JPH06230028A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH06230028A JPH06230028A JP5018444A JP1844493A JPH06230028A JP H06230028 A JPH06230028 A JP H06230028A JP 5018444 A JP5018444 A JP 5018444A JP 1844493 A JP1844493 A JP 1844493A JP H06230028 A JPH06230028 A JP H06230028A
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- JP
- Japan
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- silicon
- acceleration sensor
- movable electrode
- glass
- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン基板をエッチングにより、カンチレバ
ーとその先端に可動電極を形成し、可動電極に相対して
２組のガラス基板にアルミニュウム（Ａｌ）等の固定電
極を設けた構造体において、前記３層構造である可動電
極と固定電極の空隙（容量）の変化のための空隙の寸法
が所定の値に拘束または制御され、その変位から出力信
号を取り出すものにおいて、前記シリコン基板の可動電
極部表面とガラス基板との接合面を高濃度にドープまた
は、拡散した加速度センサ。 【効果】ガラス／シリコン／ガラス，シリコン／シリコ
ン／シリコン，シリコン／シリコン，ガラス／シリコン
の各構造体の出力特性精度向上，性能向上、および、製
造プロセスの工程簡略化に効果がある。
ーとその先端に可動電極を形成し、可動電極に相対して
２組のガラス基板にアルミニュウム（Ａｌ）等の固定電
極を設けた構造体において、前記３層構造である可動電
極と固定電極の空隙（容量）の変化のための空隙の寸法
が所定の値に拘束または制御され、その変位から出力信
号を取り出すものにおいて、前記シリコン基板の可動電
極部表面とガラス基板との接合面を高濃度にドープまた
は、拡散した加速度センサ。 【効果】ガラス／シリコン／ガラス，シリコン／シリコ
ン／シリコン，シリコン／シリコン，ガラス／シリコン
の各構造体の出力特性精度向上，性能向上、および、製
造プロセスの工程簡略化に効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカンチレバーまたは、ダ
イヤフラムを有し、ガラス／シリコン／ガラス，シリコ
ン／シリコン／シリコン，ガラス／シリコン，シリコン
／シリコンで構成された半導体容量式加速度センサに係
り、特に可動電極を有するシリコン基板と可動電極に対
向する固定電極を有する基板の構造に関する。
イヤフラムを有し、ガラス／シリコン／ガラス，シリコ
ン／シリコン／シリコン，ガラス／シリコン，シリコン
／シリコンで構成された半導体容量式加速度センサに係
り、特に可動電極を有するシリコン基板と可動電極に対
向する固定電極を有する基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は特開平3−94169号に示すよ
うにカンチレバー（梁）を有する加速度センサのカンチ
レバーを形成する場合、エッチング不要部分のエッチン
グマスクに酸化膜，窒化膜を用い、エッチング不要部分
の保護をしていた。しかし、この様な構造，方法，材料
を用いた場合、エッチングによりマスク材がシリコンと
共にエッチングされ、固定電極と可動電極の電極間ギャ
ップの精密制御に支障をきたす問題があった。
うにカンチレバー（梁）を有する加速度センサのカンチ
レバーを形成する場合、エッチング不要部分のエッチン
グマスクに酸化膜，窒化膜を用い、エッチング不要部分
の保護をしていた。しかし、この様な構造，方法，材料
を用いた場合、エッチングによりマスク材がシリコンと
共にエッチングされ、固定電極と可動電極の電極間ギャ
ップの精密制御に支障をきたす問題があった。
【０００３】また、可動電極の表面はバルクの誘電率の
ため印加された加速度に対する感度が低いという問題が
有り、この感度を上げるために可動電極と固定電極間の
ギャップを狭くしなければならない。この場合には、接
合時のガラス／シリコン，シリコン／シリコン間の歪に
出力特性が影響を受け、特性悪化の原因となる問題もあ
る。
ため印加された加速度に対する感度が低いという問題が
有り、この感度を上げるために可動電極と固定電極間の
ギャップを狭くしなければならない。この場合には、接
