JPH0625201A - アリール（ホモ）ピペラジン類の製造方法 - Google Patents

アリール（ホモ）ピペラジン類の製造方法

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JPH0625201A
JPH0625201A JP5049930A JP4993093A JPH0625201A JP H0625201 A JPH0625201 A JP H0625201A JP 5049930 A JP5049930 A JP 5049930A JP 4993093 A JP4993093 A JP 4993093A JP H0625201 A JPH0625201 A JP H0625201A
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Hoeve Wolter Ten
ウオルター・テン・ヘベ
Jantje R G Thiecke
ジヤントジエ・アール・ジー・テイーケ
Hans Wynberg
ハンス・ウインベルグ
Chris G Kruse
クリス・ジー・クルゼ
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Duphar International Research BV
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 置換アリール（ホモ）ピペラジン類の製造方
法を提供する。 【構成】 下記式 【化１】Ａｒ−Ｙ の化合物を下記一般式 【化２】 の化合物と反応させることにより、下記一般式 【化３】 で示される化合物を製造する。上記式中、Ａｒは、（ヘ
テロ）アリール基、好ましくはフェニル、ナフチル、フ
リル、チエニル、ピリジル、２環式ヘテロアリール及び
３環式ヘテロアリールから選ばれるもの、を意味し、該
（ヘテロ）アリール基は１〜５個の非強電子抜去性（ｎ
ｏｎ−ｓｔｒｏｎｇｌｙ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｗｉｔｈ
ｄｒａｗｉｎｇ）置換基で置換されていてもよく；Ｍ
は、周期律表のＩ又はＩＩ族（ｇｒｏｕｐ）からの金属
を意味し；Ｒ12は電子陰性基であり；そしてｎは０又は
１である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアリール（ホモ）ピペラ
ジン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アリールピペラジン誘導体の中で多くの
ものが、特に中枢神経系におけるセロトニン様伝達（ｓ
ｅｒｏｔｏｎｅｒｇｉｃ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）
に対するそれらの影響の故に、有用な薬学的特性を有し
ている。これらの誘導体のいくつか、例えばウラピジル
（ｕｒａｐｉｄｉｌ）、トラゾドン（ｔｒａｚｏｄｏｎ
ｅ）、ブスピロン（ｂｕｓｐｉｒｏｎｅ）、ドロプロピ
ジン（ｄｒｏｐｒｏｐｉｚｉｎｅ）、オキシペルチン
（ｏｘｙｐｅｒｔｉｎｅ）及びフルアニゾン（ｆｌｕａ
ｎｉｓｏｎ）は、既に市場に出ている。更に抗生物質活
性を有するアリールピペラジンはノルフロキサシン（ｎ
ｏｒｆｌｏｘａｃｉｎ）、ジフロキサシン（ｄｉｆｌｏ
ｘａｃｉｎ）及びシプロフロキサシン（ｃｉｐｒｏｆｌ
ｏｘａｃｉｎ）である。他の多くのアリールピペラジン
誘導体が現在研究中である。
【０００３】当技術分野で公知の１つの方法によれば、
アリール（ホモ）ピペラジン類は求核的置換反応により
製造することができ、そこにおいては離核性基（ｎｕｃ
ｌｅｏｆｕｇａｌ ｇｒｏｕｐ）例えばハロゲン化物
（ｈａｌｉｄｅ）で置換されたアリール前駆体をピペラ
ジン誘導体と反応させる。反応を進行させるために、該
アリール基は更にシアノ又はニトロ基の如き強電子抜去
性基（ｓｔｒｏｎｇｌｙｅｌｅｃｔｒｏｎ ｗｉｔｈｄ
ｒａｗｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）を少くとも１つ持たねばな
