JPH06244336A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06244336A JPH06244336A JP5025114A JP2511493A JPH06244336A JP H06244336 A JPH06244336 A JP H06244336A JP 5025114 A JP5025114 A JP 5025114A JP 2511493 A JP2511493 A JP 2511493A JP H06244336 A JPH06244336 A JP H06244336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting piece
- semiconductor element
- lead terminal
- semiconductor device
- terminal portion
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングワイヤが載置片に接触するのを
改善するとともに、製造工程において効率良く製造する
ことができ、しかも、品質及び信頼性の向上した半導体
装置を提供する。 【構成】 載置片の半導体素子近傍領域が下段部となる
よう、載置片の先端部分および載置片吊りリード端子部
分にそれぞれ傾斜部を有し、かつ互いに等しい高さの段
部が形成され、半導体素子が載置されている載置片上面
とそれぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう形
成され、また、リード端子部分はそのリード端子部分に
連続する載置片連続部から立ち上がって形成されてい
る。
改善するとともに、製造工程において効率良く製造する
ことができ、しかも、品質及び信頼性の向上した半導体
装置を提供する。 【構成】 載置片の半導体素子近傍領域が下段部となる
よう、載置片の先端部分および載置片吊りリード端子部
分にそれぞれ傾斜部を有し、かつ互いに等しい高さの段
部が形成され、半導体素子が載置されている載置片上面
とそれぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう形
成され、また、リード端子部分はそのリード端子部分に
連続する載置片連続部から立ち上がって形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
リードフレームを利用して樹脂封止してなる電力用等の
半導体装置に関する。
リードフレームを利用して樹脂封止してなる電力用等の
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の電力用の半導体装置は、図
４に示すように、横枠４１に複数個のフレームが形成さ
れている。
４に示すように、横枠４１に複数個のフレームが形成さ
れている。
【０００３】その各フレームには載置片４６に半導体素
子４８がダイボンドされ、その半導体素子４８とリード
端子４２，４４，４５の各々とはボンディングワイヤ４
９により、内部結線が施されて回路が形成されている。
なお、載置片４６は効率よく放熱を行うために、他の部
分より肉厚に形成されている。
子４８がダイボンドされ、その半導体素子４８とリード
端子４２，４４，４５の各々とはボンディングワイヤ４
９により、内部結線が施されて回路が形成されている。
なお、載置片４６は効率よく放熱を行うために、他の部
分より肉厚に形成されている。
【０００４】そして、この内部結線が施されたリードフ
レームはトランスファーモールド法等により、図６に示
すような封止樹脂５３Ｃによって樹脂封止され、電力用
等の半導体装置が形成される。
レームはトランスファーモールド法等により、図６に示
すような封止樹脂５３Ｃによって樹脂封止され、電力用
等の半導体装置が形成される。
【０００５】この半導体装置を作成する工程を、図５に
示す。まず、図５（ａ）に示すように、リードフレーム
を下面モールド金型５４をセットアップ後、上面モール
ド金型５５を横枠１及びリード端子４２，４３，４４，
４５を支持し、さらにモールド金型５４，５５内から突
出した位置決めピン５１，５２で載置片４６の一端部４
６ａ，４６ｂを支持し、モールド金型５４，５５内に封
止樹脂５３ａをトランスファーモールド法により射出す
る。
示す。まず、図５（ａ）に示すように、リードフレーム
を下面モールド金型５４をセットアップ後、上面モール
ド金型５５を横枠１及びリード端子４２，４３，４４，
４５を支持し、さらにモールド金型５４，５５内から突
出した位置決めピン５１，５２で載置片４６の一端部４
６ａ，４６ｂを支持し、モールド金型５４，５５内に封
止樹脂５３ａをトランスファーモールド法により射出す
る。
【０００６】その後、図５（ｂ）に示すように、封止樹
脂５３ｂが硬化する前に位置決めピン５１，５２を成形
品の表面まで持ち上げた状態とする。さらに、図５
（ｃ）に示すように、モールド金型５４，５５内で封止
樹脂５３ｃを保圧して、硬化させ、モールドは完了す
る。
脂５３ｂが硬化する前に位置決めピン５１，５２を成形
