JPH0625529A - 低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体 - Google Patents
低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体Info
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- JPH0625529A JPH0625529A JP20017592A JP20017592A JPH0625529A JP H0625529 A JPH0625529 A JP H0625529A JP 20017592 A JP20017592 A JP 20017592A JP 20017592 A JP20017592 A JP 20017592A JP H0625529 A JPH0625529 A JP H0625529A
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- bis
- polyimide
- trifluoromethyl
- conductive metal
- metal oxide
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明性に優れた、低抵抗、低誘電率のポリイ
ミド及びその前駆体の各組成物を提供する。 【構成】 一般式（化１）： 【化１】 （但しＸは４価の有機基を示す）で表される繰返し単位
を含むポリイミド、あるいはその前駆体に相当するポリ
アミド酸と導電性金属酸化物とを必須成分とする、低抵
抗透明ポリイミド組成物、又は低抵抗透明ポリイミド前
駆体組成物。
ミド及びその前駆体の各組成物を提供する。 【構成】 一般式（化１）： 【化１】 （但しＸは４価の有機基を示す）で表される繰返し単位
を含むポリイミド、あるいはその前駆体に相当するポリ
アミド酸と導電性金属酸化物とを必須成分とする、低抵
抗透明ポリイミド組成物、又は低抵抗透明ポリイミド前
駆体組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性金属酸化物を配
合した低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体の各組成物
に関する。
合した低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体の各組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、電気絶縁性等に優
れているためフレキシブルプリント基板材料、エレクト
ロニクス用コーティング剤など最近では電子材料として
多く用いられるようになってきている。しかしポリイミ
ドは電気絶縁性がよい反面帯電しやすいためほこりや塵
埃などの付着により外観が汚れ易いとか、帯電した静電
気により電子部品に悪影響がでるなどの問題もある。例
えばポリイミドを液晶配向膜として用いた液晶素子の場
合、ポリイミドのラビング工程で配向膜表面は静電気に
よる帯電が生じ、帯電量が多いときに絶縁破壊を引起こ
し、パネルを点灯したときに画像欠陥を生じるという問
題点が指摘されている。静電気によるポリイミドへの帯
電を防止するためには高い電気絶縁性を有するポリイミ
ドの電気抵抗を低くする必要がある。これまでポリイミ
ドにカーボンブラック、導電性金属粒子、導電性金属酸
化物粒子などを配合する方法が検討されているが、ポリ
イミドに対して添加する量を多くしなくてはならず機械
的強度が低下することなどの問題点が指摘されているこ
とに加えて透明性に極めて劣るという事実がある。
れているためフレキシブルプリント基板材料、エレクト
ロニクス用コーティング剤など最近では電子材料として
多く用いられるようになってきている。しかしポリイミ
ドは電気絶縁性がよい反面帯電しやすいためほこりや塵
埃などの付着により外観が汚れ易いとか、帯電した静電
気により電子部品に悪影響がでるなどの問題もある。例
えばポリイミドを液晶配向膜として用いた液晶素子の場
合、ポリイミドのラビング工程で配向膜表面は静電気に
よる帯電が生じ、帯電量が多いときに絶縁破壊を引起こ
し、パネルを点灯したときに画像欠陥を生じるという問
題点が指摘されている。静電気によるポリイミドへの帯
電を防止するためには高い電気絶縁性を有するポリイミ
ドの電気抵抗を低くする必要がある。これまでポリイミ
ドにカーボンブラック、導電性金属粒子、導電性金属酸
化物粒子などを配合する方法が検討されているが、ポリ
イミドに対して添加する量を多くしなくてはならず機械
的強度が低下することなどの問題点が指摘されているこ
とに加えて透明性に極めて劣るという事実がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば液晶配向膜を考
えた場合これらの低抵抗ポリイミドは透明性の観点から
使用は困難である。また種々の部品のコーティング膜と
して用いる場合低抵抗と透明性の性質を合せ持たすこと
ができれば適用範囲を大きく拡大できるものと期待され
る。本発明は、透明性に優れた、低抵抗ポリイミド及び
その前駆体の各組成物を提供することを目的とするもの
である。
えた場合これらの低抵抗ポリイミドは透明性の観点から
使用は困難である。また種々の部品のコーティング膜と
して用いる場合低抵抗と透明性の性質を合せ持たすこと
ができれば適用範囲を大きく拡大できるものと期待され
る。本発明は、透明性に優れた、低抵抗ポリイミド及び
その前駆体の各組成物を提供することを目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は低抵抗透明ポリイミド組成物に関す
る発明であって、下記の一般式（化１）：
発明の第１の発明は低抵抗透明ポリイミド組成物に関す
る発明であって、下記の一般式（化１）：
【０００５】
【化１】
【０００６】（但しＸは４価の有機基を示す）で表され
る繰返し単位を含むポリイミドと導電性金属酸化物を必
須成分とすることを特徴とする。本発明の第２の発明は
低抵抗透明ポリイミド前駆体組成物に関する発明であっ
て下記の一般式（化２）：
