JPH06252104A - 高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法 - Google Patents
高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法Info
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- JPH06252104A JPH06252104A JP5031863A JP3186393A JPH06252104A JP H06252104 A JPH06252104 A JP H06252104A JP 5031863 A JP5031863 A JP 5031863A JP 3186393 A JP3186393 A JP 3186393A JP H06252104 A JPH06252104 A JP H06252104A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高分子有機化合物膜の残渣を生じない除去方
法を採用しながら、高分子有機化合物膜エッチングの終
点検出を行うことができる。 【構成】 ドライエッチングの終了後に、被処理物に対
して硼素元素を含むガスによりプラズマ処理の前処理を
行い、フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含むガスを
放電室において活性化し、この活性化された活性種１を
反応室に導入すると共に、この反応室に水素元素を含む
ガスを直接導入して、上記活性種１と反応させて活性種
２を生成し、これにより高分子有機化合物を除去し、被
処理物の表面から発光する可視光領域の光を光電変換手
段により検出して、終点検出を行う。
法を採用しながら、高分子有機化合物膜エッチングの終
点検出を行うことができる。 【構成】 ドライエッチングの終了後に、被処理物に対
して硼素元素を含むガスによりプラズマ処理の前処理を
行い、フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含むガスを
放電室において活性化し、この活性化された活性種１を
反応室に導入すると共に、この反応室に水素元素を含む
ガスを直接導入して、上記活性種１と反応させて活性種
２を生成し、これにより高分子有機化合物を除去し、被
処理物の表面から発光する可視光領域の光を光電変換手
段により検出して、終点検出を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子有機化合物のエ
ッチングの終点検出方法に関し、特に、高分子有機化合
物の膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点
検出を行うことができる高分子有機化合物膜エッチング
の終点検出方法に関する。
ッチングの終点検出方法に関し、特に、高分子有機化合
物の膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点
検出を行うことができる高分子有機化合物膜エッチング
の終点検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等の製造プロセスにおける微
細加工技術において、感光性フォトレジスト等の高分子
有機化合物膜を用いたフォトエッチングプロセスがある
が、このプロセス中で、この有機レジストをマスクとし
て下地の処理がなされた後、この有機レジストを除去す
るアッシングの工程がある。このアッシングの一例とし
て、特開平２−４９４２５号公報に開示されたものがあ
る。この公報には、有機レジストが表面に形成された被
処理物を収納する反応容器内に、ハロゲン元素を含む活
性種（例えば、ＣＦ4 ，Ｏ2 ガスの活性種）と、水蒸気
或いは少なくとも水素元素を含むガスとを導入し反応さ
せて活性化して、有機レジストを除去する有機化合物膜
の除去方法が示されている。この方法によると、有機レ
ジストの残渣を生じることなく、高速かつ確実に有機レ
ジストを除去できるとされている。
細加工技術において、感光性フォトレジスト等の高分子
有機化合物膜を用いたフォトエッチングプロセスがある
が、このプロセス中で、この有機レジストをマスクとし
て下地の処理がなされた後、この有機レジストを除去す
るアッシングの工程がある。このアッシングの一例とし
て、特開平２−４９４２５号公報に開示されたものがあ
る。この公報には、有機レジストが表面に形成された被
処理物を収納する反応容器内に、ハロゲン元素を含む活
性種（例えば、ＣＦ4 ，Ｏ2 ガスの活性種）と、水蒸気
或いは少なくとも水素元素を含むガスとを導入し反応さ
