JPH0623565Y2 - Cvd装置用原料収納容器 - Google Patents

Cvd装置用原料収納容器

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JPH0623565Y2
JPH0623565Y2 JP1988039633U JP3963388U JPH0623565Y2 JP H0623565 Y2 JPH0623565 Y2 JP H0623565Y2 JP 1988039633 U JP1988039633 U JP 1988039633U JP 3963388 U JP3963388 U JP 3963388U JP H0623565 Y2 JPH0623565 Y2 JP H0623565Y2
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JP
Japan
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raw material
container
storage container
powder
material storage
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JP1988039633U
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JPH01147254U (ja
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進午 村上
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NEC Corp
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NEC Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はCVD(Chemical Vapor Deposition)装置に使用
する原料収納容器に関し,特に粉末原料の残存状況をモ
ニタできる原料収納容器に関する。
〔従来の技術〕
従来,CVD装置用原料収納容器では,使用する原料が毒
性を有するために完全密閉構造をとらねばならないこと
と,原料を気化するために原料収納容器全体を数10℃
以上に加熱しなければならないこととの為に,容器の一
部にガラス窓を設けて内部の原料の残存量を目視で確認
するような構造はとれなかった。
また,原料収納容器内に一対の透過形光センサを置き,
受光部への光が遮られているか否かで原料の有無を判断
しようとする試み,あるいは,原料収納容器内に一種の
バネ秤を設けその上に原料粉末を置き,バネ秤の沈み具
合を磁気センサ等を用いて外部からモニタすることによ
って原料の残存量を知ろうという試みが発表されてい
る。
〔考案が解決しようとする課題〕 上述した2種類の試みのうち,透過形光センサを用いる
ものでは,加熱により気化した原料ガスが光センサの投
光器あるいは受光器の表面に再固体化して付着し,光セ
ンサの感度を低下させること,加熱する容器内に置いた
場合に光センサの信頼性に問題があること,また原料収
納容器内に入れるべき原料の量が多くなって光センサの
投光器と受光器の間隔を広くとらねばならないような場
合,受光器からの信号が原料の有無に急速に追随するも
のとならず,原料収納容器内の原料の有無の判断にばら
つきが生じてしまうという問題点を有している。
一方,一種のバネ秤を利用する後者の場合も,バネ秤上
に置いた原料を加熱する手段に問題がある。すなわち,
この方法では原料の置かれている場所が収納容器の壁面
から独立しているために,収納容器の壁面を外部からヒ
ータで加熱するだけでは不充分であり、原料の載ってい
るバネ秤自体に加熱手段を設けねばならないが,一般的
に収納容器内に一度に充てんする原料の量が数グラムか
ら数十グラムであることを考えると,加熱手段を設けた
バネ秤ではその自重が原料に比して重くなり過ぎ,原料
の減少に伴うバネ秤の位置の変位が極く僅ずかになって
しまい信頼性に欠けるという問題点を有している。
本考案は従来のもののこのような問題点を解決しようと
するもので,外部から目視で観察できない容器中の原料
の残存状況をモニタできるCVD装置用原料収納容器を提
供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
固体粉末の原料を収納し、該収納した原料粉末を加熱気
化して原料ガスとしてCVD装置に供給する密閉型の筒
形原料収納器であって、容器中の原料粉末の表面に載せ
られて該表面のレベルの低下に追随する、多数の孔があ
けられた薄板状の可動接点と、該容器中の底部に設けら
れ、前記原料粉末の表面レベルが一定値以下に下ったと
きに前記可動接点と接触する固定接点と,これらの接点
と外部との導通をとるための信号導入端子とを有して構
成される。
〔実施例〕
次に,本考案について図面を参照して説明する。
第1図は本考案の一実施例の縦断面図である。原料粉末
3は底面にテーパのついた密閉容器4の中に点線で示す
ラインまで収められており,加熱・気化された原料が消
費されるに従って原料粉末の表面レベルは水平を保った
