JPH06235079A - 薄膜の再生方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法 - Google Patents
薄膜の再生方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法Info
- Publication number
- JPH06235079A JPH06235079A JP5044693A JP4469393A JPH06235079A JP H06235079 A JPH06235079 A JP H06235079A JP 5044693 A JP5044693 A JP 5044693A JP 4469393 A JP4469393 A JP 4469393A JP H06235079 A JPH06235079 A JP H06235079A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- film
- ion beam
- beam etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜室から基板を取出すことなく、薄膜また
は基板を再利用する。 【構成】 基板に成膜された薄膜の一部分あるいは全部
の薄膜性能に欠陥がある場合に、成膜室内においてイオ
ンビームエッチングを行い、薄膜の一部分あるいは全部
を除去し、残りの薄膜または基板に新たな薄膜を成膜す
る。イオンビームエッチングは２０００ｅＶ以下の弱い
イオンビームを用いて行う。薄膜の材料を有効に利用す
ることができるとともに、基板の表面を平滑化するため
の特別な工程を必要としない。
は基板を再利用する。 【構成】 基板に成膜された薄膜の一部分あるいは全部
の薄膜性能に欠陥がある場合に、成膜室内においてイオ
ンビームエッチングを行い、薄膜の一部分あるいは全部
を除去し、残りの薄膜または基板に新たな薄膜を成膜す
る。イオンビームエッチングは２０００ｅＶ以下の弱い
イオンビームを用いて行う。薄膜の材料を有効に利用す
ることができるとともに、基板の表面を平滑化するため
の特別な工程を必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射膜や反射防止膜等
の光学膜または他の薄膜を作製するための、薄膜の再生
方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法に関するもの
である。
の光学膜または他の薄膜を作製するための、薄膜の再生
方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】反射膜や反射防止膜等の光学膜を成膜す
るに際しては、蒸着室の真空度や蒸着速度、あるいは蒸
着源の加熱エネルギー等を高精度で制御する必要があ
り、これらの成膜条件が一つでも不完全であれば所定の
性能を持った薄膜を得ることができない。従って、成膜
中に成膜条件の不備が見つかったり、成膜後の測定によ
って薄膜が所定の性能をもっていないことが判明した場
合は、研磨等の機械加工によって薄膜を完全に基板から
除去し、再度成膜を行うのが一般的であった。また、成
膜後の測定によって薄膜の膜厚が不足しているのが判っ
た場合でも、これをそのまま蒸着室へもどして足りなか
った膜厚分を付加することはせず、やはり研磨によって
薄膜を完全に除去したのちに基板を蒸着室へもどし、成
膜をはじめからやりなおすのが普通であった。その理由
は、一度大気中に取出された薄膜は、水分等の付着によ
って表面状態が変化しており、新たに膜厚分を付加して
も、所定の性能を得ることができないからである。
るに際しては、蒸着室の真空度や蒸着速度、あるいは蒸
着源の加熱エネルギー等を高精度で制御する必要があ
り、これらの成膜条件が一つでも不完全であれば所定の
性能を持った薄膜を得ることができない。従って、成膜
中に成膜条件の不備が見つかったり、成膜後の測定によ
って薄膜が所定の性能をもっていないことが判明した場
合は、研磨等の機械加工によって薄膜を完全に基板から
除去し、再度成膜を行うのが一般的であった。また、成
膜後の測定によって薄膜の膜厚が不足しているのが判っ
た場合でも、これをそのまま蒸着室へもどして足りなか
った膜厚分を付加することはせず、やはり研磨によって
薄膜を完全に除去したのちに基板を蒸着室へもどし、成
膜をはじめからやりなおすのが普通であった。その理由
は、一度大気中に取出された薄膜は、水分等の付着によ
って表面状態が変化しており、新たに膜厚分を付加して
も、所定の性能を得ることができないからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、成膜された薄膜が不良品であった場合
に、これを基板から除去して再度成膜できる状態に再生
するには、成膜室の外で薄膜を研磨等の機械加工によっ
て除去したうえに、基板の表面を平滑化する工程が必要
であり、また、単に膜厚が不足するだけで薄膜の他の性
能に問題がない場合でも、基板を再生したうえで成膜を
初めからやりなおさなければならず、さらに、成膜中に
成膜条件の不備が見つかった場合も、蒸着室から基板を
取出して薄膜を除去し、基板を再生したのちに再度成膜
を行う必要があった。
の技術によれば、成膜された薄膜が不良品であった場合