品の表面まで持ち上げた状態とする。さらに、図５
（ｃ）に示すように、モールド金型５４，５５内で封止
樹脂５３ｃを保圧して、硬化させ、モールドは完了す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では、図１に示すように半導体素子４８が搭載される載
置片４６と、ワイヤボンドされるリード端子４２，４
４，４５とには段差がないため、半導体素子４８から各
々のリード端子４２，４４，４５に結線されたボンディ
ングワイヤ４９が載置片４６に接触する場合があり、そ
のため不良が生じる問題があった。また、製造工程にお
いて、半導体素子をダイボンドする工程前にフレームを
積み上げる場合、従来例で異形状構造のため、そのスタ
ック性が悪く、作業に困難を生じたりする問題もあっ
た。
では、図１に示すように半導体素子４８が搭載される載
置片４６と、ワイヤボンドされるリード端子４２，４
４，４５とには段差がないため、半導体素子４８から各
々のリード端子４２，４４，４５に結線されたボンディ
ングワイヤ４９が載置片４６に接触する場合があり、そ
のため不良が生じる問題があった。また、製造工程にお
いて、半導体素子をダイボンドする工程前にフレームを
積み上げる場合、従来例で異形状構造のため、そのスタ
ック性が悪く、作業に困難を生じたりする問題もあっ
た。
【０００８】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、ボンディングワイヤが載置片に接触するのを改
善するとともに、製造工程において効率良く製造するこ
とができ、しかも、品質及び信頼性の向上した半導体装
置を提供することを目的とする。
であり、ボンディングワイヤが載置片に接触するのを改
善するとともに、製造工程において効率良く製造するこ
とができ、しかも、品質及び信頼性の向上した半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電力用半導体装置は、横枠と、その横枠
に垂直に設けられた複数のリード端子と、その複数のリ
ード端子のうち１つに支持され、かつ半導体素子が載置
される載置片とが一体に形成されてなるフレームを備え
た半導体装置において、上記載置片の半導体素子近傍領
域が下段部となるよう、当該載置片の先端部分および当
該載置片を支持するリード端子部分にそれぞれ傾斜部を
有し、かつ互いに等しい高さの段部が形成されていると
ともに、上記半導体素子が載置されている載置片上面と
上記それぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう
形成され、かつ、上記リード端子部分はそのリード端子
部分に連続する上記載置片連続部から立ち上がって形成
されていることによって特徴付けられる。
めに、本発明の電力用半導体装置は、横枠と、その横枠
に垂直に設けられた複数のリード端子と、その複数のリ
ード端子のうち１つに支持され、かつ半導体素子が載置
される載置片とが一体に形成されてなるフレームを備え
た半導体装置において、上記載置片の半導体素子近傍領
域が下段部となるよう、当該載置片の先端部分および当
該載置片を支持するリード端子部分にそれぞれ傾斜部を
有し、かつ互いに等しい高さの段部が形成されていると
ともに、上記半導体素子が載置されている載置片上面と
上記それぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう
形成され、かつ、上記リード端子部分はそのリード端子
部分に連続する上記載置片連続部から立ち上がって形成
されていることによって特徴付けられる。
【００１０】
【作用】載置片を支持するリード端子部分に形成された
段差により、他のリード端子と半導体素子とを接続する
ボンディングワイヤが載置片に接触することなく、安定
した接続状態になる。
段差により、他のリード端子と半導体素子とを接続する
ボンディングワイヤが載置片に接触することなく、安定
した接続状態になる。
【００１１】また、段部の傾斜部は等しい角度で上方に
広がった形状となり、また、等しい高さの段部を有する
安定した形状のフレームとなる。したがって、このフレ
ームを多数個積み上げた場合でも、安定な状態での載置
が可能になる。また、積み上げたフレームをはずす場合
も、障害がなく引き抜きやすい。
広がった形状となり、また、等しい高さの段部を有する
安定した形状のフレームとなる。したがって、このフレ
ームを多数個積み上げた場合でも、安定な状態での載置
が可能になる。また、積み上げたフレームをはずす場合
も、障害がなく引き抜きやすい。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明実施例の構造を説明するため
の図であり、図２はその要部を示す図である。
の図であり、図２はその要部を示す図である。
【００１３】横枠１に複数個のフレームが形成されてい
る。この各フレームの形状は、載置片６の半導体素子８
近傍領域が下段部をなし、載置片６の先端部分および載
置片６を支持する載置片吊りリード端子３部分にそれぞ
れ傾斜部１７ａ，１６ａを有し、かつ互いに等しい高さ
