JPH06236695A - 交換表示機能付不揮発性メモリ装置 - Google Patents
交換表示機能付不揮発性メモリ装置Info
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- JPH06236695A JPH06236695A JP2125793A JP2125793A JPH06236695A JP H06236695 A JPH06236695 A JP H06236695A JP 2125793 A JP2125793 A JP 2125793A JP 2125793 A JP2125793 A JP 2125793A JP H06236695 A JPH06236695 A JP H06236695A
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- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
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- Read Only Memory (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メモリのデータ書込み回数に適合して、メモ
リ装置の交換時期を的確に表示できる交換表示機能付不
揮発性メモリ装置を提供する。 【構成】 不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メモリ
装置において、メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え
動作を検出する書換え動作検出回路２１と、この書換え
動作検出回路２１からの出力信号に基づいてメモリ素子
への書換えを行った回数をカウントする書換え回数カウ
ンタ２２と、この書換え回数カウンタ２２からの出力信
号に基づいて、前にカウントした回数との累積数を記憶
する書換え回数記憶回路２３と、この書換え回数記憶回
路２３からの書換え回数と、前記メモリ素子の書換え回
数制限値とを比較する比較回路２４と、この比較回路２
４からの書換え回数制限値以上の出力信号に基づいて装
置の交換を行うように表示する交換時期表示回路２５を
設ける。
リ装置の交換時期を的確に表示できる交換表示機能付不
揮発性メモリ装置を提供する。 【構成】 不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メモリ
装置において、メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え
動作を検出する書換え動作検出回路２１と、この書換え
動作検出回路２１からの出力信号に基づいてメモリ素子
への書換えを行った回数をカウントする書換え回数カウ
ンタ２２と、この書換え回数カウンタ２２からの出力信
号に基づいて、前にカウントした回数との累積数を記憶
する書換え回数記憶回路２３と、この書換え回数記憶回
路２３からの書換え回数と、前記メモリ素子の書換え回
数制限値とを比較する比較回路２４と、この比較回路２
４からの書換え回数制限値以上の出力信号に基づいて装
置の交換を行うように表示する交換時期表示回路２５を
設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＥＰＲＯＭやフラッ
シュメモリ等書き込み回数に制限を持つ不揮発性メモリ
素子を用いたメモリ装置に関するものである。
シュメモリ等書き込み回数に制限を持つ不揮発性メモリ
素子を用いたメモリ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置は、装置を制御する
ための制御部とデータを記憶するためのメモリ部で構成
され、メモリ部にある不揮発性メモリ素子にデータのリ
ード・ライトを行うものである。図３はかかる従来の不
揮発性メモリ装置の一構成例を示すブロック図である。
ための制御部とデータを記憶するためのメモリ部で構成
され、メモリ部にある不揮発性メモリ素子にデータのリ
ード・ライトを行うものである。図３はかかる従来の不
揮発性メモリ装置の一構成例を示すブロック図である。
【０００３】この図において、１は各メモリ素子を選択
するためのアドレスデコーダ、２はデータのリード・ラ
イトの制御を行うための制御回路、３は保持するメモリ
部である。また、Ａはデータの入出力のためのデータバ
ス、Ｂはアドレスを入力するためのアドレスバス、Ｃは
搭載されている各メモリ素子を選択するためのチップセ
レクト信号、Ｄはアドレスデコーダ１を制御するための
デコーダ制御信号、Ｅはデータ出力を有効にするための
アウトプットイネーブル信号、Ｆはデータ書き込みを有
効にするためのライトイネーブル信号、Ｇは外部からの
データ書き込みを制御するためのデータ書き込み信号
で、Ｈは外部からのデータ読み出しを制御するためのデ
ータ読み出し信号である。
するためのアドレスデコーダ、２はデータのリード・ラ
イトの制御を行うための制御回路、３は保持するメモリ
部である。また、Ａはデータの入出力のためのデータバ
ス、Ｂはアドレスを入力するためのアドレスバス、Ｃは
