JPH0668423A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0668423A JPH0668423A JP24146492A JP24146492A JPH0668423A JP H0668423 A JPH0668423 A JP H0668423A JP 24146492 A JP24146492 A JP 24146492A JP 24146492 A JP24146492 A JP 24146492A JP H0668423 A JPH0668423 A JP H0668423A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性薄膜を用
いた薄膜磁気ヘッドにおいて、軟磁性薄膜と非磁性酸化
物基板との界面における反応層の形成を防止し、それに
よって、軟磁性薄膜の磁気特性の劣化、再生出力の低
下、更には、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面の
残留応力の増大を防止し、磁気特性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドを提供する。 【構成】 非磁性酸化物基板１１と、この基板１１上に
成膜される軟磁性薄膜１２との間に反応防止膜４０を形
成する。反応防止膜４０は、非磁性酸化物基板１１と軟
磁性薄膜１２との界面に形成されて、両者の相互の反応
を防止する。
いた薄膜磁気ヘッドにおいて、軟磁性薄膜と非磁性酸化
物基板との界面における反応層の形成を防止し、それに
よって、軟磁性薄膜の磁気特性の劣化、再生出力の低
下、更には、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面の
残留応力の増大を防止し、磁気特性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドを提供する。 【構成】 非磁性酸化物基板１１と、この基板１１上に
成膜される軟磁性薄膜１２との間に反応防止膜４０を形
成する。反応防止膜４０は、非磁性酸化物基板１１と軟
磁性薄膜１２との界面に形成されて、両者の相互の反応
を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、例えばＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ合金などからなる軟磁性薄膜を基板上に積層
することによって作製される薄膜磁気ヘッドに関するも
のであり、特に非磁性酸化物基板と軟磁性薄膜との反応
を防止し、磁気的に優れた薄膜磁気ヘッドに関するもの
である。
Ｓｉ−Ａｌ合金などからなる軟磁性薄膜を基板上に積層
することによって作製される薄膜磁気ヘッドに関するも
のであり、特に非磁性酸化物基板と軟磁性薄膜との反応
を防止し、磁気的に優れた薄膜磁気ヘッドに関するもの
である。
【０００２】本発明の薄膜磁気ヘッドは、高周波用で且
つ高いＳ／Ｎ比が要求される高密度記録用ヘッド、主と
してビデオヘッド、デジタル用ヘッド等に使用される軟
磁性薄膜を有する薄膜磁気ヘッドとして好適に利用し得
る。
つ高いＳ／Ｎ比が要求される高密度記録用ヘッド、主と
してビデオヘッド、デジタル用ヘッド等に使用される軟
磁性薄膜を有する薄膜磁気ヘッドとして好適に利用し得
る。
【０００３】
【従来の技術】近年、磁気記録分野においては、記録信
号の高密度化に伴い、高い保磁力と残留磁束密度を有す
るメタル系の磁気記録媒体が使用されるようになり、こ
のため、磁気記録又は再生を行う磁気ヘッドのコア材料
には高い飽和磁束密度及び透磁率を有することが要求さ
れるようになった。
号の高密度化に伴い、高い保磁力と残留磁束密度を有す
るメタル系の磁気記録媒体が使用されるようになり、こ
のため、磁気記録又は再生を行う磁気ヘッドのコア材料
には高い飽和磁束密度及び透磁率を有することが要求さ
れるようになった。
【０００４】しかし、コア材料として最も広く使用され
ている軟磁性体のフェライトでは満足な特性が得難く、
最近では、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜のような軟
磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドが急速に注目を浴びて
いる。斯かる薄膜磁気ヘッドの一例が図４及び図５に例
示される。
ている軟磁性体のフェライトでは満足な特性が得難く、
最近では、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜のような軟
磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドが急速に注目を浴びて
いる。斯かる薄膜磁気ヘッドの一例が図４及び図５に例
示される。
【０００５】図５を参照すると、非磁性酸化物基板１１
上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜１２がスパッタリングな
どにて膜厚３〜１０μｍにて成膜される。次いで、この
合金軟磁性薄膜１２上にＳｉＯ2 から成る非磁性絶縁
膜、即ち、層間膜１３が膜厚約０．５μｍにて形成され
る。
上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜１２がスパッタリングな
どにて膜厚３〜１０μｍにて成膜される。次いで、この
合金軟磁性薄膜１２上にＳｉＯ2 から成る非磁性絶縁
膜、即ち、層間膜１３が膜厚約０．５μｍにて形成され
る。
【０００６】更に、軟磁性薄膜１２と非磁性絶縁膜１３
が必要回数積層され、薄膜構造体１４が形成される。斯
る軟磁性薄膜１２と非磁性絶縁膜１３の膜厚及び積層回
数は積層部の厚さがトラック幅（Ｗ）となるように適宜
設定される。
が必要回数積層され、薄膜構造体１４が形成される。斯
る軟磁性薄膜１２と非磁性絶縁膜１３の膜厚及び積層回
数は積層部の厚さがトラック幅（Ｗ）となるように適宜
設定される。
【０００７】次いで、前記薄膜構造体１４の上にガラス
膜１５が形成され、その上に他の基板１６が積層され
る。基板１６は前記基板１１と同じか、又は類似の材料
にて作製される。
膜１５が形成され、その上に他の基板１６が積層され
る。基板１６は前記基板１１と同じか、又は類似の材料
にて作製される。
【０００８】このようにして作製された積層磁性体１７
は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロック１８、１９が形成され、少
なくとも片方のコア半体、本例ではコア半体１８に巻線
溝２０を形成する。