せて活性化して、有機レジストを除去する有機化合物膜
の除去方法が示されている。この方法によると、有機レ
ジストの残渣を生じることなく、高速かつ確実に有機レ
ジストを除去できるとされている。
【０００３】一方、有機レジストを除去する工程におい
て、除去の終点を検出する終点検出が行われている。例
えば、プラズマ中での発光スペクトルを検知してこれの
変化点等を検知して、終点が検出されている。しかしな
がら、上記公報の除去方法においてこの終点検出を行お
うとすると、この除去方法では、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置が用いられており、反応容器内には
プラズマが殆ど存在せず被処理物がプラズマに晒されて
いないため、発光スペクトルを検知できず、終点検出を
行うことができなかった。すなわち、有機レジスト膜の
残渣を生じることなく有機レジストを確実に除去できる
上記公報の除去方法では、終点検出を行うことができな
かった。
て、除去の終点を検出する終点検出が行われている。例
えば、プラズマ中での発光スペクトルを検知してこれの
変化点等を検知して、終点が検出されている。しかしな
がら、上記公報の除去方法においてこの終点検出を行お
うとすると、この除去方法では、放電分離型ケミカルド
ライエッチング装置が用いられており、反応容器内には
プラズマが殆ど存在せず被処理物がプラズマに晒されて
いないため、発光スペクトルを検知できず、終点検出を
行うことができなかった。すなわち、有機レジスト膜の
残渣を生じることなく有機レジストを確実に除去できる
上記公報の除去方法では、終点検出を行うことができな
かった。
【０００４】また、放電分離型ケミカルドライエッチン
グ装置を用いて有機レジストを除去する他の方法とし
て、ＣＦ4 ，Ｏ2 ガスの活性種のみを反応容器内に導入
するものがある。この除去方法では、有機レジスト膜か
らケミカル・ルミネッセンス(Chemical Luminescence)
の発光を生じ、この発光を検知することにより終点検出
を行うことができる。しかしながら、この２種のガスの
みを用いる除去方法では、有機レジスト膜を完全に除去
することができず、これの残渣を生じ、製造工程に悪影
響を及ぼすといったことがあった。
グ装置を用いて有機レジストを除去する他の方法とし
て、ＣＦ4 ，Ｏ2 ガスの活性種のみを反応容器内に導入
するものがある。この除去方法では、有機レジスト膜か
らケミカル・ルミネッセンス(Chemical Luminescence)
の発光を生じ、この発光を検知することにより終点検出
を行うことができる。しかしながら、この２種のガスの
みを用いる除去方法では、有機レジスト膜を完全に除去
することができず、これの残渣を生じ、製造工程に悪影
響を及ぼすといったことがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
有機レジスト膜の除去する方法では、有機レイジスト膜
の残渣を生じることなくこれを確実に除去できる場合に
は、終点検出を行うことができず、一方、終点検出を行
える場合には、有機レジスト膜を完全に除去できず残渣
を生じることがあり、結局、有機レジスト膜の残渣を生
じることなく、終点検出を行いたいという両方の要望を
満たすことが困難であった。
有機レジスト膜の除去する方法では、有機レイジスト膜
の残渣を生じることなくこれを確実に除去できる場合に
は、終点検出を行うことができず、一方、終点検出を行
える場合には、有機レジスト膜を完全に除去できず残渣
を生じることがあり、結局、有機レジスト膜の残渣を生
じることなく、終点検出を行いたいという両方の要望を
満たすことが困難であった。
【０００６】本発明は、上述した従来技術の問題点を解
決するためになされたものであって、高分子有機化合物
膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点検出
を行うことができる高分子有機化合物膜エッチングの終
点検出方法を提供することにある。
決するためになされたものであって、高分子有機化合物
膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点検出
を行うことができる高分子有機化合物膜エッチングの終
点検出方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、感光性フォトレジスト等の高分子有機化
合物膜をマスクとして被処理物をドライエッチングした
後、上記高分子有機化合物膜をエッチングして除去する
際の終点検出方法であって、上記ドライエッチングの終
了後に、被処理物に対して硼素元素を含むガスによりプ