らない。更に多くの場合この電子抜去性基（ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）はあと
で取り除かねばならず、かくして更なる反応工程が必要
となる［シュミッツ及びクンチエル（Ｓｃｈｍｕｔｚ
＆ Ｋｕｅｎｚｌｅ）、ヘルベチカ キミカ アクタ
（Ｈｅｌｖｅｔｉｃａ Ｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ ３
９、１１４４−１１５６；１９５６］。
【０００４】他の方法によれば、アリールピペラジン類
は、アリールアミンを下記式(１)
【０００５】
【化７】
【０００６】式中、基Ｘはハライド及びスルホネートの
如き周知の脱離性基（ｌｅａｖｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）の
群（ｃｌａｓｓ）に属し［マーチンら（Ｍａｒｔｉｎｅ
ｔ ａｌ．）、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３２、１０５２
−１０５６；（１９８９］、Ａは水素又は（誘導体化の
目的のために適切な置換基で）置換されたアルキルであ
る、で示される親電子性化合物と反応させることにより
製造することができる。しかしこれら後者の二官能性試
剤は一般的に非常に毒性であり、それらの架橋能に基づ
いてしばしば腫瘍形成性及び発癌性でさえある。これが
この反応を大規模生産のためには非常に魅力のないもの
にしている。他の制限はアリールアミンの窒素中心の低
い求核反応性であり、特にアリール基に電子放出性置換
基が存在しないときそうである。通常高温が必要であ
り、そして収率も中程度にすぎない。更にバーネット及
びスミルツ（Ｂａｒｎｅｔｔ ＆ Ｓｍｉｒｚ）［Ｊ．
Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４１、７１０−７１１；１９７６］
により報告された実験は、この方法が、例えばアルキル
基によりピペラジン環において部位選択的に（ｒｅｇｉ
ｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅｌｙ）置換されているアリールピ
ペラジン類の製造のためには適切でないであろうことが
示されている。
【０００７】更に、米国特許第３，１７３，９１７号に
記載された他の方法によれば、置換されたフェニルピペ
ラジン類はピペラジン又は置換ピペラジン及びハロアリ
ール化合物を２モル倍量のアリールリチウム化合物と反
応させることにより製造することができる。このように
高価なリチウム化合物が過剰であることは経済的観点か
ら該製造プロセスを魅力のないものとするであろうこと
は明らかであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】先行の方法のこの不都合
は本発明の方法により克服される。
【０００９】下記一般式(２)
【００１０】
【化８】
【００１１】で示される化合物を製造するための本方法
は、下記式（３）
【００１２】
【化９】Ａｒ−Ｙ (3) で示される化合物を、下記一般式(４)
【００１３】
【化１０】
【００１４】で示される化合物と反応させることを特徴
とする。
【００１５】上記式中、Ａｒは、（ヘテロ）アリール
基、好ましくはフェニル、ナフチル、フリル、チエニ
ル、ピリジル、２環式ヘテロアリール及び３環式ヘテロ
アリールから選ばれるものを意味し、該（ヘテロ）アリ
ール基は場合により１〜５個の非強電子抜去性（ｎｏｎ
−ｓｔｒｏｎｇｌｙ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｗｉｔｈｄｒ
ａｗｉｎｇ）置換基で置換されていてもよく；Ｍは、周
期律表のＩ又はＩＩ族（ｇｒｏｕｐ）からの金属を意味
し；Ｒ12、はハロゲン、低級アルコキシ、低級アルカノ
イルオキシ及び下記一般式(９)
【００１６】
【化１１】
【００１７】で示される基から選ばれる電気陰性基であ
り；ｎは、Ｍの価数に依存して０又は１であり；Ｒは、
存在しないで２個の隣接炭素原子を結合する結合手を表