は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向に切断
し、一対のコア半体ブロック１８、１９が形成され、少
なくとも片方のコア半体、本例ではコア半体１８に巻線
溝２０を形成する。
【０００９】続いて、両コア半体ブロック１８、１９の
突合せ面の接合を強固なものとするために、従来、図４
に図示されるように、巻線溝２０に対向した、本例では
コア半体１９の両側面部に面取部２２を形成し、又、両
コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所２３を形
成した後、両コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は
研摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペー
サー２１を形成する。
突合せ面の接合を強固なものとするために、従来、図４
に図示されるように、巻線溝２０に対向した、本例では
コア半体１９の両側面部に面取部２２を形成し、又、両
コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所２３を形
成した後、両コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は
研摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペー
サー２１を形成する。
【００１０】この後、両コア半体ブロック１８、１９を
突合せ面にて突合せ、該面取部及び凹所にモールドガラ
スを充填し両コア半体ブロック１８、１９を接合する。
突合せ面にて突合せ、該面取部及び凹所にモールドガラ
スを充填し両コア半体ブロック１８、１９を接合する。
【００１１】最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、薄膜
磁気ヘッド１０が得られる。
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、薄膜
磁気ヘッド１０が得られる。
【００１２】上記説明にて理解されるように、このよう
な薄膜磁気ヘッド１０において、トラック幅（Ｗ）は、
基板１１上にスパッタリングによってトラック幅に相当
する膜厚にて前記薄膜構造体１４を形成すればよく、ト
ラック幅（Ｗ）を規制する加工が省略され、従って、フ
ェライトのようなブロック状コア材を用いて磁気ヘッド
を作製する場合に生ずる製造上の問題は解決される。
な薄膜磁気ヘッド１０において、トラック幅（Ｗ）は、
基板１１上にスパッタリングによってトラック幅に相当
する膜厚にて前記薄膜構造体１４を形成すればよく、ト
ラック幅（Ｗ）を規制する加工が省略され、従って、フ
ェライトのようなブロック状コア材を用いて磁気ヘッド
を作製する場合に生ずる製造上の問題は解決される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した積層型薄膜磁
気ヘッドにおいては、非磁性酸化物基板１１、１６とし
ては、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラス
のようなガラス基板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3
系酸化物基板、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系酸化物基板などが広く使用されており、又、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜のような軟磁性薄膜１２は、通
常上述したスパッタリング法や、更には、イオンプレー
ティング法、蒸着法等の真空薄膜技術にて上記非磁性酸
化物基板１１上に被着形成される。
気ヘッドにおいては、非磁性酸化物基板１１、１６とし
ては、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラス
のようなガラス基板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3
系酸化物基板、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系酸化物基板などが広く使用されており、又、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜のような軟磁性薄膜１２は、通
常上述したスパッタリング法や、更には、イオンプレー
ティング法、蒸着法等の真空薄膜技術にて上記非磁性酸
化物基板１１上に被着形成される。
【００１４】本発明者らの研究実験の結果によると、上
述したように、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペ
ーサー２１を形成するために、両コア半体ブロック１
８、１９の接合面は溶着処理されるが、このとき、非磁
性酸化物基板１１と軟磁性薄膜１２との界面は３００〜
７００℃の高温に曝らされることになり、そのために、
非磁性酸化物基板１１を構成する酸化物が、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ合金などとされる軟磁性薄膜１２の構成元素であ
るＦｅ原子、Ａｌ原子、或はＳｉ原子と反応して酸化物
を形成することが分かった。この結果、上記界面部の非
磁性酸化物基板１１は還元された状態となり、反応層５
０が形成される。この反応層５０の厚さ（ｔ）は、通常
０．０５〜１μｍ厚に形成される。
述したように、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペ
ーサー２１を形成するために、両コア半体ブロック１
８、１９の接合面は溶着処理されるが、このとき、非磁
性酸化物基板１１と軟磁性薄膜１２との界面は３００〜
７００℃の高温に曝らされることになり、そのために、
非磁性酸化物基板１１を構成する酸化物が、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ合金などとされる軟磁性薄膜１２の構成元素であ
るＦｅ原子、Ａｌ原子、或はＳｉ原子と反応して酸化物
を形成することが分かった。この結果、上記界面部の非
磁性酸化物基板１１は還元された状態となり、反応層５
０が形成される。この反応層５０の厚さ（ｔ）は、通常
０．０５〜１μｍ厚に形成される。
【００１５】つまり、このような反応層５０は、Ａｌ、