合時のガラス／シリコン，シリコン／シリコン間の歪に
出力特性が影響を受け、特性悪化の原因となる問題もあ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、シ
リコン基板上の酸化膜及び、窒化膜は、エッチングの際
にマスクとして作用する。しかし、この酸化膜及び、窒
化膜はエッチングの際にある一定のレートでシリコンと
共にエッチングされる。従って、サブミクロンオーダー
の制御を必要とする可動電極と固定電極間のギャップ量
は、このエッチングによって微妙に変化する。このた
め、電極間ギャップの変化により、センサ特性及び、感
度が変化するという問題が発生する。また、可動電極は
シリコン基板自体の特性（誘電率，濃度等）のため、ギ
ャップを狭くしなければ印加する加速度に対して十分な
感度が取れないという問題もある。
リコン基板上の酸化膜及び、窒化膜は、エッチングの際
にマスクとして作用する。しかし、この酸化膜及び、窒
化膜はエッチングの際にある一定のレートでシリコンと
共にエッチングされる。従って、サブミクロンオーダー
の制御を必要とする可動電極と固定電極間のギャップ量
は、このエッチングによって微妙に変化する。このた
め、電極間ギャップの変化により、センサ特性及び、感
度が変化するという問題が発生する。また、可動電極は
シリコン基板自体の特性（誘電率，濃度等）のため、ギ
ャップを狭くしなければ印加する加速度に対して十分な
感度が取れないという問題もある。
【０００５】よって、本発明の目的は、可動電極と固定
電極間のサブミクロンオーダーの制御及び、印加加速度
に対する十分な感度を確保するシリコン基板の構造及
び、加工プロセスに関する。
電極間のサブミクロンオーダーの制御及び、印加加速度
に対する十分な感度を確保するシリコン基板の構造及
び、加工プロセスに関する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、可動電極を形成するシリコン基板のガラスとの接合
面及び、可動電極面を高濃度にドープまたは、拡散する
ことにより達成される。
に、可動電極を形成するシリコン基板のガラスとの接合
面及び、可動電極面を高濃度にドープまたは、拡散する
ことにより達成される。
【０００７】
【作用】この様に構成された半導体容量式加速度センサ
は、可動電極面及び、ガラスとの接合面が高濃度にドー
ピングまたは、拡散されている。このため、エッチング
の際に高濃度にドーピングまたは、拡散された面はエッ
チングされないため、エッチングマスクとして使用でき
る。また、ドーピング（拡散）部は部分的（選択的）に
パターニング可能なための多様なエッチング形状が可能
となる。
は、可動電極面及び、ガラスとの接合面が高濃度にドー
ピングまたは、拡散されている。このため、エッチング
の際に高濃度にドーピングまたは、拡散された面はエッ
チングされないため、エッチングマスクとして使用でき
る。また、ドーピング（拡散）部は部分的（選択的）に
パターニング可能なための多様なエッチング形状が可能
となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００９】図１は、ガラス／シリコン／ガラスの３層
構造を示す。
構造を示す。
【００１０】シリコン単結晶をホトリソグラフィー技術
を用いてパターニングし、必要とする段差（ギャップ，
数μｍ）を形成する。次に、上記ホトリソグラフィー技
術を数回繰り返し行い可動電極２，カンチレバー（梁）
８を形成する。この時、可動電極両面７ａ及び、ガラス
基板と接合される部分７ｂは高濃度にドーピングされ、
エッチングの際はこの部分がマスクされた形となりエッ
チングされない。次に、ガラス基板５，６をマスク蒸着
または、ホトリソグラフィー技術を用いて固定電極３，
４を形成する。この様にして形成したシリコン基板１に
相対して２組のガラス基板５，６を３層積層し、陽極接
合を用いてシリコン基板，ガラス基板２組を接合する。
以上より、ガラス基板５の固定電極３とガラス基板６の
固定電極４は、シリコン基板１の可動電極２に対向して
配され、印加された加速度に対して固定電極３及び４と
可動電極２間の容量が変化する。
を用いてパターニングし、必要とする段差（ギャップ，
数μｍ）を形成する。次に、上記ホトリソグラフィー技
術を数回繰り返し行い可動電極２，カンチレバー（梁）
８を形成する。この時、可動電極両面７ａ及び、ガラス
基板と接合される部分７ｂは高濃度にドーピングされ、
エッチングの際はこの部分がマスクされた形となりエッ
チングされない。次に、ガラス基板５，６をマスク蒸着
または、ホトリソグラフィー技術を用いて固定電極３，
４を形成する。この様にして形成したシリコン基板１に
