JPH06236523A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPH06236523A JPH06236523A JP1984793A JP1984793A JPH06236523A JP H06236523 A JPH06236523 A JP H06236523A JP 1984793 A JP1984793 A JP 1984793A JP 1984793 A JP1984793 A JP 1984793A JP H06236523 A JPH06236523 A JP H06236523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- magnetic recording
- layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層磁気抵抗効果膜を磁気ヘッドに用いた磁
気記録再生装置を提供する。 【構成】 磁性層としてのＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層と非磁性
層としてのＣｕ層を積層した多層磁気抵抗効果膜３１を
再生ヘッド部に用いる。膜３１の端面と磁気記録媒体２
１の磁性層２１ｂの表面との距離ｄを０．２３μｍ以
下、好ましくは０．１２μｍ以下に設定して情報を再生
する。膜３１の飽和磁界を１００Ｏｅ以上、好ましくは
２００Ｏｅ以上に設定する。 【効果】 線形性の優れた再生特性を持つ磁気記録再生
装置が得られる。
気記録再生装置を提供する。 【構成】 磁性層としてのＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層と非磁性
層としてのＣｕ層を積層した多層磁気抵抗効果膜３１を
再生ヘッド部に用いる。膜３１の端面と磁気記録媒体２
１の磁性層２１ｂの表面との距離ｄを０．２３μｍ以
下、好ましくは０．１２μｍ以下に設定して情報を再生
する。膜３１の飽和磁界を１００Ｏｅ以上、好ましくは
２００Ｏｅ以上に設定する。 【効果】 線形性の優れた再生特性を持つ磁気記録再生
装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気記録再生装置に
関し、さらに詳しく言えば、高い抵抗変化率を持つ多層
磁気抵抗効果膜を磁気ヘッドに用いた磁気記録再生装置
に関する。
関し、さらに詳しく言えば、高い抵抗変化率を持つ多層
磁気抵抗効果膜を磁気ヘッドに用いた磁気記録再生装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化に伴い、再生
用磁気ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料としていっそう
高い磁気抵抗効果を発現する材料が求められている。こ
の材料には、現在使用されているパ−マロイの抵抗変化
率（約３％）を上回る抵抗変化率が望まれる。ここで
「抵抗変化率」とは、飽和磁界を印加した時の抵抗率ρ
Sに対する抵抗率変化量Δρの比、すなわち（Δρ／
ρS）を意味する。
用磁気ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料としていっそう
高い磁気抵抗効果を発現する材料が求められている。こ
の材料には、現在使用されているパ−マロイの抵抗変化
率（約３％）を上回る抵抗変化率が望まれる。ここで
「抵抗変化率」とは、飽和磁界を印加した時の抵抗率ρ
Sに対する抵抗率変化量Δρの比、すなわち（Δρ／
ρS）を意味する。
【０００３】このような高い磁気抵抗効果を発現する材
料の一例として、フィジカル・レビュ−・レタ−ズ（Py
sical Review Letters）、第61巻（1988年）、第21号、
第2472〜2475頁には、「（００１）Ｆｅ／（００１）Ｃ
ｒ磁性超格子の巨大磁気抵抗効果」（Giant Magnetores
istance of （001）Fe/（001）Cr Magnetic Super-latt
ices）と題して、磁性層としてのＦｅ層と非磁性層とし
てのＣｒ層とを積層してなる多層磁気抵抗効果膜で４．
２Ｋの温度において約５０％の抵抗変化率が観測された
ことが Baibich らにより報告されている。
料の一例として、フィジカル・レビュ−・レタ−ズ（Py
sical Review Letters）、第61巻（1988年）、第21号、
第2472〜2475頁には、「（００１）Ｆｅ／（００１）Ｃ
ｒ磁性超格子の巨大磁気抵抗効果」（Giant Magnetores
istance of （001）Fe/（001）Cr Magnetic Super-latt
ices）と題して、磁性層としてのＦｅ層と非磁性層とし
てのＣｒ層とを積層してなる多層磁気抵抗効果膜で４．
２Ｋの温度において約５０％の抵抗変化率が観測された
ことが Baibich らにより報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】多層磁気抵抗効果膜は
一般に飽和磁界が高く、磁気ヘッドとして必要な抵抗変
化を生じさせるには非常に高い磁界を印加することが必
要である。このため、磁気ヘッドへの応用は困難である
とされている。
一般に飽和磁界が高く、磁気ヘッドとして必要な抵抗変
化を生じさせるには非常に高い磁界を印加することが必
要である。このため、磁気ヘッドへの応用は困難である
とされている。
【０００５】そこで、この発明の目的は、磁性層と非磁
性層とを積層してなる多層磁気抵抗効果膜を磁気ヘッド
に用いた磁気記録再生装置を提供することにある。
性層とを積層してなる多層磁気抵抗効果膜を磁気ヘッド
に用いた磁気記録再生装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気記録再生
装置は、磁性層と非磁性層とを積層してなる多層磁気抵
抗効果膜を用いた磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを備
え、情報再生時における前記多層磁気抵抗効果膜の端面
と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離が０．２３
μｍ以下に設定されていることを特徴とする。
装置は、磁性層と非磁性層とを積層してなる多層磁気抵
抗効果膜を用いた磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを備
え、情報再生時における前記多層磁気抵抗効果膜の端面