に、これを基板から除去して再度成膜できる状態に再生
するには、成膜室の外で薄膜を研磨等の機械加工によっ
て除去したうえに、基板の表面を平滑化する工程が必要
であり、また、単に膜厚が不足するだけで薄膜の他の性
能に問題がない場合でも、基板を再生したうえで成膜を
初めからやりなおさなければならず、さらに、成膜中に
成膜条件の不備が見つかった場合も、蒸着室から基板を
取出して薄膜を除去し、基板を再生したのちに再度成膜
を行う必要があった。
【０００４】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、成膜中あるいは成膜
後の薄膜に不要部分や不良部分が見つかった場合に、成
膜室内で前記薄膜の不要部分または不良部分を除去し、
残りの薄膜部分を無駄にすることなく利用できる薄膜の
再生方法を提供することを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、成膜中あるいは成膜
後の薄膜に不要部分や不良部分が見つかった場合に、成
膜室内で前記薄膜の不要部分または不良部分を除去し、
残りの薄膜部分を無駄にすることなく利用できる薄膜の
再生方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】また、成膜された薄膜が不良あるいは不要
である場合に、成膜室内で容易に薄膜を除去し、基板を
再利用できる基板の再生方法を提供することを目的とす
るものである。
である場合に、成膜室内で容易に薄膜を除去し、基板を
再利用できる基板の再生方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の薄膜の再生方法は、成膜された薄膜の不要
部分または不良部分をイオンビームエッチングによって
除去することを特徴とする。
めに本発明の薄膜の再生方法は、成膜された薄膜の不要
部分または不良部分をイオンビームエッチングによって
除去することを特徴とする。
【０００７】また、基板の再生方法は、基板に成膜され
た薄膜のすべてをイオンビームエッチングによって除去
することを特徴とする。
た薄膜のすべてをイオンビームエッチングによって除去
することを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記方法によれば、成膜された薄膜が不良品で
ある場合や膜厚が大きすぎる場合に、成膜室内で薄膜の
不要部分または不良部分をイオンビームエッチングによ
って除去し、残りの薄膜を製品として利用するか、また
はその上に新たな薄膜を成膜することができる。
ある場合や膜厚が大きすぎる場合に、成膜室内で薄膜の
不要部分または不良部分をイオンビームエッチングによ
って除去し、残りの薄膜を製品として利用するか、また
はその上に新たな薄膜を成膜することができる。
【０００９】また、イオンビームエッチングによって薄
膜をすべて除去したうえに基板の表面を平滑化すること
で基板を再生し、新たな薄膜を成膜できる。
膜をすべて除去したうえに基板の表面を平滑化すること
で基板を再生し、新たな薄膜を成膜できる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１１】（第１実施例）図１は、公知の成膜工程に
よって波長３５５ｎｍのレーザ光用に作製された反射防
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。該反射防止
膜は、石英基板に順次ＺｒＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2
の薄膜を積層した多層膜からなり、成膜条件は、酸素分
圧１×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度３００℃、成膜レート
２〜１０Å／ｓであった。所定の成膜工程を終えたのち
に薄膜の分光反射率特性を測定したところ、図１に示す
ように、最も低い反射率を示す波長は４００ｎｍであ
り、所望の波長３５５ｎｍよりずれている。その理由
は、最終層のＳｉＯ2 の膜厚が大きすぎるためと考えら
れるため、基板をそのまま成膜室である蒸着室へもどし
たうえでイオンビームエッチングによって４００ｅＶの
ビームエネルギーで最終層のＳｉＯ2 の膜厚の一部分を
除去した。反射率のずれが少い場合は、このようにイオ
ンビームのビームエネルギーを弱くしてエッチングレー
トを低くした方が制御しやすい。イオンビームエッチン
グによって除去される膜厚の量は、光学モニタにより、
３５５ｎｍのモニタ波長で制御した。
よって波長３５５ｎｍのレーザ光用に作製された反射防
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。該反射防止
膜は、石英基板に順次ＺｒＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2
の薄膜を積層した多層膜からなり、成膜条件は、酸素分
圧１×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度３００℃、成膜レート
２〜１０Å／ｓであった。所定の成膜工程を終えたのち
に薄膜の分光反射率特性を測定したところ、図１に示す
ように、最も低い反射率を示す波長は４００ｎｍであ