搭載されている各メモリ素子を選択するためのチップセ
レクト信号、Ｄはアドレスデコーダ１を制御するための
デコーダ制御信号、Ｅはデータ出力を有効にするための
アウトプットイネーブル信号、Ｆはデータ書き込みを有
効にするためのライトイネーブル信号、Ｇは外部からの
データ書き込みを制御するためのデータ書き込み信号
で、Ｈは外部からのデータ読み出しを制御するためのデ
ータ読み出し信号である。
【０００４】そこで、データの書き込みを行う場合、ア
ドレスバスＢより記憶領域の指定のアドレスが入力さ
れ、外部からのデータ書き込み信号Ｇがイネーブルにな
ると、リードライト制御回路２はアドレスデコーダ１へ
デコーダ制御信号Ｄを出力し、メモリ部３へライトイネ
ーブル信号Ｆを出力する。アドレスバスＢより入力され
る指定のアドレスとデコーダ制御信号Ｄを受けたアドレ
スデコーダ１は、アドレスで指定されたメモリ素子を選
択するためのチップセレクト信号Ｃをメモリ部３へ出力
する。チップセレクト信号Ｃとライトイネーブル信号Ｆ
を受けたメモリ部３内のメモリ素子は、データバスＡよ
り入力されたデータを書き込み記憶する。
ドレスバスＢより記憶領域の指定のアドレスが入力さ
れ、外部からのデータ書き込み信号Ｇがイネーブルにな
ると、リードライト制御回路２はアドレスデコーダ１へ
デコーダ制御信号Ｄを出力し、メモリ部３へライトイネ
ーブル信号Ｆを出力する。アドレスバスＢより入力され
る指定のアドレスとデコーダ制御信号Ｄを受けたアドレ
スデコーダ１は、アドレスで指定されたメモリ素子を選
択するためのチップセレクト信号Ｃをメモリ部３へ出力
する。チップセレクト信号Ｃとライトイネーブル信号Ｆ
を受けたメモリ部３内のメモリ素子は、データバスＡよ
り入力されたデータを書き込み記憶する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のメモリ装置において、図３に示すメモリ部３
のメモリ素子は、データの書換え回数に制限があり、こ
の制限を越えるとメモリ装置が使用できなくなるため、
装置の交換を行っていた。しかし、現状のメモリ装置で
は、正確に交換の時期が分からなかったため、メモリ装
置の交換は、メモリ装置を使用するシステムのメモリ装
置へのデータ書き込み回数が限界にならない期間を事前
に見積もり、その期間でメモリ装置の交換を行ってい
た。
べた従来のメモリ装置において、図３に示すメモリ部３
のメモリ素子は、データの書換え回数に制限があり、こ
の制限を越えるとメモリ装置が使用できなくなるため、
装置の交換を行っていた。しかし、現状のメモリ装置で
は、正確に交換の時期が分からなかったため、メモリ装
置の交換は、メモリ装置を使用するシステムのメモリ装
置へのデータ書き込み回数が限界にならない期間を事前
に見積もり、その期間でメモリ装置の交換を行ってい
た。
【０００６】しかしながら、この方法では、システムの
動作状況により限界となる期間が変化するため、システ
ムの稼働率が事前の見積もりよりも高い場合には、装置
の交換までに限界を越えてシステムがダウンすることが
あった。本発明は、上記問題点を除去し、メモリのデー
タ書込み回数に適合して、メモリ装置の交換時期を的確
に表示できる交換表示機能付不揮発性メモリ装置を提供
することを目的とする。
動作状況により限界となる期間が変化するため、システ
ムの稼働率が事前の見積もりよりも高い場合には、装置
の交換までに限界を越えてシステムがダウンすることが
あった。本発明は、上記問題点を除去し、メモリのデー
タ書込み回数に適合して、メモリ装置の交換時期を的確
に表示できる交換表示機能付不揮発性メモリ装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メ
モリ装置において、メモリ素子へのデータ書込み毎の書
換え動作を検出する書換え動作検出回路と、該書換え動
作検出回路からの出力信号に基づいてメモリ素子への書
換えを行った回数をカウントする書換え回数カウンタ
と、該書換え回数カウンタからの出力信号に基づいて、
前にカウントした回数との累積数を記憶する書換え回数
記憶回路と、該書換え回数記憶回路からの書換え回数
と、前記メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比
較回路と、該比較回路からの書換え回数制限値以上の出
力信号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換
時期表示回路を設けるようにしたものである。
成するために、不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メ
モリ装置において、メモリ素子へのデータ書込み毎の書
換え動作を検出する書換え動作検出回路と、該書換え動
作検出回路からの出力信号に基づいてメモリ素子への書
換えを行った回数をカウントする書換え回数カウンタ
と、該書換え回数カウンタからの出力信号に基づいて、
前にカウントした回数との累積数を記憶する書換え回数
記憶回路と、該書換え回数記憶回路からの書換え回数
と、前記メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比
較回路と、該比較回路からの書換え回数制限値以上の出