と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離が０．２３
μｍ以下に設定されていることを特徴とする。
【０００７】情報再生時における前記多層磁気抵抗効果
膜の表面と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離
は、０．１２μｍ以下であるのが好ましい。この場合、
大きな抵抗変化が０．２３μｍ以下に設定した場合より
も確実に得られる。
膜の表面と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離
は、０．１２μｍ以下であるのが好ましい。この場合、
大きな抵抗変化が０．２３μｍ以下に設定した場合より
も確実に得られる。
【０００８】前記距離を０．２３μｍ以下、好ましくは
０．１２μｍ以下に設定するため、前記磁気抵抗効果膜
を前記磁気記録媒体に接触させながら情報を再生するよ
うに構成してもよい。前記磁気記録媒体の磁性層の表面
には一般に保護膜が形成されるので、この場合、前記距
離はその保護膜の厚さにほぼ等しくなる。保護膜がない
場合は、前記距離をゼロに設定することができる。
０．１２μｍ以下に設定するため、前記磁気抵抗効果膜
を前記磁気記録媒体に接触させながら情報を再生するよ
うに構成してもよい。前記磁気記録媒体の磁性層の表面
には一般に保護膜が形成されるので、この場合、前記距
離はその保護膜の厚さにほぼ等しくなる。保護膜がない
場合は、前記距離をゼロに設定することができる。
【０００９】前記磁気ヘッドと前記磁気記録媒体とが接
触しながら相対移動する際に、前記磁気記録媒体の表面
の凹凸によって前記磁気ヘッドがバウンドして前記磁気
記録媒体から一時的に離れる可能性があるが、その場合
でも、前記距離が０．２３μｍ以下、好ましくは０．１
２μｍ以下になるように設定する。
触しながら相対移動する際に、前記磁気記録媒体の表面
の凹凸によって前記磁気ヘッドがバウンドして前記磁気
記録媒体から一時的に離れる可能性があるが、その場合
でも、前記距離が０．２３μｍ以下、好ましくは０．１
２μｍ以下になるように設定する。
【００１０】前記多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界は、１
００エルステッド（Ｏｅ）以上であるのが好ましく、２
００Ｏｅ以上であるのがより好ましい。前記磁気記録媒
体より印加される磁界により、前記多層磁気抵抗効果膜
が磁気飽和し難くなるからである。
００エルステッド（Ｏｅ）以上であるのが好ましく、２
００Ｏｅ以上であるのがより好ましい。前記磁気記録媒
体より印加される磁界により、前記多層磁気抵抗効果膜
が磁気飽和し難くなるからである。
【００１１】前記磁気記録媒体より前記多層磁気抵抗効
果膜に印加される磁界Ｈａと、前記多層磁気抵抗効果膜
の飽和磁界Ｈｓとの間には、Ｈａ≦Ｈｓの関係があるの
が好ましく、０．１Ｈｓ≦Ｈａ≦０．９Ｈｓの関係があ
るのがより好ましい。
果膜に印加される磁界Ｈａと、前記多層磁気抵抗効果膜
の飽和磁界Ｈｓとの間には、Ｈａ≦Ｈｓの関係があるの
が好ましく、０．１Ｈｓ≦Ｈａ≦０．９Ｈｓの関係があ
るのがより好ましい。
【００１２】Ｈａ≦Ｈｓとすれば、前記多層磁気抵抗効
果膜が情報再生中に磁気飽和して再生信号の線形性に大
きな悪影響を与えることがないからである。また、印加
磁界Ｈａが飽和磁界Ｈｓに近い範囲および印加磁界Ｈａ
がゼロに近い範囲では、抵抗変化の線形性が劣るため、
０．１Ｈｓ≦Ｈａ≦０．９Ｈｓの範囲に設定することに
より、再生信号の線形性をいっそう良好に保つことが可
能となる。
果膜が情報再生中に磁気飽和して再生信号の線形性に大
きな悪影響を与えることがないからである。また、印加
磁界Ｈａが飽和磁界Ｈｓに近い範囲および印加磁界Ｈａ
がゼロに近い範囲では、抵抗変化の線形性が劣るため、
０．１Ｈｓ≦Ｈａ≦０．９Ｈｓの範囲に設定することに
より、再生信号の線形性をいっそう良好に保つことが可
能となる。
【００１３】Ｈａ≦０．５Ｈｓとすれば、前記多層磁気
抵抗効果膜にバイアス磁界を印加する場合に、そのバイ
アス磁界を、前記磁気記録媒体より印加される磁界がゼ
ロの時に前記多層磁気抵抗効果膜の抵抗変化量の１／２
に設定することが可能となる。これにより、線形性を良
好に保ちながら再生信号の振幅を最大限に設定すること
ができる。
抵抗効果膜にバイアス磁界を印加する場合に、そのバイ
アス磁界を、前記磁気記録媒体より印加される磁界がゼ
ロの時に前記多層磁気抵抗効果膜の抵抗変化量の１／２
に設定することが可能となる。これにより、線形性を良
好に保ちながら再生信号の振幅を最大限に設定すること
ができる。
【００１４】前記多層磁気抵抗効果膜としては、前記磁
性層としてＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層を含み、前記非磁性層と
してＣｕ層を含む多層膜、すなわちＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／
Ｃｕ多層膜が好ましい。しかし、これらに限定されるも
のではない。
性層としてＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層を含み、前記非磁性層と
してＣｕ層を含む多層膜、すなわちＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／
Ｃｕ多層膜が好ましい。しかし、これらに限定されるも
のではない。
【００１５】Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層では、Ｃｏ量を１０〜
２５ａｔ％の範囲に設定するのが好ましい。１０ａｔ％
未満では十分な抵抗変化率が得られず、２５ａｔ％を越
えると軟磁気特性が低下するからである。ＮｉとＦｅの
組成比は、Ｎｉ：Ｆｅ＝７５：２５〜８５：１５の範囲
に設定するのが好ましい。この範囲であれば、結晶磁気
異方性定数がゼロに近くなり、且つ保磁力を小さくする
ことができるからである。
２５ａｔ％の範囲に設定するのが好ましい。１０ａｔ％
未満では十分な抵抗変化率が得られず、２５ａｔ％を越
えると軟磁気特性が低下するからである。ＮｉとＦｅの
組成比は、Ｎｉ：Ｆｅ＝７５：２５〜８５：１５の範囲
に設定するのが好ましい。この範囲であれば、結晶磁気
異方性定数がゼロに近くなり、且つ保磁力を小さくする
ことができるからである。
【００１６】Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ多層膜以外の好ま