り、所望の波長３５５ｎｍよりずれている。その理由
は、最終層のＳｉＯ2 の膜厚が大きすぎるためと考えら
れるため、基板をそのまま成膜室である蒸着室へもどし
たうえでイオンビームエッチングによって４００ｅＶの
ビームエネルギーで最終層のＳｉＯ2 の膜厚の一部分を
除去した。反射率のずれが少い場合は、このようにイオ
ンビームのビームエネルギーを弱くしてエッチングレー
トを低くした方が制御しやすい。イオンビームエッチン
グによって除去される膜厚の量は、光学モニタにより、
３５５ｎｍのモニタ波長で制御した。
【００１２】図２は、このようにして膜厚の一部を除去
したのちに測定された薄膜の分光反射率特性を示す。最
も低い反射率を示す波長は３６０ｎｍであり、３５５ｎ
ｍの波長のレーザ光に対する反射率はイオンビームエッ
チング前の１．６％から０．１％まで低下していた。
したのちに測定された薄膜の分光反射率特性を示す。最
も低い反射率を示す波長は３６０ｎｍであり、３５５ｎ
ｍの波長のレーザ光に対する反射率はイオンビームエッ
チング前の１．６％から０．１％まで低下していた。
【００１３】（第２実施例）図３は、公知の成膜工程に
よって波長５３２ｎｍのレーザ光用に作製された反射防
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。。該反射防
止膜は、石英基板に順次ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 の薄膜を積
層した多層膜からなり、成膜条件は、第１実施例と同じ
である。所定の成膜工程を終えたのちに基板を蒸着室か
ら取出して薄膜の分光反射率特性を測定したところ、図
３に示すように、最も低い反射率を示す波長は４９０ｎ
ｍであり、所望の波長５３２ｎｍより低い。これは、最
終層のＳｉＯ2 が所定の膜厚より小さいためと判断し、
基板をそのまま成膜室である蒸着室へもどしたうえでイ
オンビームエッチングによって−ＯＨ基等の付着した薄
膜の表面層を除去し、続いてＳｉＯ2 の蒸着を行い最終
層の膜厚を所定量だけ付加した。なお、イオンビームエ
ッチングは４００ｅＶのビームエネルギーで５秒間行
い、続くＳｉＯ2 の蒸着においては、光学モニタにより
５３２ｎｍのモニタ波長で膜厚の制御を行った。
よって波長５３２ｎｍのレーザ光用に作製された反射防
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。。該反射防
止膜は、石英基板に順次ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 の薄膜を積
層した多層膜からなり、成膜条件は、第１実施例と同じ
である。所定の成膜工程を終えたのちに基板を蒸着室か
ら取出して薄膜の分光反射率特性を測定したところ、図
３に示すように、最も低い反射率を示す波長は４９０ｎ
ｍであり、所望の波長５３２ｎｍより低い。これは、最
終層のＳｉＯ2 が所定の膜厚より小さいためと判断し、
基板をそのまま成膜室である蒸着室へもどしたうえでイ
オンビームエッチングによって−ＯＨ基等の付着した薄
膜の表面層を除去し、続いてＳｉＯ2 の蒸着を行い最終
層の膜厚を所定量だけ付加した。なお、イオンビームエ
ッチングは４００ｅＶのビームエネルギーで５秒間行
い、続くＳｉＯ2 の蒸着においては、光学モニタにより
５３２ｎｍのモニタ波長で膜厚の制御を行った。
【００１４】図４は、このようにして膜厚を付加したの
ちに測定された薄膜の分光反射率特性を示す。最も低い
反射率を示す波長は５３５ｎｍであり、波長５３２ｎｍ
における反射率は１．２％から０．３％まで低下してい
た。第１および第２の実施例によれば、製作された薄膜
の膜厚に過不足がある場合には、再び蒸着室へもどして
イオンビームエッチングによって表面層を除去し、膜厚
の削除あるいは付加を行うことで薄膜を再生し、所望の
薄膜製品を得ることができる。
ちに測定された薄膜の分光反射率特性を示す。最も低い
反射率を示す波長は５３５ｎｍであり、波長５３２ｎｍ
における反射率は１．２％から０．３％まで低下してい
た。第１および第２の実施例によれば、製作された薄膜
の膜厚に過不足がある場合には、再び蒸着室へもどして
イオンビームエッチングによって表面層を除去し、膜厚
の削除あるいは付加を行うことで薄膜を再生し、所望の
薄膜製品を得ることができる。
【００１５】（第３実施例）ＳｉＯ2 の薄膜を蒸着した
石英基板にイオンビームエッチングを施して、薄膜を除
去し、基板の表面を蒸着前の状態に再生した。比較のた
めに、石英基板の表面の一部分に耐熱テープ（カプトン
テープ：３Ｍ製）を貼りつけたうえで、石英基板の表面
全体にＳｉＯ2 の薄膜を蒸着した。成膜条件は、酸素分
圧１×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度３００℃、成膜レート
３〜６Å／ｓであった。膜厚制御は水晶振動子を用いて
行い、最終膜厚は１２０Å程度であった。成膜後、成膜
されたＳｉＯ2 の薄膜をすべてイオンビームエッチング
によって除去し、耐熱テープをはがして石英基板の表面
の状態を観察した。なお、イオンビームエッチングにお
けるビームエネルギーは８００ｅＶ、エッチングレート
は３Å／ｓ程度、エッチング時間は計算上では４０秒で
充分であるが石英基板の表面層が変質していることも考