る繰返し単位を含むポリイミドと導電性金属酸化物を必
須成分とすることを特徴とする。本発明の第２の発明は
低抵抗透明ポリイミド前駆体組成物に関する発明であっ
て下記の一般式（化２）：
【０００７】
【化２】
【０００８】（但しＸは４価の有機基を示す）で表され
る繰返し単位を含むポリアミド酸と導電性金属酸化物を
必須成分とすることを特徴とする。
る繰返し単位を含むポリアミド酸と導電性金属酸化物を
必須成分とすることを特徴とする。
【０００９】以下、本発明の低抵抗透明ポリイミド及び
その前駆体の各組成物について詳しく説明する。本発明
に用いるポリイミド又はポリイミド前駆体は、次の化学
構造式（化３）：
その前駆体の各組成物について詳しく説明する。本発明
に用いるポリイミド又はポリイミド前駆体は、次の化学
構造式（化３）：
【００１０】
【化３】
【００１１】で示されるトリフルオロメチル基を二つ有
するビフェニレン基を持つ必要がある。ポリイミド、ポ
リイミド前駆体は一般にジアミンと酸無水物から合成さ
れるが、ジアミンとしては２，２′−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルが必要とな
る。
するビフェニレン基を持つ必要がある。ポリイミド、ポ
リイミド前駆体は一般にジアミンと酸無水物から合成さ
れるが、ジアミンとしては２，２′−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルが必要とな
る。
【００１２】また酸無水物としては次に示すテトラカル
ボン酸の無水物が挙げられる。（トリフルオロメチル）
ピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−
ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロメリット
酸、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン
酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフルオロ
メチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフ
ェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビ
フェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエー
テル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビ
ス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝
ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキ
シ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン、２，
２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス
｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエ
ーテル、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフ
ルオロメチル）ビフェニル、ジフルオロピロメリット
酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロ
フェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）オク
タフルオロビフェニルなどがある。
ボン酸の無水物が挙げられる。（トリフルオロメチル）
ピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−
ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロメリット
酸、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン
酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフルオロ
メチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフ
ェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビ
フェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエー
テル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビ
ス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝
ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキ
シ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン、２，
２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス
｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエ
ーテル、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフ
ルオロメチル）ビフェニル、ジフルオロピロメリット
酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロ
フェノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）オク
タフルオロビフェニルなどがある。
【００１３】ジアミンは２，２′−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノビフェニル単独で用いて
もよいが混合して用いることもできる。その場合に使用
するジアミンの例を次に挙げる。ｍ−フェニレンジアミ
ン、２，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシ
レン、２，４−ジアミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，
１１Ｈ−エイコサフルオロウンデカノキシ）−１，３−
ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−
１−ブタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−オクタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−ペンタフルオロフェノキシ−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（２，３，５，６−テトラフルオロフェ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（４−フル
オロフェノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１
Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ドデカノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、ｐ−フェニレンジアミン、
２，５−ジアミノトルエン、２，３，５，６−テトラメ
チル−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノベン
ゾトリフルオライド、ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニレンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロヘキシル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロブチル）ベンゼ
ン、ベンジジン、２，２′−ジメチルベンジジン、３，
３′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベン
ジジン、２，２′−ジメトキシベンジジン、３，３′，
５，５′−テトラメチルベンジジン、３，３′−ジアセ
チルベンジジン、オクタフルオロベンジジン、３，３′
−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビ
フェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニ
リノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキ
サフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオ
ロペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフル
オロヘプタン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ
−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミ
ノフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。
メチル）−４，４′−ジアミノビフェニル単独で用いて
もよいが混合して用いることもできる。その場合に使用
するジアミンの例を次に挙げる。ｍ−フェニレンジアミ
ン、２，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシ
レン、２，４−ジアミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，
１１Ｈ−エイコサフルオロウンデカノキシ）−１，３−
ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−
１−ブタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−オクタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−ペンタフルオロフェノキシ−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（２，３，５，６−テトラフルオロフェ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（４−フル
オロフェノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサ
ノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１
Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ドデカノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、ｐ−フェニレンジアミン、
２，５−ジアミノトルエン、２，３，５，６−テトラメ
チル−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノベン
ゾトリフルオライド、ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニレンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロヘキシル）ベン
ゼン、２，５−ジアミノ（パーフルオロブチル）ベンゼ
ン、ベンジジン、２，２′−ジメチルベンジジン、３，
３′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベン
ジジン、２，２′−ジメトキシベンジジン、３，３′，