力信号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換
時期表示回路を設けるようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記のように、メモリ素子へ
のデータ書込み毎に、書き換えた回数をカウントし、書
き換えた回数を累積して記憶し、該書き換えた回数と、
書換え回数制限値とを比較して、書換え回数が制限値以
上になった場合に、装置の交換を行うように表示するよ
うにしたので、データの書換えができなくなる前に確実
にメモリ装置を交換することができる。
のデータ書込み毎に、書き換えた回数をカウントし、書
き換えた回数を累積して記憶し、該書き換えた回数と、
書換え回数制限値とを比較して、書換え回数が制限値以
上になった場合に、装置の交換を行うように表示するよ
うにしたので、データの書換えができなくなる前に確実
にメモリ装置を交換することができる。
【０００９】これによって、データの書換えを制限値以
上行って装置内のデータを破壊し、装置が使用できなく
なることを確実に防ぐことができる。
上行って装置内のデータを破壊し、装置が使用できなく
なることを確実に防ぐことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す交
換表示機能付不揮発性メモリ装置のブロック図である。
図において、１０はメモリ装置であり、このメモリ装置
１０はメモリ部１１と制御部１２からなる。２１は書換
え動作検出回路、２２は書換え回数カウンタ、２３は書
換え回数記憶回路、２４は比較回路、２５は交換時期表
示回路である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す交
換表示機能付不揮発性メモリ装置のブロック図である。
図において、１０はメモリ装置であり、このメモリ装置
１０はメモリ部１１と制御部１２からなる。２１は書換
え動作検出回路、２２は書換え回数カウンタ、２３は書
換え回数記憶回路、２４は比較回路、２５は交換時期表
示回路である。
【００１１】また、Ａはライトイネーブル信号、Ｂは書
換え動作検出信号、Ｃはカウンタ出力信号、Ｄは書換え
回数出力信号、Ｅは書換え回数制限値出力信号、Ｆは比
較回路出力信号である。そこで、書換え動作検出回路２
１はライトイネーブル信号Ａが送られるライトイネーブ
ル信号線によりメモリ装置１０と接続されるとともに、
書換え動作検出信号Ｂが送られる書換え動作検出信号線
により書換え回数カウンタ２２と接続される。この書換
え回数カウンタ２２はカウンタ出力信号Ｃが送られるカ
ウンタ出力信号線により書換え回数記憶回路２３と接続
される。この書換え回数記憶回路２３は書換え回数出力
信号Ｄが送られる書換え回数出力信号線により比較回路
２４と接続される。
換え動作検出信号、Ｃはカウンタ出力信号、Ｄは書換え
回数出力信号、Ｅは書換え回数制限値出力信号、Ｆは比
較回路出力信号である。そこで、書換え動作検出回路２
１はライトイネーブル信号Ａが送られるライトイネーブ
ル信号線によりメモリ装置１０と接続されるとともに、
書換え動作検出信号Ｂが送られる書換え動作検出信号線
により書換え回数カウンタ２２と接続される。この書換
え回数カウンタ２２はカウンタ出力信号Ｃが送られるカ
ウンタ出力信号線により書換え回数記憶回路２３と接続
される。この書換え回数記憶回路２３は書換え回数出力
信号Ｄが送られる書換え回数出力信号線により比較回路
２４と接続される。
【００１２】一方、比較回路２４には書換え回数制限値
出力信号Ｅが入力される書換え回数制限値出力信号線が
接続される。また、比較回路２４の出力信号線は交換時
期表示回路２５に接続され、比較回路出力信号Ｆは交換
時期表示回路２５に送られる。次に、本発明の実施例を
示す交換表示機能付不揮発性メモリ装置の動作を図２を
用いて説明する。
出力信号Ｅが入力される書換え回数制限値出力信号線が
接続される。また、比較回路２４の出力信号線は交換時
期表示回路２５に接続され、比較回路出力信号Ｆは交換
時期表示回路２５に送られる。次に、本発明の実施例を
示す交換表示機能付不揮発性メモリ装置の動作を図２を
用いて説明する。
【００１３】まず、メモリ素子へデータ書込みを行う
（ステップＳ１）際は、メモリ装置１０にライトイネー
ブル信号Ａが入力される。すると、書換え動作検出回路
２１はメモリ装置１０に入力されるライトイネーブル信
号Ａの動作を監視し、メモリ素子にデータが書き込まれ
ていることを検出する（ステップＳ２）。メモリ装置１
０内のメモリ素子がＥＥＰＲＯＭの場合、ライトイネー
ブル信号Ａがアサートして、また次にアサートするまで
の間隔が十数ｎｓｅｃ（ナノ秒）以上空いた時にデータ
の書込みが行われるため、書換え動作検出回路２１はそ
の間隔を検出し（ステップＳ２）、データの書換えが行
われたものとして書換え動作検出信号Ｂを出力する（ス
テップＳ３）。
（ステップＳ１）際は、メモリ装置１０にライトイネー
ブル信号Ａが入力される。すると、書換え動作検出回路
２１はメモリ装置１０に入力されるライトイネーブル信
号Ａの動作を監視し、メモリ素子にデータが書き込まれ
ていることを検出する（ステップＳ２）。メモリ装置１
０内のメモリ素子がＥＥＰＲＯＭの場合、ライトイネー
