JPH06244091A - 透過マスク及びその製造方法 - Google Patents
透過マスク及びその製造方法Info
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- JPH06244091A JPH06244091A JP2830893A JP2830893A JPH06244091A JP H06244091 A JPH06244091 A JP H06244091A JP 2830893 A JP2830893 A JP 2830893A JP 2830893 A JP2830893 A JP 2830893A JP H06244091 A JPH06244091 A JP H06244091A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子ビームを用いてパターンのブロック
露光を行う際に用いる透過マスク及びその製造方法に関
し、露光精度を向上し且つ長期にわたり安定に維持する
ことを目的とする。 【構成】 マスク母体に薄膜化した半導体基板３を用い
該薄膜化半導体基板３に所定のパターン形状を有する荷
電粒子透過孔９が形成されてなる荷電粒子露光用の透過
マスクであって、少なくとも該薄膜状半導体基板３の表
面及び該透過孔９の内面、若しくは少なくとも該薄膜状
半導体基板３の表面と該透過孔９の内面及び該薄膜状半
導体基板の裏面がタングステン膜で覆われている透過マ
スク、及び上記タングステン膜を化学気相成長方法によ
り形成する透過マスクの製造方法。
露光を行う際に用いる透過マスク及びその製造方法に関
し、露光精度を向上し且つ長期にわたり安定に維持する
ことを目的とする。 【構成】 マスク母体に薄膜化した半導体基板３を用い
該薄膜化半導体基板３に所定のパターン形状を有する荷
電粒子透過孔９が形成されてなる荷電粒子露光用の透過
マスクであって、少なくとも該薄膜状半導体基板３の表
面及び該透過孔９の内面、若しくは少なくとも該薄膜状
半導体基板３の表面と該透過孔９の内面及び該薄膜状半
導体基板の裏面がタングステン膜で覆われている透過マ
スク、及び上記タングステン膜を化学気相成長方法によ
り形成する透過マスクの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビームを用い
てパターンのブロック露光を行う際に用いる透過マスク
及びその製造方法に関する。
てパターンのブロック露光を行う際に用いる透過マスク
及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体集積回路の高密度化に伴い、
長年にわたって微細パターン形成手段の主流であったフ
ォトリソグラフィに代わって、例えば電子ビームやイオ
ンビーム等の荷電粒子ビームやＸ線を用いる新しい露光
技術が検討され、実用化されてきている。
長年にわたって微細パターン形成手段の主流であったフ
ォトリソグラフィに代わって、例えば電子ビームやイオ
ンビーム等の荷電粒子ビームやＸ線を用いる新しい露光
技術が検討され、実用化されてきている。
【０００３】これら新しい露光技術の中、電子ビームを
用いてパターンを形成する電子ビーム露光は、ビームそ
のものを数Åにまで絞ることができるために、１μｍあ
るいはそれ以下の微細なパターンを作成できることに大
きな特徴を持つ。ところが従来行われていた電子ビーム
露光はいわゆる「一筆書き」の描画方法であったため
に、微細なパターンになればなるほど小さなビームで描
画露光を行わなければならなくなり、露光時間が莫大に
長くなるという問題があった。そこで、この問題を解決
するために、ブロック露光法が考案された。
用いてパターンを形成する電子ビーム露光は、ビームそ
のものを数Åにまで絞ることができるために、１μｍあ
るいはそれ以下の微細なパターンを作成できることに大
きな特徴を持つ。ところが従来行われていた電子ビーム
露光はいわゆる「一筆書き」の描画方法であったため
に、微細なパターンになればなるほど小さなビームで描
画露光を行わなければならなくなり、露光時間が莫大に
長くなるという問題があった。そこで、この問題を解決
するために、ブロック露光法が考案された。
【０００４】荷電粒子ビームによるブロック露光法に
は、マスク母体となる薄膜状の基板に所定のパターン形
状を有する荷電粒子透過孔を形成した透過マスク（ステ
ンシルマスク）が用いられるが、上記マスク母体として
は、加工性や強度を考慮するとシリコン（Si）等の半導
体基板が最適で、Si基板が主として用いられている。
は、マスク母体となる薄膜状の基板に所定のパターン形
状を有する荷電粒子透過孔を形成した透過マスク（ステ
