JPH06252613A - 分布定数整合回路及びその製造方法 - Google Patents
分布定数整合回路及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06252613A JPH06252613A JP5035915A JP3591593A JPH06252613A JP H06252613 A JPH06252613 A JP H06252613A JP 5035915 A JP5035915 A JP 5035915A JP 3591593 A JP3591593 A JP 3591593A JP H06252613 A JPH06252613 A JP H06252613A
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- Japan
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路を小型化し回路間の分離特性を向上
させ、さらに容易に電波吸収材が取りつけられる分布定
数整合回路を得ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板１に伝送線路３を形成し、その伝
送線路３上に、誘電体基板１に垂直方向に柱状のスタブ
４０を形成する。
させ、さらに容易に電波吸収材が取りつけられる分布定
数整合回路を得ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板１に伝送線路３を形成し、その伝
送線路３上に、誘電体基板１に垂直方向に柱状のスタブ
４０を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は分布定数整合回路及び
その製造方法に関し、特にスタブを用いた分布定数整合
回路及びその製造方法に関するものである。
その製造方法に関し、特にスタブを用いた分布定数整合
回路及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の分布定数整合回路を示す斜
視図である。図において、１は半絶縁性ＧａＡｓからな
る誘電体基板、２は誘電体基板１裏面に形成されたＡｕ
から成る接地電極、３は誘電体基板１上に形成されたＡ
ｕから成る伝送線路、４はこの伝送線路３に接続し、こ
れと同一平面上に形成されたＡｕからなるスタブであ
る。
視図である。図において、１は半絶縁性ＧａＡｓからな
る誘電体基板、２は誘電体基板１裏面に形成されたＡｕ
から成る接地電極、３は誘電体基板１上に形成されたＡ
ｕから成る伝送線路、４はこの伝送線路３に接続し、こ
れと同一平面上に形成されたＡｕからなるスタブであ
る。
【０００３】従来の分布定数整合回路は、上記のように
構成されており、その等価回路を図１０に示す。伝送線
路３上の点ｅの場所にスタブ４を接続したとき、例え
ば、点ｅ−点ｆから紙面右方向をみたインピーダンスの
逆数であるアドミタンスＹが、Ｙ＝Ｇ−ｊＢという虚数
成分をもつとき、その虚数成分をスタブ４により変換さ
せるという作用をもつ。この関係を図１１のスミス図表
で示すと、例えば、伝送する信号波長の４分の１波長の
スタブを接続したとき、アドミタンス値が点ｇから点ｈ
に移動し、所定のインピーダンスに整合をとることがで
きるという作用をもつ。
構成されており、その等価回路を図１０に示す。伝送線
路３上の点ｅの場所にスタブ４を接続したとき、例え
ば、点ｅ−点ｆから紙面右方向をみたインピーダンスの
逆数であるアドミタンスＹが、Ｙ＝Ｇ−ｊＢという虚数
成分をもつとき、その虚数成分をスタブ４により変換さ
せるという作用をもつ。この関係を図１１のスミス図表
で示すと、例えば、伝送する信号波長の４分の１波長の
スタブを接続したとき、アドミタンス値が点ｇから点ｈ
に移動し、所定のインピーダンスに整合をとることがで
きるという作用をもつ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の分布定数整合回
路は以上のように構成されており、伝送線路４に対して
同一平面上に形成されているので、隣接する回路間の分
離特性を確保する必要があることからこれが集積回路の
小型化及び高集積化の障害となったり、また、上記整合
回路端の面積が小さいために、電波吸収材等の取りつけ
が困難となるなどの問題点があった。
路は以上のように構成されており、伝送線路４に対して
同一平面上に形成されているので、隣接する回路間の分
離特性を確保する必要があることからこれが集積回路の
小型化及び高集積化の障害となったり、また、上記整合
回路端の面積が小さいために、電波吸収材等の取りつけ
が困難となるなどの問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、集積回路を小型化できると
ともに同一基板上に隣接して形成される回路間の分離特
性の向上を図ることができ、また、容易に電波吸収材を
取りつけることができる分布定数整合回路を得ることを
目的としており、さらにこの回路に適した製造方法を提
供することを目的とする。
ためになされたものであり、集積回路を小型化できると
ともに同一基板上に隣接して形成される回路間の分離特
性の向上を図ることができ、また、容易に電波吸収材を
取りつけることができる分布定数整合回路を得ることを
目的としており、さらにこの回路に適した製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る分布定数
整合回路は、誘電体基板上に形成された伝送線路の上
に、基板に垂直方向に柱状金属から成るスタブを接続す
るようにしたものである。
整合回路は、誘電体基板上に形成された伝送線路の上
に、基板に垂直方向に柱状金属から成るスタブを接続す
るようにしたものである。
【０００７】また、この発明に係る分布定数整合回路の
製造方法は、伝送線路上の所定部分に開口穴を有する第
１のレジストを設けて給電層を形成し、さらに上記開口
穴を除いて第２のレジストを設けて選択メッキを行い、
上記開口穴内に上記伝送線路と電気的に接続する柱状金
属を形成するようにしたものである。
製造方法は、伝送線路上の所定部分に開口穴を有する第
１のレジストを設けて給電層を形成し、さらに上記開口
穴を除いて第２のレジストを設けて選択メッキを行い、
上記開口穴内に上記伝送線路と電気的に接続する柱状金