しい前記多層磁気抵抗効果膜としては、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃ
ｕ／Ｃｏ／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ
／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ａｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ａｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ａｇ多層膜、Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ／Ａｇ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ多層膜などがある。
しい前記多層磁気抵抗効果膜としては、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃ
ｕ／Ｃｏ／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ
／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ａｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ａｕ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ａｇ多層膜、Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ／Ａｇ多層膜、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ多層膜、Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ多層膜などがある。
【００１７】
【作用】パ−マロイ膜を磁気抵抗効果膜として用いる
と、その磁気抵抗効果膜と磁気記録媒体との間の距離を
いくら小さくしても、最大３％の抵抗変化率しか得られ
ない。しかし、多層磁気抵抗効果膜は一般にパーマロイ
膜よりも高い抵抗変化率を持つので、多層磁気抵抗効果
膜の端面と磁気記録媒体の磁性層の表面との距離を０．
２３μｍ以下に設定して、磁気記録媒体から多層磁気抵
抗効果膜に印加される磁界が強くなるように構成する
と、パーマロイ膜よりも大きな抵抗変化が得られる。こ
れにより、非常に高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
得られ、また記録密度の高度化も図れる。
と、その磁気抵抗効果膜と磁気記録媒体との間の距離を
いくら小さくしても、最大３％の抵抗変化率しか得られ
ない。しかし、多層磁気抵抗効果膜は一般にパーマロイ
膜よりも高い抵抗変化率を持つので、多層磁気抵抗効果
膜の端面と磁気記録媒体の磁性層の表面との距離を０．
２３μｍ以下に設定して、磁気記録媒体から多層磁気抵
抗効果膜に印加される磁界が強くなるように構成する
と、パーマロイ膜よりも大きな抵抗変化が得られる。こ
れにより、非常に高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
得られ、また記録密度の高度化も図れる。
【００１８】多層磁気抵抗効果膜は、その飽和磁界を低
下させなければ磁気ヘッドには使用できないと考えられ
ているが、この発明の磁気記録再生装置では、飽和磁界
を低下させなくても情報の記録・再生が可能である。
下させなければ磁気ヘッドには使用できないと考えられ
ているが、この発明の磁気記録再生装置では、飽和磁界
を低下させなくても情報の記録・再生が可能である。
【００１９】磁気記録媒体の表面には保護膜が形成され
る場合が多く、この場合は、多層磁気抵抗効果膜が磁気
記録媒体の磁性層に接触することはない。しかし、この
保護膜は通常、数十ｎｍ程度の厚さであるため、前記多
層磁気抵抗効果膜を磁気記録媒体の保護膜に接触するよ
うに構成すれば、つまりいわゆる「コンタクト再生」を
するように構成すれば、前記距離が０．２３μｍ以下と
いう条件を満たすことは容易である。
る場合が多く、この場合は、多層磁気抵抗効果膜が磁気
記録媒体の磁性層に接触することはない。しかし、この
保護膜は通常、数十ｎｍ程度の厚さであるため、前記多
層磁気抵抗効果膜を磁気記録媒体の保護膜に接触するよ
うに構成すれば、つまりいわゆる「コンタクト再生」を
するように構成すれば、前記距離が０．２３μｍ以下と
いう条件を満たすことは容易である。
【００２０】
【実施例】以下、添付図面を参照しながらこの発明の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００２１】図７は、この発明の磁気記録再生装置を磁
気ディスク装置に適用した実施例の全体構成を示す。こ
の磁気ディスク装置では、図７に示すように、複数の磁
気記録媒体２１がスピンドルに並列して固着されてお
り、それら磁気記録媒体は磁気記録媒体駆動部２２によ
り回転駆動される。磁気記録媒体２１の各面には磁気ヘ
ッド２３が対向して設けられている。これら磁気ヘッド
２３は磁気ヘッド駆動部２４により駆動・制御される。
記録再生信号処理系２５は、磁気記録媒体２１と外部の
信号処理装置（図示せず）との間で記録信号および再生
信号を所定処理を行ないながら転送する。
気ディスク装置に適用した実施例の全体構成を示す。こ
の磁気ディスク装置では、図７に示すように、複数の磁
気記録媒体２１がスピンドルに並列して固着されてお
り、それら磁気記録媒体は磁気記録媒体駆動部２２によ
り回転駆動される。磁気記録媒体２１の各面には磁気ヘ
ッド２３が対向して設けられている。これら磁気ヘッド
２３は磁気ヘッド駆動部２４により駆動・制御される。
記録再生信号処理系２５は、磁気記録媒体２１と外部の
信号処理装置（図示せず）との間で記録信号および再生
信号を所定処理を行ないながら転送する。
【００２２】図１に、図７の磁気ディスク装置の磁気ヘ
ッド２３と磁気記録媒体２１の対向部分の概略構成を拡
大して示す。
ッド２３と磁気記録媒体２１の対向部分の概略構成を拡
大して示す。
【００２３】磁気記録媒体２１は、基板２１ａと、基板
２１ａ上に形成された磁性層２１ｂと、磁性層２１ｂ上
に形成された保護膜２１ｃとを備えている。磁性層２１
ｂとしては、例えば、残留磁束密度０．７５ＴのＣｏ−
Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金層を用いることができる。なお
保護膜２１ｃはなくてもよい。
２１ａ上に形成された磁性層２１ｂと、磁性層２１ｂ上
に形成された保護膜２１ｃとを備えている。磁性層２１
ｂとしては、例えば、残留磁束密度０．７５ＴのＣｏ−
Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金層を用いることができる。なお
保護膜２１ｃはなくてもよい。
【００２４】磁気ヘッド２３は、情報再生時に磁気記録
媒体２１の表面に接触するように構成されている。つま
り、いわゆる「コンタクト再生」を行なうようになって
いる。さらに、再生中に磁気ヘッド２３がバウンドして
磁気記録媒体２１の表面から一時的に離れることがあっ
ても、磁気ヘッド２３の多層磁気抵抗効果膜３１の端面
と磁気記録媒体２１の磁性層２１ｂの表面との距離ｄ
が、常に０．２３μｍ以下になるように設定されてい
る。
媒体２１の表面に接触するように構成されている。つま
り、いわゆる「コンタクト再生」を行なうようになって
いる。さらに、再生中に磁気ヘッド２３がバウンドして
磁気記録媒体２１の表面から一時的に離れることがあっ
ても、磁気ヘッド２３の多層磁気抵抗効果膜３１の端面
と磁気記録媒体２１の磁性層２１ｂの表面との距離ｄ
が、常に０．２３μｍ以下になるように設定されてい
る。
【００２５】磁気ヘッド２３は、この実施例では、情報
記録時にも磁気記録媒体２１の表面に接触するように構
成され、いわゆる「コンタクト記録」を行なうようにな
っている。
記録時にも磁気記録媒体２１の表面に接触するように構
成され、いわゆる「コンタクト記録」を行なうようにな
っている。
【００２６】磁気ヘッド２３の詳細構成を図３に、その
多層磁気抵抗効果膜３１の詳細構成を図２に示す。図３
から分かるように、この磁気ヘッド２３はいわゆる記録
再生分離型である。
多層磁気抵抗効果膜３１の詳細構成を図２に示す。図３
から分かるように、この磁気ヘッド２３はいわゆる記録
再生分離型である。
【００２７】再生ヘッド部はシールド層３２、多層磁気
抵抗効果膜３１、導体層３８、一対の電極３９およびシ
ールド層３３から構成されている。スライダ３７はＡｌ
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体より形成されてお
り、その端面上にシールド層３２が形成されている。多
層磁気抵抗効果膜３１はシールド層３２上に形成されて
おり、導体層３８は多層磁気抵抗効果膜３１上に形成さ
れいる。Ａｌ膜よりなる一対の電極３９はシールド層３
２上に形成されており、各電極３９の端部は導体層３８
に接合されている。シ−ルド層３３は、導体層３８およ
び電極３９上に形成されたギャップ層（図示せず）上に
形成されている。シ−ルド層３２、３３はいずれも、厚
さ１．０μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜により形成されてい
る。
抵抗効果膜３１、導体層３８、一対の電極３９およびシ
ールド層３３から構成されている。スライダ３７はＡｌ
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体より形成されてお
り、その端面上にシールド層３２が形成されている。多
層磁気抵抗効果膜３１はシールド層３２上に形成されて
おり、導体層３８は多層磁気抵抗効果膜３１上に形成さ
れいる。Ａｌ膜よりなる一対の電極３９はシールド層３
２上に形成されており、各電極３９の端部は導体層３８
に接合されている。シ−ルド層３３は、導体層３８およ
び電極３９上に形成されたギャップ層（図示せず）上に
形成されている。シ−ルド層３２、３３はいずれも、厚
さ１．０μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜により形成されてい
る。
【００２８】多層磁気抵抗効果膜３１は、シールド層３
２と導体層３８によって挟まれており、一対の電極３９
を介して電流を供給することにより多層磁気抵抗効果膜
３１に磁界検出方向のバイアス磁界が印加される。
２と導体層３８によって挟まれており、一対の電極３９
を介して電流を供給することにより多層磁気抵抗効果膜
３１に磁界検出方向のバイアス磁界が印加される。
【００２９】記録ヘッド部は、シールド層３３上に形成
された下部磁極３５および上部磁極３６と、それら磁極
３５、３６の間に形成されたコイル３４とから構成され
ている。コイル３４はＣｒ膜、Ｃｕ膜およびＣｒ膜をこ
の順に積層してなる多層膜により構成され、磁極３５、
３６は厚さ３．０μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜より形成され
ている。コイル３４に所定電流を供給することにより、
下部磁極３５および上部磁極３６間のギャップに記録磁
界が発生する。
された下部磁極３５および上部磁極３６と、それら磁極
３５、３６の間に形成されたコイル３４とから構成され
ている。コイル３４はＣｒ膜、Ｃｕ膜およびＣｒ膜をこ
の順に積層してなる多層膜により構成され、磁極３５、
３６は厚さ３．０μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜より形成され
ている。コイル３４に所定電流を供給することにより、
下部磁極３５および上部磁極３６間のギャップに記録磁
界が発生する。
【００３０】シ−ルド層３３と多層磁気抵抗効果膜３１
の間のギャップ層（図示せず）の厚さは０．２μｍ、磁
極３５、３６の間のギャップ層（図示せず）の厚さは
０．４μｍ、再生ヘッド部と記録ヘッド部の間のギャッ
プ層（図示せず）の厚さは約４μｍである。これらギャ
ップ層としては、スパッタリングで形成したＡｌ2Ｏ3膜
が用いられている。
の間のギャップ層（図示せず）の厚さは０．２μｍ、磁
極３５、３６の間のギャップ層（図示せず）の厚さは
０．４μｍ、再生ヘッド部と記録ヘッド部の間のギャッ
プ層（図示せず）の厚さは約４μｍである。これらギャ
ップ層としては、スパッタリングで形成したＡｌ2Ｏ3膜
が用いられている。
【００３１】多層磁気抵抗効果膜３１は、図２に示すよ
うに、Ｎｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ膜（膜厚
１．５ｎｍ）よりなる磁性層１１と、Ｃｕ膜（膜厚１．
０ｎｍ）よりなる非磁性層１２とから構成されている。
すなわち、Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体より
