JPH0624043B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0624043B2 JPH0624043B2 JP62193406A JP19340687A JPH0624043B2 JP H0624043 B2 JPH0624043 B2 JP H0624043B2 JP 62193406 A JP62193406 A JP 62193406A JP 19340687 A JP19340687 A JP 19340687A JP H0624043 B2 JPH0624043 B2 JP H0624043B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass
- magnetic
- substrate
- magnetic head
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般にＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた
磁気ヘツドに関するものであり、特に高周波用で且つ高
いＳ／Ｎ比が要求される高密度記録用ヘツド、主として
ビデオヘツド、デジタル用ヘツド等に好適に利用し得
る。
磁気ヘツドに関するものであり、特に高周波用で且つ高
いＳ／Ｎ比が要求される高密度記録用ヘツド、主として
ビデオヘツド、デジタル用ヘツド等に好適に利用し得
る。
従来の技術及び問題点 磁気記録技術の分野における最近の記録密度の向上は著
しく、これに伴なつて例えば電磁変換素子としての磁気
ヘツドに対する挟トラツク化及びコア材料の飽和磁化の
増大並びに高周波領域における透磁率の改善といつた要
求が高まつている。
しく、これに伴なつて例えば電磁変換素子としての磁気
ヘツドに対する挟トラツク化及びコア材料の飽和磁化の
増大並びに高周波領域における透磁率の改善といつた要
求が高まつている。
近年、磁気記録分野における上記要求を満足せしめる磁
気ヘツドとして、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた
薄膜積層磁気ヘツドが急速に注目を浴びている。該磁気
ヘツドの一例が第１図及び第２図に図示される。簡単に
その構造を説明する。
気ヘツドとして、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた
薄膜積層磁気ヘツドが急速に注目を浴びている。該磁気
ヘツドの一例が第１図及び第２図に図示される。簡単に
その構造を説明する。
第２図を参照すると、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ２Ｏ３
系結晶化ガラスから成る基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａ
合金薄膜１２が膜厚１〜２０μｍにて成膜される。次い
で、該合金磁性膜１２上にＳｉＯ２から成る非磁性絶縁
膜、即ち、層間膜１３が膜厚０．０３〜０．５μｍにて
形成される。
系結晶化ガラスから成る基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａ
合金薄膜１２が膜厚１〜２０μｍにて成膜される。次い
で、該合金磁性膜１２上にＳｉＯ２から成る非磁性絶縁
膜、即ち、層間膜１３が膜厚０．０３〜０．５μｍにて
形成される。
更に、磁性膜１２と非磁性絶縁膜１３が必要回数積層さ
れ、磁性膜構造体１４が形成される。斯る磁性膜１２と
非磁性絶縁膜１３の膜厚及び積層回数は積層部の厚さが
トラツク幅ｗ（第２図）となるように適宜設定される。
れ、磁性膜構造体１４が形成される。斯る磁性膜１２と
非磁性絶縁膜１３の膜厚及び積層回数は積層部の厚さが
トラツク幅ｗ（第２図）となるように適宜設定される。
次いで、前記磁性膜構造体１４の上にガラス膜１５が形
成され、その上に他の基板１６が積層される。ガラス膜
１５としてはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系の接合ガラ
スが使用されている。基板１６は前記基板１１と同様の
材料にて作製される。
成され、その上に他の基板１６が積層される。ガラス膜
１５としてはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系の接合ガラ
スが使用されている。基板１６は前記基板１１と同様の
材料にて作製される。
このようにして作製された積層膜構造体１７は、第１図
に図示されるように、積層した厚さ方向に切断し、一対
のコア半体ブロツク１８、１９が形成され、少なくとも
片方のコア半体、本例ではコア半体１８に巻線溝２０を
形成する。
に図示されるように、積層した厚さ方向に切断し、一対
のコア半体ブロツク１８、１９が形成され、少なくとも
片方のコア半体、本例ではコア半体１８に巻線溝２０を
形成する。
続いて、両コア半体ブロツク１８、１９の突合せ面の接
合を強固なものとするために、従来、第１図に図示され
るように、巻線溝２０に対向した、本例ではコア半体１
９の両側面部に面取部２２を形成し、又、両コア半体の
前記ギヤツプ部とは反対側にも凹所２３を形成した後、
両コア半体ブロツク１８、１９の突合せ面は研摩加工
後、ＳｉＯ２から成る非磁性のギヤツプスペーサー２１
を形成する。
合を強固なものとするために、従来、第１図に図示され
るように、巻線溝２０に対向した、本例ではコア半体１
９の両側面部に面取部２２を形成し、又、両コア半体の
前記ギヤツプ部とは反対側にも凹所２３を形成した後、
両コア半体ブロツク１８、１９の突合せ面は研摩加工
後、ＳｉＯ２から成る非磁性のギヤツプスペーサー２１
を形成する。
この後、両コア半体ブロツク１８、１９を突合せ面にて
突合せ、該面取部及び凹所にＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系モール
ドガラスを充填し両コア半体ブロツクを接合する。
突合せ、該面取部及び凹所にＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系モール
ドガラスを充填し両コア半体ブロツクを接合する。
最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研摩加工及び他
の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、磁気ヘツド１０
が得られる。
の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、磁気ヘツド１０
が得られる。
斯る構成の磁気ヘツド１０は、極めて良好な磁気特性を
有するものであるが、第３図に図示するように、使用時
に時間経過と共にギヤツプ部２１に近接したモールドガ
ラス部２２にクラツク２４が生じ、結果的に両コア半体
の接合力が弱まり、ギヤツプ部が離間してしまい、所定
の磁気特性が得られなくなるといつた問題が発生した。
又、斯るモールドガラス部のクラツクは磁気ヘツド製造
時においても発生し、歩留りが１０％未満であるといつ
た極めて製造効率の悪いものであつた。
有するものであるが、第３図に図示するように、使用時
に時間経過と共にギヤツプ部２１に近接したモールドガ
ラス部２２にクラツク２４が生じ、結果的に両コア半体
の接合力が弱まり、ギヤツプ部が離間してしまい、所定
の磁気特性が得られなくなるといつた問題が発生した。
又、斯るモールドガラス部のクラツクは磁気ヘツド製造
時においても発生し、歩留りが１０％未満であるといつ
た極めて製造効率の悪いものであつた。
本発明者等は、このような問題を解決するべく多くの研
究実験を行なつた結果、上述したような材料が使用され
ている基板１１、１６、ガラス膜１５、磁性膜構造体１
４、モールドガラス２２の各熱膨張係数は大きく相違し
ており、斯る熱膨張係数の相違に起因してモールドガラ
ス部に過大の引張応力又は圧縮応力が発生し、モールド
ガラス部にクラツクが発生することを見出した。
究実験を行なつた結果、上述したような材料が使用され
ている基板１１、１６、ガラス膜１５、磁性膜構造体１
４、モールドガラス２２の各熱膨張係数は大きく相違し
ており、斯る熱膨張係数の相違に起因してモールドガラ
ス部に過大の引張応力又は圧縮応力が発生し、モールド
ガラス部にクラツクが発生することを見出した。
又、磁気ヘツドは熱膨張係数が概略一致することが重要
であると同時に、該ヘツドは一般に真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法等にて製造される
ために、プロセス上の制約から、基板の耐熱温度、ガラ
ス膜及びモールドガラスの軟化点の間には（基板の耐熱
温度）＞（ガラス膜の軟化点）＞（モールドガラスの軟
化点）という関係が必要であり、更には基板、ガラス
膜、モールドガラスの各材料間で過度の化学的浸食反応
を起さないように各材料を選定することが必要であるこ
とを見出した。
であると同時に、該ヘツドは一般に真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法等にて製造される
ために、プロセス上の制約から、基板の耐熱温度、ガラ
ス膜及びモールドガラスの軟化点の間には（基板の耐熱
温度）＞（ガラス膜の軟化点）＞（モールドガラスの軟
化点）という関係が必要であり、更には基板、ガラス
膜、モールドガラスの各材料間で過度の化学的浸食反応
を起さないように各材料を選定することが必要であるこ
とを見出した。