属を形成するようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、誘電体基板上にこれと接
続するスタブを垂直に形成するようにしたので、同一基
板上に隣接して形成される回路間の分離特性が向上して
集積回路を小型化できる。また、スタブ端の面積が増加
することにより、電波吸収材の取りつけが容易になる。
続するスタブを垂直に形成するようにしたので、同一基
板上に隣接して形成される回路間の分離特性が向上して
集積回路を小型化できる。また、スタブ端の面積が増加
することにより、電波吸収材の取りつけが容易になる。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の第１の実施例に
よる分布定数整合回路を図について説明する。図１は本
実施例の分布定数整合回路のスタブ近傍の上面図、図２
はその断面図であり、図９と同一符号は同一または相当
部分を示し、４０は伝送線路３上の所定位置に誘電体基
板（半絶縁性ＧａＡｓ）１平面に対して垂直方向に形成
されたＡｕからなるスタブである。
よる分布定数整合回路を図について説明する。図１は本
実施例の分布定数整合回路のスタブ近傍の上面図、図２
はその断面図であり、図９と同一符号は同一または相当
部分を示し、４０は伝送線路３上の所定位置に誘電体基
板（半絶縁性ＧａＡｓ）１平面に対して垂直方向に形成
されたＡｕからなるスタブである。
【００１０】図３は上記のように構成された分布定数整
合回路の等価回路を示し、伝送線路３上の点ａに伝送さ
れる信号の波長の４分の１の長さのスタブ４０を接続す
ると、点ａから紙面右側をみたインピーダンスが逆数に
変換される。例えば、周波数１００ＧＨｚの信号のと
き、スタブ４の長さは０．７５ｍｍとなる。
合回路の等価回路を示し、伝送線路３上の点ａに伝送さ
れる信号の波長の４分の１の長さのスタブ４０を接続す
ると、点ａから紙面右側をみたインピーダンスが逆数に
変換される。例えば、周波数１００ＧＨｚの信号のと
き、スタブ４の長さは０．７５ｍｍとなる。
【００１１】次に、以上のような構造を有するスタブの
製造方法の一例を図７に基づいて説明する。まず、図７
(a) に示すように、誘電体基板１の上に伝送線路３の上
方が開口したレジスト膜６を形成する。次いで図７(b)
に示すように、例えば、Ｔｉ／Ａｕかならる給電層７を
形成する。次いで、給電層７の上にレジスト膜８を形成
し（図７(c) 参照）、続いて選択メッキ法により、スタ
ブ９を形成する（図７(d) ）。さらに、図７(e) に示す
ように、レジスト膜８及びその下方の不要部分の給電層
７を除去する。このときレジスト６は保護膜として残存
することになる。
製造方法の一例を図７に基づいて説明する。まず、図７
(a) に示すように、誘電体基板１の上に伝送線路３の上
方が開口したレジスト膜６を形成する。次いで図７(b)
に示すように、例えば、Ｔｉ／Ａｕかならる給電層７を
形成する。次いで、給電層７の上にレジスト膜８を形成
し（図７(c) 参照）、続いて選択メッキ法により、スタ
ブ９を形成する（図７(d) ）。さらに、図７(e) に示す
ように、レジスト膜８及びその下方の不要部分の給電層
７を除去する。このときレジスト６は保護膜として残存
することになる。
【００１２】以上のような工程を経て図１，図２に示す
ような柱状のスタブが得られるが、図７(e) の工程に代
えて、図８に示すように、不要部分のレジスト膜６をも
同時に除去してもよい。
ような柱状のスタブが得られるが、図７(e) の工程に代
えて、図８に示すように、不要部分のレジスト膜６をも
同時に除去してもよい。
【００１３】このように本実施例によれば、伝送線路３
上に、基板１表面に対して垂直方向な柱状のスタブ４０
を設けたから、同一基板上に隣接して形成される回路間
の分離特性が向上し、集積回路の小型化，高集積化を図
ることができる。
上に、基板１表面に対して垂直方向な柱状のスタブ４０
を設けたから、同一基板上に隣接して形成される回路間
の分離特性が向上し、集積回路の小型化，高集積化を図
ることができる。
【００１４】実施例２．次に本発明の第２の実施例によ
る分布定数整合回路を図について説明する。図４，図５
に示すように、本実施例では柱状のスタブ４０の上端面
に、例えばフェライト等の磁性体からなる電波吸収材５
を取りつけたものである。
る分布定数整合回路を図について説明する。図４，図５
に示すように、本実施例では柱状のスタブ４０の上端面
に、例えばフェライト等の磁性体からなる電波吸収材５
を取りつけたものである。
【００１５】次に作用効果について説明する。以上のよ
うに構成することにより、図６の等価回路図に示される
ように、スタブ４０の端に電波反射のない抵抗負荷が接
続されたのと等価になり、無限長のスタブを接続したの
と同じ効果が得られる。
うに構成することにより、図６の等価回路図に示される
ように、スタブ４０の端に電波反射のない抵抗負荷が接
続されたのと等価になり、無限長のスタブを接続したの
と同じ効果が得られる。
【００１６】なお、上記実施例では、誘電体基板として
半絶縁性ＧａＡｓ基板を使用したが、ＩｎＰ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，サファイア，石英，ポリイミド等の高分子フィル
ム，セラミック等を誘電体基板として使用してもよい。
また、スタブとしてＡｕを使用したが、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃ
ｕの金属を使用してもよい。
半絶縁性ＧａＡｓ基板を使用したが、ＩｎＰ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，サファイア，石英，ポリイミド等の高分子フィル
ム，セラミック等を誘電体基板として使用してもよい。
また、スタブとしてＡｕを使用したが、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃ
ｕの金属を使用してもよい。
【００１７】また、上記各実施例では略円柱状のスタブ
を形成する場合について説明したが、多角柱等の形状で
あってもよい。
を形成する場合について説明したが、多角柱等の形状で
あってもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、スタ