ブル信号Ａがアサートして、また次にアサートするまで
の間隔が十数ｎｓｅｃ（ナノ秒）以上空いた時にデータ
の書込みが行われるため、書換え動作検出回路２１はそ
の間隔を検出し（ステップＳ２）、データの書換えが行
われたものとして書換え動作検出信号Ｂを出力する（ス
テップＳ３）。
【００１４】メモリ装置１０内のメモリ素子がフラッシ
ュメモリの場合、メモリ装置１０に入力される書込み実
行コマンド信号を、書換え動作検出回路２１で検出し
（ステップＳ２）、書換え動作検出信号Ｂを出力する
（ステップＳ３）。書換え回数カウンタ２２は、書換え
動作検出信号Ｂをカウントして、書換え回数をカウンタ
出力信号Ｃとして出力する（ステップＳ４）。書換え回
数記憶回路２３は、カウンタ出力信号Ｃの書換え回数を
前に保持していたものに加算器で加え、その累積結果を
記憶する（ステップＳ５）。この書換え回数記憶回路２
３に用いる記憶素子は、メモリ装置１０内のメモリ素子
と同等、又はそれ以上の書換え回数制限値を持つ不揮発
性メモリ素子を使用する。
ュメモリの場合、メモリ装置１０に入力される書込み実
行コマンド信号を、書換え動作検出回路２１で検出し
（ステップＳ２）、書換え動作検出信号Ｂを出力する
（ステップＳ３）。書換え回数カウンタ２２は、書換え
動作検出信号Ｂをカウントして、書換え回数をカウンタ
出力信号Ｃとして出力する（ステップＳ４）。書換え回
数記憶回路２３は、カウンタ出力信号Ｃの書換え回数を
前に保持していたものに加算器で加え、その累積結果を
記憶する（ステップＳ５）。この書換え回数記憶回路２
３に用いる記憶素子は、メモリ装置１０内のメモリ素子
と同等、又はそれ以上の書換え回数制限値を持つ不揮発
性メモリ素子を使用する。
【００１５】次に、比較回路２４に、書換え回数記憶回
路２３での累積数と、書換え回数制限値を送信し（ステ
ップ６）、比較回路２４では書換え回数記憶回路２３の
書換え回数出力信号Ｄと、書換え回数制限値出力信号Ｅ
を受信し（ステップＳ７）、両者を比較する。書換え回
数出力信号Ｄが書換え回数制限値出力信号Ｅ以上となっ
た場合（ステップＳ８）、書換え回数比較回路２４は比
較回路出力信号Ｆを交換時期表示回路２５へ出力する。
比較回路出力信号Ｆを受信した交換時期表示回路２５
は、ＬＥＤを点灯させる等メモリ装置の交換を促す表示
を行う（ステップＳ９）。
路２３での累積数と、書換え回数制限値を送信し（ステ
ップ６）、比較回路２４では書換え回数記憶回路２３の
書換え回数出力信号Ｄと、書換え回数制限値出力信号Ｅ
を受信し（ステップＳ７）、両者を比較する。書換え回
数出力信号Ｄが書換え回数制限値出力信号Ｅ以上となっ
た場合（ステップＳ８）、書換え回数比較回路２４は比
較回路出力信号Ｆを交換時期表示回路２５へ出力する。
比較回路出力信号Ｆを受信した交換時期表示回路２５
は、ＬＥＤを点灯させる等メモリ装置の交換を促す表示
を行う（ステップＳ９）。
【００１６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え動作を
検出する書換え動作検出回路と、この書換え動作検出回
路からの出力信号に基づいてメモリ素子への書換えを行
った回数をカウントする書換え回数カウンタと、この書
換え回数カウンタからの出力信号に基づいて、前にカウ
ントした回数との累積数を記憶する書換え回数記憶回路
と、この書換え回数記憶回路からの書換え回数と、前記
メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比較回路
と、この比較回路からの書換え回数制限値以上の出力信
号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換時期
表示回路を設けるようにしたので、データの書換えがで
きなくなる前に確実にメモリ装置を交換することができ
る。
よれば、メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え動作を
検出する書換え動作検出回路と、この書換え動作検出回
路からの出力信号に基づいてメモリ素子への書換えを行
った回数をカウントする書換え回数カウンタと、この書
換え回数カウンタからの出力信号に基づいて、前にカウ
ントした回数との累積数を記憶する書換え回数記憶回路
と、この書換え回数記憶回路からの書換え回数と、前記
メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比較回路
と、この比較回路からの書換え回数制限値以上の出力信
号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換時期
表示回路を設けるようにしたので、データの書換えがで
きなくなる前に確実にメモリ装置を交換することができ
る。
【００１８】これによって、データの書換えを制限値以
上行って装置内のデータを破壊し、装置が使用できなく
なることを防ぐことができる。
上行って装置内のデータを破壊し、装置が使用できなく
なることを防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例を示す交換表示機能付不揮発性
メモリ装置のブロック図である。
メモリ装置のブロック図である。