本発明者等は、斯る観点から多くの材料を検討した結
果、基板としては（ＭｎＯ）×（ＮｉＯ）1-x（ただ
し、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩塩型構造が主たるもの
である非磁性基板材料を、ガラス膜としてはＳｉＯ２−
Ｎａ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系ガラスを、モールドガラスとし
てはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスを、層間膜
及びギヤツプ層としてはＳｉＯ２を使用することによ
り、モールドガラス部にクラツクが発生することのない
高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた磁気ヘツ
ドを製造し得ることを見出した。
果、基板としては（ＭｎＯ）×（ＮｉＯ）1-x（ただ
し、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩塩型構造が主たるもの
である非磁性基板材料を、ガラス膜としてはＳｉＯ２−
Ｎａ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系ガラスを、モールドガラスとし
てはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスを、層間膜
及びギヤツプ層としてはＳｉＯ２を使用することによ
り、モールドガラス部にクラツクが発生することのない
高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた磁気ヘツ
ドを製造し得ることを見出した。
本発明は斯る新規な知見に基づきなされたものである。
発明の目的 本発明の目的は、モールドガラス部にクラツクが発生す
ることのない高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用
いた磁気ヘツドを提供することである。
ることのない高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用
いた磁気ヘツドを提供することである。
本発明の他の目的は、歩留りを従来の１０％未満から８
０％程度にまで向上せしめることのできるＦｅ−Ｓｉ−
Ａ合金磁性膜を用いた磁気ヘツドを提供することであ
る。
０％程度にまで向上せしめることのできるＦｅ−Ｓｉ−
Ａ合金磁性膜を用いた磁気ヘツドを提供することであ
る。
問題点を解決するための手段 上記諸目的は本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜
を用いた磁気ヘツドにて達成される。要約すれば本発明
は、一方の基板と、該基板の上にＦｅ（８３〜９４ｗｔ
％）−Ｓｉ（４〜１１ｗｔ％）−Ａ（２〜６ｗｔ％）
の組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜と層間膜と
が交互に積層されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体
の上に積層されたガラス層と、該ガラス膜の上に積層さ
れた他方の基板とを有した積層膜構造体から成る二つコ
ア半体を突合せ、該両コア半体をモールドガラスにて補
強接合して構成される磁気ヘツドにおいて、基板は（Ｍ
ｎＯ）×（ＮｉＯ）1-x（ただし、０＜ｘ＜１）で表わ
され、岩塩型構造が主たるものである非磁性基板材料で
作製し、ガラス膜はＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系
ガラスで作製し、そしてモールドガラスはＳｉＯ２−Ｂ
２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスで作製されたことを特徴とす
る磁気ヘツドである。
を用いた磁気ヘツドにて達成される。要約すれば本発明
は、一方の基板と、該基板の上にＦｅ（８３〜９４ｗｔ
％）−Ｓｉ（４〜１１ｗｔ％）−Ａ（２〜６ｗｔ％）
の組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜と層間膜と
が交互に積層されて成る磁性膜構造体と、該薄膜構造体
の上に積層されたガラス層と、該ガラス膜の上に積層さ
れた他方の基板とを有した積層膜構造体から成る二つコ
ア半体を突合せ、該両コア半体をモールドガラスにて補
強接合して構成される磁気ヘツドにおいて、基板は（Ｍ
ｎＯ）×（ＮｉＯ）1-x（ただし、０＜ｘ＜１）で表わ
され、岩塩型構造が主たるものである非磁性基板材料で
作製し、ガラス膜はＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系