相対して２組のガラス基板５，６を３層積層し、陽極接
合を用いてシリコン基板，ガラス基板２組を接合する。
以上より、ガラス基板５の固定電極３とガラス基板６の
固定電極４は、シリコン基板１の可動電極２に対向して
配され、印加された加速度に対して固定電極３及び４と
可動電極２間の容量が変化する。
【００１１】ここで用いる電極間ギャップ（容量）９
ａ，９ｂ；Ｃ1，Ｃ2は、 Ｃ1，Ｃ2＝ε・Ａ／ｄ …（数１） （Ｃ1，Ｃ2；容量，ε；比誘電率，Ａ；電極面積，ｄ；
電極間ギャップ）で表され、感度；ｄｃ／ｄｘは、 ｄｃ／ｄｘ＝−ε・Ａ／Ｘ2 …（数２） となり、電極間ギャップ９ａ，９ｂが小さいほど感度が
良好になる。但し、電極間ギャップは数ミクロン程度し
かないためサブミクロンオーダーの制御が必要と成る。
しかし、酸化膜をエッチングマスクとしたプロセスを用
いた場合、酸化膜がシリコンと同様に微量ながらエッチ
ングされるため、精度良く電極間ギャップを形成するこ
とが険しい。このため、シリコンエッチング前にシリコ
ン基板１の可動電極両面７ａおよび、ガラス基板と接合
される面７ｂを高濃度にドーピング（例えば、ボロン；
２×１０20／cm3 以上）すれば、シリコンエッチングの
際にドーピングされた面は、エッチングされないため電
極間ギャップ９ａ，９ｂを精度良く形成することが可能
となる。また、上記の方法でエッチングを行えば電極間
ギャップ９ａ，９ｂを狭くすることが可能となり感度向
上が望める。また、ドーピングされた面はバルクのシリ
コンより比誘電率が高いため、（１）式より感度向上が
望める。感度が高い場合、信号処理回路部分の信号増幅
率を低く抑えることが可能となるため、出力信号に含ま
れる誤差成分の増幅も低く抑えられ、センサ全体の精度
向上にもつながる。
ａ，９ｂ；Ｃ1，Ｃ2は、 Ｃ1，Ｃ2＝ε・Ａ／ｄ …（数１） （Ｃ1，Ｃ2；容量，ε；比誘電率，Ａ；電極面積，ｄ；
電極間ギャップ）で表され、感度；ｄｃ／ｄｘは、 ｄｃ／ｄｘ＝−ε・Ａ／Ｘ2 …（数２） となり、電極間ギャップ９ａ，９ｂが小さいほど感度が
良好になる。但し、電極間ギャップは数ミクロン程度し
かないためサブミクロンオーダーの制御が必要と成る。
しかし、酸化膜をエッチングマスクとしたプロセスを用
いた場合、酸化膜がシリコンと同様に微量ながらエッチ
ングされるため、精度良く電極間ギャップを形成するこ
とが険しい。このため、シリコンエッチング前にシリコ
ン基板１の可動電極両面７ａおよび、ガラス基板と接合
される面７ｂを高濃度にドーピング（例えば、ボロン；
２×１０20／cm3 以上）すれば、シリコンエッチングの
際にドーピングされた面は、エッチングされないため電
極間ギャップ９ａ，９ｂを精度良く形成することが可能
となる。また、上記の方法でエッチングを行えば電極間
ギャップ９ａ，９ｂを狭くすることが可能となり感度向
上が望める。また、ドーピングされた面はバルクのシリ
コンより比誘電率が高いため、（１）式より感度向上が
望める。感度が高い場合、信号処理回路部分の信号増幅
率を低く抑えることが可能となるため、出力信号に含ま
れる誤差成分の増幅も低く抑えられ、センサ全体の精度
向上にもつながる。
【００１２】図２は、図１に示した実施例において、シ
リコン基板１に電極間ギャップ分の厚さのエピタキシャ
ル層１０を設けることにより、電極間ギャップ９ａ，９
ｂを精度良く形成することが可能と成り、上記と同様の
効果が望める。
リコン基板１に電極間ギャップ分の厚さのエピタキシャ
ル層１０を設けることにより、電極間ギャップ９ａ，９
ｂを精度良く形成することが可能と成り、上記と同様の
効果が望める。
【００１３】図３は、図１に示したシリコン基板１の加
工プロセスの概略を示す。（ａ）シリコン基板１の両面
に酸化膜または、窒化膜１１を形成し、ホトリソグラフ
ィー技術を用いて電極間ギャップ用エッチング窓１２を
開ける。（ｂ)(ａ）にて形成したエッチング窓部１２を
電極間ギャップ分（数ミクロン）シリコンエッチングす
る。次に、膜１１を全面除去し、酸化膜または、窒化膜
１３等を全面に形成し、ホトリソグラフィー技術を用い
て貫通エッチングする部分だけエッチング窓１４を開け
る。（ｃ）エッチング窓１４をシリコンエッチングし、
段差１５を形成する。次に、膜１３を全面除去し、酸化
膜または、窒化膜１６等を全面に形成し、ホトリソグラ
フィー技術を用いてカンチレバー８を形成する部分のエ
ッチング窓開け１７をする。（ｄ）可動電極両面７ａと
ガラス基板と接合される部分７ｂを高濃度ドーピングす
る。次に、シリコンエッチングを行い、カンチレバー８
と可動電極２を形成する。以上により、シリコン基板１
に可動電極２および、カンチレバー８が形成される。
工プロセスの概略を示す。（ａ）シリコン基板１の両面
