JPH06293960A - レーザアブレーション装置 - Google Patents
レーザアブレーション装置Info
- Publication number
- JPH06293960A JPH06293960A JP5080498A JP8049893A JPH06293960A JP H06293960 A JPH06293960 A JP H06293960A JP 5080498 A JP5080498 A JP 5080498A JP 8049893 A JP8049893 A JP 8049893A JP H06293960 A JPH06293960 A JP H06293960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- vacuum chamber
- window
- ablation device
- laser ablation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高真空を維持したままで窓が曇らないように
できるレーザアブレーション装置を提供することを目的
とする。 【構成】 エキシマレーザ１１と、集光するレンズ１３
と、真空槽１６と、真空槽１６に設けられたレーザ入射
窓１５と、真空槽１６内にありレーザ光１２が照射され
るターゲット１８と、窓１５を加熱する加熱ランプ１４
とを有するものであり、半導体薄膜を再現性良く安定に
形成することができる。
できるレーザアブレーション装置を提供することを目的
とする。 【構成】 エキシマレーザ１１と、集光するレンズ１３
と、真空槽１６と、真空槽１６に設けられたレーザ入射
窓１５と、真空槽１６内にありレーザ光１２が照射され
るターゲット１８と、窓１５を加熱する加熱ランプ１４
とを有するものであり、半導体薄膜を再現性良く安定に
形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光デバイスに利用され
る化合物半導体形成法に関するものである。
る化合物半導体形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来のレーザアブレーション装
置について説明する。
置について説明する。
【０００３】図２は従来のレーザアブレーション装置の
構成図であり、レーザ光１は真空封じ用窓２を通過し
て、真空槽３に入射させる。真空槽３には真空排気用ポ
ンプ４が設けられている。窓２の真空槽３側にはレーザ
光１の出口が設けられたガス窓５がはめ込んである。ガ
ス室５にはガス導入口６が付けてある。ガス窓５から出
たレーザ光１は真空槽３内に設置されたターゲット７に
照射される。ターゲット７の上には基板ホルダー８が設
置されている。
構成図であり、レーザ光１は真空封じ用窓２を通過し
て、真空槽３に入射させる。真空槽３には真空排気用ポ
ンプ４が設けられている。窓２の真空槽３側にはレーザ
光１の出口が設けられたガス窓５がはめ込んである。ガ
ス室５にはガス導入口６が付けてある。ガス窓５から出
たレーザ光１は真空槽３内に設置されたターゲット７に
照射される。ターゲット７の上には基板ホルダー８が設
置されている。
【０００４】以上のように構成されたレーザアブレーシ
ョン装置について、以下その動作を説明する。
ョン装置について、以下その動作を説明する。
【０００５】ガス導入口６から窒素を流すとガス室５は
窒素ガスで充満され、ターゲット７からの飛来物質はガ
ス室５でカットされ、窓２に付着しない。そのために、
窓の曇によるレーザ光強度の減衰が起こらないで、安定
な成膜ができる。
窒素ガスで充満され、ターゲット７からの飛来物質はガ
ス室５でカットされ、窓２に付着しない。そのために、
窓の曇によるレーザ光強度の減衰が起こらないで、安定
な成膜ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
造のものではガスはガス室５以外の真空槽３にも流れて
いくので、真空槽３全体を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
造のものではガスはガス室５以外の真空槽３にも流れて
いくので、真空槽３全体を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
【０００７】そこで本発明は、上記課題に鑑み窓を加熱
する事により、高真空を維持したままで窓が曇らないよ
うにできるレーザアブレーション装置の提供を目的とす
る。
する事により、高真空を維持したままで窓が曇らないよ
うにできるレーザアブレーション装置の提供を目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、レーザ発振器と、集光するレンズと、真
空槽と、前記真空槽に設けられたレーザ入射窓と、前記
真空槽内にありレーザが照射されるターゲットとを備
え、前記窓を加熱する手段が設けられたレーザアブレー
ション装置である。
に、本発明は、レーザ発振器と、集光するレンズと、真
空槽と、前記真空槽に設けられたレーザ入射窓と、前記
真空槽内にありレーザが照射されるターゲットとを備
え、前記窓を加熱する手段が設けられたレーザアブレー
ション装置である。
【０００９】
【作用】この構成により、II−VI族半導体薄膜を再現性
良く安定に形成することができる。
良く安定に形成することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１において、例えば、エキシマレーザ１
１から発振されたアブレーション用レーザ光１２はレン
ズ１３で集光され加熱ランプ１４が付いた真空封じ用窓
１５を通過して、真空槽１６に入射される。真空槽１６
には、真空排気用ポンプ１７が付けてある。レーザ光１
２は、真空槽１６内に設置されたターゲット１８に照射
される。また、ターゲット１８に対向して加熱機構が付
いた基板ホルダー１９が真空槽１６内に設置されてお
り、基板２０が付けてある。
１から発振されたアブレーション用レーザ光１２はレン
ズ１３で集光され加熱ランプ１４が付いた真空封じ用窓
１５を通過して、真空槽１６に入射される。真空槽１６
には、真空排気用ポンプ１７が付けてある。レーザ光１