ンシルマスク）が用いられるが、上記マスク母体として
は、加工性や強度を考慮するとシリコン（Si）等の半導
体基板が最適で、Si基板が主として用いられている。
【０００５】Si基板をマスク母体として用いる場合、通
常半導体装置の製造に用いられるのと同じ厚さのSi基板
をそのまま用いてその厚さ分をそのまま透過孔の深さに
すると、深さが深いことに起因して露光量の減少や露光
精度の低下等の悪影響を生ずる。そこで、パターン形成
領域は上記Si基板を可能な限り薄膜（メンブレン）状に
し、この薄膜状Si基板に所定形状のパターン即ち透光孔
が形成されるのが普通である。
常半導体装置の製造に用いられるのと同じ厚さのSi基板
をそのまま用いてその厚さ分をそのまま透過孔の深さに
すると、深さが深いことに起因して露光量の減少や露光
精度の低下等の悪影響を生ずる。そこで、パターン形成
領域は上記Si基板を可能な限り薄膜（メンブレン）状に
し、この薄膜状Si基板に所定形状のパターン即ち透光孔
が形成されるのが普通である。
【０００６】
【従来の技術】従来、上記透過マスクは、以下に図３の
工程断面図を参照して説明する方法により製造されてい
た。
工程断面図を参照して説明する方法により製造されてい
た。
【０００７】図３(a) 参照 即ち、支持枠となる第１のSi基板１上にＣＶＤ法等によ
り第１の酸化シリコン(SiO2)膜２を形成し、その上にマ
スク母体となる第２のSi基板を載せ、加熱して、第１の
Si基板１上に第１のSiO2膜２を介し第２のSi基板を接着
させた後、第２のSi基板を化学的且つ機械的に例えば20
μｍ程度の厚さまでポリッシングし、第１のSi基板１上
に上記薄膜化された第２のSi基板からなる薄膜状Si基板
３が前記第１のSiO2膜２を介して接着されてなるSiの貼
り合わせ基板を形成する。
り第１の酸化シリコン(SiO2)膜２を形成し、その上にマ
スク母体となる第２のSi基板を載せ、加熱して、第１の
Si基板１上に第１のSiO2膜２を介し第２のSi基板を接着
させた後、第２のSi基板を化学的且つ機械的に例えば20
μｍ程度の厚さまでポリッシングし、第１のSi基板１上
に上記薄膜化された第２のSi基板からなる薄膜状Si基板
３が前記第１のSiO2膜２を介して接着されてなるSiの貼
り合わせ基板を形成する。
【０００８】図３(b) 参照 次いで、上記貼り合わせ基板の表面即ち薄膜状Si基板３
の表面上に、後に荷電粒子の透過孔パターンのエッチン
グマスクに用いられる第２のSiO2膜（またはＰＳＧ膜）
４をＣＶＤ法等により形成した後、この貼り合わせ基板
の全面上を、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン(Si3N4) 膜
５で覆う。
の表面上に、後に荷電粒子の透過孔パターンのエッチン
グマスクに用いられる第２のSiO2膜（またはＰＳＧ膜）
４をＣＶＤ法等により形成した後、この貼り合わせ基板
の全面上を、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン(Si3N4) 膜
５で覆う。
【０００９】図３(c) 参照 次いで貼り合わせ基板の下面即ち第１のSi基板１の下面
上のSi3N4 膜５に、通常のフォトリソグラフィ手段及び
ドライエッチング手段を用いマスクパターン形成領域を
画定するエッチング用開口６を形成する。
上のSi3N4 膜５に、通常のフォトリソグラフィ手段及び
ドライエッチング手段を用いマスクパターン形成領域を
画定するエッチング用開口６を形成する。
【００１０】図３(d) 参照 次いで残留しているSi3N4 膜５をマスクにし、前記Si3N
4 膜５のエッチング用開口６を介し、且つ前記第１のSi
O2膜２をエッチングストッパにして第１のSi基板１を、
裏面から、水酸化カリウム(KOH) 溶液によりバックエッ
チングし、第１のSi基板１にマスクパターン形成領域画
定窓７を形成する。ここで、第１のSi基板からなる薄膜
状Si基板３の支持枠1Fが形成される。
4 膜５のエッチング用開口６を介し、且つ前記第１のSi
O2膜２をエッチングストッパにして第１のSi基板１を、
裏面から、水酸化カリウム(KOH) 溶液によりバックエッ
チングし、第１のSi基板１にマスクパターン形成領域画
定窓７を形成する。ここで、第１のSi基板からなる薄膜
状Si基板３の支持枠1Fが形成される。
【００１１】図３(e) 参照 次いで、Si3N4 膜５を除去した後、通常の電子ビームリ
ソグラフィ手段とドライエッチング手段を用い、第２の
SiO2膜４に所定の透過孔パターン形状を有するエッチン
グ用の開孔8A、8B、8C等を形成し、次いでこのエッチン
グ用開孔８を介し、ドライエッチング手段によりて薄膜
状Si基板３に所定パターン形状を有する透過孔パターン
9A、9B、9C等を形成する。
ソグラフィ手段とドライエッチング手段を用い、第２の
SiO2膜４に所定の透過孔パターン形状を有するエッチン
グ用の開孔8A、8B、8C等を形成し、次いでこのエッチン
グ用開孔８を介し、ドライエッチング手段によりて薄膜
状Si基板３に所定パターン形状を有する透過孔パターン
9A、9B、9C等を形成する。
【００１２】図３(f) 参照 次いで、ウェットエッチング手段により薄膜状Si基板３
上の第２のSiO2膜４及び前記マスクパターン形成領域画
定窓７の底部に表出する第１のSiO2膜２を選択的に除去
することにより、従来の荷電粒子露光用の透過マスク10
は形成されていた。
上の第２のSiO2膜４及び前記マスクパターン形成領域画
定窓７の底部に表出する第１のSiO2膜２を選択的に除去
することにより、従来の荷電粒子露光用の透過マスク10
は形成されていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記方法で形成
された従来の透過マスクにおいては、薄膜状Si基板３が
絶縁体に近く、且つ第２のSiO2膜４によって支持枠1Fか
ら絶縁された構造であるため、荷電粒子ビームを用いて
露光を行った場合、薄膜状Si基板３がチャージアップし
易く、その結果、荷電粒子ビームはこの薄膜状Si基板３
の表面近傍で曲げられて、露光量や露光精度が著しく低
下するという問題があった。
された従来の透過マスクにおいては、薄膜状Si基板３が
絶縁体に近く、且つ第２のSiO2膜４によって支持枠1Fか
ら絶縁された構造であるため、荷電粒子ビームを用いて
露光を行った場合、薄膜状Si基板３がチャージアップし
易く、その結果、荷電粒子ビームはこの薄膜状Si基板３
の表面近傍で曲げられて、露光量や露光精度が著しく低
下するという問題があった。
【００１４】また、上記薄膜状Si基板を、前記貼り合わ
せ法以外に、厚いSi基板内にボロンの注入等によって前
記KOH エッチングのストッパを形成することによって一
枚のSi基板から造り分ける方法もあるが、何れにしても
透過孔パターンの形成される領域は薄膜化されているの
で、前記と同様の現象が生じる。
せ法以外に、厚いSi基板内にボロンの注入等によって前
記KOH エッチングのストッパを形成することによって一
枚のSi基板から造り分ける方法もあるが、何れにしても
透過孔パターンの形成される領域は薄膜化されているの
で、前記と同様の現象が生じる。
【００１５】そこで従来、図４に示すように、マスクの
表面に導電性を有する金(Au)等の貴金属膜11を被着して
前記透過孔パターン形成領域のチャージアップを防止す
る改良構造も提供されたが、この構造においても、上記
貴金属膜11の形成が蒸着或いはスパッタ等のＰＶＤ法に
より行われるのが一般的であって、貴金属膜11はマスク
の表面部のみに堆積され、マスクの裏面側即ち前記薄膜
状Si基板３の裏面及び透過孔パターン9A、9B、9C等の内
面等には殆ど堆積されないので薄膜状Si基板３の抵抗の
減少が充分でなく、また、表面に堆積した貴金属膜11が
電子ビーム照射により加熱されることによってSiと反応
してSi中に拡散してしまって表面は再び高抵抗化するこ
と等によって、薄膜状Si基板３のチャージアップが充分
には防止されず、露光精度の低下等を充分に回避するこ
とができなかった。
表面に導電性を有する金(Au)等の貴金属膜11を被着して
前記透過孔パターン形成領域のチャージアップを防止す
る改良構造も提供されたが、この構造においても、上記
貴金属膜11の形成が蒸着或いはスパッタ等のＰＶＤ法に
より行われるのが一般的であって、貴金属膜11はマスク
の表面部のみに堆積され、マスクの裏面側即ち前記薄膜
状Si基板３の裏面及び透過孔パターン9A、9B、9C等の内
面等には殆ど堆積されないので薄膜状Si基板３の抵抗の
減少が充分でなく、また、表面に堆積した貴金属膜11が
電子ビーム照射により加熱されることによってSiと反応
してSi中に拡散してしまって表面は再び高抵抗化するこ
と等によって、薄膜状Si基板３のチャージアップが充分
には防止されず、露光精度の低下等を充分に回避するこ
とができなかった。
【００１６】そこで本発明は、荷電粒子ビームによる露
光に際してチャージアップが充分に防止されて露光精度
が高められる透過マスクの構造及びその製造方法を提供
することを目的とする。
光に際してチャージアップが充分に防止されて露光精度
が高められる透過マスクの構造及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、マス
ク母体に薄膜化した半導体基板を用い該薄膜化半導体基
板に所定のパターン形状を有する荷電粒子透過孔が形成
されてなる荷電粒子露光用の透過マスクであって、少な
くとも該薄膜状半導体基板の表面及び該透過孔の内面、
若しくは少なくとも該薄膜状半導体基板の表面と該透過
孔の内面及び該薄膜状半導体基板の裏面がタングステン
膜で覆われている本発明による透過マスク、若しくは、
上記透過マスクを製造するに際して、前記薄膜状半導体
基板に前記荷電粒子透過孔を形成して後、少なくとも該
薄膜状半導体基板の表面及び該透過孔の内面、若しくは
該薄膜状半導体基板の表面と該透過孔の内面及び該薄膜
状半導体基板の裏面に、化学気相成長法によりタングス
テン膜を被着させる工程を有する本発明による透過マス
クの製造方法によって達成される。
ク母体に薄膜化した半導体基板を用い該薄膜化半導体基
板に所定のパターン形状を有する荷電粒子透過孔が形成
されてなる荷電粒子露光用の透過マスクであって、少な
くとも該薄膜状半導体基板の表面及び該透過孔の内面、
若しくは少なくとも該薄膜状半導体基板の表面と該透過
孔の内面及び該薄膜状半導体基板の裏面がタングステン
膜で覆われている本発明による透過マスク、若しくは、
上記透過マスクを製造するに際して、前記薄膜状半導体
基板に前記荷電粒子透過孔を形成して後、少なくとも該
薄膜状半導体基板の表面及び該透過孔の内面、若しくは
該薄膜状半導体基板の表面と該透過孔の内面及び該薄膜
状半導体基板の裏面に、化学気相成長法によりタングス
テン膜を被着させる工程を有する本発明による透過マス
クの製造方法によって達成される。
【００１８】
【作用】即ち本発明に係る透過マスクにおいては、マス
ク母体となる薄膜状半導体基板の表面及び荷電粒子透過
孔パターンの内面、或いは薄膜状半導体基板の表面と荷
電粒子透過孔パターンの内面及び薄膜状半導体基板の裏
面に高導電性を有するタングステン膜をＣＶＤ法を用い
て被着することによって薄膜状半導体基板を低抵抗に保
ち、これによってマスク母体である薄膜状半導体基板の
チャージアップを防止して荷電粒子ビームによる透過露
光の精度を向上させるものである。
ク母体となる薄膜状半導体基板の表面及び荷電粒子透過
孔パターンの内面、或いは薄膜状半導体基板の表面と荷
電粒子透過孔パターンの内面及び薄膜状半導体基板の裏
面に高導電性を有するタングステン膜をＣＶＤ法を用い
て被着することによって薄膜状半導体基板を低抵抗に保
ち、これによってマスク母体である薄膜状半導体基板の
チャージアップを防止して荷電粒子ビームによる透過露
光の精度を向上させるものである。
【００１９】また、タングステン金属の融点は3387℃と
高いので、荷電粒子ビーム照射による昇温によってタン
グステン膜が薄膜状半導体基板と反応して消失すること
がなく、且つ熱膨張率が 4.5×10-6(293K)でSiの熱膨張
率 2.6×10-6(293K)に比較的近いために荷電粒子ビーム
露光の際の温度変化によるストレスによってタングステ
ン膜が薄膜状半導体基板面から剥離することも少ないの
で前記高精度の性能は長期にわたって安定に維持され
る。
高いので、荷電粒子ビーム照射による昇温によってタン
グステン膜が薄膜状半導体基板と反応して消失すること
がなく、且つ熱膨張率が 4.5×10-6(293K)でSiの熱膨張
率 2.6×10-6(293K)に比較的近いために荷電粒子ビーム
露光の際の温度変化によるストレスによってタングステ
ン膜が薄膜状半導体基板面から剥離することも少ないの
で前記高精度の性能は長期にわたって安定に維持され
る。
【００２０】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明に係る透過マスクの一実施例の模
式断面図で、図２は本発明に係る透過マスクの他の実施
例の模式断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符
合で示す。
明する。図１は本発明に係る透過マスクの一実施例の模
式断面図で、図２は本発明に係る透過マスクの他の実施
例の模式断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符
合で示す。
【００２１】本発明に係る荷電粒子ビーム露光用の透過
マスクは、例えば図１に示すように、第１のSi基板から
なりマスクパターン形成領域画定窓７を囲む支持枠1F上
に、厚さ１μｍ程度の第１のSiO2膜２を介してマスク母
体となる厚さ20μｍ程度の薄膜状Si基板３が接着され、
この薄膜状Si基板３におけるマスクパターン形成領域画
定窓７上に下面が表出する領域に所定形状を有する荷電
粒子ビームの透過孔パターン9A、9B、9C等が形成されて
なる、図３(f) に示された従来構造と同様な裸マスクの
薄膜状Si基板３の表面3Sと透過孔パターン9A、9B、9C等
の内面に、厚さ0.05〜0.1 μｍ程度のタングステン膜12
が被着される。
マスクは、例えば図１に示すように、第１のSi基板から
なりマスクパターン形成領域画定窓７を囲む支持枠1F上
に、厚さ１μｍ程度の第１のSiO2膜２を介してマスク母
体となる厚さ20μｍ程度の薄膜状Si基板３が接着され、
この薄膜状Si基板３におけるマスクパターン形成領域画
定窓７上に下面が表出する領域に所定形状を有する荷電
粒子ビームの透過孔パターン9A、9B、9C等が形成されて
なる、図３(f) に示された従来構造と同様な裸マスクの
薄膜状Si基板３の表面3Sと透過孔パターン9A、9B、9C等
の内面に、厚さ0.05〜0.1 μｍ程度のタングステン膜12
が被着される。
【００２２】上記、薄膜状Si基板３の表面3S及び透過孔
パターン9A、9B、9C等の内面へのタングステン膜12の被
着は、前記裸マスクをサセプタ上に薄膜状Si基板３面を
上にして搭載して、本発明の方法で規定するようにタン
グステン膜12をＣＶＤ法により成長させることにより容
易になされる。なおこの場合、マスク側面10にもタング
ステン膜12が被着する。但し、成長には選択性があるの
で、絶縁膜である第１のSiO2膜２の端面上への成長厚さ
は他の部分よりも薄くなる。
パターン9A、9B、9C等の内面へのタングステン膜12の被
着は、前記裸マスクをサセプタ上に薄膜状Si基板３面を
上にして搭載して、本発明の方法で規定するようにタン
グステン膜12をＣＶＤ法により成長させることにより容
易になされる。なおこの場合、マスク側面10にもタング
ステン膜12が被着する。但し、成長には選択性があるの
で、絶縁膜である第１のSiO2膜２の端面上への成長厚さ
は他の部分よりも薄くなる。
【００２３】上記タングステン膜12被着に際してのＣＶ
Ｄは、例えば第１成長と第２成長とからなり、それぞれ
の条件は下記の通りである。 第１成長 成長ガス組成 ６弗化タングステン(WF6) ３ sccm 水素(H2) 70 sccm 成長圧力 20 mTorr 成長温度 280 ℃ 成長時間 10 sec 第２成長 成長ガス組成 WF6 ３ sccm モノシラン(SiH4) ２ sccm H2 70 sccm 成長圧力 20〜30 mTorr 成長温度 280 ℃ 成長時間 〜90 sec また、図２に示す他の実施例においては、前記実施例に
用いられたのと同様な裸マスク（図３(f) に示される構
造）の薄膜状Si基板３の表面3Sと透過孔パターン9A、9
B、9C等の内面及び薄膜状Si基板３の裏面3Bに厚さO.05
〜0.10μｍ程度のタングステン膜11が被着される。
Ｄは、例えば第１成長と第２成長とからなり、それぞれ
の条件は下記の通りである。 第１成長 成長ガス組成 ６弗化タングステン(WF6) ３ sccm 水素(H2) 70 sccm 成長圧力 20 mTorr 成長温度 280 ℃ 成長時間 10 sec 第２成長 成長ガス組成 WF6 ３ sccm モノシラン(SiH4) ２ sccm H2 70 sccm 成長圧力 20〜30 mTorr 成長温度 280 ℃ 成長時間 〜90 sec また、図２に示す他の実施例においては、前記実施例に
用いられたのと同様な裸マスク（図３(f) に示される構
造）の薄膜状Si基板３の表面3Sと透過孔パターン9A、9
B、9C等の内面及び薄膜状Si基板３の裏面3Bに厚さO.05
〜0.10μｍ程度のタングステン膜11が被着される。
【００２４】この実施例のように、薄膜状Si基板３の表
面3Sと透過孔パターン9A、9B、9C等の内面及び薄膜状Si
基板３の裏面3Bにタングステン膜12を被着させるには、
前記裸マスクを側面からクランプして成長ガス雰囲気内
に装置の器壁から浮かせて保持し、本発明の方法に規定
するようにタングステン膜12をＣＶＤ法により成長させ
ればよい。なお、この際マスクの側面10及び支持枠1Fの
下面及びマスクパターン形成領域画定窓７の内面にもタ
ングステン膜12が被着する。但し、成長には選択性があ
るので、絶縁膜である第１のSiO2膜２の端面上への成長
厚さは他の部分よりも薄くなる。
面3Sと透過孔パターン9A、9B、9C等の内面及び薄膜状Si
基板３の裏面3Bにタングステン膜12を被着させるには、
前記裸マスクを側面からクランプして成長ガス雰囲気内
に装置の器壁から浮かせて保持し、本発明の方法に規定
するようにタングステン膜12をＣＶＤ法により成長させ
ればよい。なお、この際マスクの側面10及び支持枠1Fの
下面及びマスクパターン形成領域画定窓７の内面にもタ
ングステン膜12が被着する。但し、成長には選択性があ
るので、絶縁膜である第１のSiO2膜２の端面上への成長
厚さは他の部分よりも薄くなる。
【００２５】なおまた、この実施例に用いたタングステ
ン膜12のＣＶＤ条件は、前記実施例と同様である。以上
の実施例から明らかなように、本発明に係る透過マスク
は、マスク母体の薄膜状半導体基板の表面及び荷電粒子
ビーム透過孔の内面、或いは薄膜状半導体基板の表面と
荷電粒子ビーム透過孔の内面及び薄膜状半導体基板の裏
面とが高導電性を有するタングステン膜に覆われている
ので、荷電粒子ビームの照射によって表面に発生するチ
ャージは、このタングステン膜を通して外部に放電され
る。従って、例えば電子ビーム等の荷電粒子ビームによ
る露光に際して、マスク母体の薄膜状半導体基板がチャ
ージアップすることがなくなり、前記ビームの偏向が防
止されて露光精度が向上する。またタングステンは熱膨
張率が半導体例えばSiに比較的近いので、上記露光に際
しての温度の変化によりタングステン膜が剥離すること
は少なく、更にタングステンが高融点で露光に際しての
昇温によってSiと反応することもないので、上記高露光
精度の性能は長期にわたって安定に維持される。
ン膜12のＣＶＤ条件は、前記実施例と同様である。以上
の実施例から明らかなように、本発明に係る透過マスク
は、マスク母体の薄膜状半導体基板の表面及び荷電粒子
ビーム透過孔の内面、或いは薄膜状半導体基板の表面と
荷電粒子ビーム透過孔の内面及び薄膜状半導体基板の裏
面とが高導電性を有するタングステン膜に覆われている
ので、荷電粒子ビームの照射によって表面に発生するチ
ャージは、このタングステン膜を通して外部に放電され
る。従って、例えば電子ビーム等の荷電粒子ビームによ
る露光に際して、マスク母体の薄膜状半導体基板がチャ
ージアップすることがなくなり、前記ビームの偏向が防
止されて露光精度が向上する。またタングステンは熱膨
張率が半導体例えばSiに比較的近いので、上記露光に際
しての温度の変化によりタングステン膜が剥離すること
は少なく、更にタングステンが高融点で露光に際しての
昇温によってSiと反応することもないので、上記高露光
精度の性能は長期にわたって安定に維持される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、荷電
粒子露光用透過マスクの露光精度を向上し、且つその高
精度を長期にわたって安定に維持することができる。
粒子露光用透過マスクの露光精度を向上し、且つその高
精度を長期にわたって安定に維持することができる。
【００２７】従って本発明は、高密度化される半導体装
置の製造工程の信頼性向上に寄与するところが大きい。
置の製造工程の信頼性向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明に係る透過マスクの一実施例の模式断
面図
面図
【図２】 本発明に係る透過マスクの他の実施例の模式
断面図
断面図
【図３】 従来の透過マスクの製造工程断面図
【図４】 従来の改良構造の透過マスクの模式断面図
１ 第１のSi基板 1F 支持枠 ２ 第１のSiO2膜 ３ 薄膜状Si基板 3S 表面 3B 裏面 ４ 第２のSiO2膜 ５ Si3N4 膜 ６ エッチング用開口 ７ マスクパターン形成領域画定窓 8A、8B、8C エッチング用開孔 9A、9B、9C 透過孔パターン 10 マスクの側面 11 貴金属膜 12 タングステン膜
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク母体に薄膜化した半導体基板を用
い該薄膜化半導体基板に所定のパターン形状を有する荷
電粒子透過孔が形成されてなる荷電粒子露光用の透過マ
スクであって、少なくとも該薄膜状半導体基板の表面及
び該透過孔の内面、若しくは少なくとも該薄膜状半導体
基板の表面と該透過孔の内面及び該薄膜状半導体基板の
裏面がタングステン膜で覆われていることを特徴とする
透過マスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の透過マスクを製造するに
際して、前記薄膜状半導体基板に前記荷電粒子透過孔を
形成して後、少なくとも該薄膜状半導体基板の表面及び
該透過孔の内面、若しくは該薄膜状半導体基板の表面と
該透過孔の内面及び該薄膜状半導体基板の裏面に、化学
気相成長法によりタングステン膜を被着させる工程を有
することを特徴とする透過マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2830893A JPH06244091A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 透過マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2830893A JPH06244091A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 透過マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244091A true JPH06244091A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12244994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2830893A Withdrawn JPH06244091A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 透過マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244091A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326556A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Nec Corp | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
| JPH10340852A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Hoya Corp | 転写マスク用基板及び該基板を用いた転写マスクの製造方法 |
| JP2003007589A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
| US7179569B2 (en) * | 2000-10-31 | 2007-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing the same |
| US7327013B2 (en) | 2002-12-26 | 2008-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stencil mask with charge-up prevention and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP2830893A patent/JPH06244091A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326556A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Nec Corp | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
| JPH10340852A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Hoya Corp | 転写マスク用基板及び該基板を用いた転写マスクの製造方法 |
| US7179569B2 (en) * | 2000-10-31 | 2007-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing the same |
| US7459246B2 (en) | 2000-10-31 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing a the same |
| US7745073B2 (en) | 2000-10-31 | 2010-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing a the same |
| JP2003007589A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法 |
| US7327013B2 (en) | 2002-12-26 | 2008-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stencil mask with charge-up prevention and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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