ラズマ処理を行う前処理工程と、フッ素元素を含むガス
及び酸素元素を含むガスを放電室において活性化し、こ
の活性化された活性種１を、この放電室から分離された
反応室に導入すると共に、この反応室に水素元素を含む
ガスを直接導入して、上記活性種１と反応させて活性種
２を生成し、これにより高分子有機化合物を除去する除
去工程と、この除去工程において、被処理物の表面から
発光する可視光領域の光を光電変換手段により検出し、
得られた信号の変化に基づいて、高分子有機化合物の除
去の終点を検出する工程とを具備することを特徴として
いる。
め、本発明は、感光性フォトレジスト等の高分子有機化
合物膜をマスクとして被処理物をドライエッチングした
後、上記高分子有機化合物膜をエッチングして除去する
際の終点検出方法であって、上記ドライエッチングの終
了後に、被処理物に対して硼素元素を含むガスによりプ
ラズマ処理を行う前処理工程と、フッ素元素を含むガス
及び酸素元素を含むガスを放電室において活性化し、こ
の活性化された活性種１を、この放電室から分離された
反応室に導入すると共に、この反応室に水素元素を含む
ガスを直接導入して、上記活性種１と反応させて活性種
２を生成し、これにより高分子有機化合物を除去する除
去工程と、この除去工程において、被処理物の表面から
発光する可視光領域の光を光電変換手段により検出し、
得られた信号の変化に基づいて、高分子有機化合物の除
去の終点を検出する工程とを具備することを特徴として
いる。
【０００８】
【作用】このように、本発明では、被処理物のアルミニ
ウム等に対するドライエッチング後に、被処理物に対し
て硼素元素を含むガスによりプラズマ処理する前処理を
行い、その後、フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含
むガスの活性種１に、水素元素を含むガスを反応させて
活性種２を生成し、高分子有機化合物を除去している。
そのため、除去工程においては、高分子有機化合物膜の
残渣を生じることなく、高速かつ確実にこれを除去でき
る。しかも、前処理として、硼素元素を含むガスにより
プラズマ処理を行っているため、除去工程の終了時に、
ケミカル・ルミネッセンス(Chemical Luminescence) に
より、高分子有機化合物膜が除去された被処理物のアル
ミニウム等の表面から可視光領域の光が発光する。その
ため、光電変換手段により検出を行っていると、信号の
変化を検出でき、高分子有機化合物の除去の終点を検出
することができる。したがって、高分子有機化合物膜の
残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点検出を行
うことができる。
ウム等に対するドライエッチング後に、被処理物に対し
て硼素元素を含むガスによりプラズマ処理する前処理を
行い、その後、フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含
むガスの活性種１に、水素元素を含むガスを反応させて
活性種２を生成し、高分子有機化合物を除去している。
そのため、除去工程においては、高分子有機化合物膜の
残渣を生じることなく、高速かつ確実にこれを除去でき
る。しかも、前処理として、硼素元素を含むガスにより
プラズマ処理を行っているため、除去工程の終了時に、
ケミカル・ルミネッセンス(Chemical Luminescence) に
より、高分子有機化合物膜が除去された被処理物のアル
ミニウム等の表面から可視光領域の光が発光する。その
ため、光電変換手段により検出を行っていると、信号の
変化を検出でき、高分子有機化合物の除去の終点を検出
することができる。したがって、高分子有機化合物膜の
残渣を生じない除去方法を採用しながら、終点検出を行
うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例による高分子有機化
合物膜エッチングの終点検出方法を図面を参照しつつ説
明する。
合物膜エッチングの終点検出方法を図面を参照しつつ説
明する。
【００１０】本実施例では、平行平板型プラズマエッチ
ング装置で感光性のフォトレジスト膜をマスクとして被
処理物のアルミニウム合金をドライエッチングし、その
後、放電分離型ケミカルドライエッチング装置でレジス
ト膜をエッチングして除去（アッシング）している。以
下、具体的に説明する。
ング装置で感光性のフォトレジスト膜をマスクとして被
処理物のアルミニウム合金をドライエッチングし、その
後、放電分離型ケミカルドライエッチング装置でレジス
ト膜をエッチングして除去（アッシング）している。以
下、具体的に説明する。
【００１１】先ず、ドライエッチング工程の前に、図１
に示すように、被処理物１として、シリコン基板２の上
面に熱酸化法により１０００オングストローム程度の熱
酸化膜３を形成し、この熱酸化膜３の表面にスパッタリ
ング法によりアルミニウム合金４を約８０００オングス
トローム堆積させ、ポジ型レジスト膜５で膜厚１８００
０オングストローム程度のマスクを形成し、露光等を施
している。シリコン基板２は、例えば、シリコン、多結
晶シリコン、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＷＳｉからなる。
に示すように、被処理物１として、シリコン基板２の上
面に熱酸化法により１０００オングストローム程度の熱
酸化膜３を形成し、この熱酸化膜３の表面にスパッタリ
ング法によりアルミニウム合金４を約８０００オングス
トローム堆積させ、ポジ型レジスト膜５で膜厚１８００
０オングストローム程度のマスクを形成し、露光等を施
している。シリコン基板２は、例えば、シリコン、多結
晶シリコン、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＷＳｉからなる。
【００１２】このポジ型レジスト膜５をマスクとして、
被処理物１のアルミニウム合金４を平行平板型プラズマ
エッチング装置でドライエッチングする。この後、本実
施例では、レジスト膜５除去（アッシング）工程の前処
理として、被処理物１に対して硼素元素を含むガスによ
りプラズマ処理を行う。硼素元素を含むガスは、例え
ば、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 であるが、これらに限定される
ものではない。
被処理物１のアルミニウム合金４を平行平板型プラズマ
エッチング装置でドライエッチングする。この後、本実
施例では、レジスト膜５除去（アッシング）工程の前処
理として、被処理物１に対して硼素元素を含むガスによ
りプラズマ処理を行う。硼素元素を含むガスは、例え
ば、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 であるが、これらに限定される
ものではない。
【００１３】次に、レジスト膜５の除去（アッシング）
工程では、図２に示すような放電分離型ケミカルドライ
エッチング装置１０を用いている。この装置１０におい
て、ガス導入口１１から、ＣＦ4 、Ｏ2 からなるガス
（フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含むガス）が導
入される。これらのＣＦ4 、Ｏ2 は、プラズマの放電室
１２を通過するときに、マグネトロン１３によって発生
され導波管１４を介して導かれたマイクロ波によって励
起され、プラズマ状態にされる。このプラズマ状態から
得られた活性種１は、導入管１５を介して反応室１６に
導かれる。一方、ガス導入口１７から反応室１６に直接
Ｈ2 Ｏガス（水素元素を含むガス）が導入される。活性
種１は、Ｈ2 Ｏガスと混合して反応し、Ｈ2 Ｏが励起す
る。この励起されたＨ2 Ｏは分解され、多量の酸素の活
性種２が得られる。この酸素の活性種２が被処理物１を
エッチングしてレジスト膜５を除去する。なお、放電室
１２、導入管１５、及び反応室１６は、排気装置１８に
よって真空排気されている。
工程では、図２に示すような放電分離型ケミカルドライ
エッチング装置１０を用いている。この装置１０におい
て、ガス導入口１１から、ＣＦ4 、Ｏ2 からなるガス
（フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含むガス）が導
入される。これらのＣＦ4 、Ｏ2 は、プラズマの放電室
１２を通過するときに、マグネトロン１３によって発生
され導波管１４を介して導かれたマイクロ波によって励
起され、プラズマ状態にされる。このプラズマ状態から
得られた活性種１は、導入管１５を介して反応室１６に
導かれる。一方、ガス導入口１７から反応室１６に直接
Ｈ2 Ｏガス（水素元素を含むガス）が導入される。活性
種１は、Ｈ2 Ｏガスと混合して反応し、Ｈ2 Ｏが励起す
る。この励起されたＨ2 Ｏは分解され、多量の酸素の活
性種２が得られる。この酸素の活性種２が被処理物１を
エッチングしてレジスト膜５を除去する。なお、放電室
１２、導入管１５、及び反応室１６は、排気装置１８に
よって真空排気されている。
【００１４】レジスト膜５除去の終点検出のため、反応
室１６の側壁には、覗き窓１９が設けられており、この
覗き窓１９を介して光電変換素子２０（光電変換手段）
が被処理物１の全体を見渡せるように配設されている。
これにより、被処理物１での発光が光電変換素子２０に
より受光されて信号に変換され、この信号は、増幅器２
１を介して記録される。本実施例では、前処理として、
硼素元素を含むガスによりプラズマ処理を行っているた
め、アッシング工程の終了時に、ケミカル・ルミネッセ
ンス(Chemical Luminescence) により、レジスト膜５が
除去された被処理物１のアルミニウム合金４の表面から
可視光領域の光が発光し、光電変換素子２０によりこの
発光強度を検出することができる。なお、この可視光の
領域は、３８０ｎｍ〜７７０ｎｍの範囲である。
室１６の側壁には、覗き窓１９が設けられており、この
覗き窓１９を介して光電変換素子２０（光電変換手段）
が被処理物１の全体を見渡せるように配設されている。
これにより、被処理物１での発光が光電変換素子２０に
より受光されて信号に変換され、この信号は、増幅器２
１を介して記録される。本実施例では、前処理として、
硼素元素を含むガスによりプラズマ処理を行っているた
め、アッシング工程の終了時に、ケミカル・ルミネッセ
ンス(Chemical Luminescence) により、レジスト膜５が
除去された被処理物１のアルミニウム合金４の表面から
可視光領域の光が発光し、光電変換素子２０によりこの
発光強度を検出することができる。なお、この可視光の
領域は、３８０ｎｍ〜７７０ｎｍの範囲である。
【００１５】次に、光電変換素子２０を用いた終点検出
は以下のように実行される。図３には、被処理物１のポ
ジ型レジスト膜５をエッチングしているときの光電変換
素子２０からの信号出力が示してある。エッチング開始
時から発光強度の信号は発せられていないが、９０秒経
過後には、この発光強度の信号出力は上昇し、１００秒
経過後には、信号出力は最大値となり、その後、信号出
力はこの最大値と同じ値を示す。このとき同条件の別の
被処理物をエッチング途中で止めて、エッチング前後に
よる段差からエッチングレートを求めると、１分当り約
７０００オングストロームエッチングされている。した
がって、１００秒の地点がポジ型レジストの終点である
ことがわかり、終点検出を行うことができる。
は以下のように実行される。図３には、被処理物１のポ
ジ型レジスト膜５をエッチングしているときの光電変換
素子２０からの信号出力が示してある。エッチング開始
時から発光強度の信号は発せられていないが、９０秒経
過後には、この発光強度の信号出力は上昇し、１００秒
経過後には、信号出力は最大値となり、その後、信号出
力はこの最大値と同じ値を示す。このとき同条件の別の
被処理物をエッチング途中で止めて、エッチング前後に
よる段差からエッチングレートを求めると、１分当り約
７０００オングストロームエッチングされている。した
がって、１００秒の地点がポジ型レジストの終点である
ことがわかり、終点検出を行うことができる。
【００１６】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れないのは勿論であり、種々変形可能である。特に、上
記実施例では、ＣＦ4 を反応性ガスとして使用する例を
示したが、これに限られず、他のフッ素元素を含むガス
のＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＨＦ3に対しても同様な結果を得
ることができる。
れないのは勿論であり、種々変形可能である。特に、上
記実施例では、ＣＦ4 を反応性ガスとして使用する例を
示したが、これに限られず、他のフッ素元素を含むガス
のＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＨＦ3に対しても同様な結果を得
ることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、除去工
程において、高分子有機化合物膜の残渣を生じることな
く、高速かつ確実にこれを除去できる。しかも、前処理
として、硼素元素を含むガスによりプラズマ処理を行っ
ているため、高分子有機化合物膜が除去された被処理物
のアルミニウム等の表面から可視光領域の光が発光す
る。そのため、光電変換手段により検出を行っている
と、信号の変化を検出でき、高分子有機化合物の除去の
終点を検出することができる。したがって、高分子有機
化合物膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終
点検出を行うことができる。
程において、高分子有機化合物膜の残渣を生じることな
く、高速かつ確実にこれを除去できる。しかも、前処理
として、硼素元素を含むガスによりプラズマ処理を行っ
ているため、高分子有機化合物膜が除去された被処理物
のアルミニウム等の表面から可視光領域の光が発光す
る。そのため、光電変換手段により検出を行っている
と、信号の変化を検出でき、高分子有機化合物の除去の
終点を検出することができる。したがって、高分子有機
化合物膜の残渣を生じない除去方法を採用しながら、終
点検出を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例に用いられる被処理物の断面
図。
図。
【図２】本発明の一実施例に用いられる放電分離型ケミ
カルドライエッチング装置の概略構成図。
カルドライエッチング装置の概略構成図。
【図３】光電変換素子からの信号出力を示すグラフ。
１ 被処理物 ４ アルミニウム合金（又はアルミニウム） ５ レジスト膜（高分子有機化合物） １０ 放電分離型ケミカルドライエッチング装置 １２ 放電室 １６ 反応室 ２０ 光電変換素子（光電変換手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｚ 7630−4Ｍ
Claims (8)
- 【請求項１】感光性フォトレジスト等の高分子有機化合
物膜をマスクとして被処理物をドライエッチングした
後、上記高分子有機化合物膜をエッチングして除去する
際の終点検出方法であって、 上記ドライエッチングの終了後に、被処理物に対して硼
素元素を含むガスによりプラズマ処理を行う前処理工程
と、 フッ素元素を含むガス及び酸素元素を含むガスを放電室
において活性化し、この活性化された活性種１を、この
放電室から分離された反応室に導入すると共に、この反
応室に水素元素を含むガスを直接導入して、上記活性種
１と反応させて活性種２を生成し、これにより高分子有
機化合物を除去する除去工程と、 この除去工程において、被処理物表面から発光する可視
光領域の光を光電変換手段により検出し、得られた信号
の変化に基づいて、高分子有機化合物の除去の終点を検
出する工程とを具備することを特徴とする高分子有機化
合物膜エッチングの終点検出方法。 - 【請求項２】上記硼素元素を含むガスは、ＢＣｌ3 、Ｂ
Ｂｒ3 のいずれかである請求項１に記載の高分子有機化
合物膜エッチングの終点検出方法。 - 【請求項３】上記フッ素元素を含むガスは、ＣＦ4 、Ｎ
Ｆ3 、ＳＦ6 、ＣＨＦ3 のいずれかである請求項１に記
載の高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法。 - 【請求項４】上記水素元素を含むガスは、Ｈ2 Ｏである
請求項１に記載の高分子有機化合物膜エッチングの終点
検出方法。 - 【請求項５】上記可視光の領域は、３８０ｎｍ〜７７０
ｎｍの範囲である請求項１に記載の高分子有機化合物膜
エッチングの終点検出方法。 - 【請求項６】被処理物は、アルミニウム又はアルミニウ
ム合金の膜を有している請求項１に記載の高分子有機化
合物膜エッチングの終点検出方法。 - 【請求項７】被処理物は、シリコンを含む材料を有して
いる請求項１に記載の高分子有機化合物膜エッチングの
終点検出方法。 - 【請求項８】上記シリコンを含む材料は、シリコン、多
結晶シリコン、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＷＳｉのいずれ
かである請求項７に記載の高分子有機化合物膜エッチン
グの終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031863A JPH06252104A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031863A JPH06252104A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252104A true JPH06252104A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12342893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5031863A Pending JPH06252104A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049920A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP5031863A patent/JPH06252104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049920A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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