に酸化膜または、窒化膜１１を形成し、ホトリソグラフ
ィー技術を用いて電極間ギャップ用エッチング窓１２を
開ける。（ｂ)(ａ）にて形成したエッチング窓部１２を
電極間ギャップ分（数ミクロン）シリコンエッチングす
る。次に、膜１１を全面除去し、酸化膜または、窒化膜
１３等を全面に形成し、ホトリソグラフィー技術を用い
て貫通エッチングする部分だけエッチング窓１４を開け
る。（ｃ）エッチング窓１４をシリコンエッチングし、
段差１５を形成する。次に、膜１３を全面除去し、酸化
膜または、窒化膜１６等を全面に形成し、ホトリソグラ
フィー技術を用いてカンチレバー８を形成する部分のエ
ッチング窓開け１７をする。（ｄ）可動電極両面７ａと
ガラス基板と接合される部分７ｂを高濃度ドーピングす
る。次に、シリコンエッチングを行い、カンチレバー８
と可動電極２を形成する。以上により、シリコン基板１
に可動電極２および、カンチレバー８が形成される。
【００１４】図３に示したプロセスにおいて、シリコン
基板１に初期的に高濃度ドーピングを実施しておいても
問題ない。また、（ｂ)，(ｃ）において、酸化膜およ
び、窒化膜等１３，１６をそれぞれ、パターニング後、
積層しても何ら問題ない。
基板１に初期的に高濃度ドーピングを実施しておいても
問題ない。また、（ｂ)，(ｃ）において、酸化膜およ
び、窒化膜等１３，１６をそれぞれ、パターニング後、
積層しても何ら問題ない。
【００１５】図４は、シリコン基板１８にダイヤフラム
１９と可動電極２０を形成し、可動電極面２３ａとガラ
ス基板との接合面２３ｂに高濃度ドーピングを行った
後、可動電極に相対した面に固定電極２２を形成したガ
ラス基板２１またシリコン基板１８の反対面にガラス基
板２４を積層接合した構造である。この様なダイヤフラ
ムを用いた構造体は、ガラス／シリコン，シリコン／シ
リコンの２層構造においても可能である。
１９と可動電極２０を形成し、可動電極面２３ａとガラ
ス基板との接合面２３ｂに高濃度ドーピングを行った
後、可動電極に相対した面に固定電極２２を形成したガ
ラス基板２１またシリコン基板１８の反対面にガラス基
板２４を積層接合した構造である。この様なダイヤフラ
ムを用いた構造体は、ガラス／シリコン，シリコン／シ
リコンの２層構造においても可能である。
【００１６】図５は、シリコン／シリコン／シリコンの
３層構造で、電極間ギャップ２９を上下シリコン基板３
０，３１に形成し、シリコン直接接合等で接合した構造
である。また、ガラス／シリコン／ガラスの構造体にお
いても同様にガラス基板に電極間ギャップを形成して
も、何ら問題ない。
３層構造で、電極間ギャップ２９を上下シリコン基板３
０，３１に形成し、シリコン直接接合等で接合した構造
である。また、ガラス／シリコン／ガラスの構造体にお
いても同様にガラス基板に電極間ギャップを形成して
も、何ら問題ない。
【００１７】以上に示した各構造体は、従来の構造体に
対して図１に示した様にプロセスの簡略化，精度向上お
よび、性能向上が可能となる。
対して図１に示した様にプロセスの簡略化，精度向上お
よび、性能向上が可能となる。
【００１８】以上においては、高濃度領域の形成にドー
ピングを用いているが、拡散において高濃度領域を形成
しても問題ない。
ピングを用いているが、拡散において高濃度領域を形成
しても問題ない。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、以上述べたことから判
るように、ガラス／シリコン／ガラス，シリコン／シリ
コン／シリコン，シリコン／シリコン，ガラス／シリコ
ンの各構造体の出力特性精度向上，性能向上、および、
製造プロセスの工程簡略化に効果がある。
るように、ガラス／シリコン／ガラス，シリコン／シリ
コン／シリコン，シリコン／シリコン，ガラス／シリコ
ンの各構造体の出力特性精度向上，性能向上、および、
製造プロセスの工程簡略化に効果がある。
【図１】加速度センサの構造図である。
【図２】加速度センサの構造図である。
【図３】シリコン基板プロセス概略図である。
【図４】加速度センサの構造図である。
【図５】加速度センサの構造図である。
１…シリコン基板、２…可動電極、３…固定電極、４…
固定電極、５…ガラス電極、６…ガラス電極、７ａ…可
動電極面上ドーピング部、７ｂ…高濃度ドーピング部、
８…カンチレバー、９ａ…電極間ギャップ、９ｂ…電極
間ギャップ、１０…エピタキシャル層、１１…酸化膜又
は窒化膜、１２…エッチング窓部、１３…酸化膜又は窒
化膜、１４…エッチング窓部、１５…シリコン段差、１
６…酸化膜又は窒化膜、１７…エッチング窓部、１８…
シリコン基板、１９…ダイヤフラム、２０…可動電極、
２１…ガラス基板、２２…固定電極、２３ａ…可動電極