ガラスで作製し、そしてモールドガラスはＳｉＯ２−Ｂ
２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスで作製されたことを特徴とす
る磁気ヘツドである。
次に、本発明の磁気ヘツドについて更に詳しく説明す
る。
る。
Ａ．基板材料の選定： 本発明者等は、基板、ガラス膜及びモールドガラスの材
料を選定するに当り先ず、基板材料を検討した。
料を選定するに当り先ず、基板材料を検討した。
従来、基板材料としては、上述のように、ＳｉＯ２−Ｌ
ｉ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系結晶化ガラスが使用されていた
が、本発明者等の研究によると、斯る結晶化ガラスは耐
熱温度が６５０〜８００℃程度と低く、該基板の上に積
層されるガラス膜１２の材料の選択範囲を極度にせばめ
ていることが分かつた。又、マトリツクス相（主成分は
ＳｉＯ２）と、従来ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが用いら
れたモールドガラスとの間では、塩基度の差が大きいた
めに、化学的浸食反応が生じ、基板が浸食され、基板の
残し量又はギヤツプ深さを正確に設定するのが困難であ
るという問題を有していた。
ｉ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系結晶化ガラスが使用されていた
が、本発明者等の研究によると、斯る結晶化ガラスは耐
熱温度が６５０〜８００℃程度と低く、該基板の上に積
層されるガラス膜１２の材料の選択範囲を極度にせばめ
ていることが分かつた。又、マトリツクス相（主成分は
ＳｉＯ２）と、従来ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが用いら
れたモールドガラスとの間では、塩基度の差が大きいた
めに、化学的浸食反応が生じ、基板が浸食され、基板の
残し量又はギヤツプ深さを正確に設定するのが困難であ
るという問題を有していた。
従つて、本発明者等は、基板の材料選定に当り、 （１）Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜の熱膨張係数（１２
０〜１５０×１０-7／℃）に近い熱膨張係数を有するこ
と、 （２）耐熱温度が８００℃以上であること、 （３）モールドガラス等の低融点ガラスと極度に反応し
ないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
０〜１５０×１０-7／℃）に近い熱膨張係数を有するこ
と、 （２）耐熱温度が８００℃以上であること、 （３）モールドガラス等の低融点ガラスと極度に反応し
ないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
本発明者等の研究実験の結果、（ＭｎＯ）×（ＮｉＯ）
1-x（ただし、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩塩型構造が
主たるものである非磁性基板材料、特にｘ＝０．５５で
ある基板材料は上記選択条件を満足していることを見出
した。表１に該材料の諸特性を従来の材料と比較して示
す。
1-x（ただし、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩塩型構造が
主たるものである非磁性基板材料、特にｘ＝０．５５で
ある基板材料は上記選択条件を満足していることを見出
した。表１に該材料の諸特性を従来の材料と比較して示
す。
Ｂ．ガラス膜材料の選定 従来ガラス膜材料としては、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｚｎ
Ｏ系の接合ガラスが使用されていたが、本発明者等の研
究実験の結果によると、ＺｎＯを含むガラスは、通常磁
気ヘツドの製造時に採用されているスパツタリング等の
方法では膜中にＺｎＯが入り難いという問題があり、こ
のように組成ずれが生じると、磁気ヘツドを構成する上
で重要な諸特性、例えば熱膨張係数や軟化点が変化する
という問題を引起すことが分かつた。表２にバルク組成
と膜組成とを示す。
Ｏ系の接合ガラスが使用されていたが、本発明者等の研
究実験の結果によると、ＺｎＯを含むガラスは、通常磁
気ヘツドの製造時に採用されているスパツタリング等の
方法では膜中にＺｎＯが入り難いという問題があり、こ
のように組成ずれが生じると、磁気ヘツドを構成する上
で重要な諸特性、例えば熱膨張係数や軟化点が変化する
という問題を引起すことが分かつた。表２にバルク組成
と膜組成とを示す。
従つて、本発明者等は、ガラス膜の材料選定に当り、 （１）基板の熱膨張係数（１３４×１０-7／℃）に近い
熱膨張係数を有すること、 （２）耐熱温度（軟化点）がモールドガラスの作業温度
より５０℃以上高いこと、 （３）組成ずれを小さくするためにＺｎＯを含まないこ
と、 （４）基板と極度に反応しないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
熱膨張係数を有すること、 （２）耐熱温度（軟化点）がモールドガラスの作業温度
より５０℃以上高いこと、 （３）組成ずれを小さくするためにＺｎＯを含まないこ
と、 （４）基板と極度に反応しないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
本発明者等の研究実験の結果、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−Ａ
２Ｏ３系ガラスが最適であることを見出した。該材料
の組成の一実施例を表３に、表４に該材料の諸特性を示
す。又表５には本発明に従つたガラス膜材料を使用し
て、Ａｒ圧力４×１０-3スパツタリングにて膜の作製を
行なつた際のバルク組成と膜組成とを示すが、組成ずれ
を生じていないことが理解されるであろう。
２Ｏ３系ガラスが最適であることを見出した。該材料
の組成の一実施例を表３に、表４に該材料の諸特性を示
す。又表５には本発明に従つたガラス膜材料を使用し
て、Ａｒ圧力４×１０-3スパツタリングにて膜の作製を
行なつた際のバルク組成と膜組成とを示すが、組成ずれ
を生じていないことが理解されるであろう。
Ｃ．モールドガラス材料の選定 従来、モールドガラス材料としては、上述のように、Ｐ
ｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが用いられ、モールドガラスと
基板との間では、塩基度の差が大きいために、化学的浸
食反応が生じ、基板が浸食され、基板の残し量又はギヤ
ツプ深さを正確に設定するのが困難であるという問題を
有していた。
ｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが用いられ、モールドガラスと
基板との間では、塩基度の差が大きいために、化学的浸
食反応が生じ、基板が浸食され、基板の残し量又はギヤ
ツプ深さを正確に設定するのが困難であるという問題を
有していた。
従つて、本発明者等は、モールドガラスの材料選定に当
り、 （１）基板の熱膨張係数（１３４×１０-7／℃）に近い
熱膨張係数を有すること、 （２）作業温度がガラス膜の軟化点が６３０℃以下であ
ること、望ましくはガラス膜の軟化点より５０℃以上低
いこと、 （３）基板と極度に反応しないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
り、 （１）基板の熱膨張係数（１３４×１０-7／℃）に近い
熱膨張係数を有すること、 （２）作業温度がガラス膜の軟化点が６３０℃以下であ
ること、望ましくはガラス膜の軟化点より５０℃以上低
いこと、 （３）基板と極度に反応しないこと、 が選定条件として必須であることが分かつた。
本発明者等の研究実験の結果、モールドガラスとしては
ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスが最適であるこ
とを見出した。該材料の組成の一実施例を表６に、表７
に該材料の諸特性を、従来のモールドガラス材料と比較
して示す。
ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラスが最適であるこ
とを見出した。該材料の組成の一実施例を表６に、表７
に該材料の諸特性を、従来のモールドガラス材料と比較
して示す。
次に、本発明に係る薄膜積層磁気ヘツドを実施例につい
て説明する。
て説明する。
実施例１ 第１図に図示されるような構造をした本発明に係る磁気
ヘツドをＤＣマグネトロンスパツタ（ＲＦバイアス印
加）装置を使用して作製した。第４図に該スパツタ装置
の概略が図示される。
ヘツドをＤＣマグネトロンスパツタ（ＲＦバイアス印
加）装置を使用して作製した。第４図に該スパツタ装置
の概略が図示される。
ＤＣスパツタ装置３０は高圧直流電源３１に接続された
陰極３２と、ＲＦバイアス電源３３に接続され電気的に
絶縁された基板ホルダー３４とを具備し、前記陰極３２
にはターゲツト３５が配置され、ホルダー３４には基板
１１が配置された。又、装置は一方の口３６から真空ポ
ンプ（図示せず）にて真空引され、又他方の口３７から
Ａｒガスが導入された。
陰極３２と、ＲＦバイアス電源３３に接続され電気的に
絶縁された基板ホルダー３４とを具備し、前記陰極３２
にはターゲツト３５が配置され、ホルダー３４には基板
１１が配置された。又、装置は一方の口３６から真空ポ
ンプ（図示せず）にて真空引され、又他方の口３７から