Ｓｉの欠乏したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜、Ｓｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、更には、非磁性酸化物基板１１とし
てＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板を使用した場合はＣｏ、
Ｎｉ金属などからなり、軟磁性薄膜１２の磁気特性を劣
化させ、再生出力の低下を招くという問題を引き起こ
す。
Ｓｉの欠乏したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金薄膜、Ｓｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、更には、非磁性酸化物基板１１とし
てＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板を使用した場合はＣｏ、
Ｎｉ金属などからなり、軟磁性薄膜１２の磁気特性を劣
化させ、再生出力の低下を招くという問題を引き起こ
す。
【００１６】又、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性薄
膜１２の熱膨張係数は１３０×１０-7／℃〜１６０×１
０-7／℃であるが、その熱膨張係数より小さな値を持つ
物質が反応層５０として形成された場合には、軟磁性薄
膜１２と基板１１との界面の残留応力が増大することと
なり、磁気特性に悪影響を及ぼすこととなる。
膜１２の熱膨張係数は１３０×１０-7／℃〜１６０×１
０-7／℃であるが、その熱膨張係数より小さな値を持つ
物質が反応層５０として形成された場合には、軟磁性薄
膜１２と基板１１との界面の残留応力が増大することと
なり、磁気特性に悪影響を及ぼすこととなる。
【００１７】従って、本発明の目的は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金などの軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドにおい
て、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面における反
応層の形成を防止し、それによって、軟磁性薄膜の磁気
特性の劣化、再生出力の低下、更には、軟磁性薄膜と非
磁性酸化物基板との界面の残留応力の増大を防止し、磁
気特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
ｌ合金などの軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドにおい
て、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面における反
応層の形成を防止し、それによって、軟磁性薄膜の磁気
特性の劣化、再生出力の低下、更には、軟磁性薄膜と非
磁性酸化物基板との界面の残留応力の増大を防止し、磁
気特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドにて達成される。要約すれば、本発明
は、非磁性酸化物基板上に軟磁性薄膜を積層して構成さ
れる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記非磁性酸化物基板と
前記軟磁性薄膜との界面に、炭化物又は窒化物よりなる
反応防止膜を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドで
ある。
薄膜磁気ヘッドにて達成される。要約すれば、本発明
は、非磁性酸化物基板上に軟磁性薄膜を積層して構成さ
れる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記非磁性酸化物基板と
前記軟磁性薄膜との界面に、炭化物又は窒化物よりなる
反応防止膜を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドで
ある。
【００１９】前記炭化物は、炭化珪素、炭化タンタル、
炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化アルミ、又は炭化
硼素であり、前記窒化物は、窒化アルミ、窒化チタン、
窒化ジルコニウム、窒化珪素、窒化タンタル、又は窒化
硼素とされ、前記反応防止膜の膜厚は１ｎｍ〜５００ｎ
ｍとされる。
炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化アルミ、又は炭化
硼素であり、前記窒化物は、窒化アルミ、窒化チタン、
窒化ジルコニウム、窒化珪素、窒化タンタル、又は窒化
硼素とされ、前記反応防止膜の膜厚は１ｎｍ〜５００ｎ
ｍとされる。
【００２０】又、前記非磁性酸化物基板は、ガラス基
板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3系酸化物基板、Ｍ
ｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化
物基板であり、又、前記軟磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金、アモルファス磁性体、窒化鉄、又は、Ｆｅ−Ｍ
ｅ−Ｎ若しくはＦｅ−Ｍｅ−Ｃ合金（但し、Ｍｅが、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｖ、Ｗのいずれか１種以上）にて形成される。
板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3系酸化物基板、Ｍ
ｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化
物基板であり、又、前記軟磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金、アモルファス磁性体、窒化鉄、又は、Ｆｅ−Ｍ
ｅ−Ｎ若しくはＦｅ−Ｍｅ−Ｃ合金（但し、Ｍｅが、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｖ、Ｗのいずれか１種以上）にて形成される。
【００２１】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを図面に
則して更に詳しく説明する。
則して更に詳しく説明する。
【００２２】図１に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの積
層磁性体１７の一例を示す。本実施例の薄膜磁気ヘッド
は、先に説明した、図４及び図５に示す構成と同様の構
成とされるが、本発明に従えば、非磁性酸化物基板１１
