JPH11302016A - 低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法Info
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- JPH11302016A JPH11302016A JP11083898A JP11083898A JPH11302016A JP H11302016 A JPH11302016 A JP H11302016A JP 11083898 A JP11083898 A JP 11083898A JP 11083898 A JP11083898 A JP 11083898A JP H11302016 A JPH11302016 A JP H11302016A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い基板温度でも優れた結晶性を持った低抵
抗なＩＴＯ薄膜が形成可能なＩＴＯスパッタリングター
ゲットを提供すること。 【解決手段】 鋳込み成型法によるＩＴＯターゲットの
製造方法において、バインダーとして多糖類系バインダ
ーを用いることにより、（２２２）ピークの半値幅をＷ
ｓ、ターゲット断面のＸ線回折により求められる（２２
２）ピークの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛（│Ｗｓ
−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００≦２５で、かつ、０≦｛│Ｗ
ｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０である、均一で、低
い基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なＩＴＯ薄
膜が形成可能なＩＴＯスパッタリングターゲットが得ら
れる。
抗なＩＴＯ薄膜が形成可能なＩＴＯスパッタリングター
ゲットを提供すること。 【解決手段】 鋳込み成型法によるＩＴＯターゲットの
製造方法において、バインダーとして多糖類系バインダ
ーを用いることにより、（２２２）ピークの半値幅をＷ
ｓ、ターゲット断面のＸ線回折により求められる（２２
２）ピークの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛（│Ｗｓ
−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００≦２５で、かつ、０≦｛│Ｗ
ｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０である、均一で、低
い基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なＩＴＯ薄
膜が形成可能なＩＴＯスパッタリングターゲットが得ら
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜形成用Ｉ
ＴＯスパッタリングターゲットに関し、２００℃以下の
低い基板温度での成膜、特に１２０℃〜１５０℃におい
ても結晶性の良い低抵抗な透明導電膜を形成するための
ＩＴＯターゲットに関するものである。
ＴＯスパッタリングターゲットに関し、２００℃以下の
低い基板温度での成膜、特に１２０℃〜１５０℃におい
ても結晶性の良い低抵抗な透明導電膜を形成するための
ＩＴＯターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶デバイスなどに応用される透明導電
膜には低い比抵抗と高い透過率を併せ持つインジウム・
錫酸化物（ＩＴＯ）膜が用いられている。ＩＴＯ膜を得
る方法としては酸化インジウムと酸化錫の混合粉をＣＩ
Ｐ等により成形し、これを焼結したものをターゲットと
するスパッタリング法が主流となっている。スパッタリ
ング法を用いて３００℃程度に加熱した基板上に成膜し
たＩＴＯ薄膜は１．２×１０-4Ω・ｃｍ程度の比抵抗を
もつことが知られている。
膜には低い比抵抗と高い透過率を併せ持つインジウム・
錫酸化物（ＩＴＯ）膜が用いられている。ＩＴＯ膜を得
る方法としては酸化インジウムと酸化錫の混合粉をＣＩ
Ｐ等により成形し、これを焼結したものをターゲットと
するスパッタリング法が主流となっている。スパッタリ
ング法を用いて３００℃程度に加熱した基板上に成膜し
たＩＴＯ薄膜は１．２×１０-4Ω・ｃｍ程度の比抵抗を
もつことが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし近年では液晶の
カラー化等に伴い、耐熱温度が低い有機物を構成材料と
した基板上に低抵抗のＩＴＯ膜を形成させる事が必要と
されている。現在では基板温度２００℃において２．０
×１０-4Ω・ｃｍを下回る比抵抗をもつＩＴＯ薄膜が得
られているが、さらに低い温度で低い比抵抗を持つＩＴ
Ｏ薄膜を成膜することが望まれている。しかしながら、
低温成膜によっても低抵抗なＩＴＯ膜が得られる透明導
電膜形成用ＩＴＯターゲットを作製することは困難であ
った。
カラー化等に伴い、耐熱温度が低い有機物を構成材料と
した基板上に低抵抗のＩＴＯ膜を形成させる事が必要と
されている。現在では基板温度２００℃において２．０
×１０-4Ω・ｃｍを下回る比抵抗をもつＩＴＯ薄膜が得
られているが、さらに低い温度で低い比抵抗を持つＩＴ
Ｏ薄膜を成膜することが望まれている。しかしながら、
低温成膜によっても低抵抗なＩＴＯ膜が得られる透明導
電膜形成用ＩＴＯターゲットを作製することは困難であ
った。
【０００４】ここで、ＩＴＯスパッタリングターゲット
の製造方法としては、例えば特開平９−１８８５６４で
開示されている如く、鋳込み成形法が知られている。
の製造方法としては、例えば特開平９−１８８５６４で
開示されている如く、鋳込み成形法が知られている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＴＯター
ゲットのスパッタリングにより低い基板温度で低抵抗な
ＩＴＯ薄膜を形成する方法について検討の結果、ターゲ
ットの結晶性と膜の比抵抗に相関が存在し、ターゲット
の焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯターゲット
を用いてスパッタリング成膜を行った場合、低い基板温
度、特に１２０℃〜１５０℃において結晶性に優れ、
２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下の比抵抗を持つＩＴＯ薄膜
を作成できることを見い出し、更に、公知の製法である
鋳込み成形法を行うにあたり、バインダーとして多糖類
系のものを用いると、前記のごときターゲットの焼結組
織がどの方向にも均一であるＩＴＯターゲットが得られ
ることを見いだし、本発明を完成させるに至った。ター
ゲットの焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯター
ゲットを用いると成膜特性がいい理由は、焼結体の結晶
性が高く、かつ結晶性が均一であるため、スパッタ粒子
の飛散の仕方も均一であり、低い基板温度でも結晶性の
高いＩＴＯ薄膜が形成されるためであると考えられる。
また、多糖類系のバインダーを用いると、そのようなタ
ーゲットの焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯタ
ーゲットが得られる理由としては、多糖類系のバインダ
ーは他のバインダーに比べて分解しやすく、脱脂工程後
に炭素の残留が少なく、均一な粒成長が起こりやすいか
らであると考えられる。
ゲットのスパッタリングにより低い基板温度で低抵抗な
ＩＴＯ薄膜を形成する方法について検討の結果、ターゲ
ットの結晶性と膜の比抵抗に相関が存在し、ターゲット
の焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯターゲット
を用いてスパッタリング成膜を行った場合、低い基板温
度、特に１２０℃〜１５０℃において結晶性に優れ、
２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下の比抵抗を持つＩＴＯ薄膜
を作成できることを見い出し、更に、公知の製法である
鋳込み成形法を行うにあたり、バインダーとして多糖類
系のものを用いると、前記のごときターゲットの焼結組
織がどの方向にも均一であるＩＴＯターゲットが得られ
ることを見いだし、本発明を完成させるに至った。ター
ゲットの焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯター
ゲットを用いると成膜特性がいい理由は、焼結体の結晶
性が高く、かつ結晶性が均一であるため、スパッタ粒子
の飛散の仕方も均一であり、低い基板温度でも結晶性の
高いＩＴＯ薄膜が形成されるためであると考えられる。
また、多糖類系のバインダーを用いると、そのようなタ
ーゲットの焼結組織がどの方向にも均一であるＩＴＯタ
ーゲットが得られる理由としては、多糖類系のバインダ
ーは他のバインダーに比べて分解しやすく、脱脂工程後
に炭素の残留が少なく、均一な粒成長が起こりやすいか
らであると考えられる。
【０００６】通常２００℃以下の低い基板温度でスパッ
タリングにより成膜したＩＴＯ薄膜のＸ線回折により計
算される結晶子サイズは大きくとも３００〜５００Å程
度で、成膜時の基板温度を下げていくと、結晶性が低下
してこの結晶子サイズが徐々に小さくなり、非晶質の組
織へと変化していく。しかし本発明ターゲットを用いて
成膜したＩＴＯ薄膜では１２０℃〜１５０℃でも高い結
晶性を保ち、鋭いＸ線回折ピークがみられ、Ｘ線回折の
半値幅、ピーク位置から計算される結晶子サイズは５０
０Å以上とかなり大きな値を持つ。このため結晶粒界で
のキャリア電子の散乱が起こりにくく、低い比抵抗が実
現されている。
タリングにより成膜したＩＴＯ薄膜のＸ線回折により計
算される結晶子サイズは大きくとも３００〜５００Å程
度で、成膜時の基板温度を下げていくと、結晶性が低下
してこの結晶子サイズが徐々に小さくなり、非晶質の組
織へと変化していく。しかし本発明ターゲットを用いて
成膜したＩＴＯ薄膜では１２０℃〜１５０℃でも高い結
晶性を保ち、鋭いＸ線回折ピークがみられ、Ｘ線回折の
半値幅、ピーク位置から計算される結晶子サイズは５０
０Å以上とかなり大きな値を持つ。このため結晶粒界で
のキャリア電子の散乱が起こりにくく、低い比抵抗が実
現されている。
【０００７】具体的なターゲット組織の均一性の判断
は、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められ
る（２２２）ピークを用いて行うことが出来る。即ち、
ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められる
（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ターゲット断面のＸ
線回折により求められる（２２２）ピークの半値幅をＷ
ｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００
≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×
１００≦４０であるＩＴＯスパッタリングターゲットを
用いて成膜ですれば、結晶粒界でのキャリア電子の散乱
が起こりにくく、低い比抵抗が実現される。即ち、本発
明は以下の通りである。
は、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められ
る（２２２）ピークを用いて行うことが出来る。即ち、
ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められる
（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ターゲット断面のＸ
線回折により求められる（２２２）ピークの半値幅をＷ
ｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００
≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×
１００≦４０であるＩＴＯスパッタリングターゲットを
用いて成膜ですれば、結晶粒界でのキャリア電子の散乱
が起こりにくく、低い比抵抗が実現される。即ち、本発
明は以下の通りである。
【０００８】（１）ターゲットのスパッタ面のＸ線回折
により求められる（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、タ
ーゲット断面のＸ線回折により求められる（２２２）ピ
ークの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│
／Ｗｃ｝×１００≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−
Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０であるＩＴＯスパッタリ
ングターゲット。 （２）酸化インジウム粉末８０〜９８重量部と、酸化ス
ズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ混合粉末と、分散剤と
多糖類系バインダーとを含むスラリーを鋳込み成形した
後、酸素を含む雰囲気下で焼結することを特徴とする
（１）に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造
方法。 （３）酸化物換算で、酸化インジウム粉末８０〜９８重
量部と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ複合酸
化物粉末と、分散剤と多糖類系バインダーとを含むスラ
リーを鋳込み成形した後、酸素を含む雰囲気下で焼結す
ることを特徴とする（１）に記載のＩＴＯスパッタリン
グターゲットの製造方法。
により求められる（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、タ
ーゲット断面のＸ線回折により求められる（２２２）ピ
ークの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│
／Ｗｃ｝×１００≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−
Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０であるＩＴＯスパッタリ
ングターゲット。 （２）酸化インジウム粉末８０〜９８重量部と、酸化ス
ズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ混合粉末と、分散剤と
多糖類系バインダーとを含むスラリーを鋳込み成形した
後、酸素を含む雰囲気下で焼結することを特徴とする
（１）に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造
方法。 （３）酸化物換算で、酸化インジウム粉末８０〜９８重
量部と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ複合酸
化物粉末と、分散剤と多糖類系バインダーとを含むスラ
リーを鋳込み成形した後、酸素を含む雰囲気下で焼結す
ることを特徴とする（１）に記載のＩＴＯスパッタリン
グターゲットの製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明で用いる酸化インジウム粉
末は、例えば、金属インジウムを酸溶解し、アルカリ中
和して得られる水酸化インジウムを焼成すること等によ
り、得ることが出来、酸化錫粉末は、例えば、金属錫を
酸溶解し、アルカリ中和して得られる水酸化錫を焼成す
ること等により、得ることが出来る。
末は、例えば、金属インジウムを酸溶解し、アルカリ中
和して得られる水酸化インジウムを焼成すること等によ
り、得ることが出来、酸化錫粉末は、例えば、金属錫を
酸溶解し、アルカリ中和して得られる水酸化錫を焼成す
ること等により、得ることが出来る。
【００１０】また、ＩＴＯ複合酸化物粉末は、例えば、
酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を、混合した後、大気
中で仮焼して得ることができる。
酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を、混合した後、大気
中で仮焼して得ることができる。
【００１１】本発明で用いる多糖類系バインダーとして
は、例えば、セルロース、キシラン、デキストラン、プ
ルラン等があるが、成形体乾燥後の高強度発現や分解時
の発熱が低いという理由により、プルラン（商品名：プ
ルランＰＦ−２０、林原化学（株）製）が好ましい。
は、例えば、セルロース、キシラン、デキストラン、プ
ルラン等があるが、成形体乾燥後の高強度発現や分解時
の発熱が低いという理由により、プルラン（商品名：プ
ルランＰＦ−２０、林原化学（株）製）が好ましい。
【００１２】また、本発明で用いる分散剤としては、例
えば、アクリル酸、アクリル酸塩、アクリル酸エステ
ル、メタアクリル酸、メタアクリル酸塩、メタアクリル
酸エステル等を単独で、又は混合してを用いることがで
きる。更に、それらの共重合体を使用しても良い。
えば、アクリル酸、アクリル酸塩、アクリル酸エステ
ル、メタアクリル酸、メタアクリル酸塩、メタアクリル
酸エステル等を単独で、又は混合してを用いることがで
きる。更に、それらの共重合体を使用しても良い。
【００１３】本発明では、酸化インジウム粉末８０〜９
８重量部と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ混