慮して６０秒とした。
石英基板にイオンビームエッチングを施して、薄膜を除
去し、基板の表面を蒸着前の状態に再生した。比較のた
めに、石英基板の表面の一部分に耐熱テープ（カプトン
テープ：３Ｍ製）を貼りつけたうえで、石英基板の表面
全体にＳｉＯ2 の薄膜を蒸着した。成膜条件は、酸素分
圧１×１０-4ｔｏｒｒ、基板温度３００℃、成膜レート
３〜６Å／ｓであった。膜厚制御は水晶振動子を用いて
行い、最終膜厚は１２０Å程度であった。成膜後、成膜
されたＳｉＯ2 の薄膜をすべてイオンビームエッチング
によって除去し、耐熱テープをはがして石英基板の表面
の状態を観察した。なお、イオンビームエッチングにお
けるビームエネルギーは８００ｅＶ、エッチングレート
は３Å／ｓ程度、エッチング時間は計算上では４０秒で
充分であるが石英基板の表面層が変質していることも考
慮して６０秒とした。
【００１６】石英基板の、耐熱テープを貼りつけて蒸着
を行った表面部分と直接蒸着を行った表面部分を、それ
ぞれ直径方向に５点断差計で測定し、かつ、表面粗さを
測定したところ、直接蒸着を行った表面部分がほぼ均一
に４０Å程度エッチングされており、表面粗さは３〜６
Åであった。耐熱テープを貼りつけた部分は蒸着前の基
板の表面状態のままであり、表面粗さは５〜７Åであっ
た。これによって、イオンビームエッチングを行うこと
によって基板の表面状態は改善されることが判明した。
また、可視域における吸収を測定したところ、イオンビ
ームエッチングを施した部分に変化はみられなかった。
を行った表面部分と直接蒸着を行った表面部分を、それ
ぞれ直径方向に５点断差計で測定し、かつ、表面粗さを
測定したところ、直接蒸着を行った表面部分がほぼ均一
に４０Å程度エッチングされており、表面粗さは３〜６
Åであった。耐熱テープを貼りつけた部分は蒸着前の基
板の表面状態のままであり、表面粗さは５〜７Åであっ
た。これによって、イオンビームエッチングを行うこと
によって基板の表面状態は改善されることが判明した。
また、可視域における吸収を測定したところ、イオンビ
ームエッチングを施した部分に変化はみられなかった。
【００１７】次に、前述と同様に石英基板の一部分を耐
熱テープで覆い、石英基板の表面全体にＳｉＯ2 の薄膜
を蒸着したのち、ビームエネルギーの異なるイオンビー
ムエッチングによって薄膜を除去して石英基板の表面を
再生し、エッチングされた石英基板の表面の表面粗さと
波長３６５ｎｍのレーザ光に対する吸収率を測定した結
果を表１に示す。
熱テープで覆い、石英基板の表面全体にＳｉＯ2 の薄膜
を蒸着したのち、ビームエネルギーの異なるイオンビー
ムエッチングによって薄膜を除去して石英基板の表面を
再生し、エッチングされた石英基板の表面の表面粗さと
波長３６５ｎｍのレーザ光に対する吸収率を測定した結
果を表１に示す。
【００１８】また、ＢＫ７基板の一部分を耐熱テープで
覆い、ＢＫ７基板全体にＳｉＯ2 の薄膜を蒸着したの
ち、ビームエネルギーの異なるイオンビームエッチング
によって薄膜を除去してＢＫ７基板の表面を再生し、エ
ッチングされたＢＫ７基板の表面の表面粗さと波長５３
２ｎｍのレーザ光に対する吸収率を測定した結果を表２
に示す。
覆い、ＢＫ７基板全体にＳｉＯ2 の薄膜を蒸着したの
ち、ビームエネルギーの異なるイオンビームエッチング
によって薄膜を除去してＢＫ７基板の表面を再生し、エ
ッチングされたＢＫ７基板の表面の表面粗さと波長５３
２ｎｍのレーザ光に対する吸収率を測定した結果を表２
に示す。
【００１９】表１および表２から、薄膜を蒸着した基板
に、２０００ｅＶ以下のビームエネルギーによるイオン
ビームエッチングを施すことによって、薄膜を完全に除
去し、かつ、基板の表面を蒸着前の状態かそれ以上の良
好な表面状態に再生できることが判る。
に、２０００ｅＶ以下のビームエネルギーによるイオン
ビームエッチングを施すことによって、薄膜を完全に除
去し、かつ、基板の表面を蒸着前の状態かそれ以上の良
好な表面状態に再生できることが判る。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２３】成膜された薄膜が不良品であった場合に、
薄膜の不要部分または不良部分あるいは薄膜全部を成膜
室内で除去し、残りの薄膜または基板を再利用して新た
な薄膜を成膜できる。基板を成膜室から取出す工程や基
板の表面を平滑化する工程を省くことができるため、薄
膜の製造工程の短縮および製造コストの低下につなが
る。また、薄膜の材料を節約することができる。
薄膜の不要部分または不良部分あるいは薄膜全部を成膜
室内で除去し、残りの薄膜または基板を再利用して新た
な薄膜を成膜できる。基板を成膜室から取出す工程や基
板の表面を平滑化する工程を省くことができるため、薄
膜の製造工程の短縮および製造コストの低下につなが
る。また、薄膜の材料を節約することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】膜厚の大きすぎる反射防止膜の分光反射率特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図２】図１の分光反射率特性を有する反射防止膜の膜
の一部を除去したのちの分光反射率特性を示すグラフで
ある。
の一部を除去したのちの分光反射率特性を示すグラフで
ある。