と、この基板１１上に成膜される軟磁性薄膜１２との間
に反応防止膜４０が形成される点において、従来のもの
とは大きく相違している。図１の本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの積層磁性体１７にて、図５に示す従来の積層磁
性体と同じ構成要素部分には同じ参照番号が付されてい
る。
層磁性体１７の一例を示す。本実施例の薄膜磁気ヘッド
は、先に説明した、図４及び図５に示す構成と同様の構
成とされるが、本発明に従えば、非磁性酸化物基板１１
と、この基板１１上に成膜される軟磁性薄膜１２との間
に反応防止膜４０が形成される点において、従来のもの
とは大きく相違している。図１の本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの積層磁性体１７にて、図５に示す従来の積層磁
性体と同じ構成要素部分には同じ参照番号が付されてい
る。
【００２３】本発明にて、反応防止膜４０は、非磁性酸
化物基板１１と軟磁性薄膜１２との界面に形成されて、
両者の相互の反応を防止する作用を成すものであって、
この反応防止膜４０としては、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭
化タンタル（ＴａＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジ
ルコニウム（ＺｒＣ）、炭化アルミ（Ａｌ4 Ｃ3 ）、又
は炭化硼素（Ｂ4 Ｃ）のような炭化物、又は、窒化アル
ミ（ＡｌＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ジルコニウ
ム（ＺｒＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化タンタル
（ＴａＮ）、窒化硼素（ＢＮ）のような窒化物とされ
る。これら炭化物又は窒化物は熱力学的に炭化物又は窒
化物の状態が安定であり、高温においてもＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金などの軟磁性薄膜１２及び非磁性酸化物基板１
１との反応が少なく、又拡散も少ないことから反応防止
膜４０として最適である。
化物基板１１と軟磁性薄膜１２との界面に形成されて、
両者の相互の反応を防止する作用を成すものであって、
この反応防止膜４０としては、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭
化タンタル（ＴａＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジ
ルコニウム（ＺｒＣ）、炭化アルミ（Ａｌ4 Ｃ3 ）、又
は炭化硼素（Ｂ4 Ｃ）のような炭化物、又は、窒化アル
ミ（ＡｌＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ジルコニウ
ム（ＺｒＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化タンタル
（ＴａＮ）、窒化硼素（ＢＮ）のような窒化物とされ
る。これら炭化物又は窒化物は熱力学的に炭化物又は窒
化物の状態が安定であり、高温においてもＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金などの軟磁性薄膜１２及び非磁性酸化物基板１
１との反応が少なく、又拡散も少ないことから反応防止
膜４０として最適である。
【００２４】反応防止膜４０の膜厚は、１ｎｍ〜５００
ｎｍ、より好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍとされる。
１ｎｍより薄いと、連続的に付着させることが難しく、
又、５００ｎｍ以上は不必要であるからである。又、反
応防止膜４０は、スパッタリング法や、更には、イオン
プレーティング法、蒸着法等の真空薄膜技術にて非磁性
酸化物基板１１上に形成することができる。
ｎｍ、より好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍとされる。
１ｎｍより薄いと、連続的に付着させることが難しく、
又、５００ｎｍ以上は不必要であるからである。又、反
応防止膜４０は、スパッタリング法や、更には、イオン
プレーティング法、蒸着法等の真空薄膜技術にて非磁性
酸化物基板１１上に形成することができる。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドに用いる非磁性酸
化物基板１１は、従来使用されている、熱安定性、熱膨
張率が良好なものを同様に使用することができ、例え
ば、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラスの
ようなガラス基板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3 系
酸化物基板、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏ系酸化物基板などとすることができる。
化物基板１１は、従来使用されている、熱安定性、熱膨
張率が良好なものを同様に使用することができ、例え
ば、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラスの
ようなガラス基板、ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3 系
酸化物基板、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏ系酸化物基板などとすることができる。
【００２６】更に、本発明の薄膜磁気ヘッドに用いる軟
磁性薄膜１２としては、種々の軟磁性薄膜を使用するこ
とができ、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、アモルファス
磁性体、窒化鉄などからなる軟磁性薄膜を使用すること
ができるが、特に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金軟磁性薄膜
は、磁歪がゼロになり磁気異方性が極めて小さく、その
ために透磁率が高く、保磁力を小さくすることができ、
特に好ましい。
磁性薄膜１２としては、種々の軟磁性薄膜を使用するこ
とができ、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、アモルファス
磁性体、窒化鉄などからなる軟磁性薄膜を使用すること
ができるが、特に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金軟磁性薄膜
は、磁歪がゼロになり磁気異方性が極めて小さく、その
ために透磁率が高く、保磁力を小さくすることができ、
特に好ましい。
【００２７】更に、Ｆｅ−Ｍｅ−Ｎ或はＦｅ−Ｍｅ−Ｃ
合金であって、前記Ｍｅが、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、
Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗなどとされ
る合金軟磁性薄膜も使用することができる。
合金であって、前記Ｍｅが、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、
Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗなどとされ
る合金軟磁性薄膜も使用することができる。
【００２８】又、軟磁性薄膜１２は、単層とすることが
でき、この場合には、膜厚は１μｍ〜１０μｍとされ、
更に、図１に示すように、２層〜５層などのような多層
とされる場合には、膜厚が約０．５μｍとされる層間膜
１３をも含めて、薄膜構造体１４の全厚さ（Ｗ）は１０
μｍ〜１００μｍとされる。
でき、この場合には、膜厚は１μｍ〜１０μｍとされ、
更に、図１に示すように、２層〜５層などのような多層
とされる場合には、膜厚が約０．５μｍとされる層間膜
１３をも含めて、薄膜構造体１４の全厚さ（Ｗ）は１０
μｍ〜１００μｍとされる。
【００２９】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを実施
例について説明する。
例について説明する。
【００３０】実施例１ 本実施例では、図１に図示される積層磁性体１７にて、
軟磁性薄膜１２が単層とされる、図４に示す構造をした
薄膜磁気ヘッドを作製した。
軟磁性薄膜１２が単層とされる、図４に示す構造をした
薄膜磁気ヘッドを作製した。
【００３１】非磁性酸化物基板１１としては、（Ｃｏ
Ｏ）x （ＮｉＯ）1-x （ただし、ｘ＝０．５５）で表わ
される、直径が２インチのＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板
を、表面粗さ１５０Åにポリッシュして使用した。
Ｏ）x （ＮｉＯ）1-x （ただし、ｘ＝０．５５）で表わ
される、直径が２インチのＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板
を、表面粗さ１５０Åにポリッシュして使用した。
【００３２】先ず、ＲＦマグネトロンスパッタ装置によ
り、直径４インチ、厚さ５ｍｍのＴｉＮターゲットを用
い、ターゲットと非磁性酸化物基板１１との距離は６０
ｍｍ、Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は２０
０Ｗとして、前記非磁性酸化物基板１１上に、反応防止
膜４０を、３０ｎｍ厚で形成した。基板温度は１００℃
であり、成膜速度は約４ｎｍ／ｍｉｎであった。
り、直径４インチ、厚さ５ｍｍのＴｉＮターゲットを用
い、ターゲットと非磁性酸化物基板１１との距離は６０
ｍｍ、Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は２０
０Ｗとして、前記非磁性酸化物基板１１上に、反応防止
膜４０を、３０ｎｍ厚で形成した。基板温度は１００℃
であり、成膜速度は約４ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３３】次いで、ＤＣスパッタ装置により、直径４
インチ、厚さ５ｍｍの、Ｆｅ８３〜９４ｗｔ％、Ｓｉ４
〜１１ｗｔ％、Ａｌ２〜６ｗｔ％の組成のターゲットを
用い、ターゲットと非磁性酸化物基板１１との距離は６
０ｍｍ、Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は５
００Ｗとして、前記非磁性酸化物基板１１上の反応防止
膜４０の上に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金軟磁性薄膜１２を
形成した。基板温度は１００℃であり、成膜速度は約５
０ｎｍ／ｍｉｎであった。
インチ、厚さ５ｍｍの、Ｆｅ８３〜９４ｗｔ％、Ｓｉ４
〜１１ｗｔ％、Ａｌ２〜６ｗｔ％の組成のターゲットを
用い、ターゲットと非磁性酸化物基板１１との距離は６
０ｍｍ、Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力は５
００Ｗとして、前記非磁性酸化物基板１１上の反応防止
膜４０の上に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金軟磁性薄膜１２を
形成した。基板温度は１００℃であり、成膜速度は約５
０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３４】軟磁性薄膜１２の膜厚は、磁気ヘッドに加
工する場合には５μｍとし、オージェ分光分析法による
深さ方向の分析用には０．２μｍの厚さに形成した。
工する場合には５μｍとし、オージェ分光分析法による
深さ方向の分析用には０．２μｍの厚さに形成した。
【００３５】次いで、高真空（１０-6Ｔｏｒｒ台）中、
７００℃の温度で１時間加熱を行った後に、分析用の試
料は、引き続いてオージェ分光分析を行った。
７００℃の温度で１時間加熱を行った後に、分析用の試
料は、引き続いてオージェ分光分析を行った。
【００３６】一方、磁気ヘッドのための試料は、更に続
いて、前記軟磁性薄膜構造体１４の上にガラス膜１５を
形成した。該ガラス膜１５はＳｉＯ2 （５０ｗｔ％）−
Ｎａ2 Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （１０ｗｔ％）、
残部としてＢａＯ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＯ等を含んだ組成のガ
ラスを使用し、前記ＲＦマグネトロンスパッタ装置によ
り、Ａｒ圧力６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力１００Ｗ、
基板温度１００℃とした。斯かる条件にて膜厚１μｍの
ガラス膜１５を作製した。
いて、前記軟磁性薄膜構造体１４の上にガラス膜１５を
形成した。該ガラス膜１５はＳｉＯ2 （５０ｗｔ％）−
Ｎａ2 Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （１０ｗｔ％）、
残部としてＢａＯ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＯ等を含んだ組成のガ
ラスを使用し、前記ＲＦマグネトロンスパッタ装置によ
り、Ａｒ圧力６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電力１００Ｗ、
基板温度１００℃とした。斯かる条件にて膜厚１μｍの
ガラス膜１５を作製した。
【００３７】次いで、前記基板１１と同じ材料で形成さ
れた他の基板１６を前記ガラス膜１５の上に積層して積
層磁性体１７を作製した。該積層磁性体１７は、６５０
℃で１５分の溶融圧着を行なった。
れた他の基板１６を前記ガラス膜１５の上に積層して積
層磁性体１７を作製した。該積層磁性体１７は、６５０
℃で１５分の溶融圧着を行なった。
【００３８】次に、このようにして作製された積層磁性
体１７は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向
に切断し、一対のコア半体ブロック１８、１９を形成
し、コア半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半
体ブロック１８、１９の突合せ面の接合を強固なものと
するために、図４に図示されるように、巻線溝２０に対
向した、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、
又、両コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所を
形成し、同コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は研
摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペーサ
ー２１をスパッタリングにより形成した。次いで、該面
取部及び凹所にモールドガラスを溶融充填した。
体１７は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向
に切断し、一対のコア半体ブロック１８、１９を形成
し、コア半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半
体ブロック１８、１９の突合せ面の接合を強固なものと
するために、図４に図示されるように、巻線溝２０に対
向した、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、
又、両コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所を
形成し、同コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は研
摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペーサ
ー２１をスパッタリングにより形成した。次いで、該面
取部及び凹所にモールドガラスを溶融充填した。
【００３９】最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、図１
に示す構成の薄膜積層磁気ヘッド１０を作製した。
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、図１
に示す構成の薄膜積層磁気ヘッド１０を作製した。
【００４０】実施例２ 本実施例では、図１に図示されるように、軟磁性薄膜１
２が多層とされる積層磁性体１７を備えた、図４に示す
構造をした薄膜磁気ヘッドを作製した。
２が多層とされる積層磁性体１７を備えた、図４に示す
構造をした薄膜磁気ヘッドを作製した。
【００４１】実施例１と同じ材料及び方法にて、非磁性
酸化物基板１１上に、反応防止膜４０及びＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金軟磁性薄膜１２を形成し、次いで、高真空（１
０-6Ｔｏｒｒ台）中、７００℃の温度で１時間加熱を行
った。
酸化物基板１１上に、反応防止膜４０及びＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金軟磁性薄膜１２を形成し、次いで、高真空（１
０-6Ｔｏｒｒ台）中、７００℃の温度で１時間加熱を行
った。
【００４２】更に、このＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜１２の
上に層間膜１３を形成した。層間膜の作製は、反応防止
膜作製に使用した前記ＲＦマグネトロンスパッタ装置を
用い、ターゲットとして直径４インチ、厚さ５ｍｍのＳ
ｉＯ2 を使用した。Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投
入電力は３００Ｗ、基板温度１００℃とした。斯る条件
にて基板の軟磁性薄膜上にＳｉＯ2 膜が膜厚０．５μｍ
にて形成された。
上に層間膜１３を形成した。層間膜の作製は、反応防止
膜作製に使用した前記ＲＦマグネトロンスパッタ装置を
用い、ターゲットとして直径４インチ、厚さ５ｍｍのＳ
ｉＯ2 を使用した。Ａｒ圧力は６×１０-3Ｔｏｒｒ、投
入電力は３００Ｗ、基板温度１００℃とした。斯る条件
にて基板の軟磁性薄膜上にＳｉＯ2 膜が膜厚０．５μｍ
にて形成された。
【００４３】次いで、上記方法にて前記層間膜１３上に
軟磁性薄膜１２及び層間膜１３の順に合計４回繰り返
し、軟磁性薄膜構造体１４を得た。該軟磁性薄膜構造体
１４の全膜厚は２１．５μｍであった。
軟磁性薄膜１２及び層間膜１３の順に合計４回繰り返
し、軟磁性薄膜構造体１４を得た。該軟磁性薄膜構造体
１４の全膜厚は２１．５μｍであった。
【００４４】更に、前記軟磁性薄膜構造体１４の上にガ
ラス膜１５を形成した。該ガラス膜１５はＳｉＯ2 （５
０ｗｔ％）−Ｎａ2 Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （１
０ｗｔ％）、残部としてＢａＯ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＯ等を含
んだ組成のガラスを使用し、前記ＲＦマグネトロンスパ
ッタ装置により、Ａｒ圧力６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電
力１００Ｗ、基板温度１００℃とした。斯かる条件にて
膜厚１μｍのガラス膜１５を作製した。
ラス膜１５を形成した。該ガラス膜１５はＳｉＯ2 （５
０ｗｔ％）−Ｎａ2 Ｏ（２０ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （１
０ｗｔ％）、残部としてＢａＯ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＯ等を含
んだ組成のガラスを使用し、前記ＲＦマグネトロンスパ
ッタ装置により、Ａｒ圧力６×１０-3Ｔｏｒｒ、投入電
力１００Ｗ、基板温度１００℃とした。斯かる条件にて
膜厚１μｍのガラス膜１５を作製した。
【００４５】次いで、前記基板１１と同じ材料で形成さ
れた他の基板１６を前記ガラス膜１５の上に積層して積
層磁性体１７を作製した。該積層磁性体１７は、６５０
℃で１５分の溶融圧着を行なった。
れた他の基板１６を前記ガラス膜１５の上に積層して積
層磁性体１７を作製した。該積層磁性体１７は、６５０
℃で１５分の溶融圧着を行なった。
【００４６】次に、このようにして作製された積層磁性
体１７は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向
に切断し、一対のコア半体ブロック１８、１９を形成
し、コア半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半
体ブロック１８、１９の突合せ面の接合を強固なものと
するために、図４に図示されるように、巻線溝２０に対
向した、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、
又、両コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所を
形成し、同コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は研
摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペーサ
ー２１をスパッタリングにより形成した。次いで、該面
取部及び凹所にモールドガラスを溶融充填した。
体１７は、図４に図示されるように、積層した厚さ方向
に切断し、一対のコア半体ブロック１８、１９を形成
し、コア半体１８に巻線溝２０を形成した後、両コア半
体ブロック１８、１９の突合せ面の接合を強固なものと
するために、図４に図示されるように、巻線溝２０に対
向した、コア半体１９の両側面部に面取部を形成し、
又、両コア半体の前記ギャップ部とは反対側にも凹所を
形成し、同コア半体ブロック１８、１９の突合せ面は研
摩加工後、ＳｉＯ2 から成る非磁性のギャップスペーサ
ー２１をスパッタリングにより形成した。次いで、該面
取部及び凹所にモールドガラスを溶融充填した。
【００４７】最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、図１
に示す構成の薄膜積層磁気ヘッド１０を作製した。
摩加工及び他の成形加工並びに巻線加工を行ない、図１
に示す構成の薄膜積層磁気ヘッド１０を作製した。
【００４８】比較例１ 実施例１と同じ材料及び方法にて、ただ反応防止膜４０
を有さない薄膜磁気ヘッドを作製した。
を有さない薄膜磁気ヘッドを作製した。
【００４９】比較例２ 実施例２と同じ材料及び方法にて、ただ反応防止膜４０
を有さない薄膜磁気ヘッドを作製した。
を有さない薄膜磁気ヘッドを作製した。
【００５０】図２には、ＴｉＮの反応防止膜４０を設け
た場合（実施例１）のオージェ分光分析の深さ方向の、
Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎ、Ｏに関する元素分
析結果を示し、図３には反応防止膜がない場合（比較例
１）の元素分析結果を示す。
た場合（実施例１）のオージェ分光分析の深さ方向の、
Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎ、Ｏに関する元素分
析結果を示し、図３には反応防止膜がない場合（比較例
１）の元素分析結果を示す。
【００５１】図２及び図３から、反応防止膜４０がない
場合には、合金軟磁性薄膜と非磁性基板の界面の元素分
布変化が急峻でなく、軟磁性薄膜中への酸素の拡散が顕
著に見られる。又、界面付近のＡｌの濃度が高くなって
いるのも特徴である。そして、Ａｌと酸素の元素比を算
出すると、２：３になり、Ａｌ2 Ｏ3 が形成されている
ことを示している。この反応層５０の厚さは、大略０．
１μｍの厚さである。
場合には、合金軟磁性薄膜と非磁性基板の界面の元素分
布変化が急峻でなく、軟磁性薄膜中への酸素の拡散が顕
著に見られる。又、界面付近のＡｌの濃度が高くなって
いるのも特徴である。そして、Ａｌと酸素の元素比を算
出すると、２：３になり、Ａｌ2 Ｏ3 が形成されている
ことを示している。この反応層５０の厚さは、大略０．
１μｍの厚さである。
【００５２】これに対して、ＴｉＮの反応防止膜４０を
設けた場合、元素の拡散が少なくなり、基板と反応防止
膜の界面、反応防止膜と合金軟磁性薄膜の界面の元素分
布の変化が急峻になることが分かった。
設けた場合、元素の拡散が少なくなり、基板と反応防止
膜の界面、反応防止膜と合金軟磁性薄膜の界面の元素分
布の変化が急峻になることが分かった。
【００５３】上記実施例では、反応防止膜４０としては
ＴｉＮを使用した場合について説明したが、ＳｉＣ、Ｔ
ａＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、Ａｌ4 Ｃ3 、Ｂ4 Ｃ、ＡｌＮ、
ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴａＮ、ＢＮである場合
においても、反応防止膜がＴｉＮである場合と同様に元
素の拡散が少なくなり、基板と反応防止膜の界面、及び
反応防止膜と軟磁性薄膜の界面における元素分布の変化
が急峻になることが分かった。
ＴｉＮを使用した場合について説明したが、ＳｉＣ、Ｔ
ａＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、Ａｌ4 Ｃ3 、Ｂ4 Ｃ、ＡｌＮ、
ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴａＮ、ＢＮである場合
においても、反応防止膜がＴｉＮである場合と同様に元
素の拡散が少なくなり、基板と反応防止膜の界面、及び
反応防止膜と軟磁性薄膜の界面における元素分布の変化
が急峻になることが分かった。
【００５４】更に、実施例１にて作製された薄膜磁気ヘ
ッドにて、界面状態をＳＥＭにより観察した結果、反応
防止膜を設けた磁気ヘッドに関しては、金属層の析出は
見られず平滑な界面が保たれ、反応防止膜を設けない場
合に見られるような、界面の乱れは検出されなかった。
ッドにて、界面状態をＳＥＭにより観察した結果、反応
防止膜を設けた磁気ヘッドに関しては、金属層の析出は
見られず平滑な界面が保たれ、反応防止膜を設けない場
合に見られるような、界面の乱れは検出されなかった。