ブを伝送線路の上に垂直方向に形成したので、隣接する
回路間の分離特性が向上し、その結果、集積回路を小型
化できる効果がある。
ブを伝送線路の上に垂直方向に形成したので、隣接する
回路間の分離特性が向上し、その結果、集積回路を小型
化できる効果がある。
【００１９】また、従来に比べてスタブ端の面積を大き
くできるので、当該部位に電波吸収材の取りつけが容易
となる効果がある。
くできるので、当該部位に電波吸収材の取りつけが容易
となる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による分布定数整合回
路を示す上面図である。
路を示す上面図である。
【図２】上記分布定数整合回路の断面図である。
【図３】上記分布定数整合回路の等価回路図である。
【図４】この発明の第２の実施例による分布定数整合回
路を示す上面図である。
路を示す上面図である。
【図５】上記分布定数整合回路の断面図である。
【図６】上記分布定数整合回路の等価回路図である。
【図７】第１の実施例による分布定数整合回路の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図８】上記製造方法の変形例を説明するための断面図
である。
である。
【図９】従来の分布定数整合回路を示す斜視図である。
【図１０】従来の分布定数整合回路の等価回路図であ
る。
る。
【図１１】インピーダンス変換を幾何学的に求めること
ができるスミス図表である。
ができるスミス図表である。
１ 誘電体基板 ２ 接地電極 ３ 伝送線路 ４ スタブ ４０ 柱状のスタブ ５ 電波吸収材 ６ レジスト膜 ７ 給電層 ８ レジスト膜 ９ 金メッキ
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体基板に形成された伝送線路と、こ
の伝送線路に接続されたスタブを有する分布定数整合回
路において、 上記伝送線路上の所定位置に、基板平面に対して垂直方
向に形成された柱状金属からなるスタブを備えたことを
特徴とする分布定数整合回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の分布定数整合回路におい
て、 上記柱状金属の上部端面に電波吸収材を取りつけたこと
を特徴とする分布定数整合回路。 - 【請求項３】 誘電体基板上に形成された伝送線路上に
柱状金属からなるスタブを有する分布定数整合回路の製
造方法であって、 誘電体基板上に形成された伝送線路の所定部位上方に開
口穴を有する第１のレジスト膜を形成し、全面に給電層
を形成する工程と、 上記給電層上に、上記開口穴上方に開口を有する第２の
レジストを形成し、選択メッキを行うことにより、上記
開口穴内に上記伝送線路と電気的に接続する柱状金属を
形成する工程とを含むことを特徴とする分布定数整合回
路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035915A JPH06252613A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 分布定数整合回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035915A JPH06252613A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 分布定数整合回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252613A true JPH06252613A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12455333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5035915A Pending JPH06252613A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 分布定数整合回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144394A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
| WO2006011089A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Integrated non-reciprocal component |
| JP2019134361A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 富士通株式会社 | 増幅装置及び電磁波照射装置 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5035915A patent/JPH06252613A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144394A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
| WO2006011089A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Integrated non-reciprocal component |
| JP2008507879A (ja) * | 2004-07-22 | 2008-03-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積化非可逆構成要素 |
| US7746188B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-06-29 | St-Ericsson Sa | Integrated non-reciprocal component |
| JP2019134361A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 富士通株式会社 | 増幅装置及び電磁波照射装置 |
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