わすか、又は基−ＣＲ8Ｒ9−又はカルボニルを意味し；
Ｒ1−Ｒ3及びＲ5−Ｒ9は互いに独立に、水素、場合によ
り置換されていてもよい低級アルキル又は場合により置
換されていてもよいフェニル（低級）アルキルを意味
し；Ｒ4は、水素又は低級アルキル、アリール、アリー
ル（低級）アルキル、低級アルキルスルホニル、アリー
ルスルホニル、低級トリアルキルシリル、トリアリール
シリル、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニ
ル、低級アルキロキシカルボニル、又はアリールオキシ
カルボニル基を意味し；そしてＹは、ＯＲ10［ここでＲ
10は低級アルキル又はアルキロキシアルキル、場合によ
り置換されていてもよいフェニル又は場合により置換さ
れていてもよいフェニル（低級）アルキルを意味す
る］、塩素、フッ素又はＳＯ2Ｒ11［ここでＲ11は水酸
基、ＯＭ（ここでＭは上記の意味を有する）、低級アル
キル、ジ（低級）アルキルアミノ（ここでアルキル基は
アミノ−Ｎと一緒になって場合により（低級）アルキル
置換されていてもよい複素環を形成することができ、当
該複素環はＮ、Ｏ及びＳから選ばれる第２のヘテロ原子
を含有することができる）、ジアリールアミノ又はフェ
ニルを意味する。低級アルキルはＣ1−Ｃ10の直鎖状又
は分岐鎖状のアルキル並びにＣ3−Ｃ8シクロアルキルを
意味する。
【００１８】記号Ａｒのための好適な非強電子抜去性基
は、例えばジューテリウム、トリチウム、低級アルキ
ル、アルケニル、アルコキシ及びアルキルチオ、フェニ
ルチオ、ヒドロキシ、ハロゲン、トリハロメチル、ジ
（低級）アルキルアミノ（ここでアルキル基はアミノ−
Ｎと一緒に、Ｎ、Ｏ及びＳから選ばれる第２のヘテロ原
子を含有してもよく、且つ場合により（低級）アルキル
置換されていてもよい複素環を形成してもよい）、ジフ
ェニルアミノ、場合により置換されていてもよいフェニ
ル、フェノキシ及びフェニル（低級）アルコキシ、（Ｃ
1−Ｃ2）アルキレンジオキシ、及びＳＯ2Ｒ11（ここで
Ｒ11は上記の意味を有する）である。
【００１９】ハロゲンはフッ素、塩素、臭素及び沃素を
意味する。
【００２０】適切な（ヘテロ）アリール基の具体例は上
に定義されており；フェニル及びナフチルがアリール基
の具体例であり、フリル、チエニル、及びピリジルがヘ
テロアリール基の具体例である。二環式及び三環式ヘテ
ロアリール基の適切な例は、上に定義された如くベンゾ
−融合型（ｂｅｎｚｏ−ａｎｎｅｌａｔｅｄ）及びジベ
ンゾ−融合型（ｄｉｂｅｎｚｏ−ａｎｎｅｌａｔｅｄ）
ヘテロアリール類である。
【００２１】Ｒ1−Ｒ9の意味中のアルキル基はハロゲ
ン、低級アルコキシ、ヒドロキシ又は保護されたヒドロ
キシで置換されていてもよい。フェニル基は上記の如
く、例えばハロゲンで、低級アルキル、アルコキシ、ア
ルキルチオ又はハロアルキルで、ヒドロキシで又はジ
（低級）アルキシアミノで置換されていてもよい。
【００２２】式４の化合物は下記式(５)
【００２３】
【化１２】
【００２４】の化合物から、当技術分野で公知の方法、
例えば、Ｍを含有する強塩基性有機又は無機金属試剤例
えば金属水素化物類、アミド類、アリール類、アルキル
類及びアルケニル類と、又は金属Ｍそのものと反応させ
ることにより製造することができる。金属Ｍの好適な具
体例は、リチウム、ナトリウム及びマグネシウムであ
り、リチウムが好ましい金属である。
【００２５】本発明の反応は室温と溶媒の還流温度との
間の温度で進行する。該溶媒は、基質Ａｒ−Ｙが溶媒と
して用いられる場合を除き、金属反応試剤について中性
及び不活性であるべきである。適切な溶媒は環式エーテ
ル類（例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン）、非環
式エーテル類（例えばメチル−ｔ−ブチルエーテル）、
環式及び非環式第三級アミン類［例えばトリエチレンジ
アミン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ，Ｎ′−ジメチルピペラジ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−エチレンジア
ミン、及び炭化水素類（例えばトルエン、スチレン又は
Ａｒ−Ｙ）、又はこれらの混合物である。
【００２６】本発明の方法は非置換（ホモ）ピペラジン
類の導入のために適しているだけでなく、式５の（ホ
モ）ピペラジンにおいてＲ及び置換基Ｒ1−Ｒ3及びＲ5
−Ｒ7の少くとも１つが水素でない化合物の部位特異的
（ｒｅｇｉｏｓｐｅｃｉｆｉｃ）合成のために用いるこ
ともできる。
【００２７】本発明の反応は、驚くべきことに求核的置
換反応が芳香族基（Ａｒ）に強電子抜去性置換基が不在
でも生起する。Ａｒ−ハライド又はＡｒ−ＯＣＨ3の型
の化合物と強塩基（例えばｎ−ブチルリチウム）との反
応で観測された［Ｋａｔｓｏｕｌｏｓ ｅｔ ａｌ．，
Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９０、７３１−７３２］ことから
の類推から本型の反応についても予期することができた
ベンジン機構（ｂｅｎｚｙｎ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）を
介しては、該反応は進行しない、或いは微少量しか進行
しないことが証明された。確かに適用された反応条件下
では、Ａｒ−Ｂｒ及びＡｒ−Ｉ型の化合物は明らかにこ
のベンジン機構を介して反応し、部位異性体（ｒｅｇｉ
ｏ−ｉｓｏｍｅｒｉｃ）生成物の混合物を生じ、そこで
は（ホモ）ピペラジン基は芳香族環中でＢｒ又はＩ置換
基が予め占有していた位置とは異なる位置にも導入され
た。この現象は前記米国特許第３，１７３，９１７号に
おいても述べられているように、置換フェニルピペラジ
ン類の製造方法においても観察することができる。部位
特異的置換反応は、出発物質としてブロモ置換されたア
リール化合物を用いることにより、明らかに妨害され
る。
【００２８】本発明の方法は、予期されたフェノール類
の他に副生成物としてＮ，Ｎ−ジアルキル−アリールア
ミン類の形成をもたらす、ジアルキル置換リチウムアミ
ド類を用いたアリールエーテル類の開裂反応の観点から
も驚くべきものがある［Ｃｕｖｉｇｎｙ ｅｔ ａｌ．
によりＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ ５５、４１−５５；１９７３に記載］。この
後者の刊行物には、置換反応は強極性の変異誘発性溶媒
ヘキサメチルホスホトリアミド（ＨＭＰＴ）の存在下
（そして、例えばエーテル中ではなく）でのみ進行する
と記載されており、一方本発明の反応は非極性溶媒（ａ
ｐｏｌａｒ ｓｏｌｖｅｎｔ）中温和な条件下で進行す
る。更にメチル基よりも高いアルキル基を有する化合物
の製造は、ジアルキル置換リチウムアミドが溶媒ＨＭＰ
Ｔと求核的変位反応をするため、対応するメチル化合物
の形成が優勢に随伴するので困難なことが証明された。
更にこの刊行物はアリールエーテルに対して相当過剰の
ジアルキル置換リチウムアミドの必要性も教示してい
る。
【００２９】かくして本発明の方法の先行技術の方法に
対する優位性は、 ＊毒性の試剤が存在しない、 ＊安価な出発物質を使用、 ＊温和な反応条件、及び ＊置換基Ｒ1−Ｒ3及びＲ5−Ｒ7の少くとも１つが水素で
ない化合物を部位選択的に（ｒｅｇｉｏ−ｓｅｌｅｃｔ
ｉｖｅｌｙ）製造しうること、にある。
【００３０】本発明はまた上記方法により製造された一
般式(２)の化合物にも関係する。
【００３１】本発明は、アリール基に非強電子抜去性
（ｎｏｎ−ｓｔｒｏｎｇｌｙ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｗｉ
ｔｈｄｒａｗｉｎｇ）置換基を有し、そしてＲがメチレ
ンである、又は／及びピペラジン環上の置換基の１つが
メチルである、アリール（ホモ）ピペラジン化合物の製
造のために特に適している。というのは、このような化
合物はこれまで容易に入手することができなかったから
である。
【００３２】しかして本発明は最終的には、下記一般式
(７)
【００３３】
【化１３】
【００３４】式中、Ａｒは上記の意味を有し；Ｒ′は存
在せずに２個の隣接する炭素原子をつなぐ結合手を表わ
すか、メチレン基を意味し；Ｒ′4は水素原子、低級ア
ルキル基又は置換されていてもよいフェニル（低級）ア
ルキル基であり；そしてＲ′1−Ｒ′3及びＲ′5−Ｒ′7
は水素原子又はメチル基である；但し、もしＲ′が存在
せずに２個の隣接する炭素原子をつなぐ結合手を表わす
場合には、Ｒ′1−Ｒ′3及びＲ′5−Ｒ′7の少なくとも
１個はメチルを表わす、で示される新規アリール（ホ
モ）ピペラジン化合物に関する。
【００３５】これらの新規アリール（ホモ）ピペラジン
化合物の好適な例は、下記一般式(８)
【００３６】
【化１４】
【００３７】式中、Ｒ′及びＲ′1−Ｒ′7は上記の意味
を有し；Ｒ13は低級アルコキシ基、場合により置換され
ていてもよいフェニル（低級）アルコキシ基又はＮ，Ｎ
−ジ（低級）アルキルアミノ基（ここでアルキル基はア
ミノ−Ｎと一緒になって複素環を形成してもよく、その
複素環は更にＮ、Ｏ及びＳから選ばれるヘテロ原子を含
有してもよい）であり；そしてＲ14は水素であるか、又
はＲ13の意味のいずれかであり；又はＲ13とＲ14は一緒
になって(Ｃ1−Ｃ2)−アルキレンジオキシ基を構成す
る、で示すことができる。
【００３８】以下、本発明を実施例によってさらに説明
する。
【００３９】
【実施例】実施例１ １−（２−メトキシフェニル）−４−メチルピペラジン
の合成 標記生成物を反応スキーム１に従って合成する。
【００４０】
【化１５】
【００４１】乾燥した装置中で、４．４ｍｌ（４０ｍｍ
ｏｌｅ）のＮ−メチルピペラジンと４０ｍｌのＴＨＦを
窒素雰囲気下混合する。０と１０℃との間の温度で、ｎ
−ヘキサン中のｎ−ブチルリチウムの２．５モル／ｌ溶
液１８ｍｌを該メチルピペラジン溶液に滴加する。この
反応混合物を０℃で３０分間、その後室温で１時間撹拌
する。次いで５．２ｍｌ（４０ｍｍｏｌｅ）の１，２−
ジメトキシベンゼンを添加し、得られた混合物を加熱し
て還流させる。２時間後該混合物を室温に冷却し、そし
てそれをＨＣｌの稀水溶液１００ｍｌに注入する。
【００４２】得られる混合物を１００ｍｌのトルエンで
３回抽出する。水層をＮａＯＨで滴定して塩基性ｐＨと
し、白色沈澱物が得られる。それから該水溶液を再び１
００ｍｌのトルエンで３回抽出する。トルエン層を集め
Ｎａ2ＳＯ4上で乾燥し、トルエンを蒸発して除去し、１
−（２−メトキシフェニル）−４−メチルピペラジン
（収率７５％）を得る。
【００４３】実施例２ 実施例１で用いた方法と同様にして、下記式(６)
【００４４】
【化１６】
【００４５】のピペラジン化合物と他のアリール誘導体
との反応を、反応スキームＩＩに示したように実施し
た。ピペラジン置換基は星印（アステリスク）をつけた
位置に部位選択的に（ｒｅｇｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅｌ
ｙ）導入される。基質に単一の置換基を与える場合、部
位選択的置換は重水素化基質ＡｒＹを用いることにより
簡便に証明することができる。結果を下表Ａに記す。収
率は単離された生成物に関するものである。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】実施例３ 反応スキームＩＩＩに従い、上記式６のピペラジン化合
物と種々のアリール誘導体ＡｒＹとの間で、類似の反応
を実施する。結果を下表Ｂに示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】実施例４ 反応スキームＩＶに示されたように、他のピペラジン誘
導体とアリール誘導体との間で類似の反応を実施する。
ピペラジン置換基は星印（アステリスク）がついた位置
に部位選択的に導入される。収率は単離された物質の、
又は転化した出発物質の（＊＊）百分率として与える：
表Ｃ。
【００５１】
【表４】
【００５２】実施例５ １−（２−メトキシフェニル）−４−メチルピペラジン
の合成における種々の溶媒の使用 実施例１に記載した反応を、種々の溶媒又は溶媒混合物
中で実施する。反応温度７０℃；反応時間１２０分。以
下の結果が得られる：表Ｄ。
【００５３】
【表５】表 Ｄ 溶 媒 収率（％） メチル−ｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ） ３６ トルエン ＋ ＭＴＢＥ １：１ ４５ ＤＡＢＣＯ ５５ ＭＴＢＥ ＋ Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル エチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）１：１ ６６ ＴＨＦ ＋ メチルピペラジン（ＭＰ）５：１ ６６ ＴＨＦ ６６ ＭＰ ７０ ＴＭＥＤＡ ＋ ＭＰ ５：１ ７６ ＴＭＥＤＡ ７７ ＴＭＥＤＡ ＋ ＭＰ １：１ ８２ 同じ反応をスチレンとＴＨＦ（１：１）の混合物中で還
流下で２０分間実施する。所望の生成物が７３％の収率
で得られる。
【００５４】なお本発明の主な特徴及び態様を要約すれ
ば以下のとおりである。
【００５５】１．下記式(３)
【００５６】
【化１７】Ａｒ−Ｙ (3) で示される化合物を、下記一般式(４)
【００５７】
【化１８】
【００５８】で示される化合物と反応させることを特徴
とする、下記一般式(２)
【００５９】
【化１９】
【００６０】式中、Ａｒは、（ヘテロ）アリール基、好
ましくはフェニル、ナフチル、フリル、チエニル、ピリ
ジル、２環式ヘテロアリール及び３環式ヘテロアリール
から選ばれるものを意味し、該（ヘテロ）アリール基は
場合により１〜５個の非強電子抜去性（ｎｏｎ−ｓｔｒ
ｏｎｇｌｙ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎ
ｇ）置換基で置換されていてもよく；Ｍは、周期律表の
Ｉ又はＩＩ族（ｇｒｏｕｐ）からの金属を意味し；Ｒ12
は、ハロゲン、低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ及び下記一般式(９)
【００６１】
【化２０】
【００６２】で示される基から選ばれる電気陰性基であ
り；ｎは、Ｍの価数に依存して０又は１であり；Ｒは、
存在しないで２個の隣接炭素原子を結合する結合手を表
わすか、又は基−ＣＲ8Ｒ9−又はカルボニルを意味し；
Ｒ1−Ｒ3及びＲ5−Ｒ9は互いに独立に、水素、場合によ
り置換されていてもよい低級アルキル又は場合により置
換されていてもよいフェニル（低級）アルキルを意味
し；Ｒ4は、水素又は低級アルキル、アリール、アリー
ル（低級）アルキル、低級アルキルスルホニル、アリー
ルスルホニル、低級トリアルキルシリル、トリアリール
シリル、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニ
ル、低級アルキロキシカルボニル、又はアリールオキシ
カルボニル基を意味し；そしてＹは、ＯＲ10［ここでＲ
10は低級アルキル又はアルキロキシアルキル、場合によ
り置換されていてもよいフェニル又は場合により置換さ
れていてもよいフェニル（低級）アルキルを意味す
る］、塩素、フッ素又はＳＯ2Ｒ11［ここでＲ11は水酸
基、ＯＭ（ここでＭは上記の意味を有する）、低級アル
キル、ジ（低級）アルキルアミノ（但しアルキル基はア
ミノ−Ｎと一緒になって場合により（低級）アルキル置
換されていてもよい複素環を形成することができ、当該
複素環はＮ、Ｏ及びＳから選ばれた第２のヘテロ原子を
含有することができる）、ジアリールアミノ又はフェニ
ルを意味するで示される化合物の製造方法。
【００６３】２．該反応を金属反応試剤（ｍｅｔａｌｉ
ｃ ｒｅａｃｔａｎｔ）に関し中性且つ不活性である溶
媒、又は第１項で定義された一般式Ａｒ−Ｙを有する溶
媒中で実施することを特徴とする第１項記載の方法。
【００６４】３．溶媒として環式エーテル、非環式エー
テル、環式又は非環式第三級アミン又は炭化水素、又は
これら溶媒の混合物を用いることを特徴とする第２項記
載の方法。
【００６５】４．該反応を室温と溶媒の還流温度との間
の温度で実施することを特徴とする第１−３項のいずれ
かに記載の方法。
【００６６】５．第１−４項のいずれかに記載の方法に
より製造された下記一般式(２)
【００６７】
【化２１】
【００６８】式中、各記号は第１項記載の意味を有す
る、で示される化合物。
【００６９】６．下記一般式(７)
【００７０】
【化２２】
【００７１】式中、Ａｒは第１項に記載した意味を有し
Ｒ′は存在せずに２個の隣接する炭素原子をつなぐ結合
手を表わすか、メチレン基を意味し；Ｒ′4は水素原
子、低級アルキル基又は場合により置換されていてもよ
いフェニル（低級）アルキル基であり；そしてＲ′1−
Ｒ′3及びＲ′5−Ｒ′7は水素原子又はメチル基であ
る；但し、もしＲ′が存在せずに２個の隣接する炭素原
子をつなぐ結合手を表わす場合には、Ｒ′1−Ｒ′3及び
Ｒ′5−Ｒ′7の少なくとも１個はメチルを表わす、で示
される化合物。
【００７２】７．下記一般式(８)
【００７３】
【化２３】
【００７４】式中、Ｒ′及びＲ′1−Ｒ′7は第６項に記
載した意味を有し；Ｒ13は低級アルコキシ基、場合によ
り置換されていてもよいフェニル（低級）アルコキシ基
又はＮ，Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノ基（ここでアル
キル基はアミノ−Ｎと一緒になって複素環を形成しても
よく、その複素環は更にＮ、Ｏ及びＳから選ばれるヘテ
ロ原子を含有してもよい）であり；そしてＲ14は水素で
あるか、又はＲ13の意味のいずれかであり；又はＲ13と
Ｒ14は一緒になって(Ｃ1−Ｃ2)−アルキレンジオキシ基
を構成する、を有する第６項記載の化合物。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】Ａｒ−Ｙ （３） で示される化合物を、下記一般式（４）
【化２】 で示される化合物と反応させることを特徴とする下記一
般式（２）
【化３】 式中、 Ａｒは、（ヘテロ）アリール基、好ましくはフェニル、
ナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、２環式ヘテロ
アリール及び３環式ヘテロアリールから選ばれるものを
意味し、該（ヘテロ）アリール基は場合により１〜５個
の非強電子抜去性（ｎｏｎ−ｓｔｒｏｎｇｌｙ−ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ−ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ）置換基で置換さ
れていてもよく；Ｍは、周期律表のＩ又はＩＩ族（ｇｒ
ｏｕｐ）からの金属を意味し；Ｒ１２、はハロゲン、低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ及び下記一般式
（９）
【化４】 で示される基から選ばれる電気陰性基であり；ｎは、Ｍ
の価数に依存して０又は１であり；Ｒは、存在しないで
２個の隣接炭素原子を結合する結合手を表わすか、又は
基−ＣＲ８Ｒ９−又はカルボニルを意味し；Ｒ１−Ｒ３
及びＲ５−Ｒ９は互いに独立に、水素、場合により、置
換されていてもよい低級アルキル又は場合により置換さ
れていてもよいフェニル（低級）アルキルを意味し；Ｒ
４は、水素又は低級アルキル、アリール、アリール（低
級）アルキル、低級アルキルスルホニル、アリールスル
ホニル、低級トリアルキルシリル、トリアリールシリ
ル、低級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低
級アルキロキシカルボニル、又はアリールオキシカルボ
ニル基を意味し；そしてＹは、ＯＲ１０［ここでＲ１０
は低級アルキル又はアルキロキシアルキル、置換されて
いてもよいフェニル又は場合により置換されていてもよ
いフェニル（低級）アルキルを意味する］、塩素、フッ
素又はＳＯ２Ｒ１１［ここでＲ１１は水酸基、ＯＭ（こ
こでＭは上記の意味を有する）、低級アルキル、ジ（低
級）アルキルアミノ（ここでアルキル基はアミノ−Ｎと
一緒になって場合により（低級）アルキル置換されてい
てもよい複素環を形成することができ、当該複素環は
Ｎ、Ｏ及びＳから選ばれる第２のヘテロ原子を含有する
ことができる）、ジアリールアミノ又はフェニルを意味