２は、真空槽１６内に設置されたターゲット１８に照射
される。また、ターゲット１８に対向して加熱機構が付
いた基板ホルダー１９が真空槽１６内に設置されてお
り、基板２０が付けてある。
【００１２】このような構造において、例えば波長２４
８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り出し周波数２０HZ
のレーザ光２を、例えばセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）のタ
ーゲット１８に集光すると、物質はたたき出され、セレ
ンと亜鉛粒子２１として、例えばガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）の基板２０に飛来し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が
形成される。このとき粒子２１は窓１５にも飛来する。
ここで、加熱ランプ１４により窓１５の真空側から加熱
し、窓１５に付けられた 熱電対２２により、例えば５
００℃に設定すると、蒸気圧の高いＺｎやＳｅの飛来物
は再蒸発する。
８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り出し周波数２０HZ
のレーザ光２を、例えばセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）のタ
ーゲット１８に集光すると、物質はたたき出され、セレ
ンと亜鉛粒子２１として、例えばガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）の基板２０に飛来し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が
形成される。このとき粒子２１は窓１５にも飛来する。
ここで、加熱ランプ１４により窓１５の真空側から加熱
し、窓１５に付けられた 熱電対２２により、例えば５
００℃に設定すると、蒸気圧の高いＺｎやＳｅの飛来物
は再蒸発する。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲットからの噴出
物質が加熱された窓に付着しなくなり、４０時間以上安
定にII−VI族半導体化合物薄膜を形成することができ
た。
物質が加熱された窓に付着しなくなり、４０時間以上安
定にII−VI族半導体化合物薄膜を形成することができ
た。
【図１】実施例におけるレーザアブレーション装置を示
す断面図
す断面図
【図２】従来のレーザアブレーション装置を示す断面図
１１ エキシマレーザ １２ レーザ光 １３ レンズ １４ 加熱ランプ １５ 真空封じ用窓 １６ 真空槽 １７ 真空排気ポンプ １８ ターゲット １９ 基板ホルダー ２０ 基板 ２１ 粒子 ２２ 熱電対
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ発振器と、レーザ光を集光するレ
ーザ光集光手段と、真空槽と、前記真空槽に設けられた
レーザ入射窓と、前記真空槽内にありレーザが照射され
るターゲットとを備え、前記窓を加熱する加熱手段が設
けられたレーザアブレーション装置。 - 【請求項２】 レーザ発振器はパルスレーザである請求
項１記載のレーザアブレーション装置。 - 【請求項３】 加熱手段は真空槽内に設けられた赤外線
ランプである請求項１記載のレーザアブレーション装
置。 - 【請求項４】 窓には温度測定手段が設けられた請求項
１記載のレーザアブレーション装置。 - 【請求項５】 窓の温度をＴｍをターゲット構成物質の
融点よりも１００度以上にする請求項１記載のレーザア
ブレーション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5080498A JPH06293960A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | レーザアブレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5080498A JPH06293960A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | レーザアブレーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293960A true JPH06293960A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13719980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5080498A Pending JPH06293960A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | レーザアブレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085704A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | 処理装置 |
| JP2012041615A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザアブレーション装置 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP5080498A patent/JPH06293960A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085704A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | 処理装置 |
| JP2012041615A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザアブレーション装置 |
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