【図２】本発明の実施例を示す交換表示機能付不揮発性
メモリ装置の動作フローチャートである。
メモリ装置の動作フローチャートである。
【図３】従来の不揮発性メモリ装置の一構成例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１０ メモリ装置 １１ メモリ部 １２ 制御部 ２１ 書換え動作検出回路 ２２ 書換え回数カウンタ ２３ 書換え回数記憶回路 ２４ 比較回路 ２５ 交換時期表示回路 Ａ ライトイネーブル信号 Ｂ 書換え動作検出信号 Ｃ カウンタ出力信号 Ｄ 書換え回数出力信号 Ｅ 書換え回数制限値出力信号 Ｆ 比較回路出力信号
Claims (1)
- 【請求項１】 不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メ
モリ装置において、（ａ）メモリ素子へのデータ書込み
毎の書換え動作を検出する書換え動作検出回路と、
（ｂ）該書換え動作検出回路からの出力信号に基づいて
メモリ素子への書換えを行った回数をカウントする書換
え回数カウンタと、（ｃ）該書換え回数カウンタからの
出力信号に基づいて、前にカウントした回数との累積数
を記憶する書換え回数記憶回路と、（ｄ）該書換え回数
記憶回路からの書換え回数と、前記メモリ素子の書換え
回数制限値とを比較する比較回路と、（ｅ）該比較回路
からの書換え回数制限値以上の出力信号に基づいて装置
の交換を行うように表示する交換時期表示回路を備えた
ことを特徴とする交換表示機能付不揮発性メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125793A JPH06236695A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 交換表示機能付不揮発性メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125793A JPH06236695A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 交換表示機能付不揮発性メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236695A true JPH06236695A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12050042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125793A Withdrawn JPH06236695A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 交換表示機能付不揮発性メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236695A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1044527A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 印刷データ格納方法及び印刷装置 |
| JP2006023815A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Nec Infrontia Corp | メモリ寿命警告装置、および情報処理方法 |
| US6993690B1 (en) | 1998-12-16 | 2006-01-31 | Hagiwara Sys-Com Co., Ltd. | Memory unit having memory status indicator |
| JP2008186295A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | データ記録システム |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2125793A patent/JPH06236695A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1044527A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 印刷データ格納方法及び印刷装置 |
| US6993690B1 (en) | 1998-12-16 | 2006-01-31 | Hagiwara Sys-Com Co., Ltd. | Memory unit having memory status indicator |
| JP2006023815A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Nec Infrontia Corp | メモリ寿命警告装置、および情報処理方法 |
| JP2008186295A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | データ記録システム |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |