JPH06248438A - レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 - Google Patents
レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法Info
- Publication number
- JPH06248438A JPH06248438A JP50A JP3510093A JPH06248438A JP H06248438 A JPH06248438 A JP H06248438A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 3510093 A JP3510093 A JP 3510093A JP H06248438 A JPH06248438 A JP H06248438A
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- Japan
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- laser
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- gas
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高濃度のＰ型不純をII-VI族半導体に添加す
る。 【構成】 窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元
素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させること
により、ターゲットからの噴出物と一緒に励起した窒素
を基板に飛来させ、窒素添加された化合物を形成する。
る。 【構成】 窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元
素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させること
により、ターゲットからの噴出物と一緒に励起した窒素
を基板に飛来させ、窒素添加された化合物を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光デバイスに利用される
化合物半導体形成法に関するものである。
化合物半導体形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来のII-VI族半導体形成法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００３】従来のII-VI族半導体形成法はK.Ohkawa, a
nd T.Mitsuyu, J.Appl.Phys.,Vol.70, p.439(1991)に示
されているように、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）に
よりＺｎＳｅ単結晶薄膜の成長をさせると同時に、活性
窒素を成長薄膜に照射し、ｐ型伝導体のＮドープＺｎＳ
ｅ薄膜を形成していた。
nd T.Mitsuyu, J.Appl.Phys.,Vol.70, p.439(1991)に示
されているように、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）に
よりＺｎＳｅ単結晶薄膜の成長をさせると同時に、活性
窒素を成長薄膜に照射し、ｐ型伝導体のＮドープＺｎＳ
ｅ薄膜を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
式では、窒素ラジカルを生成させるチャンバーと化合物
を成長させるチャンバーとは別であり、基板に窒素ラジ
カルが到達する過程で多くのラジカルが消滅するため
に、窒素ラジカルが化合物薄膜に取り込まれないという
課題があった。
式では、窒素ラジカルを生成させるチャンバーと化合物
を成長させるチャンバーとは別であり、基板に窒素ラジ
カルが到達する過程で多くのラジカルが消滅するため
に、窒素ラジカルが化合物薄膜に取り込まれないという
課題があった。
【０００５】そこで本発明は、上記課題に鑑み、レーザ
ーアブレーション法によりII-VI族半導体を形成すると
同時に、ターゲット近傍に窒素ガスを導入し、レーザー
光により窒素ラジカルを発生させるレーザーアブレーシ
ョン装置およびそれを用いた半導体形成法の提供を目的
とする。
ーアブレーション法によりII-VI族半導体を形成すると
同時に、ターゲット近傍に窒素ガスを導入し、レーザー
光により窒素ラジカルを発生させるレーザーアブレーシ
ョン装置およびそれを用いた半導体形成法の提供を目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、レーザー発振器と、集光するレンズと、
真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、
前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲット
と、ターゲットにガスを吹き付けるためのガス導入管
と、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射に
より噴出した物質を堆積させる基板とを備えたレーザー
アブレーション装置。また、レーザーアブレーション装
置を用いて、基板にターゲットからの物質が堆積すると
同時にアブレーション用のレーザー光により、低温のタ
ーゲット表面に吸着したガスが活性化され基板に供給さ
せる半導体形成法である。
に、本発明は、レーザー発振器と、集光するレンズと、
真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、
前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲット
と、ターゲットにガスを吹き付けるためのガス導入管
と、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射に
より噴出した物質を堆積させる基板とを備えたレーザー
アブレーション装置。また、レーザーアブレーション装
置を用いて、基板にターゲットからの物質が堆積すると
同時にアブレーション用のレーザー光により、低温のタ
ーゲット表面に吸着したガスが活性化され基板に供給さ
せる半導体形成法である。
【０００７】
【作用】この構成により、高濃度のＰ型不純をII-VI族
半導体に添加することができる。
半導体に添加することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづ
いて説明する。
いて説明する。
【０００９】図１において、例えば、エキシマレーザー
１から発振されたアブレーション用レーザー光２はレン
ズ３で集光され真空封じ用窓４を通過して、真空槽５に
入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が付け
てある。レーザー光２は、真空槽５内に設置されたター
ゲット７に照射される。また、ターゲット７に対向して
加熱機構が付いた基本ホルダー８が真空槽５内に設置さ
れており、基板９が付けてある。
１から発振されたアブレーション用レーザー光２はレン
ズ３で集光され真空封じ用窓４を通過して、真空槽５に
入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が付け
てある。レーザー光２は、真空槽５内に設置されたター
ゲット７に照射される。また、ターゲット７に対向して
加熱機構が付いた基本ホルダー８が真空槽５内に設置さ
れており、基板９が付けてある。
【００１０】このような構造において、例えば、波長２
４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り返し周波数２０
Ｈｚのレーザー光２を、例えばセレン化亜鉛のターゲッ
ト７に集光すると、物質はたたき出され、セレンと亜鉛
粒子１０として、例えばガリウム砒素の基板９に飛来
し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が形成される。ここで、
ガス導入口１１から窒素ガスを真空槽５内に、例えば、
１×１０-5Ｔｏｒｒになるような流量を、レーザー光２
と同期させ２０Ｈｚのパルス分子線としてターゲット７
のレーザー照射スポットに照射する。また、レーザー光
２はパルス幅６０μｓｅｃの分子線の噴出途中に照射さ
れるようにする。このとき、ターゲット７の下に設置さ
れた冷却装置１２により、ターゲット７を冷却すると窒
素ガスがターゲット７の表面に吸着する。このとき、タ
ーゲット７に照射されたレーザー光２は窒素ガスを励起
させ、噴出物質と一緒に基板９に飛来し、化合物薄膜に
窒素がドーピングされる。
４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り返し周波数２０
Ｈｚのレーザー光２を、例えばセレン化亜鉛のターゲッ
ト７に集光すると、物質はたたき出され、セレンと亜鉛
粒子１０として、例えばガリウム砒素の基板９に飛来
し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が形成される。ここで、
ガス導入口１１から窒素ガスを真空槽５内に、例えば、
１×１０-5Ｔｏｒｒになるような流量を、レーザー光２
と同期させ２０Ｈｚのパルス分子線としてターゲット７
のレーザー照射スポットに照射する。また、レーザー光
２はパルス幅６０μｓｅｃの分子線の噴出途中に照射さ
れるようにする。このとき、ターゲット７の下に設置さ
れた冷却装置１２により、ターゲット７を冷却すると窒
素ガスがターゲット７の表面に吸着する。このとき、タ
ーゲット７に照射されたレーザー光２は窒素ガスを励起
させ、噴出物質と一緒に基板９に飛来し、化合物薄膜に
窒素がドーピングされる。
【００１１】
【発明の効果】本発明のII-VI族半導体形成法によれ
ば、窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元素のタ
ーゲットに短パルスのレーザーを照射させることによ
り、基板に高濃度のＰ型不純を添加したII-VI族半導体
化合物を形成することができた。
ば、窒素ガスを吸着させたII-VI族半導体構成元素のタ
ーゲットに短パルスのレーザーを照射させることによ
り、基板に高濃度のＰ型不純を添加したII-VI族半導体
化合物を形成することができた。
【図１】実施例におけるレーザーアブレーション装置を
示す断面図
示す断面図
１ エキシマレーザー ２ レーザー光 ３ レンズ ４ 真空封じ用窓 ５ 真空槽 ６ 真空排気ポンプ ７ ターゲット ８ 基板ホルダー ９ 基板 １０ 粒子 １１ 窒素ガス導入口 １２ 冷却装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三露 常男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大川 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 レーザー発振器と、集光するレンズと、
真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、
前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲット
と、ターゲットのレーザー照射部にガスを吹き付けるた
めのガス導入管と、ターゲット上にありターゲットから
レーザー照射により噴出した物質を堆積させる基板とを
備えたレーザーアブレーション装置。 - 【請求項２】 レーザー発振器はパルスレーザーである
請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】 ターゲットの下にはターゲット冷却装置
がある請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項４】 ターゲットはII-VI族半導体構成元素か
らなる請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項５】 ガスは窒素である請求項１記載のレーザ
ーアブレーション装置。 - 【請求項６】 ガス導入管はレーザーのパルスと同期さ
せることができるパルス動作の分子線バルブである請求
項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の装置を用いて、基板にタ
ーゲットからの物質が堆積すると同時にアブレーション
用のレーザー光により、低温のターゲット表面に吸着し
たガスが活性化され基板に供給させる半導体形成法。 - 【請求項８】 ターゲットはII-VI族半導体構成元素か
らなる請求項６記載の半導体形成法。 - 【請求項９】 ガスは窒素である請求項６記載の半導体
形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06248438A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06248438A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06248438A true JPH06248438A (ja) | 1994-09-06 |
Family
ID=12432525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06248438A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06248438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289598A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化処理装置 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP50A patent/JPH06248438A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289598A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化処理装置 |
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