【図３】膜厚の小さすぎる反射防止膜の分光反射率特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】図３の分光反射率特性を有する反射防止膜を成
膜室にもどしてイオンビームエッチングを行い、新たな
膜を成膜したのちの分光反射率特性を示すグラフであ
る。
膜室にもどしてイオンビームエッチングを行い、新たな
膜を成膜したのちの分光反射率特性を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢村 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 成膜された薄膜の不要部分または不良部
分をイオンビームエッチングによって除去することを特
徴とする薄膜の再生方法。 - 【請求項２】 イオンビームエッチングが薄膜を成膜す
る成膜室で行われることを特徴とする請求項１記載の薄
膜の再生方法。 - 【請求項３】 ２０００ｅＶ以下のイオンビームを用い
てイオンビームエッチングを行うことを特徴とする請求
項１または２記載の薄膜の再生方法。 - 【請求項４】 基板に成膜された薄膜のすべてをイオン
ビームエッチングによって除去することを特徴とする基
板の再生方法。 - 【請求項５】 イオンビームエッチングが薄膜を成膜す
る成膜室で行われることを特徴とする請求項４記載の基
板の再生方法。 - 【請求項６】 ２０００ｅＶ以下のイオンビームを用い
てイオンビームエッチングを行うことを特徴とする請求
項４または５記載の基板の再生方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし３いずれか１項記載の薄
膜の再生方法によって再生された薄膜に新たな薄膜を成
膜することを特徴とする薄膜成膜方法。 - 【請求項８】 請求項４ないし６いずれか１項記載の基
板の再生方法によって再生された基板に新たな薄膜を成
膜することを特徴とする薄膜成膜方法。 - 【請求項９】 イオンビームエッチングを行った成膜室
内において新たな薄膜を成膜することを特徴とする請求
項７または８記載の薄膜成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5044693A JPH06235079A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 薄膜の再生方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5044693A JPH06235079A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 薄膜の再生方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235079A true JPH06235079A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12698503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5044693A Pending JPH06235079A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 薄膜の再生方法、基板の再生方法および薄膜成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06235079A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111359996A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-03 | 电子科技大学 | 一种增透膜清洗复用装置及清洗方法 |
| CN113848680A (zh) * | 2020-06-26 | 2021-12-28 | 佳能株式会社 | 制造透过型的光学元件的制造方法、曝光装置、物品制造方法以及透过型的光学元件 |
| WO2024075909A1 (ko) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | 서울대학교 산학협력단 | 기계학습이 적용된 자동화된 박막 증착 시스템 및 박막 증착 방법 |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP5044693A patent/JPH06235079A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20220000809A (ko) * | 2020-06-26 | 2022-01-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 투과형의 광학 소자를 제조하는 제조방법, 노광장치, 물품의 제조방법 및 투과형의 광학 소자 |
| TWI858256B (zh) * | 2020-06-26 | 2024-10-11 | 日商佳能股份有限公司 | 曝光裝置及物品之製造方法 |
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