の段部１７，１６が形成されている。また、載置片６の
上面１ｃとそれぞれの傾斜部１７ａ，１６ａとがなす角
ｒa ，ｒb は鈍角を有するように形成されている。ま
た、リード端子部分はその載置片吊りリード端子３に連
続する載置片６の連続部から立ち上がって形成されてい
るが、載置片６に切り欠き１８ａ，１８ｂが形成されて
おり、載置片吊りリード端子３はこの切り欠き１８ａ，
１８ｂの根元から立ち上がって段部１７が形成されてい
る。このようなフレーム構成の載置片６に半導体素子８
がダイボンドされ、その半導体素子８とリード端子２，
４，５の各々とはボンディングワイヤ９により、内部結
線が施されて回路が形成されている。これらの２つの段
部により載置片６の半導体素子近傍の載置片とリード端
子２，３，４，５においてそれぞれ段差が形成された構
造となる。この２つの段部は等しい傾斜角度を有し、か
つ上段部１ａ，１ｂは下段部１ｃから同一の高さを有
し、また、下段部１ｃと平行な状態に保たれている構造
となっている。
る。この各フレームの形状は、載置片６の半導体素子８
近傍領域が下段部をなし、載置片６の先端部分および載
置片６を支持する載置片吊りリード端子３部分にそれぞ
れ傾斜部１７ａ，１６ａを有し、かつ互いに等しい高さ
の段部１７，１６が形成されている。また、載置片６の
上面１ｃとそれぞれの傾斜部１７ａ，１６ａとがなす角
ｒa ，ｒb は鈍角を有するように形成されている。ま
た、リード端子部分はその載置片吊りリード端子３に連
続する載置片６の連続部から立ち上がって形成されてい
るが、載置片６に切り欠き１８ａ，１８ｂが形成されて
おり、載置片吊りリード端子３はこの切り欠き１８ａ，
１８ｂの根元から立ち上がって段部１７が形成されてい
る。このようなフレーム構成の載置片６に半導体素子８
がダイボンドされ、その半導体素子８とリード端子２，
４，５の各々とはボンディングワイヤ９により、内部結
線が施されて回路が形成されている。これらの２つの段
部により載置片６の半導体素子近傍の載置片とリード端
子２，３，４，５においてそれぞれ段差が形成された構
造となる。この２つの段部は等しい傾斜角度を有し、か
つ上段部１ａ，１ｂは下段部１ｃから同一の高さを有
し、また、下段部１ｃと平行な状態に保たれている構造
となっている。
【００１４】さらに、図３に、上記の本発明実施例のリ
ードフレームが封止樹脂１３によって樹脂封止された電
力用半導体装置を示す。樹脂封止は載置片６及びリード
端子２，４，５とダイボンド部分を含む部分が金型（図
示せず）内でモールドされる。
ードフレームが封止樹脂１３によって樹脂封止された電
力用半導体装置を示す。樹脂封止は載置片６及びリード
端子２，４，５とダイボンド部分を含む部分が金型（図
示せず）内でモールドされる。
【００１５】このような構成のリードフレームにおい
て、半導体素子８から接続されたボンディングワイヤ９
はは載置片６に接触することはない。また、段部の傾斜
部は等しい角度で上方に広がった形状となり、また、等
しい高さの段部を有する安定した形状のフレームである
ことから、フレームを多数個積み上げた場合でも、安定
な状態での載置が可能になり、製造工程における作業効
率の良いものとなる。
て、半導体素子８から接続されたボンディングワイヤ９
はは載置片６に接触することはない。また、段部の傾斜
部は等しい角度で上方に広がった形状となり、また、等
しい高さの段部を有する安定した形状のフレームである
ことから、フレームを多数個積み上げた場合でも、安定
な状態での載置が可能になり、製造工程における作業効
率の良いものとなる。
【００１６】さらに、平板状のリードフレームを加工す
ることにより、従来のような載置片部分に厚みを必要と
しないので、材料コストは低減し、その結果製造コスト
を低減することができる。
ることにより、従来のような載置片部分に厚みを必要と
しないので、材料コストは低減し、その結果製造コスト
を低減することができる。
【００１７】尚、本発明実施例では載置片６に切り欠き
１８ａ，１８ｂを形成してその根元から立ち上げた構成
の段部を形成したが、段部はこの構成に限ることなく、
例えば、載置片の立ち上げ部分を除く、切り込みの幅に
沿って載置片を除去した形状としても良い。
１８ａ，１８ｂを形成してその根元から立ち上げた構成
の段部を形成したが、段部はこの構成に限ることなく、
例えば、載置片の立ち上げ部分を除く、切り込みの幅に
沿って載置片を除去した形状としても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
載置片の半導体素子近傍領域が下段部となるよう、載置
片の先端部分および載置片を支持するリード端子部分に
それぞれ傾斜部を有し、かつ互いに等しい高さの段部が
形成され、また半導体素子が載置されている載置片上面
とそれぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう形
成され、さらに、リード端子部分はそのリード端子部分
に連続する上記載置片連続部から立ち上がって形成され
た構成としたので、半導体素子から結線されたボンディ
ングワイヤが載置片に接触することがなく、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。さらに、製造工程に
おいて、フレームを段積みしても、スタック性が優れて
いることから、フレームの取扱いが容易となり、作業効
率を高めることができ、しかも、平板形状のフレームの
加工により、容易に本発明の構成を得ることができるこ
とから、製造コストを低減することができる。
載置片の半導体素子近傍領域が下段部となるよう、載置
片の先端部分および載置片を支持するリード端子部分に
それぞれ傾斜部を有し、かつ互いに等しい高さの段部が
形成され、また半導体素子が載置されている載置片上面
とそれぞれの傾斜部とが互いに等しい鈍角をなすよう形
成され、さらに、リード端子部分はそのリード端子部分
に連続する上記載置片連続部から立ち上がって形成され
た構成としたので、半導体素子から結線されたボンディ
ングワイヤが載置片に接触することがなく、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。さらに、製造工程に
おいて、フレームを段積みしても、スタック性が優れて
いることから、フレームの取扱いが容易となり、作業効
率を高めることができ、しかも、平板形状のフレームの
加工により、容易に本発明の構成を得ることができるこ
とから、製造コストを低減することができる。
【図１】本発明実施例を説明する図
【図２】本発明実施例の要部を説明する図
【図３】本発明実施例を説明する図
【図４】従来例を説明する図
【図５】従来例の製造工程を説明する図
【図６】従来例を説明する図
１・・・・リードフレーム ２，４，５・・・・リード端子 ３・・・・載置片吊りリード端子 ６・・・・載置片 ８・・・・半導体素子 ９・・・・ボンディングワイヤ １６，１７・・・・段部 １６ａ，１７ａ・・・・傾斜部 １ａ，１ｂ・・・・上段部 １ｃ・・・・下段部
Claims (1)
- 【請求項１】 横枠と、その横枠に垂直に設けられた複
数のリード端子と、その複数のリード端子のうち１つに
支持され、かつ半導体素子が載置される載置片とが一体
に形成されてなるフレームを備えた半導体装置におい
て、上記載置片の半導体素子近傍領域が下段部となるよ
う、当該載置片の先端部分および当該載置片を支持する
リード端子部分にそれぞれ傾斜部を有し、かつ互いに等
しい高さの段部が形成されているとともに、上記半導体
素子が載置されている載置片上面と上記それぞれの傾斜
部とが互いに等しい鈍角をなすよう形成され、かつ、上
記リード端子部分はそのリード端子部分に連続する上記
載置片連続部から立ち上がって形成されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025114A JP2944351B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025114A JP2944351B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244336A true JPH06244336A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2944351B2 JP2944351B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=12156908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025114A Expired - Lifetime JP2944351B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944351B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373124B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method of producing the same, and a semiconductor device using the same |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5025114A patent/JP2944351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373124B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method of producing the same, and a semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2944351B2 (ja) | 1999-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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