なる基板１４上に、Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ）よりなるバッ
ファ層１３を介して磁性層１１が形成され、その磁性層
１１の上に非磁性層１２が形成され、その非磁性層１２
の上にさらに磁性層１１が形成され、………というよう
に、磁性層１１と非磁性層１２が交互に積層して構成さ
れている。ここでは、磁性層１１と非磁性層１２の積層
数は１４周期としてある。多層磁気抵抗効果膜３１の全
膜厚は約３８ｎｍである。
うに、Ｎｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ膜（膜厚
１．５ｎｍ）よりなる磁性層１１と、Ｃｕ膜（膜厚１．
０ｎｍ）よりなる非磁性層１２とから構成されている。
すなわち、Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体より
なる基板１４上に、Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ）よりなるバッ
ファ層１３を介して磁性層１１が形成され、その磁性層
１１の上に非磁性層１２が形成され、その非磁性層１２
の上にさらに磁性層１１が形成され、………というよう
に、磁性層１１と非磁性層１２が交互に積層して構成さ
れている。ここでは、磁性層１１と非磁性層１２の積層
数は１４周期としてある。多層磁気抵抗効果膜３１の全
膜厚は約３８ｎｍである。
【００３２】以上の構成を持つ多層磁気抵抗効果膜３１
は、イオンビ−ム・スパッタリング法を用いて製作され
る。到達真空度は例えば１０-4Ｐａ、スパッタリング時
のＡｒガス圧力は例えば０．０２Ｐａ、膜形成速度は例
えば０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓである。この場合、こ
の多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗変化率は例えば３１
％、飽和磁界は例えば８２０Ｏｅである。
は、イオンビ−ム・スパッタリング法を用いて製作され
る。到達真空度は例えば１０-4Ｐａ、スパッタリング時
のＡｒガス圧力は例えば０．０２Ｐａ、膜形成速度は例
えば０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓである。この場合、こ
の多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗変化率は例えば３１
％、飽和磁界は例えば８２０Ｏｅである。
【００３３】磁気ヘッド２３以外の要素、すなわち磁気
記録媒体２１、磁気記録媒体駆動部２２、磁気ヘッド駆
動部２４、記録再生信号処理系２５には公知のものを任
意に用いることができる。
記録媒体２１、磁気記録媒体駆動部２２、磁気ヘッド駆
動部２４、記録再生信号処理系２５には公知のものを任
意に用いることができる。
【００３４】以上の構成を持つこの発明の磁気ディスク
装置では、多層磁気抵抗効果膜３１の端面と磁気記録媒
体２１の磁性層２１ｂの表面との距離が常に０．２３μ
ｍ以下になるように設定されているので、磁性層２１ｂ
が発生する漏洩磁界が多層磁気抵抗効果膜３１に効果的
に印加される。このため、多層磁気抵抗効果膜３１に印
加される磁界が強くなり、パーマロイ膜を用いた従来の
磁気ディスク装置の場合よりも大きな抵抗率変化が得ら
れる。よって、感度すなわち再生出力を増加することが
でき、その結果、記録密度をいっそう高度化（例えば数
Ｇｂ／ｉｎ2以上に）することができる。
装置では、多層磁気抵抗効果膜３１の端面と磁気記録媒
体２１の磁性層２１ｂの表面との距離が常に０．２３μ
ｍ以下になるように設定されているので、磁性層２１ｂ
が発生する漏洩磁界が多層磁気抵抗効果膜３１に効果的
に印加される。このため、多層磁気抵抗効果膜３１に印
加される磁界が強くなり、パーマロイ膜を用いた従来の
磁気ディスク装置の場合よりも大きな抵抗率変化が得ら
れる。よって、感度すなわち再生出力を増加することが
でき、その結果、記録密度をいっそう高度化（例えば数
Ｇｂ／ｉｎ2以上に）することができる。
【００３５】この発明の磁気ディスク装置の効果を確認
するため、次のような試験を行なった。
するため、次のような試験を行なった。
【００３６】［試験１］上述した構成の多層磁気抵抗効
果膜３１を磁気ヘッド２３に用いた磁気ディスク装置
と、パ−マロイ合金膜を磁気ヘッドに用いた従来の磁気
ディスク装置とを製作した。多層磁気抵抗効果膜３１と
パ−マロイ合金膜の抵抗変化率を測定すると、前記多層
磁気抵抗効果膜３１は３１％、パ−マロイ合金膜は３％
であった。これら両装置を用いて、同一情報を記録した
磁気記録媒体から情報を再生し、両者の再生出力を測定
・比較したところ、この発明の磁気ディスク装置は従来
の磁気ディスク装置の約８倍の高い再生出力を示した。
これは、磁気ディスク装置の感度が約８倍になったこと
を意味する。
果膜３１を磁気ヘッド２３に用いた磁気ディスク装置
と、パ−マロイ合金膜を磁気ヘッドに用いた従来の磁気
ディスク装置とを製作した。多層磁気抵抗効果膜３１と
パ−マロイ合金膜の抵抗変化率を測定すると、前記多層
磁気抵抗効果膜３１は３１％、パ−マロイ合金膜は３％
であった。これら両装置を用いて、同一情報を記録した
磁気記録媒体から情報を再生し、両者の再生出力を測定
・比較したところ、この発明の磁気ディスク装置は従来
の磁気ディスク装置の約８倍の高い再生出力を示した。
これは、磁気ディスク装置の感度が約８倍になったこと
を意味する。
【００３７】［試験２］上述した構成の多層磁気抵抗効
果膜３１を飽和磁界を異ならせて複数個製作し、それら
を用いて磁気記録媒体２１から発生する磁界と、磁気記
録媒体・磁気ヘッド間距離（厳密に言えば、多層磁気抵
抗効果膜３１の端面と磁気記録媒体の磁性層の表面との
距離）ｄとの関係を測定した。磁気記録媒体２１には、
磁性層２１ｂとして残留磁束密度０．７５ＴのＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金膜を持つものを用いた。多層磁気
抵抗効果膜３１の両側には、パ−マロイ膜からなるシ−
ルド層を設けた。それらシ−ルド層の間隔は０．４μｍ
とした。
果膜３１を飽和磁界を異ならせて複数個製作し、それら
を用いて磁気記録媒体２１から発生する磁界と、磁気記
録媒体・磁気ヘッド間距離（厳密に言えば、多層磁気抵
抗効果膜３１の端面と磁気記録媒体の磁性層の表面との
距離）ｄとの関係を測定した。磁気記録媒体２１には、