５，５′−テトラメチルベンジジン、３，３′−ジアセ
チルベンジジン、オクタフルオロベンジジン、３，３′
−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビ
フェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニ
リノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキ
サフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオ
ロペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフル
オロヘプタン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ
−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミ
ノフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。
【００１４】ジアミンとして２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルは必須で
あるが、１種以上のジアミンを併用することもできる。
また酸二無水物も１種又は２種以上のものを併用するこ
とは可能である。
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルは必須で
あるが、１種以上のジアミンを併用することもできる。
また酸二無水物も１種又は２種以上のものを併用するこ
とは可能である。
【００１５】前記重合反応に使用される有機極性溶媒と
しては、各モノマー成分、両モノマー成分によって生成
されるオリゴマー、又は低分子量の芳香族ポリアミック
酸を均一に溶解する溶媒を用いる。そのような極性有機
溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ−メチルカプロラクタムなどのアミド系溶
媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメ
チルテトラメチレンスルホン、ピリジン、エチレングリ
コール、テトラメチル尿素、クレゾール、フェノールな
どを挙げることができる。これらの有機極性溶媒は、ベ
ンゼン、トルエン、ベンゾニトリル、キシレン、ソルベ
ントナフサ、及びジオキサンのような他の有機溶媒と混
合して使用することもできる。
しては、各モノマー成分、両モノマー成分によって生成
されるオリゴマー、又は低分子量の芳香族ポリアミック
酸を均一に溶解する溶媒を用いる。そのような極性有機
溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ−メチルカプロラクタムなどのアミド系溶
媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメ
チルテトラメチレンスルホン、ピリジン、エチレングリ
コール、テトラメチル尿素、クレゾール、フェノールな
どを挙げることができる。これらの有機極性溶媒は、ベ
ンゼン、トルエン、ベンゾニトリル、キシレン、ソルベ
ントナフサ、及びジオキサンのような他の有機溶媒と混
合して使用することもできる。
【００１６】前記テトラカルボン酸成分とジアミン成分
から有機極性溶媒中でポリイミド前駆体を合成する方法
は、それ自体公知の方法を採用することができる。
から有機極性溶媒中でポリイミド前駆体を合成する方法
は、それ自体公知の方法を採用することができる。
【００１７】ポリイミド前駆体中に分散する導電性金属
酸化物は、非常に小さい粒子状であることが好ましく、
その粒径は一般に０．０１〜５μｍであることが好まし
い。該導電性金属酸化物は、該導電性金属酸化物含有ポ
リイミド前駆体の乾燥物基準で１〜４０重量％、好まし
くは５〜２０重量％の量で用いることが好ましい。
酸化物は、非常に小さい粒子状であることが好ましく、
その粒径は一般に０．０１〜５μｍであることが好まし
い。該導電性金属酸化物は、該導電性金属酸化物含有ポ
リイミド前駆体の乾燥物基準で１〜４０重量％、好まし
くは５〜２０重量％の量で用いることが好ましい。
【００１８】このような導電性金属酸化物としては、例
えば、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化ア
ンチモン、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ、酸化
カドミウムスズ、酸化チタンの表面に酸化スズ系の導電
膜を形成させたものなどの金属酸化物を用いることがで
きる。
えば、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化ア
ンチモン、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ、酸化
カドミウムスズ、酸化チタンの表面に酸化スズ系の導電
膜を形成させたものなどの金属酸化物を用いることがで
きる。
【００１９】この導電性金属酸化物は、溶液中に均一に
分散されていることが好ましい。分散方法は、特に限定
されないが、例えば、超音波分散装置、ポールミル分散
装置などの方法を採用することができる。
分散されていることが好ましい。分散方法は、特に限定
されないが、例えば、超音波分散装置、ポールミル分散
装置などの方法を採用することができる。
【００２０】また分散剤として界面活性剤を用いること
もできる。界面活性剤としては、ポリイミド前駆体溶液
の極性容器溶媒に溶解するものであることが好ましい。
該界面活性剤は前記導電性金属酸化物の１〜５０重量
％、好ましくは５〜２０重量％の量で用いることが好ま
しい。
もできる。界面活性剤としては、ポリイミド前駆体溶液
の極性容器溶媒に溶解するものであることが好ましい。
該界面活性剤は前記導電性金属酸化物の１〜５０重量
％、好ましくは５〜２０重量％の量で用いることが好ま
しい。
【００２１】このような界面活性剤としては、例えば、
脂肪酸及びその金属塩、アルキルベンゼンスルホン酸及
びその金属塩、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリン酸エステル、ポリ
オキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロック共重合
体、ポリエーテル変性シリコーンオイルなどの単体ある
いは混合物を用いることができる。
脂肪酸及びその金属塩、アルキルベンゼンスルホン酸及
びその金属塩、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリン酸エステル、ポリ
オキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロック共重合
体、ポリエーテル変性シリコーンオイルなどの単体ある
いは混合物を用いることができる。
【００２２】本発明の低抵抗透明ポリイミドの製造方法
は、通常のポリイミドの製造条件と同じでよい。ポリイ
ミド前駆体から通常の熱イミド化又は無水酢酸などの脱
水剤を用いる化学的イミド化などによりポリイミドが得
られる。例えば、低抵抗透明ポリイミドフィルムを得る
には導電性金属酸化物粒子含有ポリイミド前駆体溶液を
スピンコート法、グラビアコート法、ブレードコート
法、キャスト法などによってシリコン基板などに塗布
し、加熱処理して、低抵抗透明ポリイミドフィルムを製
造する。
は、通常のポリイミドの製造条件と同じでよい。ポリイ
ミド前駆体から通常の熱イミド化又は無水酢酸などの脱
水剤を用いる化学的イミド化などによりポリイミドが得
られる。例えば、低抵抗透明ポリイミドフィルムを得る
には導電性金属酸化物粒子含有ポリイミド前駆体溶液を
スピンコート法、グラビアコート法、ブレードコート
法、キャスト法などによってシリコン基板などに塗布
し、加熱処理して、低抵抗透明ポリイミドフィルムを製
造する。
【００２３】この加熱処理はまず５０〜１００℃の温度
で一次加熱処理し、次いで１５０℃以上の温度にて二次
加熱処理することによって行うことが望ましい。前記の
二次加熱処理は更に２５０〜３５０℃の温度範囲にて行
うことが好ましい。前記の加熱処理の結果、溶媒の蒸発
除去、あるいは、溶媒を除去すると共にポリイミド前駆
体のイミド化が行われる。
で一次加熱処理し、次いで１５０℃以上の温度にて二次
加熱処理することによって行うことが望ましい。前記の
二次加熱処理は更に２５０〜３５０℃の温度範囲にて行
うことが好ましい。前記の加熱処理の結果、溶媒の蒸発
除去、あるいは、溶媒を除去すると共にポリイミド前駆
体のイミド化が行われる。
【００２４】前記加熱処理は、恒温槽、赤外線加熱炉な
どの公知の種々の装置を使用して行うことができる。二
次加熱処理は、温度を変化させず一段で行ってもよく、
また２００℃付近で加熱し、次いで３５０℃付近で加熱
を行うといったように、温度を変化させて二段以上の多
段で行ってもよい。
どの公知の種々の装置を使用して行うことができる。二
次加熱処理は、温度を変化させず一段で行ってもよく、
また２００℃付近で加熱し、次いで３５０℃付近で加熱
を行うといったように、温度を変化させて二段以上の多
段で行ってもよい。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００２６】実施例１ ピロメリット酸二無水物と２，２′−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルとを、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で、重合したポリイミ
ド前駆体の溶液１００ｇに酸化インジウムスズ５ｇ、ス
テアリン酸リチウム０．３ｇを加え、２４時間かくはん
することによって酸化インジウムスズ及びステアリン酸
リチウムを十分分散させて、導電性金属酸化物含有ポリ
イミド前駆体溶液を得た。このポリイミド前駆体溶液は
乾燥物基準で１０重量％の酸化インジウムスズを含有し
ている。次いで、前記導電性金属酸化物含有ポリイミド
前駆体溶液をＳｉＯ2 基板上にスピンコート法によって
塗布し、１００℃にて１時間一次加熱し、次いで２５０
℃にて１時間、更に３５０℃にて１時間二次加熱するこ
とによって芳香族ポリイミドフィルムを得た。この導電
性金属酸化物含有ポリイミドフィルムの厚みは５μｍで
あった。この導電性金属含有ポリイミドフィルムの抵抗
率は約１×１０-8Ωcmであった。またこのフィルムの５
００nmでの光透過率は７５％であった。
ロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルとを、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で、重合したポリイミ
ド前駆体の溶液１００ｇに酸化インジウムスズ５ｇ、ス
テアリン酸リチウム０．３ｇを加え、２４時間かくはん
することによって酸化インジウムスズ及びステアリン酸
リチウムを十分分散させて、導電性金属酸化物含有ポリ
イミド前駆体溶液を得た。このポリイミド前駆体溶液は
乾燥物基準で１０重量％の酸化インジウムスズを含有し
ている。次いで、前記導電性金属酸化物含有ポリイミド
前駆体溶液をＳｉＯ2 基板上にスピンコート法によって
塗布し、１００℃にて１時間一次加熱し、次いで２５０
℃にて１時間、更に３５０℃にて１時間二次加熱するこ
とによって芳香族ポリイミドフィルムを得た。この導電
性金属酸化物含有ポリイミドフィルムの厚みは５μｍで
あった。この導電性金属含有ポリイミドフィルムの抵抗
率は約１×１０-8Ωcmであった。またこのフィルムの５
００nmでの光透過率は７５％であった。
【００２７】実施例２ 実施例１で使用した導電性金属酸化物含有ポリイミド前
駆体溶液の酸二無水物成分を２，２−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物
に変えて導電性金属酸化物含有ポリイミド前駆体溶液の
調製を行った以外は、実施例１と同様にして、ポリイミ
ドフィルムを得た。この導電性金属酸化物含有ポリイミ
ドフィルムの厚みは５μｍであった。このポリイミドフ
ィルムの抵抗率は約１×１０-8Ωcmであった。またこの