まま実線で示すラインまで次々に下っていく。これは,
原料が微小な粉末であり,気化が表面層から均等に行わ
れるためである。また,底面にテーパがつけてあるため
に,原料の落ちつきが良く,偏りが生じにくいことも寄
与している。
原料粉末の表面レベルをモニタするために,軽く作られ
た可動接点1が原料粉末の上に載っている。この可動接
点1はガイド7で支えられており,さらに信号線12を
通して信号導入端子6に接続されており,外部と導通を
とっている。一方,原料が一定値以下に下ったことを知
らせるための固定接点2は密閉容器4の底に置かれてお
り,信号導入端子5と一体化されている。
密閉容器4はその蓋13とOリング10を用いて密閉さ
れており,信号導入端子5,6の部分もハーメチックシ
ールやセラミック封止を用いることにより完全に気密が
保てる。
本実施例では,キャリアガスを用いているので,その導
入口8とキャリアガスと原料ガスの混合気体を装置へ送
るための送出口9とが設けられている。また,原料の加
熱は密閉容器4の周囲に巻いたヒータ11を加熱するこ
とによって行う。
第2図は本考案の第2の実施例を示す縦断面図である。
この実施例では密閉容器24の底面にはテーパはなく平
らである。原料粉末3の上に載せられる可動接点21は
薄い円板状で原料粉末3を抑える形になる。可動接点2
1の円板には多数の孔があけられており,加熱された原
料粉末3はこの孔を通って気化していく。
この実施例では,第1の実施例と異なり原料の減少に伴
って原料表面のキャリアガスに接する面積が減少するこ
とがないために,キャリアガスの流量を大きくして気化
量を多くとる場合に,常に一定の気化量を保証できると
いう利点がある。また,大量に原料を入れる場合にも適
している。例えば比重1.77のクロムカルボニルCr(C
O)を原料とする場合を考える。
このクロムカルボニル50gを,底面の直径(内径)8
0mm,高さ100mmの円筒形(底面積50cm2,内容積
500cm3)の第2の実施例に示す形式の容器に入れる
と,原料の表面は容器の底面から5.5mmの高さとな
り,接点間のストロークは充分である。一方,この容器
中にキャリアガス(例えばアルゴン等の不活性ガス)を
200SCCMで流し,容器中を40℃に加熱してクロムカ
ルボニルを気化して使用することを考える。近似的に常
に平衡状態を保っていると仮定しても,その予想気化量
は1.8×10-3g/minであり上記容器中の原料のクロ
ムカルボニルの表面レベルは平均して毎分20μm程度
しか下がらないことになる。このこととクロムカルボニ
ル粉末の粒径が10μmのオーダであることから,飽和
蒸気圧近い量のクロムカルボニルを上記の条件で気化さ
せることは可能である。このように,クロムカルボニル
を原料とする場合には充分な気化量を有し,かつ接点の
ストロークも充分にとれる容器を制作することができ
る。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は,原料収納容器内に原料の
表面レベルに追随して動く可動接点と原料表面がある一
定値以下に下がったときにこの可動接点と接触する固定
接点とを設け,電気的接点を形成することにより,外部
からは目視で観察できない容器中の原料の残存状況を確
実にモニタでき、さらに、多数の孔を有する固定接点の
場合には、気化量を多くとる場合に常に一定量の気化量
を保証するという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例の縦断面図,第2図は本
考案の第2の実施例の縦断面図である。 記号の説明:1,21……可動接点,2……固定接点,
3……原料粉末,4……密閉容器,5,6……信号導入
端子,11……ヒータ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】固体粉末の原料を収納し、該収納した原料
    粉末を加熱気化して原料ガスとしてCVD装置に供給す
    る密閉型の筒形原料収納器であって、容器中の原料粉末
    の表面に載せられて該表面のレベルの低下に追随する、
    多数の孔があけられた薄板状の可動接点と、該容器中の
    底部に設けられ、前記原料粉末の表面レベルが一定値以
    下に下がった時に前記可動接点と接触する固定接点と、
    これらの接点と外部との導通をとるための信号導入端子
    とを備えたCVD装置用原料収納容器。
JP1988039633U 1988-03-28 1988-03-28 Cvd装置用原料収納容器 Expired - Lifetime JPH0623565Y2 (ja)

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JPH01147254U JPH01147254U (ja) 1989-10-11
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007520052A (ja) * 2003-09-30 2007-07-19 東京エレクトロン株式会社 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法。

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