するで示される化合物の製造方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 295/12 Ａ (72)発明者 ジヤントジエ・アール・ジー・テイーケ オランダ・ウエースプ・シージエイバンホ ウテンラーン36 (72)発明者 ハンス・ウインベルグ オランダ・ウエースプ・シージエイバンホ ウテンラーン36 (72)発明者 クリス・ジー・クルゼ オランダ・ウエースプ・シージエイバンホ ウテンラーン36

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記式(３) 【化１】Ａｒ−Ｙ (3) で示される化合物を、下記一般式(４) 【化２】 で示される化合物と反応させることを特徴とする下記一
    般式(２) 【化３】 式中、 Ａｒは、（ヘテロ）アリール基、好ましくはフェニル、
    ナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、２環式ヘテロ
    アリール及び３環式ヘテロアリールから選ばれるものを
    意味し、該（ヘテロ）アリール基は場合により１〜５個
    の非強電子抜去性（ｎｏｎ−ｓｔｒｏｎｇｌｙ−ｅｌｅ
    ｃｔｒｏｎ−ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ）置換基で置換さ
    れていてもよく；Ｍは、周期律表のＩ又はＩＩ族（ｇｒ
    ｏｕｐ）からの金属を意味し；Ｒ12、はハロゲン、低級
    アルコキシ、低級アルカノイルオキシ及び下記一般式
    (９) 【化４】 で示される基から選ばれる電気陰性基であり；ｎは、Ｍ
    の価数に依存して０又は１であり；Ｒは、存在しないで
    ２個の隣接炭素原子を結合する結合手を表わすか、又は
    基−ＣＲ8Ｒ9−又はカルボニルを意味し；Ｒ1−Ｒ3及び
    Ｒ5−Ｒ9は互いに独立に、水素、場合により、置換され
    ていてもよい低級アルキル又は場合により置換されてい
    てもよいフェニル（低級）アルキルを意味し；Ｒ4は、
    水素又は低級アルキル、アリール、アリール（低級）ア
    ルキル、低級アルキルスルホニル、アリールスルホニ
    ル、低級トリアルキルシリル、トリアリールシリル、低
    級アルキルカルボニル、アリールカルボニル、低級アル
    キロキシカルボニル、又はアリールオキシカルボニル基
    を意味し；そしてＹは、ＯＲ10［ここでＲ10は低級アル
    キル又はアルキロキシアルキル、置換されていてもよい
    フェニル又は場合により置換されていてもよいフェニル
    （低級）アルキルを意味する］、塩素、フッ素又はＳＯ
    2Ｒ11［ここでＲ11は水酸基、ＯＭ（ここでＭは上記の
    意味を有する）、低級アルキル、ジ（低級）アルキルア
    ミノ（ここでアルキル基はアミノ−Ｎと一緒になって場
    合により（低級）アルキル置換されていてもよい複素環
    を形成することができ、当該複素環はＮ、Ｏ及びＳから
    選ばれる第２のヘテロ原子を含有することができる）、
    ジアリールアミノ又はフェニルを意味するで示される化
    合物の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法により製造された下
    記一般式(２) 【化５】 式中、各記号は請求項１に記載した意味を有する、で示
    される化合物。
  3. 【請求項３】 下記一般式(７) 【化６】 式中、Ａｒは請求項１に記載した意味を有し；Ｒ′は存
    在せずに２個の隣接する炭素原子をつなぐ結合手を表わ
    すか、メチレン基を意味し；Ｒ′4は水素原子、低級ア
    ルキル基又は場合により置換されていてもよいフェニル
    （低級）アルキル基であり；そしてＲ′1−Ｒ′3及び
    Ｒ′5−Ｒ′7は水素原子又はメチル基である；但し、も
    しＲ′が存在せずに２個の隣接する炭素原子をつなぐ結
    合手を表わす場合には、Ｒ′1−Ｒ′3及びＲ′5−Ｒ′7
    の少なくとも１個はメチルを表わす、で示される化合
    物。
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