合粉末又はＩＴＯ複合酸化物粉末を用いるが、望ましく
は、酸化インジウム粉末８５〜９５重量部、酸化スズ５
〜１５重量部であり、更に望ましくは、酸化インジウム
粉末８８〜９３重量部、酸化スズ７〜１２重量部であ
る。
８重量部と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ混
合粉末又はＩＴＯ複合酸化物粉末を用いるが、望ましく
は、酸化インジウム粉末８５〜９５重量部、酸化スズ５
〜１５重量部であり、更に望ましくは、酸化インジウム
粉末８８〜９３重量部、酸化スズ７〜１２重量部であ
る。
【００１４】酸化インジウム粉末は、二次粒子の平均粒
径が０．３〜３．０μｍ、比表面積１．０〜５．０ｍ2
／ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の平均粒径が
０．５〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．０ｍ2／ｇ
のものがより好ましい。
径が０．３〜３．０μｍ、比表面積１．０〜５．０ｍ2
／ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の平均粒径が
０．５〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．０ｍ2／ｇ
のものがより好ましい。
【００１５】一方、酸化錫粉末は、二次粒子の平均粒径
が０．３〜３．０μｍ、比表面積１．０〜５．０ｍ2／
ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の平均粒径が
０．４〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．０ｍ2／ｇ
のものがより好ましい。
が０．３〜３．０μｍ、比表面積１．０〜５．０ｍ2／
ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の平均粒径が
０．４〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．０ｍ2／ｇ
のものがより好ましい。
【００１６】また、ＩＴＯ複合酸化物粉末は、二次粒子
の平均粒径が０．３〜３．５μｍ、比表面積１．０〜
５．０ｍ2／ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の
平均粒径が０．５〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．
０ｍ2／ｇのものがより好ましい。このようなＩＴＯ複
合酸化物粉末は、酸化インジウム若しくは水酸化インジ
ウムに酸化錫若しくは水酸化錫を前述の如き配合比とな
るように混合して焼成すること等により、得ることが出
来る。
の平均粒径が０．３〜３．５μｍ、比表面積１．０〜
５．０ｍ2／ｇのものが好ましく、更には、二次粒子の
平均粒径が０．５〜２．５μｍ、比表面積２．０〜４．
０ｍ2／ｇのものがより好ましい。このようなＩＴＯ複
合酸化物粉末は、酸化インジウム若しくは水酸化インジ
ウムに酸化錫若しくは水酸化錫を前述の如き配合比とな
るように混合して焼成すること等により、得ることが出
来る。
【００１７】スラリーに用いる分散媒は、例えば、水あ
るいはエタノール、ブタノール、プロパノール等のアル
コール類等が使用できるが、安価という点で、水を使用
すると良い。
るいはエタノール、ブタノール、プロパノール等のアル
コール類等が使用できるが、安価という点で、水を使用
すると良い。
【００１８】スラリーの形成方法としては、回転ボール
ミル法、アトライタ法等のボールミル法、スラッシャー
等の回転羽根混合法等により、行うことができる。
ミル法、アトライタ法等のボールミル法、スラッシャー
等の回転羽根混合法等により、行うことができる。
【００１９】本発明の焼結条件の１つである、酸素を含
む雰囲気とは、大気炉等を用いて、０〜４０ｌ／ｍｉｎ
の酸素通流雰囲気で行うことが好ましく、更には、酸素
通流量は、１０〜２０ｌ／ｍｉｎであることがより好ま
しい。
む雰囲気とは、大気炉等を用いて、０〜４０ｌ／ｍｉｎ
の酸素通流雰囲気で行うことが好ましく、更には、酸素
通流量は、１０〜２０ｌ／ｍｉｎであることがより好ま
しい。
【００２０】本発明の焼結における焼結温度、焼結時間
はそれぞれ、１４００〜１６５０℃、２〜５時間が好ま
しく、更には、１５００〜１６００℃、３．５〜４．５
時間がより好ましい。
はそれぞれ、１４００〜１６５０℃、２〜５時間が好ま
しく、更には、１５００〜１６００℃、３．５〜４．５
時間がより好ましい。
【００２１】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット
は、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められ
る（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ターゲット断面の
Ｘ線回折により求められる（２２２）ピークの半値幅を
Ｗｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１０
０≦２５で、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１
００≦４０であるＩＴＯスパッタリングターゲットであ
り、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００≦２２で、
かつ、０≦｛（│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦３０
であると好ましく、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１
００≦１９で、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×