【００５５】又、本発明に従った実施例１、２の軟磁性
薄膜は積層磁性体の状態において、極めて良好な磁気特
性を有するものであり、保磁力０．３ Oe 、１ＭＨｚで
の比初透磁率約２０００が得られた。さらに、実施例
１、２及び比較例１、２においてそれぞれ、５０個の磁
気ヘッドを作製したが、これらの薄膜磁気ヘッドをトラ
ック幅が膜厚方向とされるＶＴＲ用磁気ヘッドとし、ト
ラック幅５μｍ及び２１．５μｍ、テープヘッド相対速
度５．８ｍ／ｓｅｃとし、メタルテープを用いて、再生
出力を測定したところ、５ＭＨｚでの再生出力で、本発
明に従った磁気ヘッドは比較例の従来の磁気ヘッドより
優れていた。
薄膜は積層磁性体の状態において、極めて良好な磁気特
性を有するものであり、保磁力０．３ Oe 、１ＭＨｚで
の比初透磁率約２０００が得られた。さらに、実施例
１、２及び比較例１、２においてそれぞれ、５０個の磁
気ヘッドを作製したが、これらの薄膜磁気ヘッドをトラ
ック幅が膜厚方向とされるＶＴＲ用磁気ヘッドとし、ト
ラック幅５μｍ及び２１．５μｍ、テープヘッド相対速
度５．８ｍ／ｓｅｃとし、メタルテープを用いて、再生
出力を測定したところ、５ＭＨｚでの再生出力で、本発
明に従った磁気ヘッドは比較例の従来の磁気ヘッドより
優れていた。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドは、非磁性酸化物基板と軟磁性薄膜との界面
に、炭化物又は窒化物よりなる反応防止膜を設けた構成
とされるので、軟磁性薄膜中への酸素の拡散が防止で
き、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面における反
応層の形成を防止し、それによって、軟磁性薄膜の磁気
特性の劣化、再生出力の低下、更には、軟磁性薄膜と非
磁性酸化物基板との界面の残留応力の増大が防止され、
磁気特性に優れているという特長を有している。
磁気ヘッドは、非磁性酸化物基板と軟磁性薄膜との界面
に、炭化物又は窒化物よりなる反応防止膜を設けた構成
とされるので、軟磁性薄膜中への酸素の拡散が防止で
き、軟磁性薄膜と非磁性酸化物基板との界面における反
応層の形成を防止し、それによって、軟磁性薄膜の磁気
特性の劣化、再生出力の低下、更には、軟磁性薄膜と非
磁性酸化物基板との界面の残留応力の増大が防止され、
磁気特性に優れているという特長を有している。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの積層磁性体の一
実施例の断面図を示す。
実施例の断面図を示す。
【図２】本発明に従って構成される軟磁性薄膜の深さ方
向の元素分析結果を示す。
向の元素分析結果を示す。
【図３】従来の軟磁性薄膜の深さ方向の元素分析を示
す。
す。
【図４】薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの積層磁性体の断面図を
示す。
示す。
１０ 薄膜磁気ヘッド １１ 非磁性酸化物基板 １２ 軟磁性薄膜 １３ 層間膜 １４ 薄膜構造体 １５ ガラス膜 １６ 基板 １７ 積層磁性体 ２１ ギャップスペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性酸化物基板上に軟磁性薄膜を積層
して構成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記非磁性酸
化物基板と前記軟磁性薄膜との界面に、炭化物又は窒化
物よりなる反応防止膜を設けたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 前記炭化物は、炭化珪素、炭化タンタ
ル、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化アルミ、又は
炭化硼素であり、前記窒化物は、窒化アルミ、窒化チタ
ン、窒化ジルコニウム、窒化珪素、窒化タンタル、又は
窒化硼素である請求項１の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記反応防止膜の膜厚は１ｎｍ〜５００
ｎｍである請求項１又は請求項２の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記非磁性酸化物基板は、ガラス基板、
ＳｉＯ2 系酸化物基板、Ａl2Ｏ3 系酸化物基板、Ｍｎ−
Ｎｉ−Ｏ系酸化物基板、又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系酸化物基
板であり、又、前記軟磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、アモルファス磁性体、窒化鉄、又は、Ｆｅ−Ｍｅ−
Ｎ若しくはＦｅ−Ｍｅ−Ｃ合金（但し、Ｍｅが、Ｔａ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｖ、Ｗのいずれか１種以上）にて形成される請求項
１、請求項２又は請求項３の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24146492A JPH0668423A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24146492A JPH0668423A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668423A true JPH0668423A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17074709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24146492A Pending JPH0668423A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102923636A (zh) * | 2012-10-30 | 2013-02-13 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP24146492A patent/JPH0668423A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102923636A (zh) * | 2012-10-30 | 2013-02-13 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
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