JPH06244124A - 改良されたスループットを有する真空処理装置 - Google Patents

改良されたスループットを有する真空処理装置

Info

Publication number
JPH06244124A
JPH06244124A JP6008703A JP870394A JPH06244124A JP H06244124 A JPH06244124 A JP H06244124A JP 6008703 A JP6008703 A JP 6008703A JP 870394 A JP870394 A JP 870394A JP H06244124 A JPH06244124 A JP H06244124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
cooling
substrate
heating
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6008703A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2575285B2 (ja
Inventor
Norman L Turner
エル． ターナー ノーマン
John M White
マックネイル ホワイト ジョン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=21746915&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH06244124(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH06244124A publication Critical patent/JPH06244124A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2575285B2 publication Critical patent/JP2575285B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大型ガラス基板を連続的な単一基板処理チャ
ンバ４０、４２、４４、４６内で処理することができ、
加熱及び冷却の遅れ時間の問題を解決する、改良された
スループットを有する真空システムを得ることを目的と
する。 【構成】 複数のガラス基板の加熱及び冷却のためのバ
ッチ処理を、単一基板用チャンバの処理に組み合わせる
ものであり、複数の単一基板処理チャンバ４０、４２、
４４、４６並びに中央の移送チャンバ１２に接続された
バッチ型の加熱チャンバ２８及び冷却チャンバ１４Ａ、
１４Ｂを備えている。移送チャンバ１２は、種々のチャ
ンバ間で任意の予め選択された順序で基板を移送する。
これにより、ガラス基板の加熱及び冷却のための適当な
時間を許容しつつ、連続的ですばやい基板処理の流れが
提供される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単一基板用（枚葉
式）処理チャンバ内で複数の薄膜を蒸着するための真空
システムに関するものである。特に、この発明は、単一
基板用処理チャンバをバッチ型の加熱及び冷却チャンバ
に組み合わせる真空システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリックス型の（active m
atrix ）ＴＶやコンピュータモニターの液晶セル（cell
s ）は、液晶材料の層をその間にサンドイッチする２枚
のガラス板から成る。ガラス板は、その板の内面上の薄
い導電性のフィルムによって導電性にされており、液晶
分子の方向を変えるために、それらに電源が接続されい
る。1,000,000 までまたはそれ以上の領域すなわち画素
（pixels）が分離してアドレッシングされる必要がある
アクティブマトリックス型のＴＶに関するかぎり、液晶
セルの異なる領域の分離したアドレッシング（addressi
ng）を可能にする、より大型でより精巧なセルへの要求
が高まってきているので、この応用に薄膜トランジスタ
が広く使用されるようになってきている。薄膜トランジ
スタは、上にアモルファスシリコンのようなゲート絶縁
層及び導電層が蒸着され、パターンを施された金属ゲー
トを備えている。続いて、ドープされたアモルファスシ
リコン、エッチストッパーであるシリコン窒化物（etch
stopper silicon nitride）、シリコン酸化物、金属接
触層等である適用層（applied layers）も、アモルファ
スシリコン薄膜上に蒸着される必要がある。これらの膜
の多くは、高品質の膜を得るためにＣＶＤによって蒸着
される。
【０００３】半導体産業においては、シリコンウエハの
ような基板は大型化し、ウエハ上に形成されるデバイス
の数を多くすることが可能になり、単一基板処理は数枚
のウエハを１度に処理するバッチ型処理に主として置き
代わっている。単一基板処理はプロセスの良好な制御を
可能とし、使用される真空チャンバを小さくでき、もし
処理中に問題が生じた場合には、バッチ全体のウエハで
はなく１枚のウエハだけがダメージを受け損失される。
【０００４】各基板が処理された後の処理チャンバの排
気及び再加圧を含む、単一基板用真空処理システムの生
産性を向上させるために、１より多い数の処理チャンバ
及び移送チャンバを含むように真空装置が設計されてお
り、複数ステップの処理が、異なるチャンバ内で１枚の
基板に対し真空環境からその基板を取り出すことなく実
行されうる。このようなシステムは、清掃システム（cl
eaner system）についての付随的な利点も有する。例え
ば、メイダン（Maydan）らは、そのようなシステムを米
国特許第4,951,601 号において開示している。それは、
種々の処理チャンバに囲まれ接続された中央の移送チャ
ンバを備えたものである。移送チャンバ内のロボット
は、基板を１つのチャンバから別のチャンバに移送す
る。真空ロードロックを付加することによって、各処理
ステップに先立つチャンバの排気が必要でないようにす
ることも、装置のスループットを向上させる。
【０００５】ガラスは、室温から、真空処理に典型的に
用いられる約３００〜４５０℃までの温度変化における
大型ガラス板のひび割れや応力を防ぐためには例えば約
５分かそれ以上のゆっくりとした加熱及び冷却を必要と
するもろい絶縁材料である。実際の薄膜蒸着は、そのた
めの特別の準備を除いた場合には秒単位しかかからない
ため、長い無駄時間が、基板が個々に加熱され冷却され
る間の真空システムに生じる。この待ち時間は、失われ
る反応器時間の点で非常に高コストになり、従って単一
基板用チャンバ内の膜の蒸着は経済的ではない。
【０００６】単一真空システムにおける単一ガラス基板
上の複数層の膜の蒸着は、例えばガレゴ（Gallego ）に
よる米国特許第4,592,306 号によって開示されている。
ガレゴによって開示された真空システムは、中央移送チ
ャンバロードチャンバ及び出口（exit）チャンバに接続
された４あるいはそれ以上の蒸着チャンバを備えてい
る。基板がシステムの排気されたロードチャンバ内にロ
ードされ、その基板は中央移送チャンバ内のロボットに
よって、種々の層が蒸着される２またはそれ以上の蒸着
チャンバに連続的に移送される。出口チャンバは、金属
蒸着チャンバの２倍でありうる。連続的な薄膜が、蒸着
チャンバ内に１度に１枚ずつロードされた基板上に蒸着
される。システムは、太陽光電池の製造のために、本来
の及びドープされたアモルファスシリコン層を連続的に
蒸着するように設計されている。蒸着はシラン及び適当
なドーパントガスのグロー放電（glow discharge）によ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このシステムは、単一
真空システムにおいて真空を破ることなく大型ガラス基
板上に連続的な層を蒸着するには効果的であるが、各基
板を処理するために必要な長い時間のために非経済的で
あり、それは基板材料の加熱及び冷却装置を備えていな
い。ガレゴは、本来のアモルファスシリコンの蒸着に２
個のチャンバを提供することにより、この問題について
部分的に扱っているが、そのアモルファスシリコンの層
は厚く、従って薄いドープされたアモルファスシリコン
層よりも長い蒸着時間を要する。しかし、ガレゴは、全
体の蒸着時間を減らす方法や、基板温度をいかに反応温
度（２７０℃）にするのか、また、基板を真空システム
から取り出すのに先立ってその基板を周囲温度に冷却す
るのに要する時間については扱っていない。
【０００８】シランのグロー放電によって作られたアモ
ルファスシリコン膜は水素を多く含んでおり、膜が不安
定になり従ってトランジスタデバイスも不安定になるの
で、膜トランジスタはグロー放電技術を用いたのでは作
ることができない。ＣＶＤ処理は、グロー放電蒸着より
も高温、すなわち３５０〜４５０℃のオーダーを必要と
し、アクティブマトリックスＴＶモニターに使用される
ガラス基板は、典型的に非常に大型、すなわち例えば３
５０×４５０ｍｍであるから、基板を処理温度まで加熱
し、膜処理完了後にそれを再び周囲温度まで下げるには
数分もかかる。この加熱及び冷却の遅れは、失われた反
応器時間の点で非常に高コストになる。従って、数個の
チャンバによる蒸着は、長い加熱及び冷却時間が扱われ
ないかぎり待ち時間のない効果的な動作にはならない。
【０００９】このように、大型ガラス基板を連続的な単
一基板処理チャンバ内で処理することができ、加熱及び
冷却の遅れ時間の問題を解決する、改良されたスループ
ットを有する真空システムが、非常に望まれている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の真空システム
は、複数のガラス基板の加熱及び冷却のためのバッチ処
理を、単一基板用チャンバの処理に組み合わせる。この
発明の真空システムは、複数の単一基板処理チャンバ及
び中央の移送チャンバに接続されたバッチ型の加熱及び
冷却チャンバを備えている。移送チャンバは、種々のチ
ャンバ間で任意の予め選択された順序で基板を移送する
ことができる。
【００１１】バッチ型の加熱及び冷却チャンバと単一基
板処理チャンバとの組み合わせは、ガラス基板の加熱及
び冷却のための適当な時間を許容しつつ、連続的ですば
やい基板処理の流れを提供する。このように、この発明
の装置は、効果的かつ経済的な方法でガラス基板上に複
数の高品質薄膜を形成するために、経済的で有利な処理
方法を提供する。
【００１２】
【実施例】この発明の従って、大型ガラス基板を処理す
るための真空システム１０が、図１に示されている。真
空システム１０は、図１に示すように、２個のロードロ
ック（load lock ）／冷却チャンバ１４Ａ及び１４Ｂが
接続された中央移送チャンバ１２を含んでいる。ロード
ロック／冷却チャンバ１４Ａ及び１４Ｂは、それぞれ処
理されるガラス基板をシステム１０に移送するためのも
のである。ロードロック／冷却チャンバ１４Ａ及び１４
Ｂは、それぞれロードドア１６Ａ及び１６Ｂを外側壁に
備えた閉じうる開口部を有している。ロードドア１６Ａ
及び１６Ｂは、処理されるガラス基板を大気中から真空
システム１０内に移送するためのものである。
【００１３】ロードロック／冷却チャンバ１４Ａ及び１
４Ｂは、それぞれ、大型ガラス基板を支持し冷却するた
めの複数の棚、すなわちプラットホームが取り付けられ
たカセット１７を備えている。熱は、真空中のガラス基
板から、放射、及びガラス基板から支持棚に向かってガ
ラス基板の上下にガスを導くことによって取り去られ
る。ガラス基板の加熱または冷却速度は、棚の材料の放
射率（emissivity）、ガラスの放射率及びチャンバの真
空の圧力によって決定される。２個の平行な平面に対す
る熱移送に関するステファン−ボルツマンの式は、以下
の式１）で与えられる。
【００１４】
【数１】
【００１５】ここで、Ｅr は、ワット／ｃｍ2 で表現さ
れた移送されたエネルギ量、Ｔ1 は、Ｋ0 で表現された
棚の温度、Ｔ2 は、Ｋ0 で表現されたガラスの温度、ε
1 は、棚の放射率、ε2 は、ガラスの放射率、σは、ス
テファン−ボルツマンの定数であり、そして、ガス導入
によって移送された熱はガス圧力に比例し、以下の式
２）で与えられる。
【００１６】
【数２】
【００１７】ここで、Ｅｃは、ワット／ｃｍ2 で表現さ
れた加熱エネルギ、Λは、Ｋ0 で表現された平均伝導率
（mean conductivity ）、ｄは、ｃｍで表現された平面
間の間隔、βは、ガス適応係数（gas accommodation co
efficient ）、ｃは、ミクロンで表現されたガスの平均
自由行程、Ｐは、ミリトールで表現された圧力、Ｔ1 及
びＴ2 は、式１）について上記のように与えられた意味
をもつ。
【００１８】棚に取入れられた熱は、その後、例えば水
のような冷却用熱移送媒体に運ばれることによって取り
除かれうる。
【００１９】ロードロック／冷却チャンバ１４内のカセ
ット１７は、カセット１７を１個の棚の高さの分ずつ上
下させる上下移動用装置（elevator assembly ）（図示
せず）に取り付けられている。チャンバ１２Ａにロード
するには、ロードドア１６Ａが開かれ、１個のガラス基
板がカセット１７内の棚上に置かれる。上下移動用装置
はカセット１７を１個の棚の高さの分だけ持ち上げ、空
の棚がロードドア１６Ａに向き合う。別の基板がその棚
などの上に置かれ、カセット１７のすべての棚が満たさ
れる。このとき、ロードドア１６Ａは閉じられ、チャン
バ１４Ａは真空システム１０内の所定の圧力まで高めら
れる。
【００２０】移送チャンバ１２に隣接するロードロック
／冷却チャンバ１４Ａの内壁上のスリットバルブ（slit
valve）２０Ａが、その後、開かれる。ガラス基板が、
移送チャンバ１２内のロボット２２によって加熱チャン
バ２８まで移送される。
【００２１】ロボット２２はマイックロプロセッサコン
トロールシステム、ディスプレイスクリーン及びキーボ
ード（図示せず）によって制御され、これらは、ロボッ
ト２２にガラス基板を支持させ、以下の動作を行わせる
ように設計されている。すなわち、ロードロック／冷却
チャンバ１４Ａのカセット１７から基板を抜き出し、基
板を加熱チャンバ２８内のカセット２９の空の棚に載せ
るために回転し、基板を加熱チャンバカセット２９内の
空の棚上に挿入し、基板を加熱チャンバカセット２９内
の棚の上に置いて、そこから出る。加熱チャンバカセッ
ト２９は、上下移動用装置にも取り付けられ、１個の棚
をロードした後、加熱チャンバカセット２９は上下に移
動し、別の空の棚がロボット２２によってアクセスされ
るようにする。ロボット２２は、その後再び回転して、
ロードロック／冷却チャンバ１４Ａのカセット１７から
別の基板を回収する。同様の方法で、ロボット２２は、
すべてまたは一部の基板を加熱チャンバカセット２９か
ら、４個の単一基板処理チャンバ４０、４２、４４及び
４６の各々の同様のスリットバルブに、予め選択された
方法で移送しうる。基板が薄膜処理を待つ間に、ガラス
が処理温度に達するための適当な時間がある。
【００２２】加熱チャンバカセット２９は、棚を加熱す
る手段とともに以下で詳細に説明される複数の棚すなわ
ちプラットホームを備えており、上下移動用装置にも取
り付けられている。加熱チャンバカセット２９は、ガラ
ス基板を１度に１個だけ真空状態においてロードされ
る。ガラス基板は、その後、処理を待つ間に加熱チャン
バカセット２９内で望ましい蒸着温度まで加熱される。
【００２３】最後のガラス基板が加熱カセット２９内に
ロードされた後、最初のガラス基板は処理温度に達して
いる。加熱されたガラス基板がロボット２２によって、
単一基板処理チャンバ４０、４２、４４及び４６の一つ
に移送された後、それは加熱されるべき冷えた基板によ
って常に置き換えられる。処理チャンバ４０、４２、４
４及び４６が、ガラス基板上に１またはそれ以上の薄膜
層を蒸着させるために適用される。薄膜チャンバ４０、
４２、４４及び４６の各々は、それらの内壁４０ａ、４
２ａ、４４ａ及び４６ａ上に、プロセスガスを分離する
ためのスリットバルブ４１、４３、４５及び４７がそれ
ぞれ取り付けられている。１個以上の処理チャンバが同
時に動作しうる。
【００２４】薄膜の厚さが所定の値になるまで適当な先
行（precursor ）ガスをチャンバに供給し、チャンバを
浄化（purging ）し、さらに先行ガスの第２の組をチャ
ンバに供給することにより、１個のチャンバ内で１より
も多いコーティングを蒸着することができる。その代わ
りに、各チャンバで異なる薄膜を蒸着するために、ガラ
ス基板は１個の処理チャンバから別の処理チャンバに任
意の予め選択された順番で移送しうる。ロボット２２に
よる種々のチャンバ間におけるガラス基板のタイミング
及び移送は、種々のチャンバ内で望ましい数と厚さの薄
膜を蒸着させるために、マイクロプロセッサの制御下で
予め選択されており、どのチャンバにおいても無駄な時
間が最小になるように保たれている。
【００２５】上記システムは複数の薄膜蒸着チャンバ
（film deposition chambers）を用いて説明されたが、
エッチングチャンバ（etch chambers ）、物理的蒸着チ
ャンバ（physical vapor deposition chambers）、予清
掃チャンバ（preclean chambers ）等の他の単一基板処
理チャンバを含みうるし、置き換えられうる。
【００２６】薄膜処理の最後に、熱くなったガラス基板
の各々は、ロードロック／冷却チャンバ１４Ａの冷却カ
セット１７に送り戻され、各棚には１枚のガラス基板が
置かれ、上下移動機構がカセット１７を上下させて各基
板に対して空の棚を移送ロボット２２に合わせる。新し
いガラス基板によって再び満たされた冷却カセット１７
は、冷えたガラス基板を熱いガラス基板に取り替える。
ガラス基板の全工程（batch ）に対するロード交換（lo
ading exchange）の完了後には、最初の基板は既に冷え
ている。ロードロック及び冷却カセットを開口した（ve
nting ）後、最後の基板も冷却される。
【００２７】矢印４８、４９及び５０は、それぞれ１つ
の可能な工程について移送の方向を示している。矢印４
８はロードロック／冷却チャンバ１４Ｂから加熱チャン
バ２８への移送方向を示しており、矢印４９は加熱チャ
ンバ２８からＣＶＤチャンバ４０への基板の移送方向を
示しており、矢印５０はロードロックが完全に交換され
るまでのＣＶＤチャンバ４０からロードロック／冷却チ
ャンバ１４Ｂに戻る基板の移送方向を示している。その
後、チャンバ１４Ｂが大気圧と通じたときに、ロードロ
ックチャンバ１４Ａは真空ロボットに利用される状態に
なり、連続的な処理がなされる。
【００２８】加熱及び冷却チャンバカセット１５及び２
７の詳細が図２に示されている。図２は冷却チャンバカ
セット１７の断面図である。
【００２９】加熱チャンバカセット２９及びロードロッ
ク／冷却チャンバカセット１７の両方における棚６０
は、ステンレス鋼で覆われた（clad）銅、ニッケルでコ
ーティングされたステンレス鋼等の熱伝導材料から作ら
れている。カセット１７及び２９の側壁６２、６４も、
アルミニウムまたは銅のような熱伝導材料から作られて
いる。カセット２９の側壁６２、６４内の溝（channel
）６６は、電源に接続された抵抗ヒータを備えてい
る。冷却チャンバカセット１７の側壁内の溝６８は、水
や他の液体のような冷却媒体を循環させるものであり、
それらのチャンバの側壁６２、６４内に組み入れられて
いる。ガラス基板は、棚６０上に載せられるか取り付け
られた複数の絶縁性のマウント７０の上に載せられてお
り、基板と棚６０との間には隙間がある。ガラス基板
は、従って、放射熱によって均一に両面から加熱または
冷却されて、すばやく均一な加熱または冷却が可能にな
り、約４００度の温度範囲以上に加熱または冷却された
ときでさえ基板のひび割れまたはそりが防止される。
【００３０】基板が冷却されたカセット１７内に置かれ
た後、冷却が開始し、ローデイング時間及びチャンバ通
風（venting ）時間が経過した後、ガラス基板は冷え、
基板を真空システム１０から外壁内のロードドア１６Ａ
を通して運びうるようになり、適当な格納カセット７２
上に積まれる。
【００３１】ガラス基板は、人手によってまたは自動的
に真空システム１０内にロードされうる。図１に示すよ
うに、ロードロックチャンバ１４Ａに対向する第１のス
テーションの、真空システム１０の外側のレールフレー
ム上に取り付けられた市販のロボット７４は、空の格納
カセット７２Ａからガラス基板を回収することができ、
ガラス基板を１度に１枚ずつ真空システム１０内にロー
ドロック／冷却チャンバ１４Ａを通してロードする。チ
ャンバ１４Ａが満たされて閉じられたとき、ロボット７
４はレールに沿ってロードロックチャンバ１４Ｂに対向
する第２のステーションまでスライドすることができ、
カセット７２Ｃからの基板で第２のロードロック／冷却
チャンバ１４Ｂを満たし始める。基板の第１のロード処
理の最後に、ロボット７４は、処理された基板をロード
ロックチャンバ１４Ａから回収することができ、今度は
コーティングされた基板を空のカセット７２Ｂに置く。
【００３２】基板の第１の組（batch ）が処理され、第
１のロードロック／冷却チャンバ１４Ａ内のカセットに
再ロードされている間に、基板の第２の組はロードさ
れ、第２の、ロードロック／冷却チャンバ１４Ｂのよう
なものの中のカセット内で真空にされうる。従って、基
板の第１の組が冷却され真空システム１０から運ばれて
いる間に、基板の第２の組は真空にされて加熱されてお
り、この時点でＣＶＤチャンバ４０、４２、４４及び４
６内で処理可能な状態になっている。２個のロードロッ
クチャンバが存在することは、真空システム１０内の基
板の連続的な処理を確保している。
【００３３】大型ガラス基板の上に薄膜トランジスタを
製造するためには、ロードロック／冷却チャンバに対し
てガラス基板のロード及びアンロードをする平均の時間
は、各工程について約１５秒である。しかるに、ガラス
基板を薄膜蒸着温度まで加熱する平均時間は、約３００
秒である。処理または大気圧への通気（venting back）
の順番を待つすでに加熱されているガラス基板の１組を
備えることにより、基板の長い平均加熱時間は、それぞ
れ処理または通気を待つ時間に含まれて隠されてしまう
（is hidden ）。
【００３４】この真空システムを特定の実施例及び手順
（sequences ）を用いて説明してきたが、この発明の本
質から逸脱することなくこの装置について種々の変形例
を作りうる。例えば、処理、加熱及び冷却チャンバ、ま
たは加熱及び冷却チャンバを組み合わせたものの数は、
それらが中央の移送チャンバにアクセス可能であれば様
々に変更しうる。また、加熱、蒸着及び冷却の順序を、
望ましい薄膜及び蒸着の順序によって様々に変えても実
行することができる。さらに、物理的蒸着またはエッチ
チャンバ、予清掃（preclean）チャンバ等の付加的な処
理チャンバをシステムに付け加えてもよいし、代替して
もよい。このような変形及び代替は当業者には自明であ
り、この発明は、特許請求の範囲によってのみ限定され
ることが意図されている。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、システム１０は、長くか
かる加熱及び冷却ステップをバッチ処理タイプの（batc
h-type）チャンバで実行することにより連続的ですばや
い基板処理を可能にし、処理チャンバ内で１度に１枚ず
つ基板を処理するようにされていることにより、そのよ
うな単一基板処理のすべての利点を保有する。さらに、
ロードロック機能と冷却機能とを単一の冷却／ロードロ
ックチャンバが合わせ持つようにすることにより、付加
的な冷却チャンバ及び付加的な基板移送が必要でなくな
り、この真空システムの効率は一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガラス基板上に薄膜を蒸着させるためのこの発
明の真空システムの平面図である。
【図２】ここで用いるバッチ型の加熱または冷却チャン
バの断面図である。
【符号の説明】
１２…移送チャンバ、１４Ａ、１４Ｂ…ロードロック／
冷却チャンバ、１７、２９…カセット、２８…加熱チャ
ンバ、４０、４２、４４、４６…単一基板用処理チャン
バ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン マックネイル ホワイト アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94541， ヘイワード， コロニー ヴュ ー プレイス 2811

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中に入れられた複数のガラス基板を支持
    し冷却する複数の棚を有する１または１を超える数のロ
    ードロック（load lock ）／冷却チャンバ、 複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャン
    バ、 前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１
    を超える数の単一基板用処理チャンバ、及びすべての前
    記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバにガラス
    基板を移送する自動化された手段を有する移送チャン
    バ、 を備えた、ガラス基板上への単一基板用膜処理のための
    真空システム。
  2. 【請求項２】 前記ロードロック／冷却チャンバ及び前
    記加熱チャンバが、上下移動用装置（elevator assembl
    y ）に取り付けられたカセットを備えている請求項１記
    載の真空システム。
  3. 【請求項３】 ２個のロードロック／冷却チャンバを備
    えた請求項１記載の真空システム。
  4. 【請求項４】 少なくとも２個の処理チャンバを備えた
    請求項１記載の真空システム。
  5. 【請求項５】 前記単一基板用処理チャンバが化学気相
    成長チャンバである請求項１記載の真空システム。
  6. 【請求項６】 ａ） 複数のガラス基板をロードロック
    ／冷却チャンバ内にロードし、前記チャンバを排気する
    ステップ、 ｂ） すべての前記ガラス基板を、接続する真空移送チ
    ャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチ
    ャンバまで移送するステップ、 ｃ） ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚
    を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバま
    で移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び ｄ） ステップｃ）からの基板を、ステップａ）のロー
    ドロック／冷却チャンバまで送り戻し、基板を冷却する
    ステップ、 を順番に備えた、ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。
  7. 【請求項７】 ステップｃ）に続いて、基板を、その上
    に付加的な薄膜を蒸着するための１または１を超える数
    の付加的な処理チャンバに移送するステップを行う請求
    項６記載の方法。
JP6008703A 1993-01-28 1994-01-28 改良されたスループットを有する真空処理装置 Expired - Lifetime JP2575285B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1068493A 1993-01-28 1993-01-28
US08/010684 1993-01-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06244124A true JPH06244124A (ja) 1994-09-02
JP2575285B2 JP2575285B2 (ja) 1997-01-22

Family

ID=21746915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6008703A Expired - Lifetime JP2575285B2 (ja) 1993-01-28 1994-01-28 改良されたスループットを有する真空処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5512320A (ja)
EP (1) EP0608620B1 (ja)
JP (1) JP2575285B2 (ja)
DE (1) DE69304038T2 (ja)
ES (1) ES2090893T3 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999013504A1 (fr) * 1997-09-10 1999-03-18 Tokyo Electron Limited Mecanisme de sas et appareil de traitement
JP2002020868A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Anelva Corp 薄膜形成装置
US6814573B2 (en) 2001-12-14 2004-11-09 Jh Corporation Vacuum heat-treatment apparatus
JP2005522891A (ja) * 2002-04-15 2005-07-28 ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド 多層コーティングを個別のシートにデポジットする装置
KR100773192B1 (ko) * 1999-06-03 2007-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 처리하기 위한 방법 및 진공 장치
JP2009094530A (ja) * 1996-11-18 2009-04-30 Applied Materials Inc 超高スループット・ウェハ真空処理システム
WO2009096249A1 (ja) * 2008-01-31 2009-08-06 Tokyo Electron Limited ロードロック装置および基板冷却方法
WO2010067544A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板冷却装置および基板処理システム
JP2012165214A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Murata Mfg Co Ltd 成膜システム及び成膜方法
KR101399223B1 (ko) * 2011-12-05 2014-05-27 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2014123727A (ja) * 2012-12-24 2014-07-03 Samsung Display Co Ltd 薄膜封止の製造装置及び薄膜封止の製造方法
WO2014168006A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、記録媒体及び半導体装置の製造方法
JP2015529538A (ja) * 2012-05-21 2015-10-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド 昇華精製装置及び方法
JP2020057782A (ja) * 2018-10-01 2020-04-09 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ 基材保持装置、装置を含むシステム、およびその使用方法

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6214119B1 (en) 1986-04-18 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Vacuum substrate processing system having multiple processing chambers and a central load/unload chamber
KR100291971B1 (ko) * 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
JPH07211605A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Hitachi Ltd 処理装置および処理方法
US6974763B1 (en) * 1994-04-13 2005-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming semiconductor device by crystallizing amorphous silicon and forming crystallization promoting material in the same chamber
US6193506B1 (en) 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US6672819B1 (en) 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
JPH0936198A (ja) 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US6481956B1 (en) 1995-10-27 2002-11-19 Brooks Automation Inc. Method of transferring substrates with two different substrate holding end effectors
US5773088A (en) * 1995-12-05 1998-06-30 Materials Research Group, Inc. Treatment system including vacuum isolated sources and method
US5850071A (en) * 1996-02-16 1998-12-15 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus
JP3516424B2 (ja) * 1996-03-10 2004-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
US5691236A (en) * 1996-06-29 1997-11-25 United Microelectronics Corporation Method and apparatus for performing chemical vapor deposition
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US6602348B1 (en) * 1996-09-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate cooldown chamber
US5943230A (en) * 1996-12-19 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
EP0987700B1 (en) * 1997-05-08 2004-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device and method for manufacturing an optical recording medium
TW589391B (en) * 1997-07-08 2004-06-01 Unaxis Trading Ag Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment
US6391377B1 (en) * 1997-07-08 2002-05-21 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment
CH692741A5 (de) * 1997-07-08 2002-10-15 Unaxis Trading Ltd C O Balzers Verfahren zur Herstellung in Vakuum oberflächenbehandelter Werkstücke und Vakuumbehandlungsanlage zu dessen Durchführung
US5837059A (en) * 1997-07-11 1998-11-17 Brooks Automation, Inc. Automatic positive pressure seal access door
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6139245A (en) * 1997-07-11 2000-10-31 Brooks Automation Inc. Robot arm relocation system
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US6002840A (en) * 1997-09-30 1999-12-14 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus
US6235634B1 (en) 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
US6688375B1 (en) 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6013134A (en) 1998-02-18 2000-01-11 International Business Machines Corporation Advance integrated chemical vapor deposition (AICVD) for semiconductor devices
US6294219B1 (en) 1998-03-03 2001-09-25 Applied Komatsu Technology, Inc. Method of annealing large area glass substrates
KR100339685B1 (ko) * 1998-05-02 2002-10-25 삼성전자 주식회사 반도체웨이퍼상의레지스트를베이킹하기위한장치
US6215897B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6086362A (en) 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6206176B1 (en) 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
US6213704B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6176668B1 (en) 1998-05-20 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. In-situ substrate transfer shuttle
US6375746B1 (en) 1998-07-10 2002-04-23 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including load locks
US6431807B1 (en) 1998-07-10 2002-08-13 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit
US6231289B1 (en) 1998-08-08 2001-05-15 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
JP2965038B1 (ja) * 1998-09-21 1999-10-18 日新電機株式会社 真空処理装置
US6960057B1 (en) 1998-09-30 2005-11-01 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus
US6328858B1 (en) 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
KR100303446B1 (ko) 1998-10-29 2002-10-04 삼성전자 주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법
US6485250B2 (en) 1998-12-30 2002-11-26 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus with multiple arms on a common axis of rotation
JP2000306978A (ja) * 1999-02-15 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6318945B1 (en) 1999-07-28 2001-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot
JP4057198B2 (ja) * 1999-08-13 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6417014B1 (en) * 1999-10-19 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for reducing wafer to wafer deposition variation
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20070196682A1 (en) * 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6298685B1 (en) 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US6246031B1 (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6949143B1 (en) 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
US6977014B1 (en) 2000-06-02 2005-12-20 Novellus Systems, Inc. Architecture for high throughput semiconductor processing applications
US6860965B1 (en) 2000-06-23 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. High throughput architecture for semiconductor processing
US6562141B2 (en) * 2000-07-03 2003-05-13 Andrew Peter Clarke Dual degas/cool loadlock cluster tool
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
JP5021112B2 (ja) 2000-08-11 2012-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
EP1319243A2 (en) * 2000-09-15 2003-06-18 Applied Materials, Inc. Double dual slot load lock for process equipment
US6770562B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
WO2002079080A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Production device and production method for silicon-based structure
US20020195201A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Emanuel Beer Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber
JP2003148872A (ja) * 2001-08-28 2003-05-21 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd オーブンシステム
US6672864B2 (en) * 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
US7316966B2 (en) 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
US20090208754A1 (en) * 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
WO2003038145A2 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
US7351291B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-01 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP2003264214A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US7578649B2 (en) 2002-05-29 2009-08-25 Brooks Automation, Inc. Dual arm substrate transport apparatus
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6727194B2 (en) * 2002-08-02 2004-04-27 Wafermasters, Inc. Wafer batch processing system and method
AU2003263609A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1560944B1 (en) 2002-11-15 2014-03-05 TEL Solar AG Apparatus for vacuum treating two dimensionally extended substrates and method for manufacturing such substrates
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7510913B2 (en) * 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP4397646B2 (ja) * 2003-07-30 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7207766B2 (en) 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20050133158A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Mask handler apparatus
US7497414B2 (en) 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
US7344983B2 (en) * 2005-03-18 2008-03-18 International Business Machines Corporation Clustered surface preparation for silicide and metal contacts
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US9248568B2 (en) 2005-07-11 2016-02-02 Brooks Automation, Inc. Unequal link SCARA arm
US7767498B2 (en) * 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US8039049B2 (en) * 2005-09-30 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system
EP2541177A3 (en) * 2005-11-23 2014-09-24 Surface Combustion, Inc. Fluid delivery system for an atmospheric furnace used for treating one or more articles
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
JP4197346B2 (ja) * 2006-04-18 2008-12-17 シャープ株式会社 画像処理装置、画像処理方法、画像形成装置、画像処理プログラムおよび記録媒体
US7665951B2 (en) 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US7806684B2 (en) * 2007-10-02 2010-10-05 United Microelectronics Corp. Method of semiconductor process and semiconductor apparatus system
WO2009127709A2 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Assembly line for photovoltaic devices
DE102009042432A1 (de) 2008-09-29 2010-04-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Transportvorrichtung für eine Vakuumprozessanlage, Antriebseinrichtung für eine Anlagenkomponente einer Vakuumprozessanlage, und Vakuumprozessanlage
DE102009005966A1 (de) 2008-09-29 2010-04-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Transportvorrichtung für eine Vakuumprozessanlage, Antriebseinrichtung für eine Anlagenkomponente einer Vakuumprozessanlage, und Vakuumprozessanlage
US9337446B2 (en) * 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) * 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US20100167002A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
US20100181500A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for low temperature ion implantation
TW201101524A (en) * 2009-06-29 2011-01-01 Bay Zu Prec Co Ltd Manufacturing device for electrode of solar cell
US8590338B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR20120030917A (ko) * 2010-09-21 2012-03-29 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 진공처리장치
JP2012069542A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理システム
KR20210127823A (ko) 2013-11-04 2021-10-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증가된 개수의 측들을 갖는 이송 챔버들, 반도체 디바이스 제조 프로세싱 툴들, 및 프로세싱 방법들
KR20180045053A (ko) * 2015-09-22 2018-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대면적 듀얼 기판 가공 시스템
US10103042B2 (en) * 2016-01-29 2018-10-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber, semiconductor processing station, and semiconductor process using the same
JP7180984B2 (ja) * 2018-03-01 2022-11-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法
US20210154744A1 (en) * 2018-04-30 2021-05-27 Applied Materials, Inc. Build platform and powder transer system for additive manufacturing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62298116A (ja) * 1986-06-18 1987-12-25 Hitachi Ltd 処理装置
JPH0230759A (ja) * 1988-07-19 1990-02-01 Ulvac Corp 真空処理装置
JPH03136345A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエーハ処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB869397A (en) * 1958-07-02 1961-05-31 Libbey Owens Ford Glass Co Method and apparatus for filming articles by vacuum deposition
US3086882A (en) * 1958-07-02 1963-04-23 Libbey Owens Ford Glass Co Method and apparatus for filming articles by vacuum deposition
US3945903A (en) * 1974-08-28 1976-03-23 Shatterproof Glass Corporation Sputter-coating of glass sheets or other substrates
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4547247A (en) * 1984-03-09 1985-10-15 Tegal Corporation Plasma reactor chuck assembly
US4719921A (en) * 1985-08-28 1988-01-19 Raul Chirife Cardiac pacemaker adaptive to physiological requirements
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
JPH0766919B2 (ja) * 1991-02-20 1995-07-19 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62298116A (ja) * 1986-06-18 1987-12-25 Hitachi Ltd 処理装置
JPH0230759A (ja) * 1988-07-19 1990-02-01 Ulvac Corp 真空処理装置
JPH03136345A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエーハ処理装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094530A (ja) * 1996-11-18 2009-04-30 Applied Materials Inc 超高スループット・ウェハ真空処理システム
WO1999013504A1 (fr) * 1997-09-10 1999-03-18 Tokyo Electron Limited Mecanisme de sas et appareil de traitement
US6338626B1 (en) 1997-09-10 2002-01-15 Tokyo Electron Limited Load-lock mechanism and processing apparatus
KR100773192B1 (ko) * 1999-06-03 2007-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 처리하기 위한 방법 및 진공 장치
JP2002020868A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Anelva Corp 薄膜形成装置
US6814573B2 (en) 2001-12-14 2004-11-09 Jh Corporation Vacuum heat-treatment apparatus
JP2005522891A (ja) * 2002-04-15 2005-07-28 ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド 多層コーティングを個別のシートにデポジットする装置
JP2009182235A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および基板冷却方法
WO2009096249A1 (ja) * 2008-01-31 2009-08-06 Tokyo Electron Limited ロードロック装置および基板冷却方法
WO2010067544A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板冷却装置および基板処理システム
JP2012165214A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Murata Mfg Co Ltd 成膜システム及び成膜方法
KR101399223B1 (ko) * 2011-12-05 2014-05-27 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치 및 기판처리방법
US9741594B2 (en) 2011-12-05 2017-08-22 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing heat treatment on substrate
JP2015529538A (ja) * 2012-05-21 2015-10-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド 昇華精製装置及び方法
JP2014123727A (ja) * 2012-12-24 2014-07-03 Samsung Display Co Ltd 薄膜封止の製造装置及び薄膜封止の製造方法
WO2014168006A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、記録媒体及び半導体装置の製造方法
JPWO2014168006A1 (ja) * 2013-04-10 2017-02-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法
US9595460B2 (en) 2013-04-10 2017-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, recording medium and method of manufacturing semiconductor device
JP2020057782A (ja) * 2018-10-01 2020-04-09 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ 基材保持装置、装置を含むシステム、およびその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
ES2090893T3 (es) 1996-10-16
DE69304038D1 (de) 1996-09-19
DE69304038T2 (de) 1996-12-19
US5512320A (en) 1996-04-30
EP0608620B1 (en) 1996-08-14
JP2575285B2 (ja) 1997-01-22
EP0608620A1 (en) 1994-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2575285B2 (ja) 改良されたスループットを有する真空処理装置
US5607009A (en) Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
JP4237939B2 (ja) 基板加熱冷却を改良した真空処理装置
KR100658235B1 (ko) 대형 유리판의 코팅 및 어닐링 방법
US5399387A (en) Plasma CVD of silicon nitride thin films on large area glass substrates at high deposition rates
US6949143B1 (en) Dual substrate loadlock process equipment
US6460369B2 (en) Consecutive deposition system
KR100614327B1 (ko) 균일한 기판 가열을 위한 챔버
US5851602A (en) Deposition of high quality conformal silicon oxide thin films for the manufacture of thin film transistors
JPH06283430A (ja) 単一チャンバー内で多層ｃｖｄを行なう方法
JP2002505531A5 (ja)
JP3667038B2 (ja) Ｃｖｄ成膜方法
JP2575285C (ja)
JP2761579B2 (ja) 基板処理装置
JPH09181060A (ja) 薄膜成膜装置
JP4503713B2 (ja) 真空成膜法の基板冷却方法
JPH111769A (ja) スパッタ膜の製造方法及びスパッタ膜
JP3580916B2 (ja) 基板加熱装置
JPH06287754A (ja) 真空成膜方法およびその装置
JP2001284334A (ja) 基板処理方法
KR20080040070A (ko) 스퍼터링을 이용한 반도체 제조장치
JPH10149966A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960917

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RVTR Cancellation due to determination of trial for invalidation