フィルムの５００nmでの光透過率は７５％であった。
駆体溶液の酸二無水物成分を２，２−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物
に変えて導電性金属酸化物含有ポリイミド前駆体溶液の
調製を行った以外は、実施例１と同様にして、ポリイミ
ドフィルムを得た。この導電性金属酸化物含有ポリイミ
ドフィルムの厚みは５μｍであった。このポリイミドフ
ィルムの抵抗率は約１×１０-8Ωcmであった。またこの
フィルムの５００nmでの光透過率は７５％であった。
【００２８】実施例３ 実施例１で使用した導電性金属酸化物含有ポリイミド前
駆体溶液の酸化インジウムスズの量を１０ｇ、及びステ
アリン酸リチウムの量を０．６ｇに変えて導電性金属酸
化物含有ポリイミド前駆体溶液の調製を行った以外は実
施例１と同様にして、ポリイミドフィルムを得た。前記
のポリイミド前駆体溶液は、乾燥物基準で２０重量％の
酸化インジウムスズを含有している。この低抵抗ポリイ
ミドフィルムの厚みは４μｍであった。この芳香族ポリ
イミドフィルムの抵抗率は約１×１０-6Ωcmであった。
またこのフィルムの５００nmでの光透過率は６４％であ
った。
駆体溶液の酸化インジウムスズの量を１０ｇ、及びステ
アリン酸リチウムの量を０．６ｇに変えて導電性金属酸
化物含有ポリイミド前駆体溶液の調製を行った以外は実
施例１と同様にして、ポリイミドフィルムを得た。前記
のポリイミド前駆体溶液は、乾燥物基準で２０重量％の
酸化インジウムスズを含有している。この低抵抗ポリイ
ミドフィルムの厚みは４μｍであった。この芳香族ポリ
イミドフィルムの抵抗率は約１×１０-6Ωcmであった。
またこのフィルムの５００nmでの光透過率は６４％であ
った。
【００２９】実施例４ 実施例３で使用した導電性金属酸化物含有ポリイミド前
駆体溶液の酸二無水物成分をピロメリット酸二無水物と
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物の混合物（モル比で８対２）
に変えて導電性金属酸化物含有ポリイミド前駆体の調製
を行った以外は、実施例３と同様にしてポリイミドフィ
ルムを得た。このポリイミドフィルムの厚みは５μｍで
あった。この芳香族ポリイミドフィルムの抵抗率は約１
×１０-6Ωcmであった。またこのフィルムの５００nmの
光透過率は７５％であった。
駆体溶液の酸二無水物成分をピロメリット酸二無水物と
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物の混合物（モル比で８対２）
に変えて導電性金属酸化物含有ポリイミド前駆体の調製
を行った以外は、実施例３と同様にしてポリイミドフィ
ルムを得た。このポリイミドフィルムの厚みは５μｍで
あった。この芳香族ポリイミドフィルムの抵抗率は約１
×１０-6Ωcmであった。またこのフィルムの５００nmの
光透過率は７５％であった。
【００３０】
【発明の効果】本発明により、透明性を失うことなく、
新規な低抵抗透明ポリイミドが得られ、液晶配向膜の性
能を向上できるなどの効果が期待できる。また本発明の
低抵抗透明ポリイミドは、誘電率も小さいという特徴が
あり、低抵抗、低誘電率という相反する性能を持つ耐熱
性電子材料としての新たな展開が期待できる。
新規な低抵抗透明ポリイミドが得られ、液晶配向膜の性
能を向上できるなどの効果が期待できる。また本発明の
低抵抗透明ポリイミドは、誘電率も小さいという特徴が
あり、低抵抗、低誘電率という相反する性能を持つ耐熱
性電子材料としての新たな展開が期待できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（化１）： 【化１】 （但しＸは４価の有機基を示す）で表される繰返し単位
を含むポリイミドと導電性金属酸化物を必須成分とする
ことを特徴とする低抵抗透明ポリイミド組成物。 - 【請求項２】 下記一般式（化２）： 【化２】 （但しＸは４価の有機基を示す）で表される繰返し単位
を含むポリアミド酸と導電性金属酸化物を必須成分とす
ることを特徴とする低抵抗透明ポリイミド前駆体組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20017592A JPH0625529A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20017592A JPH0625529A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625529A true JPH0625529A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16420045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20017592A Pending JPH0625529A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 低抵抗透明ポリイミド及びその前駆体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383578B2 (en) | 1996-05-23 | 2002-05-07 | 3M Innovative Properties Co. | Polyimide angularity enhancement layer |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP20017592A patent/JPH0625529A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383578B2 (en) | 1996-05-23 | 2002-05-07 | 3M Innovative Properties Co. | Polyimide angularity enhancement layer |
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