Ａｒガスが導入された。
ターゲツト３５としてはＳｉ１０．５ｗｔ％、Ａ５．
５ｗｔ％、残部Ｆｅから成るホツトプレスされた直径４
インチ、厚さ４ｍｍのものを使用した。
５ｗｔ％、残部Ｆｅから成るホツトプレスされた直径４
インチ、厚さ４ｍｍのものを使用した。
基板１１は、熱膨張係数が１３４×１０-7／℃の（Ｍｎ
Ｏ）×（ＮｉＯ）1-x（ただし、ｘ＝０．５５）で表わ
され、岩塩型構造が主たるものである非磁性基板材料の
直径が２インチのものを表面粗さ１５０Åにポリツシユ
して使用した。
Ｏ）×（ＮｉＯ）1-x（ただし、ｘ＝０．５５）で表わ
され、岩塩型構造が主たるものである非磁性基板材料の
直径が２インチのものを表面粗さ１５０Åにポリツシユ
して使用した。
Ａｒ圧力は４×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は５００Ｗと
した。基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金膜１２を膜厚
４．７μｍにて成膜した。該成膜された軟磁性膜は、そ
の後熱処理した。
した。基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金膜１２を膜厚
４．７μｍにて成膜した。該成膜された軟磁性膜は、そ
の後熱処理した。
続いて、このＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金膜１２の上に層間膜
１３を形成した。層間膜の作製は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ合
金膜作製に使用した前記マグネトロンスパツタ装置にＲ
Ｆ電源を接続したものを用い、ターゲツトとして直径４
インチ、厚さ５ｍｍのＳｉＯ２を使用した。Ａｒ圧力は
４×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は３００Ｗとした。斯る
条件にて基板の磁性膜上にＳｉＯ２膜が膜厚０．３μｍ
にて形成された。
１３を形成した。層間膜の作製は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ合
金膜作製に使用した前記マグネトロンスパツタ装置にＲ
Ｆ電源を接続したものを用い、ターゲツトとして直径４
インチ、厚さ５ｍｍのＳｉＯ２を使用した。Ａｒ圧力は
４×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は３００Ｗとした。斯る
条件にて基板の磁性膜上にＳｉＯ２膜が膜厚０．３μｍ
にて形成された。
次いで、上記方法にて前記層間膜１３上に磁性膜１２及
び絶縁膜１３の順に４回繰り返し、磁性膜構造体１４を
得た。該磁性膜構造体１４の全膜厚は２０μｍであつ
た。
び絶縁膜１３の順に４回繰り返し、磁性膜構造体１４を
得た。該磁性膜構造体１４の全膜厚は２０μｍであつ
た。
更に、前記磁性膜構造体１４の上にガラス膜１５を通常
のスパツタリング等で形成した。該ガラス膜１５はＳｉ
Ｏ２（５０ｗｔ％）−Ｎａ２Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａ２
Ｏ３（１０ｗｔ％）、残部としてＢａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｃａ
Ｏ等を含んだ組成のガラスを使用し、Ａｒ圧力４×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＲＦ入力１００Ｗ、基板温度１００℃の条
件でスパツタリングにより膜厚１μｍのガラス膜を作製
した。次いで、前記基板１１と同じ材料で形成された他
の基板１６を前記ガラス膜の上に積層して積層膜構造体
１７を作製した。該積層膜構造体１７は、６５０℃で１
５分の溶融圧着を行なつた。
のスパツタリング等で形成した。該ガラス膜１５はＳｉ
Ｏ２（５０ｗｔ％）−Ｎａ２Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａ２
Ｏ３（１０ｗｔ％）、残部としてＢａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｃａ
Ｏ等を含んだ組成のガラスを使用し、Ａｒ圧力４×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＲＦ入力１００Ｗ、基板温度１００℃の条
件でスパツタリングにより膜厚１μｍのガラス膜を作製
した。次いで、前記基板１１と同じ材料で形成された他
の基板１６を前記ガラス膜の上に積層して積層膜構造体
１７を作製した。該積層膜構造体１７は、６５０℃で１
５分の溶融圧着を行なつた。
次に、このようにして作製された積層膜構造体１７は、
第１図に図示されるように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロツク１８、１９を形成し、コア
半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半体ブロツ
ク１８、１９の突合せ面の接合を強固なものとするため
に、第１図に図示されるように、巻線溝２０に対向し
た、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、又、両
コア半体の前記ギヤツプ部とは反対側にも凹所を形成
し、同コア半体ブロツク１８、１９の突合せ面は研摩加
工後、ＳｉＯ２から成る非磁性のギヤツプスペーサー２
１をスパツタリングにより形成した。次いで、該面取部
及び凹所にＳｉＯ２（３８ｗｔ％）−Ｂ２Ｏ３（２０ｗ
ｔ％）−Ｎａ２Ｏ（２２ｗｔ％）、残部としてＫ２Ｏ、
Ｌｉ２Ｏ等から成る組成を有したモールドガラスを溶融
充填した。
第１図に図示されるように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロツク１８、１９を形成し、コア
半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半体ブロツ
ク１８、１９の突合せ面の接合を強固なものとするため
に、第１図に図示されるように、巻線溝２０に対向し
た、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、又、両
コア半体の前記ギヤツプ部とは反対側にも凹所を形成
し、同コア半体ブロツク１８、１９の突合せ面は研摩加
工後、ＳｉＯ２から成る非磁性のギヤツプスペーサー２
１をスパツタリングにより形成した。次いで、該面取部
及び凹所にＳｉＯ２（３８ｗｔ％）−Ｂ２Ｏ３（２０ｗ
ｔ％）−Ｎａ２Ｏ（２２ｗｔ％）、残部としてＫ２Ｏ、
Ｌｉ２Ｏ等から成る組成を有したモールドガラスを溶融
充填した。
最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研摩加工及び他
の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、薄膜積層磁気ヘ
ツド１０が得られた。
の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、薄膜積層磁気ヘ
ツド１０が得られた。
上記方法にて５０個の磁気ヘツドを作製したが、モール
ドガラス部にクラツクが発生することに起因した不良品
は８個発生したに過ぎず、歩留りは８４％であつた。
ドガラス部にクラツクが発生することに起因した不良品
は８個発生したに過ぎず、歩留りは８４％であつた。
斯る構成の磁気ヘツド１０は、極めて良好な磁気特性を
有するものであり、保磁力０．１８ Ｏｅ、１ＭＨｚで
の比初透磁率２０００が得られた。又、本磁気ヘツドを
トラツク巾が膜厚方向とされるＶＴＲ用磁気ヘツドと
し、トラツク幅２０μｍ、テープヘツド相対速度５．８
ｍ／ｓｅｃとし、メタルテープを用いて、再生出力を測
定したところ、５ＭＨｚでの再生出力で従来の基板、ガ
ラス膜、モールドガラスを用いた磁気ヘツドと同程度の
性能が得られた。
有するものであり、保磁力０．１８ Ｏｅ、１ＭＨｚで
の比初透磁率２０００が得られた。又、本磁気ヘツドを
トラツク巾が膜厚方向とされるＶＴＲ用磁気ヘツドと
し、トラツク幅２０μｍ、テープヘツド相対速度５．８
ｍ／ｓｅｃとし、メタルテープを用いて、再生出力を測
定したところ、５ＭＨｚでの再生出力で従来の基板、ガ
ラス膜、モールドガラスを用いた磁気ヘツドと同程度の
性能が得られた。
本発明に従つた薄膜磁気ヘツドは、製造過程において
も、又、長時間の使用においてもギヤツプ部に近接した
モールドガラス部にクラツクが生じることはなかつた。
も、又、長時間の使用においてもギヤツプ部に近接した
モールドガラス部にクラツクが生じることはなかつた。
発明の効果 以上の如くに構成される本発明に係る薄膜積層磁気ヘツ
ドは、モールドガラス部にクラツクが発生することのな
い高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた薄膜積
層磁気ヘツドを提供することができ、更に、歩留りを従
来の１０％未満から８０％程度にまで向上せしめること
のできるという利益を提供することができる。
ドは、モールドガラス部にクラツクが発生することのな
い高品質のＦｅ−Ｓｉ−Ａ合金磁性膜を用いた薄膜積
層磁気ヘツドを提供することができ、更に、歩留りを従
来の１０％未満から８０％程度にまで向上せしめること
のできるという利益を提供することができる。
第１図は、本発明に係る薄膜積層磁気ヘツドの一実施例
を示す斜視図である。 第２図は、第１図の磁気ヘツドの層構成を示す部分平面
図である。 第３図は、第１図の磁気ヘツドのギヤツプ部を示す平面
図である。 第４図は、薄膜積層磁気ヘツドを作成するためのスパツ
タリング装置の概略構成図である。 １０：薄膜積層磁気ヘツド １１、１６：基板 １２：磁性膜 １３：層間膜 １５：ガラス膜
を示す斜視図である。 第２図は、第１図の磁気ヘツドの層構成を示す部分平面
図である。 第３図は、第１図の磁気ヘツドのギヤツプ部を示す平面
図である。 第４図は、薄膜積層磁気ヘツドを作成するためのスパツ
タリング装置の概略構成図である。 １０：薄膜積層磁気ヘツド １１、１６：基板 １２：磁性膜 １３：層間膜 １５：ガラス膜
Claims (4)
- 【請求項１】一方の基板と、該基板の上にＦｅ−Ｓｉ−
Ａ合金磁性膜と層間膜とが交互に積層されて成る磁性
膜構造体と、該薄膜構造体の上に積層されたガラス膜
と、該ガラス膜の上に積層された他方の基板とを有した
積層膜構造体から成る二つのコア半体を突合せ、該両コ
ア半体をモールドガラスにて補強接合して構成される磁
気ヘツドにおいて、基板は（ＭｎＯ）×（ＮｉＯ）1-x
（ただし、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩塩型構造が主た
るものである非磁性基板材料で作製し、ガラス膜はＳｉ
Ｏ２−Ｎａ２Ｏ−Ａ２Ｏ３系ガラスで作製し、そして
モールドガラスはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ系ガラ
スで作製されたことを特徴とする磁気ヘツド。 - 【請求項２】基板は、ｘ＝０．５５である（ＭｎＯ）×
（ＮｉＯ）1-x（ただし、０＜ｘ＜１）で表わされ、岩
塩型構造が主たるものである非磁性基板材料で作製され
て成る特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 - 【請求項３】ガラス膜は、ＳｉＯ２（４０〜６０ｗｔ
％）−Ｎａ２Ｏ（１０〜３０ｗｔ％）−Ａ２Ｏ３（５
〜１５ｗｔ％）を主たる成分とするガラスで作製されて
成る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気ヘツ
ド。 - 【請求項４】モールドガラスは、ＳｉＯ２（２５〜４５
ｗｔ％）−Ｂ２Ｏ３（１０〜３０ｗｔ％）−Ｎａ２Ｏ
（１０〜３０ｗｔ％）を主たる成分とするガラスで作製
されて成る特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記
載の磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62193406A JPH0624043B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62193406A JPH0624043B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6437705A JPS6437705A (en) | 1989-02-08 |
| JPH0624043B2 true JPH0624043B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16307425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62193406A Expired - Lifetime JPH0624043B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624043B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2542946B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1996-10-09 | 株式会社ジャパンエナジー | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH05117023A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-14 | Nec Corp | 磁気ヘツド用非磁性基板および磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP62193406A patent/JPH0624043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6437705A (en) | 1989-02-08 |
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