磁性層２１ｂとして残留磁束密度０．７５ＴのＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金膜を持つものを用いた。多層磁気
抵抗効果膜３１の両側には、パ−マロイ膜からなるシ−
ルド層を設けた。それらシ−ルド層の間隔は０．４μｍ
とした。
【００３８】まず、磁気記録媒体２１から磁気ヘッド２
３に印加される磁界、すなわち多層磁気抵抗効果膜３１
に印加される外部磁界の強さを求めるため、多層磁気抵
抗効果膜３１に一様磁界を印加してその磁界に対する多
層磁気抵抗効果膜３１の抵抗率を測定した。
３に印加される磁界、すなわち多層磁気抵抗効果膜３１
に印加される外部磁界の強さを求めるため、多層磁気抵
抗効果膜３１に一様磁界を印加してその磁界に対する多
層磁気抵抗効果膜３１の抵抗率を測定した。
【００３９】次に、磁気ヘッド・磁気記録媒体間の距離
ｄを変えながら、多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗率を測
定した。こうして得られた抵抗率データと前記の測定デ
ータから、試験中に磁気ヘッド２３に印加される外部磁
界の強さを求めた。結果を図４に示す。
ｄを変えながら、多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗率を測
定した。こうして得られた抵抗率データと前記の測定デ
ータから、試験中に磁気ヘッド２３に印加される外部磁
界の強さを求めた。結果を図４に示す。
【００４０】図４より、磁気ヘッド２３と磁気記録媒体
２１の間の距離ｄが０．２３μｍ以下になると、磁気ヘ
ッド２３に１００Ｏｅ以上の磁界が印加されることが分
かる。また、距離ｄが０．１２μｍ以下になると、磁気
ヘッド２３に２００Ｏｅ以上の磁界が印加されることも
分かる。
２１の間の距離ｄが０．２３μｍ以下になると、磁気ヘ
ッド２３に１００Ｏｅ以上の磁界が印加されることが分
かる。また、距離ｄが０．１２μｍ以下になると、磁気
ヘッド２３に２００Ｏｅ以上の磁界が印加されることも
分かる。
【００４１】従って、距離ｄが０．２３μｍ以下になる
ように設定しているこの発明の磁気ディスク装置では、
多層磁気抵抗効果膜３１に常に１００Ｏｅ以上の磁界が
印加され、そのため、多層磁気抵抗効果膜３１が持つ高
い抵抗変化率を有効に利用することができる。また、距
離ｄが常に０．１２μｍ以下になるように設定すれば、
多層磁気抵抗効果膜３１が持つ高い抵抗変化率をいっそ
う有効に利用することができる。
ように設定しているこの発明の磁気ディスク装置では、
多層磁気抵抗効果膜３１に常に１００Ｏｅ以上の磁界が
印加され、そのため、多層磁気抵抗効果膜３１が持つ高
い抵抗変化率を有効に利用することができる。また、距
離ｄが常に０．１２μｍ以下になるように設定すれば、
多層磁気抵抗効果膜３１が持つ高い抵抗変化率をいっそ
う有効に利用することができる。
【００４２】図４より分かるように、この発明の磁気デ
ィスク装置では、多層磁気抵抗効果膜３１の磁気飽和に
より再生出力の線形性が損われるのを避けるため、１０
０Ｏｅ以上の飽和磁界を持つ多層磁気抵抗効果膜を用い
るのが好ましい。他方、飽和磁界が高すぎると、磁界印
加により抵抗変化が生じ難いため、飽和磁界は２０００
Ｏｅ以下となるように設定するのが好ましい。
ィスク装置では、多層磁気抵抗効果膜３１の磁気飽和に
より再生出力の線形性が損われるのを避けるため、１０
０Ｏｅ以上の飽和磁界を持つ多層磁気抵抗効果膜を用い
るのが好ましい。他方、飽和磁界が高すぎると、磁界印
加により抵抗変化が生じ難いため、飽和磁界は２０００
Ｏｅ以下となるように設定するのが好ましい。
【００４３】また、この試験により得られた多層磁気抵
抗効果膜３１の抵抗率と外部磁界との関係を図５に示
す。多層磁気抵抗効果膜３１は、飽和磁界が異なってい
てもすべて図５のような特性を示した。すなわち、抵抗
率は外部磁界がゼロの時に最大であり、磁界の向きにか
かわらず、ゼロより増加すると徐々に減少し、飽和磁界
を越えると抵抗率は一定となる。
抗効果膜３１の抵抗率と外部磁界との関係を図５に示
す。多層磁気抵抗効果膜３１は、飽和磁界が異なってい
てもすべて図５のような特性を示した。すなわち、抵抗
率は外部磁界がゼロの時に最大であり、磁界の向きにか
かわらず、ゼロより増加すると徐々に減少し、飽和磁界
を越えると抵抗率は一定となる。
【００４４】図５より分かるように、外部磁界が飽和磁
界より小さい範囲でも、外部磁界が飽和磁界に近い領域
とゼロに近い領域では、多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗
変化の線形性が劣っている。このため、再生出力の線形
性を良好に保つには、外部磁界が飽和磁界の１０％から
９０％の範囲になるように設定するのが好ましい。
界より小さい範囲でも、外部磁界が飽和磁界に近い領域
とゼロに近い領域では、多層磁気抵抗効果膜３１の抵抗
変化の線形性が劣っている。このため、再生出力の線形
性を良好に保つには、外部磁界が飽和磁界の１０％から
９０％の範囲になるように設定するのが好ましい。
【００４５】また、一般に磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加して使用する
場合が多い。この場合、バイアス磁界の強度は、図６に
示すように、抵抗率曲線が多層磁気抵抗効果膜３１の抵
抗率変化量Δρの（１／２）で縦軸（抵抗率軸）に交差
するように設定するのが好ましい。
は、磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加して使用する
場合が多い。この場合、バイアス磁界の強度は、図６に
示すように、抵抗率曲線が多層磁気抵抗効果膜３１の抵
抗率変化量Δρの（１／２）で縦軸（抵抗率軸）に交差
するように設定するのが好ましい。
【００４６】図６のようにバイアス磁界を設定した場
合、多層磁気抵抗効果膜３１に印加される外部磁界の強
さは、バイアス磁界を印加しない場合の飽和磁界の（１
／２）以下に設定するのが好ましい。再生出力の線形性
を良好に保つことができるからである。
合、多層磁気抵抗効果膜３１に印加される外部磁界の強
さは、バイアス磁界を印加しない場合の飽和磁界の（１
／２）以下に設定するのが好ましい。再生出力の線形性
を良好に保つことができるからである。
【００４７】図４の関係は、シ−ルド層の間隔に応じて
若干変化する。しかし、シ−ルド層の間隔を０．４μｍ
より狭くした場合でも、磁気記録媒体から印加される磁
界と多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界との関係は、上記実
施例と同様にするのが好ましい。
若干変化する。しかし、シ−ルド層の間隔を０．４μｍ
より狭くした場合でも、磁気記録媒体から印加される磁
界と多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界との関係は、上記実
施例と同様にするのが好ましい。
【００４８】上記実施例では、磁気記録媒体として残留
磁束密度０．７５ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金膜
を磁性膜として用いた場合を示したが、残留磁束密度は
それとは異なっていてもよいし、他の材料からなる膜を
用いてもよい。例えば、磁性層の残留磁束密度が０．７
５Ｔより１０％大きい磁気記録媒体を用いると、磁気ヘ
ッドに印加される磁界もほぼ１０％高くなるが、その場
合でも、磁気記録媒体から印加される磁界と多層磁気抵
抗効果膜の飽和磁界との関係は、上記実施例と同様にす
るのが好ましい。
磁束密度０．７５ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金膜
を磁性膜として用いた場合を示したが、残留磁束密度は
それとは異なっていてもよいし、他の材料からなる膜を
用いてもよい。例えば、磁性層の残留磁束密度が０．７
５Ｔより１０％大きい磁気記録媒体を用いると、磁気ヘ
ッドに印加される磁界もほぼ１０％高くなるが、その場
合でも、磁気記録媒体から印加される磁界と多層磁気抵
抗効果膜の飽和磁界との関係は、上記実施例と同様にす
るのが好ましい。
【００４９】また、上記実施例では磁気ディスク装置に
ついて説明したが、この発明はそれには限定されず、Ｖ
ＴＲなどの種々の磁気記録再生装置においても適用可能
である。
ついて説明したが、この発明はそれには限定されず、Ｖ
ＴＲなどの種々の磁気記録再生装置においても適用可能
である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、磁性層と非磁性層とを積層してなる多層磁気抵抗効
果膜を磁気ヘッドに用いた磁気記録再生装置が得られ
る。また、この装置によれば、従来よりも非常に高感度
且つ高記録密度で情報の記録・再生が可能となる。
ば、磁性層と非磁性層とを積層してなる多層磁気抵抗効
果膜を磁気ヘッドに用いた磁気記録再生装置が得られ
る。また、この装置によれば、従来よりも非常に高感度
且つ高記録密度で情報の記録・再生が可能となる。
【図１】図７の磁気ディスク装置の磁気ヘッドと磁気記
録媒体の対向部分の拡大説明図である。
録媒体の対向部分の拡大説明図である。
【図２】図７の磁気ディスク装置の磁気ヘッドに使用し
た多層磁気抵抗効果膜の構成を示す断面図である。
た多層磁気抵抗効果膜の構成を示す断面図である。
【図３】図７の磁気ディスク装置の磁気ヘッドの概略斜
視図である。
視図である。
【図４】磁気ヘッド・磁気記録媒体間距離と磁気ヘッド
に印加される磁界との関係を示すグラフである。
に印加される磁界との関係を示すグラフである。
【図５】図２の多層磁気抵抗効果膜の抵抗率と外部磁界
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図６】バイアス磁界を印加した場合の図２の多層磁気
抵抗効果膜の抵抗率と外部磁界との関係を示すグラフで
ある。
抵抗効果膜の抵抗率と外部磁界との関係を示すグラフで
ある。
【図７】（ａ）はこの発明の磁気記録再生装置の１実施
例の磁気ディスク装置の全体構成を示す平面図、（ｂ）
はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
例の磁気ディスク装置の全体構成を示す平面図、（ｂ）
はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
１１ 多層磁気抵抗効果膜の磁性層 １２ 多層磁気抵抗効果膜の非磁性層 １３ 多層磁気抵抗効果膜のバッファ層 １４ 多層磁気抵抗効果膜の基板 ２１ 磁気記録媒体 ２１ａ 磁気記録媒体の基板 ２１ｂ 磁気記録媒体の磁性層 ２１ａ 磁気記録媒体の保護膜 ２２ 磁気記録媒体駆動部 ２３ 磁気ヘッド ２４ 磁気ヘッド駆動部 ２５ 記録再生信号処理系 ３１ 多層磁気抵抗効果膜 ３２、３３ シ−ルド層 ３４ コイル ３５ 下部磁極 ３６ 上部磁極 ３７ スライダ ３８ 導体層 ３９ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳴海 俊一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 成重 真治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレーシ゛システム事業部 内 (72)発明者 石川 千明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鈴木 香 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 磁性層と非磁性層とを積層してなる多層
磁気抵抗効果膜を用いた磁気ヘッドと、磁気記録媒体と
を備え、情報再生時における前記多層磁気抵抗効果膜の
端面と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離が０．
２３μｍ以下に設定されていることを特徴とする磁気記
録再生装置。 - 【請求項２】 情報再生時における前記多層磁気抵抗効
果膜の端面と前記磁気記録媒体の磁性層の表面との距離
が０．１２μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録再
生装置。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜を前記磁気記録媒体
に接触させながら情報を再生するように構成されている
請求項１または２に記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項４】 前記多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界が１
００Ｏｅ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の磁
気記録再生装置。 - 【請求項５】 前記多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界が２
００Ｏｅ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の磁
気記録再生装置。 - 【請求項６】 前記磁気記録媒体より前記多層磁気抵抗
効果膜に印加される磁界Ｈａと、前記多層磁気抵抗効果
膜の飽和磁界Ｈｓとの間に、 Ｈｓ≧Ｈａ の関係がある請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録
再生装置。 - 【請求項７】 前記磁気記録媒体より前記多層磁気抵抗
効果膜に印加される磁界Ｈａと、前記多層磁気抵抗効果
膜の飽和磁界Ｈｓとの間に、 ０．１Ｈｓ≦Ｈａ≦０．９Ｈｓ の関係がある請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録
再生装置。 - 【請求項８】 前記磁気記録媒体より前記多層磁気抵抗
効果膜に印加される磁界Ｈａと、前記多層磁気抵抗効果
膜の飽和磁界Ｈｓとの間に、 Ｈａ≦０．５Ｈｓ の関係がある請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録
再生装置。 - 【請求項９】 前記多層磁気抵抗効果膜が、前記磁性層
としてＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層を含み、前記非磁性層として
Ｃｕ層を含んでいる請求項１〜８のいずれかに記載の磁
気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984793A JPH06236523A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984793A JPH06236523A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236523A true JPH06236523A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12010650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984793A Pending JPH06236523A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236523A (ja) |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP1984793A patent/JPH06236523A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6243288B1 (en) | Giant magnetoresistive sensor, thin-film read/write head and magnetic recording apparatus using the sensor | |
| US5218497A (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith | |
| CN1139916C (zh) | 具有作为后方磁通引导读出层的磁性隧道结磁电阻读出磁头 | |
| US7180704B2 (en) | Magnetic head for perpendicular recording and magnetic disk storage apparatus mounting the head | |
| KR960002612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 자기헤드 | |
| US5922456A (en) | Longitudal magnetic recording medium having a multi-layered underlayer and magnetic storage apparatus using such magnetic recording medium | |
| US20030062981A1 (en) | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect type magnetic head | |
| JPH0997409A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH10269531A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| US7433163B2 (en) | Seedlayer for high hard bias layer coercivity | |
| JP3217625B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH06236523A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP2897725B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3204871B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2918199B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2868752B1 (ja) | 磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 | |
| JPH0991630A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP2001043523A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JPH10320740A (ja) | 磁気記憶装置及び面内磁気記録媒体 | |
| JPH08124122A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH0981910A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| JP2958187B2 (ja) | 磁気ディスク装置 | |
| JP3279081B2 (ja) | 信号再生方法 | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド |