JPH06244331A - ハイブリッドｉｃとその製造方法 - Google Patents
ハイブリッドｉｃとその製造方法Info
- Publication number
- JPH06244331A JPH06244331A JP5050021A JP5002193A JPH06244331A JP H06244331 A JPH06244331 A JP H06244331A JP 5050021 A JP5050021 A JP 5050021A JP 5002193 A JP5002193 A JP 5002193A JP H06244331 A JPH06244331 A JP H06244331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- adhesive
- circuit board
- hybrid
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板上にヒートシンクを介して半導体チ
ップを実装する際の組立工程の簡略化を図り、これによ
って工数の低減を可能としたハイブリッドＩＣとその製
造方法を提供する。 【構成】 ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに貫通孔
５を設けて、ヒートシンク３の上面側の接着剤２と同下
面側の接着剤２とを貫通孔５を介して連続させる構成と
した。そして、先ず回路基板１の上面に所定量の接着剤
２を塗布し、次いで回路基板１の上面に接着剤２により
ヒートシンク３を接着するとともに、ヒートシンク３に
設けた貫通孔５を通して接着剤２をヒートシンク３の上
面側に滲み出させ、この滲み出させた接着剤２によりヒ
ートシンク３の上面に半導体チップ４を接着するように
した。
ップを実装する際の組立工程の簡略化を図り、これによ
って工数の低減を可能としたハイブリッドＩＣとその製
造方法を提供する。 【構成】 ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに貫通孔
５を設けて、ヒートシンク３の上面側の接着剤２と同下
面側の接着剤２とを貫通孔５を介して連続させる構成と
した。そして、先ず回路基板１の上面に所定量の接着剤
２を塗布し、次いで回路基板１の上面に接着剤２により
ヒートシンク３を接着するとともに、ヒートシンク３に
設けた貫通孔５を通して接着剤２をヒートシンク３の上
面側に滲み出させ、この滲み出させた接着剤２によりヒ
ートシンク３の上面に半導体チップ４を接着するように
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドＩＣの構
造とその製造方法に関するものである。
造とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、回路基板上に裸の半導体チッ
プや各種個別部品を実装した、いわゆるハイブリッドＩ
Ｃにおいては、半導体チップの発生熱を外部に放出させ
るための手段が様々なかたちで講じられており、その中
でも特に放熱効果の高いものとしては図６に示すような
ハイブリッドＩＣが提案されている。
プや各種個別部品を実装した、いわゆるハイブリッドＩ
Ｃにおいては、半導体チップの発生熱を外部に放出させ
るための手段が様々なかたちで講じられており、その中
でも特に放熱効果の高いものとしては図６に示すような
ハイブリッドＩＣが提案されている。
【０００３】図示したハイブリッドＩＣの構成におい
て、３１は回路基板、３２はヒートシンク、３３は半導
体チップであり、このうち、ヒートシンク３２は接着剤
（一般的には銀ペースト）３４により回路基板３１の上
面に貼り付けられ、半導体チップ３３は接着剤（一般的
には銀ペースト）３５によりヒートシンク３２の上面に
貼り付けられている。こうした構成により、動作時に発
生した半導体チップ３３の熱はスムースにヒートシンク
３２に伝えられて、そのまま外部に放出されるようにな
る。
て、３１は回路基板、３２はヒートシンク、３３は半導
体チップであり、このうち、ヒートシンク３２は接着剤
（一般的には銀ペースト）３４により回路基板３１の上
面に貼り付けられ、半導体チップ３３は接着剤（一般的
には銀ペースト）３５によりヒートシンク３２の上面に
貼り付けられている。こうした構成により、動作時に発
生した半導体チップ３３の熱はスムースにヒートシンク
３２に伝えられて、そのまま外部に放出されるようにな
る。
【０００４】続いて、上記構成のハイブリッドＩＣの製
造方法について図７を参照しながら説明する。まず、回
路基板３１の上面に接着剤３４を塗布する（Ｓ１）。次
に、回路基板３１の上面に接着剤３４によりヒートシン
ク３２を接着する（Ｓ２）。続いて、回路基板３１に熱
を加えて接着剤３４を硬化させる（Ｓ３）。次いで、回
路基板３１全体を所定の温度まで冷却する（Ｓ４）。続
いて、ヒートシンク３２の上面に接着剤３５を塗布する
（Ｓ５）。次いで、ヒートシンク３２の上面に接着剤３
５により半導体チップ３３を接着する（Ｓ６）。そして
最後は、回路基板３１に熱を加えて接着剤３５を硬化さ
せる（Ｓ７）。以上の方法により回路基板３１上にヒー
トシンク３２を介して半導体チップ３３が実装される。
造方法について図７を参照しながら説明する。まず、回
路基板３１の上面に接着剤３４を塗布する（Ｓ１）。次
に、回路基板３１の上面に接着剤３４によりヒートシン
ク３２を接着する（Ｓ２）。続いて、回路基板３１に熱
を加えて接着剤３４を硬化させる（Ｓ３）。次いで、回
路基板３１全体を所定の温度まで冷却する（Ｓ４）。続
いて、ヒートシンク３２の上面に接着剤３５を塗布する
（Ｓ５）。次いで、ヒートシンク３２の上面に接着剤３
５により半導体チップ３３を接着する（Ｓ６）。そして
最後は、回路基板３１に熱を加えて接着剤３５を硬化さ
せる（Ｓ７）。以上の方法により回路基板３１上にヒー
トシンク３２を介して半導体チップ３３が実装される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のハイブリッドＩＣにおいては、一旦、回路基板３１の
上面にヒートシンク３２を接着してから、同様の繰り返
し作業によってヒートシンク３２の上面に半導体チップ
３３を接着する必要があるため、組立工程が煩雑になっ
て大幅な工数の増加を招いてしまう。
のハイブリッドＩＣにおいては、一旦、回路基板３１の
上面にヒートシンク３２を接着してから、同様の繰り返
し作業によってヒートシンク３２の上面に半導体チップ
３３を接着する必要があるため、組立工程が煩雑になっ
て大幅な工数の増加を招いてしまう。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、回路基板上にヒ
ートシンクを介して半導体チップを実装する際の組立工
程の簡略化を図り、これによって工数の低減を可能とし
たハイブリッドＩＣとその製造方法を提供することにあ
る。
れたもので、その目的とするところは、回路基板上にヒ
ートシンクを介して半導体チップを実装する際の組立工
程の簡略化を図り、これによって工数の低減を可能とし
たハイブリッドＩＣとその製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、回路基板の上面に接着剤
により貼り付けられた平板状のヒートシンクと、ヒート
シンクの上面に接着剤により貼り付けられた半導体チッ
プとを備えたハイブリッドＩＣにおいて、ヒートシンク
のチップ搭載部に貫通部が設けられて、ヒートシンクの
上面側の接着剤と同下面側の接着剤とが貫通部を介して
連続しているものである。また、回路基板の上面に所定
量の接着剤を塗布する工程と、回路基板の上面に接着剤
によりヒートシンクを接着するとともに、ヒートシンク
に設けられた貫通部を通して接着剤をヒートシンクの上
面側に滲み出させる工程と、ヒートシンクの上面に上記
滲み出させた接着剤により半導体チップを接着する工程
とを有するハイブリッドＩＣの製造方法である。
成するためになされたもので、回路基板の上面に接着剤
により貼り付けられた平板状のヒートシンクと、ヒート
シンクの上面に接着剤により貼り付けられた半導体チッ
プとを備えたハイブリッドＩＣにおいて、ヒートシンク
のチップ搭載部に貫通部が設けられて、ヒートシンクの
上面側の接着剤と同下面側の接着剤とが貫通部を介して
連続しているものである。また、回路基板の上面に所定
量の接着剤を塗布する工程と、回路基板の上面に接着剤
によりヒートシンクを接着するとともに、ヒートシンク
に設けられた貫通部を通して接着剤をヒートシンクの上
面側に滲み出させる工程と、ヒートシンクの上面に上記
滲み出させた接着剤により半導体チップを接着する工程
とを有するハイブリッドＩＣの製造方法である。
【０００８】
【作用】本発明のハイブリッドＩＣにおいては、ヒート
シンクのチップ搭載部に設けた貫通部を通してヒートシ
ンクの上面側の接着剤と同下面側の接着剤とを連続させ
ることができる。そして、本発明のハイブリッドＩＣの
製造方法においては、上面に接着剤が塗布された回路基
板に対してヒートシンクの下面を圧接することにより、
ヒートシンクに設けられた貫通部を通して接着剤がヒー
トシンクの上面側に滲み出るとともに、この滲み出た接
着剤によりヒートシンクの上面に半導体チップが接着さ
れる。これにより、接着剤の塗布回数が一回で済むよう
になるなど、組立工程の簡略化が図られる。
シンクのチップ搭載部に設けた貫通部を通してヒートシ
ンクの上面側の接着剤と同下面側の接着剤とを連続させ
ることができる。そして、本発明のハイブリッドＩＣの
製造方法においては、上面に接着剤が塗布された回路基
板に対してヒートシンクの下面を圧接することにより、
ヒートシンクに設けられた貫通部を通して接着剤がヒー
トシンクの上面側に滲み出るとともに、この滲み出た接
着剤によりヒートシンクの上面に半導体チップが接着さ
れる。これにより、接着剤の塗布回数が一回で済むよう
になるなど、組立工程の簡略化が図られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わるハイブリ
ッドＩＣの一実施例を説明する側断面図である。図示し
たハイブリッドＩＣの構成において、１は回路基板であ
り、この回路基板１の上面には接着剤２により平板状の
ヒートシンク３が貼り付けられている。また、ヒートシ
ンク３の上面には同じく接着剤２により半導体チップ４
が貼り付けられている。
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わるハイブリ
ッドＩＣの一実施例を説明する側断面図である。図示し
たハイブリッドＩＣの構成において、１は回路基板であ
り、この回路基板１の上面には接着剤２により平板状の
ヒートシンク３が貼り付けられている。また、ヒートシ
ンク３の上面には同じく接着剤２により半導体チップ４
が貼り付けられている。
【００１０】ここで、本実施例のハイブリッドＩＣにお
いては、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに対して、
例えば格子状に配列された複数の孔からなる貫通部５が
設けられており、これらの貫通部５を介してヒートシン
ク３の上面側の接着剤２と同下面側の接着剤２とが連続
した構成になっている。
いては、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに対して、
例えば格子状に配列された複数の孔からなる貫通部５が
設けられており、これらの貫通部５を介してヒートシン
ク３の上面側の接着剤２と同下面側の接着剤２とが連続
した構成になっている。
【００１１】続いて、本実施例のハイブリッドＩＣの製
造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、回路基板１の上面に所定量
（後述）の接着剤２を塗布する（Ｓ１）。次に、回路基
板１の上面に上記接着剤２によりヒートシンク３を接着
する（Ｓ２）。このとき、回路基板１の上面にヒートシ
ンク３の下面を圧接し、ヒートシンク３のチップ搭載部
３ａに設けた貫通部５を通して上記接着剤２をヒートシ
ンク３の上面側に滲み出させる。続いて、先に滲み出さ
せた接着剤２によりヒートシンク３の上面、すなわちチ
ップ搭載部３ａに半導体チップ４を接着する（Ｓ３）。
後は、回路基板１に熱を加えて接着剤２を硬化させる
（Ｓ４）。以上の方法により回路基板１上にヒートシン
ク３を介して半導体チップ４が実装される。
造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、回路基板１の上面に所定量
（後述）の接着剤２を塗布する（Ｓ１）。次に、回路基
板１の上面に上記接着剤２によりヒートシンク３を接着
する（Ｓ２）。このとき、回路基板１の上面にヒートシ
ンク３の下面を圧接し、ヒートシンク３のチップ搭載部
３ａに設けた貫通部５を通して上記接着剤２をヒートシ
ンク３の上面側に滲み出させる。続いて、先に滲み出さ
せた接着剤２によりヒートシンク３の上面、すなわちチ
ップ搭載部３ａに半導体チップ４を接着する（Ｓ３）。
後は、回路基板１に熱を加えて接着剤２を硬化させる
（Ｓ４）。以上の方法により回路基板１上にヒートシン
ク３を介して半導体チップ４が実装される。
【００１２】このように本実施例のハイブリッドＩＣに
よれば、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに貫通部５
が設けられているため、この貫通部５を通して回路基板
１上に塗布された接着剤２をヒートシンク３の上面側に
滲み出させることにより、ヒートシンク３の上面側の接
着剤２と同下面側の接着剤２とが貫通部５を介して連続
したかたちとなり、結果として、接着剤の塗布回数や加
熱硬化の回数が一回で済むようになるとともに、組立途
中で基板を冷却する必要がなくなるなど、従来に比べて
大幅な組立工程の簡略化が可能となる。
よれば、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに貫通部５
が設けられているため、この貫通部５を通して回路基板
１上に塗布された接着剤２をヒートシンク３の上面側に
滲み出させることにより、ヒートシンク３の上面側の接
着剤２と同下面側の接着剤２とが貫通部５を介して連続
したかたちとなり、結果として、接着剤の塗布回数や加
熱硬化の回数が一回で済むようになるとともに、組立途
中で基板を冷却する必要がなくなるなど、従来に比べて
大幅な組立工程の簡略化が可能となる。
【００１３】なお、接着剤２の塗布量については、ヒー
トシンク３の厚さや貫通部５の寸法等を考慮して、適宜
設定するのがよい。
トシンク３の厚さや貫通部５の寸法等を考慮して、適宜
設定するのがよい。
【００１４】また、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａ
に設けられた貫通部５の孔形状としては、図１に示すよ
うなストレート形の孔以外にも、例えば図４に示すよう
に、ヒートシンク３の下面側から上面側に向けて先すぼ
みのテーパ形の孔にすれば、回路基板１上に塗布した接
着剤２をよりスムースにヒートシンク３の上面側に滲み
出させることが可能となる。さらに、上記実施例の構成
では、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに複数の孔を
設けることで貫通部５を構成したが、本発明はこれに限
らず、例えば図５に示すようにヒートシンク３のチップ
搭載部３ａにスリット状の切欠部分を形成することで貫
通部５を構成するようにしてもよい。
に設けられた貫通部５の孔形状としては、図１に示すよ
うなストレート形の孔以外にも、例えば図４に示すよう
に、ヒートシンク３の下面側から上面側に向けて先すぼ
みのテーパ形の孔にすれば、回路基板１上に塗布した接
着剤２をよりスムースにヒートシンク３の上面側に滲み
出させることが可能となる。さらに、上記実施例の構成
では、ヒートシンク３のチップ搭載部３ａに複数の孔を
設けることで貫通部５を構成したが、本発明はこれに限
らず、例えば図５に示すようにヒートシンク３のチップ
搭載部３ａにスリット状の切欠部分を形成することで貫
通部５を構成するようにしてもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ヒートシンクのチップ搭載部に貫通部を設けることによ
り、この貫通部を通して回路基板上に塗布された接着剤
をヒートシンクの上面側に滲み出させ、且つその滲み出
させた接着剤によりヒートシンクの上面に半導体チップ
を接着することができるため、接着剤の塗布回数が一回
で済むようになるなど、従来に比べて大幅な組立工程の
簡略化が図られ、これによって工数の低減が可能とな
る。
ヒートシンクのチップ搭載部に貫通部を設けることによ
り、この貫通部を通して回路基板上に塗布された接着剤
をヒートシンクの上面側に滲み出させ、且つその滲み出
させた接着剤によりヒートシンクの上面に半導体チップ
を接着することができるため、接着剤の塗布回数が一回
で済むようになるなど、従来に比べて大幅な組立工程の
簡略化が図られ、これによって工数の低減が可能とな
る。
【図１】本発明に係わるハイブリッドＩＣの一実施例を
説明する側断面図である。
説明する側断面図である。
【図２】本発明のハイブリッドＩＣの製造方法を説明す
る斜視図である。
る斜視図である。
【図３】本発明のハイブリッドＩＣの製造方法を説明す
るフローチャートである。
るフローチャートである。
【図４】ヒートシンクの他の態様を説明する側断面図で
ある。
ある。
【図５】ヒートシンクのさらに他の態様を説明する斜視
図である。
図である。
【図６】従来のハイブリッドＩＣを説明する側断面図で
ある。
ある。
【図７】従来のハイブリッドＩＣの製造方法を説明する
フローチャートである。
フローチャートである。
１ 回路基板 ２ 接着剤 ３ ヒートシンク ３ａ チップ搭載部 ４ 半導体チップ ５ 貫通部
Claims (2)
- 【請求項１】 回路基板の上面に接着剤により貼り付け
られた平板状のヒートシンクと、前記ヒートシンクの上
面に接着剤により貼り付けられた半導体チップとを備え
たハイブリッドＩＣにおいて、 前記ヒートシンクのチップ搭載部に貫通部が設けられ
て、前記ヒートシンクの上面側の接着剤と同下面側の接
着剤とが前記貫通部を介して連続していることを特徴と
するハイブリッドＩＣ。 - 【請求項２】 回路基板の上面に所定量の接着剤を塗布
する工程と、 前記回路基板の上面に前記接着剤によりヒートシンクを
接着するとともに、前記ヒートシンクに設けられた貫通
部を通して前記接着剤を該ヒートシンクの上面側に滲み
出させる工程と、 前記ヒートシンクの上面に前記滲み出させた接着剤によ
り半導体チップを接着する工程とを有することを特徴と
するハイブリッドＩＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5050021A JPH06244331A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | ハイブリッドｉｃとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5050021A JPH06244331A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | ハイブリッドｉｃとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244331A true JPH06244331A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12847350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5050021A Pending JPH06244331A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | ハイブリッドｉｃとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010143273A1 (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5050021A patent/JPH06244331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010143273A1 (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP5246334B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2013-07-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| US8860210B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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