面上ドーピング部、２３ｂ…高濃度ドーピング部、２４
…ガラス電極、２５…シリコン基板、２６ａ…可動電極
面上ドーピング部、２６ｂ…高濃度ドーピング部、２７
…可動電極、２８…カンチレバー、２９…電極間ギャッ
プ、３０…ガラス基板、３１…ガラス基板。
固定電極、５…ガラス電極、６…ガラス電極、７ａ…可
動電極面上ドーピング部、７ｂ…高濃度ドーピング部、
８…カンチレバー、９ａ…電極間ギャップ、９ｂ…電極
間ギャップ、１０…エピタキシャル層、１１…酸化膜又
は窒化膜、１２…エッチング窓部、１３…酸化膜又は窒
化膜、１４…エッチング窓部、１５…シリコン段差、１
６…酸化膜又は窒化膜、１７…エッチング窓部、１８…
シリコン基板、１９…ダイヤフラム、２０…可動電極、
２１…ガラス基板、２２…固定電極、２３ａ…可動電極
面上ドーピング部、２３ｂ…高濃度ドーピング部、２４
…ガラス電極、２５…シリコン基板、２６ａ…可動電極
面上ドーピング部、２６ｂ…高濃度ドーピング部、２７
…可動電極、２８…カンチレバー、２９…電極間ギャッ
プ、３０…ガラス基板、３１…ガラス基板。
Claims (7)
- 【請求項１】シリコン基板をエッチングにより、カンチ
レバーとその先端に可動電極を形成し、可動電極に相対
して２組のガラス基板にアルミニュウム（Ａｌ）等の固
定電極を設けた構造体において、前記３層構造である可
動電極と固定電極の空隙（容量）の変化のための空隙の
寸法が所定の値に拘束または制御され、その変位から出
力信号を取り出すものにおいて、前記シリコン基板の可
動電極部表面とガラス基板との接合面を高濃度にドープ
または、拡散したことを特徴とした加速度センサ。 - 【請求項２】請求項１に記載の加速度センサにおいて、
可動電極をダイヤフラムで支持したことを特徴とした加
速度センサ。 - 【請求項３】請求項１に記載の加速度センサにおいて、
エッチング不要部分を高濃度（例えばボロン２×１０20
／cm3 以上）にドープまたは、拡散し、この部分をエッ
チングの際のエッチストッパーに用いたことを特徴とし
た加速度センサ。 - 【請求項４】請求項１に記載の加速度センサにおいて、
可動電極と固定電極の空隙（容量）を可動電極を形成し
たシリコン基板にエピタキシャル層を用いて形成したこ
とを特徴とした加速度センサ。 - 【請求項５】請求項１に記載の加速度センサにおいて、
ガラス／シリコン／ガラスの３層構造をガラス／シリコ
ン，シリコン／シリコンの２層構造で形成したことを特
徴とした加速度センサ。 - 【請求項６】請求項１に記載の加速度センサにおいて、
２組のガラス基板上に形成された固定電極を２組のシリ
コン基板上に形成したことを特徴とした加速度センサ。 - 【請求項７】請求項６に記載の加速度センサにおいて、
可動電極と固定電極の空隙（容量）を固定電極を形成し
たシリコン基板にエピタキシャル層を用いて形成したこ
とを特徴とした加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5018444A JPH06230028A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5018444A JPH06230028A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230028A true JPH06230028A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11971808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5018444A Pending JPH06230028A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06230028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007118207A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 積層体の加工方法 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP5018444A patent/JPH06230028A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007118207A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 積層体の加工方法 |
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