇するエネルギー量で照射した以外は全て
実施例１と同一の条件により金属基材面にカーボン被膜
を形成した。得られたカーボン被膜は、極めて均質で密
着性に優れる被覆層であった。表１に、その膜厚および
被膜性状を併載した。
【００２１】比較例１ 実施例１と同一の金属基材面に、ニッケルめっきを施さ
ずに表面温度が４００℃に上昇するエネルギー量で赤外
線を照射した。ついで、実施例１と同一の条件でＣＶＤ
操作をおこなったところ、カーボン被膜の析出は認めら
れなかった。
ずに表面温度が４００℃に上昇するエネルギー量で赤外
線を照射した。ついで、実施例１と同一の条件でＣＶＤ
操作をおこなったところ、カーボン被膜の析出は認めら
れなかった。
【００２２】比較例２ 実施例１と同一条件でニッケルめっきを施した金属基材
を、放射線照射せずにＣＶＤ炉内にセットし、実施例と
同一の条件でＣＶＤ操作をおこなったところ、カーボン
被膜の析出は認められなかった。
を、放射線照射せずにＣＶＤ炉内にセットし、実施例と
同一の条件でＣＶＤ操作をおこなったところ、カーボン
被膜の析出は認められなかった。
【００２３】比較例３ 赤外線の照射条件を、ニッケルめっき面の表面温度が１
５０℃になるような低エネルギー量に設定した。その他
の条件は全て実施例１と同一条件により金属基材面にカ
ーボン被膜を形成した。この例では、表１に併載したよ
うに形成されるカーボン被膜が極めて薄いものであっ
た。
５０℃になるような低エネルギー量に設定した。その他
の条件は全て実施例１と同一条件により金属基材面にカ
ーボン被膜を形成した。この例では、表１に併載したよ
うに形成されるカーボン被膜が極めて薄いものであっ
た。
【００２４】比較例４ 赤外線の照射条件を、ニッケルめっき面の表面温度が６
５０℃に上昇するような高エネルギー量に設定した。こ
の例では、表１に併載したように形成されたカーボン被
膜が剥離し、また金属基材は損傷を受け熱劣化により材
質強度が低下していることが認められた。
５０℃に上昇するような高エネルギー量に設定した。こ
の例では、表１に併載したように形成されたカーボン被
膜が剥離し、また金属基材は損傷を受け熱劣化により材
質強度が低下していることが認められた。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明による金属基材へ
のカーボン被膜形成法に従えば、金属基材の表面に放射
線を照射したニッケルめっき層を形成する簡易な前処理
工程と低温ＣＶＤ操作を介して金属基材面に密着性の良
好なカーボン被膜を効率よく形成することができる。し
たがって、各種金属基材を対象とする工業的なカーボン
被膜形成手段として極めて有用である。
のカーボン被膜形成法に従えば、金属基材の表面に放射
線を照射したニッケルめっき層を形成する簡易な前処理
工程と低温ＣＶＤ操作を介して金属基材面に密着性の良
好なカーボン被膜を効率よく形成することができる。し
たがって、各種金属基材を対象とする工業的なカーボン
被膜形成手段として極めて有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属基材の表面にニッケルめっきを施し
たのち、該ニッケルめっき面の表面温度が２００〜６０
０℃に上昇するエネルギー範囲で放射線を照射し、つい
で放射線照射面に炭化水素ガスの熱分解によるＣＶＤを
介してカーボン被覆層を気相析出させることを特徴とす
る金属基材へのカーボン被膜形成法。 - 【請求項２】 放射線として、赤外線、可視光線もしく
は紫外線を用いる請求項１記載の金属基材へのカーボン
被膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3425093A JPH06228754A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 金属基材へのカーボン被膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3425093A JPH06228754A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 金属基材へのカーボン被膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228754A true JPH06228754A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=12408927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3425093A Pending JPH06228754A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 金属基材へのカーボン被膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009019238A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Tokai Carbon Co Ltd | ＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法 |
| CN109880143A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-14 | 东莞市和域战士纳米科技有限公司 | 一种氟化聚乙烯复合超疏水防水纳米膜 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP3425093A patent/JPH06228754A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009019238A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Tokai Carbon Co Ltd | ＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法 |
| CN109880143A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-14 | 东莞市和域战士纳米科技有限公司 | 一种氟化聚乙烯复合超疏水防水纳米膜 |
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