１００≦２５であると更に好ましい。
は、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折により求められ
る（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ターゲット断面の
Ｘ線回折により求められる（２２２）ピークの半値幅を
Ｗｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１０
０≦２５で、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１
００≦４０であるＩＴＯスパッタリングターゲットであ
り、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１００≦２２で、
かつ、０≦｛（│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×１００≦３０
であると好ましく、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｃ｝×１
００≦１９で、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／Ｗｓ｝×
１００≦２５であると更に好ましい。
【００２２】本発明のターゲットは、請求項２又は３に
記載の方法により製造できるが、他の方法で製造された
ターゲットでも、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折に
より求められる（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ター
ゲット断面のＸ線回折により求められる（２２２）ピー
クの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／
Ｗｃ｝×１００≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗ
ｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０であれば、効果を奏する。
記載の方法により製造できるが、他の方法で製造された
ターゲットでも、ターゲットのスパッタ面のＸ線回折に
より求められる（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ター
ゲット断面のＸ線回折により求められる（２２２）ピー
クの半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛│Ｗｓ−Ｗｃ│／
Ｗｃ｝×１００≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗ
ｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０であれば、効果を奏する。
【００２３】以下に本発明の実施例を説明する。勿論、
本発明は、実施例に拘泥されるものではない。
本発明は、実施例に拘泥されるものではない。
【００２４】《実施例１》表１に示す分量、平均粒径、
比表面積の酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末と、表１
に示す条件の分散媒、分散剤、バインダーとを、表１に
示すスラリー作製方法で作製したスラリーを用いて、鋳
込み成形を行い、表１に示す焼結条件で焼結してＩＴＯ
焼結体を作製し、次いでバッキングプレートと接合せし
め、ＩＴＯスパッタリングターゲットを得た。ターゲッ
トのＸ線回折測定はマックサイエンス社製Ｘ線回折装置
Ｍ１８ＸＨＦ32を用い、管電圧４０ｋＶ、管電流３００
ｍＡでＣｕ−Ｋα1線を発生して、目的とするピーク周
辺をＦＴ法（ステップスキャン）により行った。この際
のステップ幅は０．０１°、計数時間は1秒である。し
かる後、表２に示す成膜条件で、ＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、成膜を行った。得られた膜の比抵
抗を４点端子法で測定した。その結果を同じく表２に示
す。
比表面積の酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末と、表１
に示す条件の分散媒、分散剤、バインダーとを、表１に
示すスラリー作製方法で作製したスラリーを用いて、鋳
込み成形を行い、表１に示す焼結条件で焼結してＩＴＯ
焼結体を作製し、次いでバッキングプレートと接合せし
め、ＩＴＯスパッタリングターゲットを得た。ターゲッ
トのＸ線回折測定はマックサイエンス社製Ｘ線回折装置
Ｍ１８ＸＨＦ32を用い、管電圧４０ｋＶ、管電流３００
ｍＡでＣｕ−Ｋα1線を発生して、目的とするピーク周
辺をＦＴ法（ステップスキャン）により行った。この際
のステップ幅は０．０１°、計数時間は1秒である。し
かる後、表２に示す成膜条件で、ＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、成膜を行った。得られた膜の比抵
抗を４点端子法で測定した。その結果を同じく表２に示
す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】《実施例２》平均粒径０．０２μｍの水酸
化インジウム粉末と平均粒径０．０３μｍの水酸化錫粉
末を回転ボールミル法で混合した後、表３に示す条件で
作製し、ＩＴＯ複合酸化物粉末を得た。表３に示す条件
のＩＴＯ複合酸化物粉末、分散媒、分散剤、バインダー
を用いて表３に示すスラリー作製方法で作製したスラリ
ーを用いて、鋳込み成形を行い、表３に示す焼結条件で
焼結してＩＴＯ焼結体を作製し、次いでバッキングプレ
ートと接合せしめ、ＩＴＯスパッタリングターゲットを
得た。ターゲットのＸ線回折測定は実施例１と同様に行
った。しかる後、表４に示す成膜条件で、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により、成膜を行った。得られた
膜の比抵抗を４点端子法で測定した。その結果を同じく
表４に示す。
化インジウム粉末と平均粒径０．０３μｍの水酸化錫粉
末を回転ボールミル法で混合した後、表３に示す条件で
作製し、ＩＴＯ複合酸化物粉末を得た。表３に示す条件
のＩＴＯ複合酸化物粉末、分散媒、分散剤、バインダー
を用いて表３に示すスラリー作製方法で作製したスラリ
ーを用いて、鋳込み成形を行い、表３に示す焼結条件で
焼結してＩＴＯ焼結体を作製し、次いでバッキングプレ
ートと接合せしめ、ＩＴＯスパッタリングターゲットを
得た。ターゲットのＸ線回折測定は実施例１と同様に行
った。しかる後、表４に示す成膜条件で、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により、成膜を行った。得られた
膜の比抵抗を４点端子法で測定した。その結果を同じく
表４に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明のＩＴＯスパッタリングターゲットは結晶性が均一で
あるためスパッタ粒子の飛散の仕方も均一であり、低い
基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なＩＴＯ薄膜
が形成可能である。
明のＩＴＯスパッタリングターゲットは結晶性が均一で
あるためスパッタ粒子の飛散の仕方も均一であり、低い
基板温度でも優れた結晶性を持った低抵抗なＩＴＯ薄膜
が形成可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】
【表４】
Claims (3)
- 【請求項1】 ターゲットのスパッタ面のＸ線回折によ
り求められる（２２２）ピークの半値幅をＷｓ、ターゲ
ット断面のＸ線回折により求められる（２２２）ピーク
の半値幅をＷｃとしたとき、０≦｛（│Ｗｓ−Ｗｃ│／
Ｗｃ｝×１００≦２５であり、かつ、０≦｛│Ｗｓ−Ｗ
ｃ│／Ｗｓ｝×１００≦４０であるＩＴＯスパッタリン
グターゲット。 - 【請求項２】 酸化インジウム粉末８０〜９８重量部
と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴＯ混合粉末
と、分散剤と糖類系バインダーとを含むスラリーを鋳込
み成形した後、酸素を含む雰囲気下で焼結することを特
徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッタリングターゲ
ットの製造方法。 - 【請求項３】 酸化物換算で、酸化インジウム粉末８０
〜９８重量部と、酸化スズ２〜２０重量部からなるＩＴ
Ｏ複合酸化物粉末と、分散剤と糖類系バインダーとを含
むスラリーを鋳込み成形した後、酸素を含む雰囲気下で
焼結することを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパ
ッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083898A JPH11302016A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083898A JPH11302016A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302016A true JPH11302016A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14545957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083898A Withdrawn JPH11302016A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | 低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11302016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004339607A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
| KR101010563B1 (ko) | 2003-04-24 | 2011-01-24 | 토소가부시키가이샤 | 투명 도전막 및 스퍼터링 타겟 |
| JP2017019668A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 株式会社コベルコ科研 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 |
-
1998
- 1998-04-21 JP JP11083898A patent/JPH11302016A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004339607A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
| KR101010563B1 (ko) | 2003-04-24 | 2011-01-24 | 토소가부시키가이샤 | 투명 도전막 및 스퍼터링 타겟 |
| JP2017019668A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 株式会社コベルコ科研 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 |
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|---|---|---|---|
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